离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 k ^+h>B-;  
UY>{e>/H9  
器件表面图形的刻蚀。 bZa?h.IF  
CuDU~)`  
性能参数 Ndx='j0  
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a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； <$ '#@jW  
[D/q%  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； t$s)S>  
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c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s ;9b?[G  
5%+T~ E*  
d) {>5c,L$  
配置3路MFC r\L:JTZ$  
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应用范围 48w3gye  
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。