漏电定位EMMI

主要用途 0% #<c p  
V@QK  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 d4 (/m_HMu  
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性能参数 ~|AwN [  
7 +@qB]Bi<  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； AVU>+[.=%c  
([VV%ovZ  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm N9<Ujom  
[ dE.
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c)像素尺寸：30um x 30um VCcr3Dx()F  
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d)曝光时间 20ms - 400s GzTq5uU&  
}O4se"xK  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x 08m;{+|vY  
K!mOr  
f)Back side EMMI nPgeLG"00  
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应用范围 |J~eLh[d  
^v@4|E$  
　1.P-N接面漏电 ?<yM7O,4  
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　2.饱和区晶体管的热电子 a3>zoN  
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　3.P-N接面崩溃 eb8w~  
a%Jx `hx  
　4.闩锁效应 9lo[&^<  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发