《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
#p=+RTZ< 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
IJ.H/l}h 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
!(bYh`Uy 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
C|H`.|Q DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
KUX6n(u 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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miBCq l@x Q>yj<DR 第1章 电阻率
xg%{p`` 1.1 简介
w2 (}pz: 1.2 两探针与四探针
ZyU/ .Uk 练习1.1
lKQjG+YF 1.2.1 修正因子
:;#^gvH 练习1.2
h Q Att 练习1.3
Mf"(P.GIS 练习1.4
;,/G*`81B 1.2.2 任意形状样品的电阻率
6UN{Vjr%` 1.2.3 测量
电路 L) _ VdB 1.2.4 测量偏差和注意事项
E]{0lG`l 1.3 晶片映像
kVWrZ>McK 1.3.1 二次注入
=*4^Dtp 1.3.2 调制光反射
Rp
zuSh 1.3.3 载流子发射(CI)
M9Z9s11{H 1.3.4 光密度测定法
T?n [1%K 1.4 电阻率分布
?fU{?nI}>p 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
ieEtC,U 练习1.5
M(^IRI- 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
qyE*?73W 1.5 非接触方法
5U_ar 1.5.1 涡流
;rh=63g 1.6 电导率类型
10dK%/6/O 1.7 优点和缺点
}&ew}'*9) 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
}sZy |dd 附录1.2 本征载流子浓度
>Y3zO 2Cr 习题
W70BRXe04D 参考文献
$H,9GIivD 第2章 载流子和掺杂浓度
aIfB^M*c5 2.1 简介
48GaZ@v 2.2 电容-电压测量
cJ,`71xop, 2.2.1 微分电容
2zjY|g/ 2.2.2 带差
+ L5 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
]w8h#p 练习2.1
Xp|$z ~ 2.2.4 积分电容
'#r^W2 2.2.5 汞探针接触
w/0;N`YB 2.2.6 电化学Cy剖面分析
%eu_Pr 6X 2.3 电流-电压测量
(yeN> x}_ 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
2Q/V D,yU 2.3.2 MOSFET阈值电压
toox`| ……
l~`JFWur] 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
y3 S T"U 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
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第5章 缺陷
SkXx:@ 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
i\L7z)u 第7章 载流子寿命
`O,"mm^@U 第8章 迁移率
du=[ r 第9章 光学表征
?7*J4. ……
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