漏电定位EMMI

主要用途 CnpQdI  
+/[L-&,  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 qeW.
~B!B  
?f$U8A4lp  
"38L ,PW0Z  
性能参数 =@nE:uto]  
%aI,K0\  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； x5Ue"RMl+
 
~,_@|,)  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm @Di!~e6  
gyQPQ;"H$2  
c)像素尺寸：30um x 30um Hd\.,2a"  
N%,zME  
d)曝光时间 20ms - 400s Q:j~ kutS|  
dVPY07P  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x 3RX9LJGX  
EJP]E)  
f)Back side EMMI d[{!^,%x"  
M&jlUr&l  
x=Aq5*A0  
应用范围 *8J0yv  
NBXhcfF  
　1.P-N接面漏电 aX~Jk >a0  
UT5xUv5'  
　2.饱和区晶体管的热电子 6g\hQ\+Z}  
\#PZZ
H%  
　3.P-N接面崩溃
OkAgO3>Y/  
.p]rS =#  
　4.闩锁效应 qw*) R#=  
L|Xg4Z  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发