《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
pvWNiW:~k 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
2kgSIvk\ 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
nF-l4 = 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
<&+0[9x DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
s&%r? 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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t.!?"kP"c {h|kx/4{m 第1章 电阻率
&w=ul'R98 1.1 简介
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* 1.2 两探针与四探针
8&hxU@T~ 练习1.1
^Ux.s Q 1.2.1 修正因子
P e}
T 练习1.2
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RaY3 练习1.3
(Ms0pm-#t 练习1.4
^S|}<6~6b 1.2.2 任意形状样品的电阻率
N+]HJ`K 1.2.3 测量
电路 Z@ec}`UO|u 1.2.4 测量偏差和注意事项
6!6R3Za$ 1.3 晶片映像
29z@ ! 1.3.1 二次注入
iDCQqj` 1.3.2 调制光反射
Vo%ikR # 1.3.3 载流子发射(CI)
+Lr`-</VF 1.3.4 光密度测定法
(s+}l? 1.4 电阻率分布
),,0T/69+9 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
Dz$dJF1
8 练习1.5
G[d]t$f= 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
M?m@o1\;W 1.5 非接触方法
16ip:/5 1.5.1 涡流
x=W5e
^0? 1.6 电导率类型
R-k~\vCW 1.7 优点和缺点
wgQx.8 h> 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
-23sm~` 附录1.2 本征载流子浓度
ihct~y-9W 习题
Tj2pEOu 参考文献
OJFWmZ(X 第2章 载流子和掺杂浓度
M"Y,kA|+ 2.1 简介
h5n@SE>G 2.2 电容-电压测量
n"I{aJ]K 2.2.1 微分电容
MHCwjo" 2.2.2 带差
^C2SLLgeJ 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
y?iW^>|?L= 练习2.1
b-#oE{(\' 2.2.4 积分电容
gd0a,_`M 2.2.5 汞探针接触
/mn'9=ks 2.2.6 电化学Cy剖面分析
7a4Z~r27/ 2.3 电流-电压测量
JGYJ;j{E] 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
Kciz^)'Z 2.3.2 MOSFET阈值电压
tt&{f <* ……
,}^FV~ 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
ka$la;e3 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
H96|{q= 第5章 缺陷
,C^u8Z|T 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
m*14n_m' 第7章 载流子寿命
9$ixjkIg 第8章 迁移率
C jz(-018 第9章 光学表征
NC"X{$o2 ……
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