切点分析线路修改FIB

主要用途 r@a]fTf  
0MI4"<  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 (QTF+~)  
K0YQ b&*k  
7tbY>U8  
性能参数 @PT([1C  
-|GKtZ]}  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV ZXIw^!8@/  
hYht8?6}m  
                - 离子束：500V~30kV ^B)f!HtU  
AU
1U?En  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV O joa3  
ObfRwZh?q  
              - 离子束：2.5nm/30kV IIG9&F$G  
F[v:&fle  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 PU,%Y_xR  
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N[rAb*iT  
应用范围 "Ccyj/  
RH.qbPjx  
1.定点切割 'u:
-~nSX)  
PjD9D.  
2.穿透式电子显微镜试片 e\em;GTy  
`*l aUn  
3.IC线路修补和布局验证 +CM>]Ze  
: eCeJ~&E  
4.制程上异常观察分析 5a-x$Qb9  
:sQ>oNnz  
5.晶相特性观察分析 EE^x34&=  
P8(hHuO  
6.故障位置定位用被动电压反差分析