双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)

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Dual Beam FIB(双束聚焦离子束) mR+Jws'  
双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术，可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。

优势	局限
v`DI<Lt   - 横截面缺陷 3f r^ T   - TEM快速样品制备 rmd;\)#*`   - 线路修改 gfy19c 9   - 借助EDX配件进行元素定量分析	S8vV!xO   - 晶片尺寸需要小于150mm Vz%OV}\   - 瀑布效应有时会给分析造成不便

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L型横截面分析 1;lmu]I>)  
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