离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 ^_JD 7-g  
3ik  
器件表面图形的刻蚀。 {*H&NI  
In|:6YDL&  
性能参数 $rDeI-)S  
_3h(R`VdWO  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； C>Qgd9  
cj-P&D[Ny[  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； |@={:gRJ{x  
go/]+vD  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s Rd;k>e  
DF'-dh</*  
d) .Vux~A  
配置3路MFC Lm\N`  
Z{`;Ys:zk  
;rpjXP
 
应用范围 T%K(opISc(  
VO>A+vx3M  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。