半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda

半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等. ?* r  
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 }_-tJ.  
半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um（O.18um及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低K介质工艺、浅槽隔离（STl）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折中。 a8v\H8@X  
《半导体制造技术》主要特点： X-Ev>3H  
在工艺章节（第10章至第18章）中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题，在硅片制造中会遇到这些问题 CIsX$W  
全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容，为读者提供了视觉支持，以掌握抽象的概念和原理 ,izp^,`  
每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题 ^uphpABpD  
附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容 >o%X;U 3  
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第1章 半导体产业介绍 I+ 3qu=  
目标 8N$Xq\Da+>  
1.1 引言 q&O9W?E8dG  
1.2 产业的发展 wAgVevE  
1.3 电路集成 ^UhqV"[7k  
1.4 集成电路制造 f`K#=_Kq7  
1.5 半导体趋势 VC_F Cz  
1.6 电子时代 k {vd1,HZ  
1.7 在半导体制造业中的职业 IP-M)_I
  
1.8 小结 ,\1Rf
.  
;8 *"c  
第2章 半导体材料特性 Hwtoa,  
目标 &U CtyCz  
2.1 引言 {X<_Y<  
2.2 原子结构 XbeT x  
2.3 周期表 Fp"c {  
2.4 材料分类 fZS'e{V  
2.5 硅 H;@0L}Nu+}  
2.6 可选择的半导体材料 1}SON4U  
2.7 小结 }6 u)wF5  
K6)IBV;
 
第3章 器件技术 ;%i-:<ac  
目标 a+CJJ3T-  
3.1 引言 <lU(9) L;&  
3.2 电路类型 WP Gp(Xw  
3.3 无源元件结构 ftRdK>a D  
3.4 有源元件结构 BeD>y@ it  
3.5 CMOS器件的闩锁效应 V\Y,4&bI  
3.6 集成电路产品 EM1HwapD  
3.7 小结 Sj*W|n\gj  
"4T36b  
第4章 硅和硅片制备 F9(jx#J~t  
目标 `K[r5;QFKf  
4.1 引言 JDp=w,7LF  
4.2 半导体级硅 |5q,%9_  
4.3 晶体结构 /qq*"R  
4.4 晶向 - K"L6m|  
4.5 单晶硅生长 _5p]Arg?}&  
4.6 硅中的晶体缺陷 rTOex]@N  
4.7 硅征制备 {K|ds($ 5  
4.8 质量测量 Sht3\cJ8  
4.9 外延层 HCYy9  
4.10 小结 /}%C'  
sYSq>M  
第5章 半导体制造中的化学品 pe).  
目标 (y\.uPu!  
5.1 引言 )(1tDQ`L>  
5.2 物质形态 *_Ih@f H  
5.3 材料的属性 7s{['t  
5.4 工艺用化学品 kFT*So`'  
5.5 小结 BvHI}=  
P.=Dd"La  
第6章 硅片制造中的沾污控制 p]toDy-}  
目标 2$2@?]|?  
6.1 引言 zP@\rZ@4  
6.2 沾污的类型 %x}Unk  
6.3 沾污的源与控制 *$JS}Pax  
6.4 硅片湿法清洗 9I#a{%A:  
6.5 小结 N ;n55N  
.Rb1%1bdc  
第7章 测量学和缺陷检查 G[fg!vig#7  
目标 41rS0QAM  
7.1 引言 bHTTxZ-%  
7.2 集成电路测量学 ;L$l0(OO  
7.3 质量测量 >Il{{{\>  
7.4 分析设备 s(=@J?7As  
7.5 小结 b`cH.v  
*Ct ^jU7  
第8章 工艺腔内的气体控制 Q(Pc  
目标 A9Pq}3U  
8.1 引言 3cNr~`7  
8.2 真空 Np.<&`p!  
8.3 真空泵 Z%SDN"+'g  
8.4 工艺腔内的气流 9/R=_y-  
8.5 残气分析器 3#F"UG2,_  
8.6 等离子体 >{0,dGm  
8.7 工艺腔的结构 O"RIY3m  
8.8 小结 lZ`@ }^&  
hs
I9{j]f  
第9章 集成电路制造工艺概况 I Vw'YtZ  
目标 -.Z;n1'^  
9.1 引言 )M56vyo  
9.2 CMOS工艺流程 uL~.#Y_jQ  
9.3 CMOS制作步骤 H]M[2C7#N  
9.4 小结 y99|V39'  
lXnv(3j3*s  
第10章 氧化 rC,ZRFF  
目标 Z22#lF\N  
10.1 引言 _M
- PF$  
10.2 氧化膜 }
\W^$e-  
10.3 热氧化生长 o'YK\L!p  
10.4 高温炉设备 >[P`$XkXd4  
10.5 卧式与立式炉 DM(c :+K-  
10.6 氧化工艺 }
. V!|R,  
10.7 质量测量 U/\LOIs  
10.8 氧化检查及故障排除 N_VWA.JHt  
10.9 小结 KM-7w66V  
zogl2e+  
第11章 淀积 )hfI,9I~  
目标 njb{
  
11.1 引言 {iTA=\q2O  
11.2 膜淀积 -{$L`{|G  
11.3 化学气相淀积 qa?0GTAS  
11.4 CVD淀积系统 ^F|/\i  
11.5 介质及其性能  ;W@  
11.6 旋涂绝缘介 _Oc\hW  
11.7 外延 4Jw_gOY&D  
11.8 CVD质量测量 >WY\P4)k  
11.9 CVD检查及故障排除 __-V_(/b,x  
11.1 0小结 fZxEE~Q1  
v)v`896S`  
第12章 金属化 l9{.~]V  
目标 U%tpNWB  
12.1 引言 }#`-mRaU  
12.2 金属类型 R]TS5b-  
12.3 金属淀积系统 kfkcaj4l]  
12.4 金属化方案 nh/%0=S  
12.5 金属化质量测量 Sfffm$H  
12.6 金属化检查及故障排除 mX@!O[f%9e  
12.7 小结 [4\n(/  
IoHYY:[-  
第13章 光刻：气相成底膜到软烘 5R*55@)  
目标 _Xfn  
13.1 引言 ~J|B  
13.2 光刻工艺 p+xjYU4^C  
13.3 光刻工艺的8个基本步骤 '2S?4Z  
13.4 气相成底膜处理 [d6
TwKv  
13.5 旋转涂胶 ?.69nN  
13.6 软烘 .J2tm2]"EZ  
13.7 光刻胶质量测量 Z WhV"]w&  
13.8 光刻胶检查及故障排除 <;zcz[~  
13.9 小结 >8w=Vlp  
RJ$x{$r[  
第14章 光刻：对准和曝光 K,f- w2!  
目标 H>|*D~RdT  
14.1 引言 '/<f'R^  
14.2 光学光刻 *nV*WUS3  
14.3 光刻设备 'a=QCO 0  
14.4 混合和匹配 3;wOA4ur  
14.5 对准和曝光质量测量 KO=H!Em\l  
14.6 对准和曝光检查及故障排除 hixG/%aO  
14.7 小结 ge$p/  
2NZC,znQ  
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 ,<]~/5-f  
目标 .=/TT|eMS  
15.1 引言 Ab:+AC5{  
15.2 曝光后烘焙 [Qn$i/`J  
15.3 显影 Ydh+iLjhx  
15.4 坚膜 ECLQqjB  
15.5 显影检查 Qjd<%!]+\  
15.6 先进的光刻技术 vQ1#Zgy  
15.7 显影质量测量 "uG@gV  
15.8 显影检查及故障排除 `(lD]o{,s
 
15.9 小结 ac#I$V-  
U$wD'v3pw  
第16章 刻蚀 1ac;6`  
目标 QK(w2`  
16.1 引言 oaM3#QJ  
16.2 刻蚀参数 L31#v$
;4  
16.3 干法刻蚀 #;F*rJ[XY  
16.4 等离子体刻蚀反应器 lD@`xq.M;  
16.5 干法刻蚀的应用 L IRdWGQ4  
16.6 湿法腐蚀 6w4}4i  
16.7 刻蚀技术的发展历程 .5GGZfJ]  
16.8 去除光刻胶 ngC^@*XAw9  
16.9 刻蚀检查 ExZ|_7^<  
16.1 0刻蚀质量测量 j5bp)U  
16.1 1干法刻蚀检查及故障排除 roHJ$~q?  
16.1 2小结 T6I$7F  
Ql{:H5  
第17章 离子注入 2HF_kYZ  
目标 tQmuok4"d  
17.1 引言 @XN|R  
17.2 扩散 b!c2j   
17.3 离子注入 NRDXWscb  
17.4 离子注入机 zL/rV<  
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 UA(&_-C\  
17.6 离子注入质量测量 Q> J9M`a  
17.7 离子注入检查及故障排除 Wr;9Mz&{  
17.8 小结 b+e9Pi*\  
v)%0`%nSR  
第18章 化学机械平坦化 0^>b=a  
目标 ?[c{pb,|  
18.1 引言 ,<!v!~Iy  
18.2 传统的平坦化技术 W|AK"vf  
18.3 化学机械平坦化 *`~]XM@H  
18.4 CMP应用 eizni\  
18.5 CMP质量测量  } @4by<  
18.6 CMP检查及故障排除 \<W/Z.}/  
18.7 小结 'QC'*Hl  
ms`U,  
第19章 硅片测试 9oTtH7%  
目标 :fA|J!^b[  
19.1 引言 QHgkfo  
19.2 硅片测试 0Q!/A5z  
19.3 测试质量测量 84A:Rd'k3)  
19.4 测试检查及故障排除 n'qWS/0U=  
19.5 小结 |wGmu&fY  
lAJP X  
第20章 装配与封装 r&ux|o+  
目标 %abc-q  
20.1 引言 < %{?Js  
20.2 传统装配 L-1#n  
20.3 传统封装 XNQPyZ2@|b  
20.4 先进的装配与封装 KuZZKh  
20.5 封装与装配质量测量 sr-tZ^d5S?  
20.6 集成电路封装检查及故障排除 BD?u|Fd,i:  
20.7 小结 ob]j1gYb  
附录A 化学品及安全性 vC!B}~RG  
附录B 净化间的沾污控制 V-kx=M"k  
附录C 单位 R^&.:;Wi>  
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色 "X \Yp_g  
附录E 光刻胶化学的概要 9NeHN@D)  
附录F 刻蚀化学 <HH\VG\H6  
术语表 >9<YQ(  
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