双束聚焦离子束(Dual Beam FIB)

发布:探针台 2019-08-07 10:45 阅读:1373
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Dual Beam FIB(双束聚焦离子束) aV1lJ ;0  
双束聚焦离子束是一种多用途的分析技术,可以用于样品定位切割并将隐藏在各种基底材料中的缺陷揭露出来。最常见的用途之一就是制备TEM样品。双束FIB可以通过切断/连接芯片线路来进行芯片线路修改。
优势局限
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- 横截面缺陷 T$= 4O9G  
- TEM快速样品制备 J`*iZvW#Bx  
- 线路修改 C_LvZ=  
- 借助EDX配件进行元素定量分析    
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- 晶片尺寸需要小于150mm ; "3+YTtp  
- 瀑布效应有时会给分析造成不便
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L型横截面分析 `)4a[thp  
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锡须生长机理分析
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