漏电定位EMMI

主要用途 lz}llLb1  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 4]EvT=Ro  
71*>L}H  
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性能参数 o
6|"J%9GX  
m#;.yR  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； oSmjs  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm K.%z;(U  
?Nu#]u-  
c)像素尺寸：30um x 30um &1~Re.*B  
v4D!7t&v"  
d)曝光时间 20ms - 400s AoIc9ElEX  
0JyqCbl  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x p
agC(F  
$YPQC  
f)Back side EMMI J+iX,X  
[NjajA~z>F  
"h$D7 mL  
应用范围 sSV^5  
H6{Rd+\Z  
　1.P-N接面漏电 Z@u ;Z[@  
`BpCRKTG  
　2.饱和区晶体管的热电子 s<,"Hsh^CR  
TG?fUD V  
　3.P-N接面崩溃 leR"j  
}-dF+m:  
　4.闩锁效应 }^Z<
dbt  
e_^KI  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发