《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
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1: 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
nyD(G=Q5 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
#8z2>&:| 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
\b?z\bC56 DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
%,Xs[[?i 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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R_eKKi@VH >y#<WB$i 第1章 电阻率
c&z@HEzV7 1.1 简介
%|bqL3)a_ 1.2 两探针与四探针
|f;u5r!^= 练习1.1
7Rqjf6kX`O 1.2.1 修正因子
dp\pkx7 练习1.2
A6YkoYgC 练习1.3
)<-\ F%&b 练习1.4
+K,]#$k 1.2.2 任意形状样品的电阻率
zL$$G, 1.2.3 测量
电路 A I}29L3C 1.2.4 测量偏差和注意事项
#)QR^ss)iw 1.3 晶片映像
eSHyA+F 1.3.1 二次注入
CKeT%3 1.3.2 调制光反射
*oqQ=#\ 1.3.3 载流子发射(CI)
DS0c0lsx 1.3.4 光密度测定法
eS{lr4-] 1.4 电阻率分布
|pqc(B u 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
*}DCxv 练习1.5
//S/pCqED 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
c L}}^ 1.5 非接触方法
8%q:lI 1.5.1 涡流
i;>Yx# 1.6 电导率类型
6 Ty;m>j 1.7 优点和缺点
H5j6$y|I|N 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
E-\Wo3 附录1.2 本征载流子浓度
^u`1W^> 习题
*o <S{ 参考文献
yU]NgG=z:- 第2章 载流子和掺杂浓度
f-&4x_5 2.1 简介
D#R5G
2.2 电容-电压测量
xsn2Qn/P 2.2.1 微分电容
;DbEP. %u$ 2.2.2 带差
Y3^UJe7E 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
1S
.~Vh0Q, 练习2.1
LPO:Ka 2.2.4 积分电容
}xXUCU< 2.2.5 汞探针接触
q9 !)YP+w 2.2.6 电化学Cy剖面分析
KPc`5X 2.3 电流-电压测量
CR3<9=Lv> 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
n?'I&0>M 2.3.2 MOSFET阈值电压
([\mnL<FC ……
k'Is]=3 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
[xW;5j<87 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
NH+?7rf8 第5章 缺陷
SbS*z: 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
ehehTP 第7章 载流子寿命
[H ^ktF 第8章 迁移率
tP/0_^m 第9章 光学表征
`F-<P%k ……
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