漏电定位EMMI

主要用途 4(Gs$QkSo|  
$w`QQ^\  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 n!~mdI&  
pzmm cjEC  
7F.t>$'  
性能参数 aN{C86wx  
h.FC:ym"  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； C#[YDcp4  
{C Qo}@.7  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm
/`#sp  
#z 3tSnmp  
c)像素尺寸：30um x 30um |r
kj$s,  
x&7%U  
d)曝光时间 20ms - 400s !xyO  
Ps5UX6\ .m  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x K <7#;  
GJW+'-f  
f)Back side EMMI 6*%3O=*  
AYHB?xOpR  
1XQJ#J1/  
应用范围 xcr=AhqM  
+c#:;&Gs  
　1.P-N接面漏电 ^^QW<  
>HO{gaRM  
　2.饱和区晶体管的热电子 HByk 1  
IE!fNuR4  
　3.P-N接面崩溃 3 G/#OJ  
t_5b  
　4.闩锁效应 q1a}o%  
;xaOve;9  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发