《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
FlM.D u 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
'3Y0D1`v 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
~gcst; 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
-6*OF.Ag` DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
^.B `Z{Jb 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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K{7S Jh/M}%@| Vtc)/OH 第1章 电阻率
cC(ubUR 1.1 简介
Q?I"J$]&L 1.2 两探针与四探针
"|~B};|MFF 练习1.1
U_=wL 1.2.1 修正因子
FcbA)7dD 练习1.2
~,3v<A[5Vi 练习1.3
WhVmycdv 练习1.4
R*c0NJF 1.2.2 任意形状样品的电阻率
M<|~MR 1.2.3 测量
电路 lpX p)r+ 1.2.4 测量偏差和注意事项
n!EH>'T 1.3 晶片映像
5)o-]S> 1.3.1 二次注入
|rms[1<_ 1.3.2 调制光反射
McMK|_H 1.3.3 载流子发射(CI)
5IB:4zx^h 1.3.4 光密度测定法
x4 A TK 1.4 电阻率分布
QYCNO#* 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
R'a5,zEo/ 练习1.5
(B~V:Yt 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
\?`d=n= 1.5 非接触方法
Ar{=gENn 1.5.1 涡流
lCs8`bYU 1.6 电导率类型
"Jv,QTIcS 1.7 优点和缺点
m@
'I|!^ 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
@8 yE( 附录1.2 本征载流子浓度
7 +W?Qo 习题
9gIJX? 参考文献
|@n{tog+- 第2章 载流子和掺杂浓度
{Z{NH:^ 2.1 简介
Qak@~b 2.2 电容-电压测量
dXcMysRc%& 2.2.1 微分电容
8T1DcA* 2.2.2 带差
4 d 1Y\ 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
K+TTYQ 练习2.1
zR/p}Wu|! 2.2.4 积分电容
NB yN}e 2.2.5 汞探针接触
%A[p!U 2.2.6 电化学Cy剖面分析
0?*I_[Y 2.3 电流-电压测量
Q; /!oA_ 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
Wg;TXs/ 2.3.2 MOSFET阈值电压
z E7ocul ……
TH}ycue 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
5FR#_}k]_F 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
aw@Aoq 第5章 缺陷
4lKbw4[a 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
"5DAGMU 第7章 载流子寿命
Q Fqv,B\< 第8章 迁移率
a0j.\g 第9章 光学表征
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