离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 PNU(;&2<  
y_]+;%w:  
器件表面图形的刻蚀。 -%K!Ra\W  
,$P,x  
性能参数 Jd2.j?P=  
6*OL.~WE  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； LF<&gC  
=bVPHrKNQ  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； `?Rq44=  
RaZ>.5 D  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s bS.w<V Ew  
s='+[*&&  
d) I`>U#x*  
配置3路MFC q}1ZuK`6  
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{7o#Ve  
应用范围 v*;d  
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。