离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 g>;@(:e^/  
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器件表面图形的刻蚀。 OXbShA&1  
@\XeRx;  
性能参数 DcdEt=\)h  
h
V0fkQ.|  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 3)6-S  
V$w lOMp  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； 'L-DMNxBr  
QkW'tU\^  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s Y&8,f|{R  
3 V>$H\H  
d) uOJqj{k_."  
配置3路MFC X<Z(,B  
fByf~iv,  
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应用范围 ^V#,iO9.-  
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。