漏电定位EMMI

主要用途 4`x.d  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 M@G <I]\  
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z!z+E%H^  
性能参数 z,6X{=  
d)G'y  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 7*!h:rg  
tWs ]Zd  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm F"3LG"  
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c)像素尺寸：30um x 30um e|`QW|9 .  
QY]^^f  
d)曝光时间 20ms - 400s j k%MP6  
C^}2::Qu  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x X~aD\%kC7  
j}0W|*  
f)Back side EMMI `N+A8  
9t 3mU:  
SDdefB  
应用范围 x@-bY  
6ty>0  
　1.P-N接面漏电 q,#j *  
Lo'P;Sb4<}  
　2.饱和区晶体管的热电子 8"d0Su4r  
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　3.P-N接面崩溃 ^E)Kse.>  
s Zan.Kc#  
　4.闩锁效应 hAPWEh^  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发