漏电定位EMMI

主要用途 XwtAF3oz  
zMr&1*CDX  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 AO $Wy
@  
]9s\_A9  
} #qQ2NCH  
性能参数 e]+7DE  
0TmZ*?3!4  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； JxHv<p[  
~?CS_B *  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm "ct58Y@  
-n-Z/5~ X  
c)像素尺寸：30um x 30um ?T <rt  
hox< vr4  
d)曝光时间 20ms - 400s 1)'Iu`k/  
l77'Lne  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x IhfZLE.,  
fQO ""qh  
f)Back side EMMI ]hL:33  
.+HcAx{/2  
**n y!  
应用范围 1U'ZVJ5bpK  
UG #X/%p  
　1.P-N接面漏电 j$mz3Yk  
<n\i>A3`,S  
　2.饱和区晶体管的热电子 6m@0;Ht  
bLco:-G1E1  
　3.P-N接面崩溃 R B%:h-t4  
l/QhD?)9  
　4.闩锁效应 [Teh*CV  
@i{]4rk lv  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发