漏电定位EMMI

主要用途 {^J/S}L]  
}Z="}Dg|T  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 vl`Qz"Xy  
}na0  
_h6j, )  
性能参数 bk(q8xR`  
t4;eabZK  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； /gX=79  
h+gaKh=k+  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm <mrvuWg0  
0Cg}yyOz  
c)像素尺寸：30um x 30um `p!&>,lrk  
N>TmaUk  
d)曝光时间 20ms - 400s us5<18M5  
Ie<H4G5Vh  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x V),wDyi  
GyC/39<P  
f)Back side EMMI
kk`K)PESi  
'2S/FO
b  
I`~Giz7@  
应用范围 f]pHJVgFV  
cp:U@Nh(  
　1.P-N接面漏电 .B+Bl/  
'fK3L<$z#m  
　2.饱和区晶体管的热电子 _2-fH  
m/e*P*\=  
　3.P-N接面崩溃 +TZVx(Z&A  
\?D~&d,a=  
　4.闩锁效应 oSf6J:?*e  
2jVvK"C  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发