离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 PQ$%H>{  
`t'W2X  
器件表面图形的刻蚀。 ZlzjVU/E  
g0ly  
性能参数
*U=s\  
uT7B#b7  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； dP]\Jo=Yh  
=CVBBuVy  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； I->Ss},U  
Cg?&wj<
 
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s +@k+2?] FO  
j@uOOhy  
d) {v;&5!s  
配置3路MFC !6>~?gNd  
8::$AQL3  
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应用范围 #O} ,`[<  
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对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。