漏电定位EMMI

主要用途 E8#RG-ci  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 ?XO$9J  
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~E&drl\  
性能参数 {` Bgxejf  
Z'p7I}-qr  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； hyv*+FV;  
JVE]Qb_  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm pv8"E?9,k  
Ag QR"Nu6  
c)像素尺寸：30um x 30um ;Q>(%"z};  
V4'G%!NY  
d)曝光时间 20ms - 400s pn?c6KvO  
]X/1u"  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x BtDi$d%'  
nsk`nck  
f)Back side EMMI 3lYM(DT  
e.9oB<Etp  
Zo  
应用范围 e{@TR x  
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　1.P-N接面漏电 N4Yvt&  
L/9f"%kZ  
　2.饱和区晶体管的热电子 S?*pCJ0  
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　3.P-N接面崩溃
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　4.闩锁效应 4Sv&iQ=vh  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发