离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 fm#7}Y  
oJVdFE  
器件表面图形的刻蚀。 Urw =a$  
Zc";R!At  
性能参数 )[99SM   
5bZ0}^FYF  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； P=_W{6  
3Q&@l49q  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； oVl:g:K40  
pvWNiW:~k  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s .mnkV -m  
G=e'H-  
d) Cf 202pF3y  
配置3路MFC 9n5uO[D  
dRs\e(H'  
af[dkuv  
应用范围  v?d`fd  
"
SuG6!k3  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。