漏电定位EMMI

主要用途 3Oe\l[?$;  
nPjN\Es6  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 qZX\riR  
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k E-+#p  
性能参数 kSO:xS0 _N  
ASaNac-3  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； |3 v+&eVi  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm !{ /AJb  
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c)像素尺寸：30um x 30um `MXGEJF  
~Q5 i0s%  
d)曝光时间 20ms - 400s T :X A  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x p}h9>R  
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f)Back side EMMI %s[ n2w  
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应用范围 x%,!px3s  
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　1.P-N接面漏电 *x&y24  
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　2.饱和区晶体管的热电子 aTPmW]w6  
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　3.P-N接面崩溃 3+iQct[  
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　4.闩锁效应 d#
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aKC3vR0  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发