《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
}a,j1r_Hl& 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
"D'A7DA 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
r]sv50Fy 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
b{=2#J- DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
E'?yI'~= 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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UJ1iXV[h" ?1K|.lr 第1章 电阻率
,`v)nwP 1.1 简介
5 e~\o}] 1.2 两探针与四探针
$J>GCY 练习1.1
UB }n= 1.2.1 修正因子
dFFJw[$8w 练习1.2
8bLA6qmM\ 练习1.3
+ pZ, RW.D 练习1.4
ME7jF9d 1.2.2 任意形状样品的电阻率
(ec?_N0= 1.2.3 测量
电路 XZYpU\K 1.2.4 测量偏差和注意事项
s]Nh9h 1.3 晶片映像
uIvy1h9m 1.3.1 二次注入
y8'WR-; 1.3.2 调制光反射
>KmOTM<{ 1.3.3 载流子发射(CI)
S#Tc{@e 1.3.4 光密度测定法
^E*W
B~ 1.4 电阻率分布
yQ-&+16^ 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
Mo\LFxx>4{ 练习1.5
ZdJwy% 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
R5c
Ya 1.5 非接触方法
o?$kcI4 1.5.1 涡流
jFY6}WY)}7 1.6 电导率类型
(lq7 ct 1.7 优点和缺点
r63_|~JVB< 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
'^)Ve:K-. 附录1.2 本征载流子浓度
HgPRz C 习题
YhYcqE8 参考文献
1OJD!juL$ 第2章 载流子和掺杂浓度
Fk@A;22N 2.1 简介
+b"RZ:tKp 2.2 电容-电压测量
+e?mKLw14 2.2.1 微分电容
}CnqJ@>C5 2.2.2 带差
\>0%E{CR 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
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