《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
_enS_R 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
+DR,&; 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
i9O;D* 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
KrzIL[;2o DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
~1g)4g~ 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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EA=EcUf' .Z#8,<+ 第1章 电阻率
/8Xd2- 1.1 简介
hha!uD~( 1.2 两探针与四探针
yq]/r=e!k 练习1.1
$?M$^ -(e 1.2.1 修正因子
^3
6oqe{ 练习1.2
;>jLRx<KC 练习1.3
ll#_v^ 练习1.4
)>+J`NFa 1.2.2 任意形状样品的电阻率
yE=tuHv(0 1.2.3 测量
电路 {K ,-fbE 1.2.4 测量偏差和注意事项
o7^u@*"F 1.3 晶片映像
.'Rz
tBv 1.3.1 二次注入
ZD`p$:pT 1.3.2 调制光反射
t}m"rMbt 1.3.3 载流子发射(CI)
YLkdT% 1.3.4 光密度测定法
!`qw"i 1.4 电阻率分布
K!A;C#b! 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
&C&?kS( 练习1.5
3Jj 3!aDB 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
J,,+JoD 1.5 非接触方法
w7"&\8a 1.5.1 涡流
VcpN
PU6 1.6 电导率类型
%5-
1.7 优点和缺点
je`w$ ^w 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
Q|&Wcxq2! 附录1.2 本征载流子浓度
NU |vtD 习题
r;'Vy0?AL 参考文献
b+!I_g4P 第2章 载流子和掺杂浓度
LvbS") 2.1 简介
6SVh6o@] 2.2 电容-电压测量
oV,lEXz
2.2.1 微分电容
68YJ@(iS 2.2.2 带差
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