离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 h O emt  
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器件表面图形的刻蚀。 //Ai.Q.J[  
a,7&"  
性能参数 $mGvJ*9  
I^Z8PEc+  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； 6Fy@s  
IaFr&  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； nY $tp  
m+itno  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s S=3^Q;V/1  
):EBgg4-N  
d) 0|D&"/.R#!  
配置3路MFC TCvSc\Q[:1  
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&Np9kIMCB  
应用范围 `Pc3?~>0HH  
~:_0CKa!  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。