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半导体光谱和
光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和
光电子效应、
激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视
物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
8jlLUG:g 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。
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rZXrT}Xh{W 1Tp/MV/> 第一章 半导体的光学常数
da!P0x9p 1.1 半导体的光学常数及其相互关系
aW_oD[l 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
x3+oAb@o/ 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换
pmvT$;7I 1.4 半导体光学常数的实验测量
.wA+S8}S 参考文献
+EXJ\wy Fh|#u:n 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
w'4AJ Q|; 2.1 半导体的带间跃迁过程
Jb_1LZ)] 2.2 带间跃迁的量子力学理论
ZzGahtx)Y 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
Fzlozx1y[ 2.4 间接跃迁的量子力学处理
2NGeC0= 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程
?tdd3ai> 参考文献
{PU!=IkTS Df=dt 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程
WUc#)EEM) 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
r;>+)**@vl 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应
!`JHH& 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
4LcX<BU9 3.4 半导体的调制光谱
`A$!]&[~| 3.5 激子吸收
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