《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
BV:Ca34& 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
#v<`|_ 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
X% j`rQk` 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
!%ju.Xs8 DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
]% HxzJ 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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"nCK%w= cx$h" 第1章 电阻率
_<#92v!F 1.1 简介
vj%"x/TP 1.2 两探针与四探针
_ia&|#n 练习1.1
IDT\hTPIs 1.2.1 修正因子
-dA9x~o 练习1.2
L6PgWc;m 练习1.3
v:QUwW 练习1.4
DxNob-Fr 1.2.2 任意形状样品的电阻率
5\C(2naf 1.2.3 测量
电路 PdqvXc 1.2.4 测量偏差和注意事项
bE.<vF& 1.3 晶片映像
or3OLBf* Q 1.3.1 二次注入
G\dPGPPM
1.3.2 调制光反射
'g)f5n a[ 1.3.3 载流子发射(CI)
tjwf;g}$ 1.3.4 光密度测定法
x-k-Pd 1.4 电阻率分布
C/Tk`C& 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
`e<IO_cg 练习1.5
T&dNjx 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
A;Y~Hu4KPZ 1.5 非接触方法
Gg9s.]W 1.5.1 涡流
~*/ >8R(Y 1.6 电导率类型
mMwV5\( 1.7 优点和缺点
Awxm[:r>^ 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
s_/@`kd{ 附录1.2 本征载流子浓度
=o~+R\1ux+ 习题
^3$U[u%q/{ 参考文献
7FcZxu\ 第2章 载流子和掺杂浓度
,$:u^;V( 2.1 简介
eLPtdP5k 2.2 电容-电压测量
_Sfu8k>): 2.2.1 微分电容
n'^`;- 2.2.2 带差
DZ2gnRg 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
pJ}U'*Z2 练习2.1
H!]&"V77 2.2.4 积分电容
lwX9:[Z 2.2.5 汞探针接触
STjb2t,a 2.2.6 电化学Cy剖面分析
!7I07~&1 2.3 电流-电压测量
"zJ xWXI 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
aUZ?Ue9l>2 2.3.2 MOSFET阈值电压
c=\ _[G( ……
T90O.]S 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
,4xNW:!j 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
PWl;pBo 第5章 缺陷
=t-Ud^3 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
i4D]> 第7章 载流子寿命
{U_ ,y(V 第8章 迁移率
gPB=Z! 第9章 光学表征
e8 ]CB ……
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