离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 LuHRB}W  
jO/cdLKX(  
器件表面图形的刻蚀。 *u:,@io7'G  
}#-@5["-X  
性能参数 F+GX{e7E\  
vcsSi%M\U  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 0}"\3EdAbD  
VdGVEDwz  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； 7{(UiQbf  
L N Fe7<y  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s j RcE241  
3tCTPZy  
d) ]8fn
1Hx\  
配置3路MFC @HiGc^X(  
6%h%h:
e  
x.Egl4b3  
应用范围 nGe4IY\-w  
R<Mc+{*>  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。