《
半导体光谱和
光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和
光电子效应、
激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视
物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
%~@}wHMB 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。
P<U{jkM\/ 5_PD?lg ZCa?uzeo] 市场价:¥88.00
D0~mu{;c$ 优惠价:¥74.40 为您节省:13.60元 (85折)
'<O&
:
@uHNz-c DLVf7/=3~ 第一章 半导体的光学常数
h
c"n? 1.1 半导体的光学常数及其相互关系
)7f:hg 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
tkA '_dcIC 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换
VrHFM(RNe 1.4 半导体光学常数的实验测量
0YKG`W 参考文献
Oo,<zS=ICk :Q89j4, 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
J::dY~@ 2.1 半导体的带间跃迁过程
r__uPyIMG/ 2.2 带间跃迁的量子力学理论
_d:l1jD 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
&N,c:dNe 2.4 间接跃迁的量子力学处理
3K{'~?mM 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程
Al!P=h 参考文献
\D0Pik@? P*_Q 8I)Y 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程
\'shnzs 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
/"
,]J 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应
SNcaIzbr 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
l =#uy 3.4 半导体的调制光谱
'wDNP_ 3.5 激子吸收
v~j21` 参考文献
~%'M[3Rb hW]:CIqk 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程
MSu_*&j9T 4.1 带内越和自由载流子吸收
YOqBIbp~&) 4.2 自由载流子吸收的量子理论
4Xlq
Ym 4.3 杂质吸收光谱
(2X`imJ 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
mI-$4st] 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱
((#|>W\&