《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
j'#M'W3@ 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
L,L>cmpM 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
wiXdb[[# 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
!j,LS$tPu DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
T> cvV 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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_,Wb`P Z&gM7Zo8 第1章 电阻率
y -j3d)T 1.1 简介
XS5*=hv: 1.2 两探针与四探针
kGsd3t!' 练习1.1
S3rN]!B+ 1.2.1 修正因子
_zq"<Q c 练习1.2
^W|B Xxo 练习1.3
?YzOA${ 练习1.4
8C1 ' g7A< 1.2.2 任意形状样品的电阻率
jdsN ZV 1.2.3 测量
电路 Fp52|w_ 1.2.4 测量偏差和注意事项
!PX`sIkT 1.3 晶片映像
al<[iZ 1.3.1 二次注入
E^z\b * 1.3.2 调制光反射
^a&-GhX; 1.3.3 载流子发射(CI)
Te=[tx~x 1.3.4 光密度测定法
V3j1M?> 1.4 电阻率分布
1oq5|2p 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
$Fx:w 练习1.5
-I-u.! 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
41f4zisZ 1.5 非接触方法
"L'0" 1.5.1 涡流
VPG+]>* 1.6 电导率类型
xxWrSl`fB 1.7 优点和缺点
dLb9p"EE# 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
(\^| @ 附录1.2 本征载流子浓度
^V]DQ%v"I 习题
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ik+t\A 参考文献
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H$es) 第2章 载流子和掺杂浓度
"J|_1! 9 2.1 简介
WqX#T 2.2 电容-电压测量
aChyl;#E 2.2.1 微分电容
88\0opL- 2.2.2 带差
8YNii-pl 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
CG!/Lbd 练习2.1
i[obQx S94 2.2.4 积分电容
gd~# uR\ 2.2.5 汞探针接触
VJ1(|v{D4[ 2.2.6 电化学Cy剖面分析
rv>K0= t0 2.3 电流-电压测量
2$8#ePyq* 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
qI-q%]l 2.3.2 MOSFET阈值电压
nO{@p_3mi ……
:2#8\7IU^' 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
2n}nRv/' 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
W\xM$#)m 第5章 缺陷
$6\-8zNk 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
+3B^e%`NPm 第7章 载流子寿命
0Y7b$~n'Y 第8章 迁移率
Y{yN*9a79 第9章 光学表征
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