离子刻蚀RIE干法刻蚀

发布:探针台 2019-07-31 16:22 阅读:1532
主要用途 G?v <-=I  
y(<{e~  
器件表面图形的刻蚀。 tYTl-c  
MzB.Vvsy%9  
性能参数 -flcB|I`  
|in>`:qk  
a)可实现各向异性刻蚀,工艺稳定,重复性好; ]0<K^OIY  
h{"SV*Xpk/  
b)射频功率源:600瓦,频率13.56MHz; Z0H_l/g  
4_>;|2  
c)刻蚀时间可调范围:10s-1800s M*n94L=Sg&  
OU` !c[O  
d) vG6*[c8  
配置3路MFC v(0ujfSR0  
?4wl  
Xk!{UxQKQ  
应用范围 *6<4ECa7C  
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。
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