《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
x&;AY 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
2Cp4aTGv# 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
.2@T|WD!Ah 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
sX~E ~$_g DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
R|qrK 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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@QmN= X5 1w7tRw 第1章 电阻率
jV*10kM< 1.1 简介
8` +=~S 1.2 两探针与四探针
cOP'ql{" 练习1.1
45.ks. 1.2.1 修正因子
F(`|-E"E; 练习1.2
R5=J :o 练习1.3
?pEPwc 练习1.4
*$0*5d7 1.2.2 任意形状样品的电阻率
s 7 nl 1.2.3 测量
电路 jnp~ACN, 1.2.4 测量偏差和注意事项
a%`Yz"<lQ 1.3 晶片映像
Ql5bjlQdO 1.3.1 二次注入
A` _dj}UF 1.3.2 调制光反射
_\+]/rY9o 1.3.3 载流子发射(CI)
}cMkh 1.3.4 光密度测定法
p)B/(% 1.4 电阻率分布
[ x{$f7CEh 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
i.6 b% 练习1.5
G$Mf(S'f 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
!8UIyw 1.5 非接触方法
GZaB z#U 1.5.1 涡流
bQ3<>e\%B 1.6 电导率类型
}b54O\, 1.7 优点和缺点
*.nSv@F 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
HQ"T>xb 附录1.2 本征载流子浓度
cL#-vW<s3 习题
> .NLmzUX 参考文献
bI0xI[#Q 第2章 载流子和掺杂浓度
n[DRX5OxR' 2.1 简介
%|H]T]s 2.2 电容-电压测量
xT&~{,9 2.2.1 微分电容
Tfh2> 2.2.2 带差
K.QSt 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
mF@7;dpr 练习2.1
(
xooU 8d 2.2.4 积分电容
)e0kr46 2.2.5 汞探针接触
bEcN_7 2.2.6 电化学Cy剖面分析
Mu/(Xp6 2 2.3 电流-电压测量
P,pC Z+H 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
5T.U=_ag 2.3.2 MOSFET阈值电压
<Mvniz ……
P0>2}/;o 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
/Yi4j,8!| 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
mTu>S 第5章 缺陷
i;{lY1 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
0e0)1;t\ 第7章 载流子寿命
:8OT 第8章 迁移率
MkMDI)Y| 第9章 光学表征
E'4Psx9: = ……
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