漏电定位EMMI

主要用途 PX?%}~ v  
q2F`q. j  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 0\"#Xa+}8  
uWClT):  
@D*PO-s9  
性能参数 2gklGDJD  
F{QOu0$cA4  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； iku*\,
6W  
rSt5@f?  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm hC8WRxEGq  
`-CN\  
c)像素尺寸：30um x 30um K_ymA,&()  
6/3E!8  
d)曝光时间 20ms - 400s t90M]EAV  
fBZLWfp9  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x :zo5`[P  
8pA<1H%  
f)Back side EMMI I+twI&GS  
Eo^m; p5  
fsK=]~<g  
应用范围 Hmm0H6&u  
LKI\(%ba#  
　1.P-N接面漏电 n6,YA2yZO  
@,=pG  
　2.饱和区晶体管的热电子 *7Y#G8 s  
(y?F8]TfM  
　3.P-N接面崩溃 -0q|AB<  
68bvbig  
　4.闩锁效应 gCsN\z  
Q[#8ErUY  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发