离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 f*EDSJu\  
ZftucD|ZY/  
器件表面图形的刻蚀。 Bnz}:te}  
S] 4RGWn  
性能参数 KkJE-k*D+w  
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I  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； ,!^g8zO  
6J965eM'[  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； 3!Mb<W.3  
]'vAeC6{  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s ;T<'GP'/r  
6|Crc$4l  
d) rc}=`D`  
配置3路MFC ()fYhk|W  
oMxpdG3y-  
9?|m ^  
应用范围 >?{> !#1  
U9Lo0K  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。