离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途
Rhil]|a/  
?jRyw(Q  
器件表面图形的刻蚀。 +yYSp8>  
I0]"o#LjT  
性能参数 DC8,ns]!y  
ht@s!5\LK  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； .3*VkAs  
RXU#.=xvy  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； ~\D H[Mt  
?{M!syD<  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s sT"h)I)]*  
l#G }j^Q  
d) jt8% L[  
配置3路MFC 8ncgTCH:  
Al(u|LbQ  
9XPQ1LSx  
应用范围 %*wOJx  
zO07X*Bw  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。