切点分析线路修改FIB

主要用途 q26%Z)'nf  
Isna KcLM  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 D|rcSa.M  
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4bZ +nQgLu  
性能参数 |nTZ/MXbw  
Q1(6U6L  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV 'I *&P5|  
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9  
                - 离子束：500V~30kV sM8AORd  
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b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV Yt% E,U~g  
oHI/tS4 _  
              - 离子束：2.5nm/30kV BL Q&VI4  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 j*05!j<'  
ezR!ngt  
d[Lr`=L;  
应用范围 WCPl}7>  
A}cGag+sp  
1.定点切割 WJN}d-S=^  
uRu)iBd D  
2.穿透式电子显微镜试片 <dA1n:3o  
N>J"^GX  
3.IC线路修补和布局验证 >4lT0~V/  
zkrcsc\Z~0  
4.制程上异常观察分析 :5M7*s)e16  
4;hgi[  
5.晶相特性观察分析 ; 3WA-nn  
xjDV1Xf*  
6.故障位置定位用被动电压反差分析