半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 fP<==DK  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 J <z ^C  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 _8$xsj4_  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 $E[O}+L$#  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 qf K gNZ  
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第1章 真空技术 F$i50s  
1.1 真空的基本概念 N#-%b"(  
1.1.1 真空的定义 .K^gh$z!  
1.1.2 真空度单位 9+(6/<  
1.1.3 真空区域划分 B0RVtbK  
1.2 真空的获得 :JBtqpo2  
1.3 真空度测量 Y|mtQE?c  
1.3.1 热传导真空计 ,&,XcbJ  
1.3.2 热阴极电离真空计 r!w4Br0  
1.3.3 冷阴极电离真空计 UHV"<9tk  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 N\ <riS9  
参考文献 9k93:#{WE  
'~yxu$aK  
第2章 蒸发技术 }cUO+)!Y  
2.1 发展历史与简介 
~rrl"a>  
2.2 蒸发的种类 N\s-{7K  
2.2.1 电阻热蒸发 <b~~X`Z  
2.2.2 电子束蒸发 Xr o5~G  
2.2.3 高频感应蒸发 maSVqG  
2.2.4 激光束蒸发 ,4,Bc<  
2.2.5 反应蒸发 = <A0;  
2.3 蒸发的应用实例 v#9i|  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 l^tRy_T:-  
2.3.2 ITO薄膜 tHqa%  
参考文献 E}zGY2Xx  
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第3章 溅射技术 ?!"pzDg  
3.1 溅射基本原理 w}/+3z  
3.2 溅射主要参数 t0<RtIh9e  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 gr!!pp;  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 9h+TO_T@F  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ?W dY{;&  
3.3 溅射装置及工艺 M!hD`5.3  
3.3.1 阴极溅射 sc-+?i  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 #3>jgluM'  
3.3.3 射频溅射 modem6#x'  
3.3.4 磁控溅射 |d\1xTBLp  
3.3.5 反应溅射 A]%*ye"NT  
3.4 离子成膜技术 `)8SIx  
3.4.1 离子镀成膜 s{c|J#s  
3.4.2 离子束成膜 mxH63$R  
3.5 溅射技术的应用 Rc93Fb-Zp  
3.5.1 溅射生长过程 #xR=U"  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 @G>eCj  
参考文献 5%K|dYv^^  
d=\TC'd"{  
第4章 化学气相沉积 Z6So5r%wZ  
4.1 概述 CZ^ ,bad  
4.2 硅化学气相沉积 7#&Q-3\:  
4.2.1 CVD反应类型 @}r s6 G  
4.2.2 CVD热力学分析 h0x'QiCc  
4.2.3 CVD动力学分析 FBrh!vQ<  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ;xFB /,  
4.2.5 成核 M`iE'x  
4.2.6 掺杂 {a2Gb  
4.2.7 外延层质量 4"nYxL"<4  
4.2.8 生长工艺 b"Nd8f[  
4.3 CVD技术的种类 pL*aU=FjQ  
4.3.1 常压CVD Yp3y%n  
4.3.2 低压CVD 00>knCe6  
4.3.3 超高真空CVD JS?%zj&@  
4.4 能量增强CVD技术 0XC3O 8q  
4.4.1 等离子增强CVD benqm ~{\  
4.4.2 光增强CVD @tRDKPh  
4.5 卤素输运法 zII^Ny8D  
4.5.1 氯化物法 Fo0s<YlS-  
4.5.2 氢化物法 hq&9S{Ep  
4.6 MOCVD技术 -U7,~z  
4.6.1 MOCVD简介 1;,<UHF8N  
4.6.2 MOCVD生长GaAs B<.ZW}#v  
4.6.3 MOCVD生长GaN _K!)0p  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ~XXNzz]?  
4.7 特色CVD技术 AYs
HA w  
4.7.1 选择外延CVD技术 g^#,!e  
4.7.2 原子层外延 #N"QTD|i  
参考文献 O"X7 DgbC  
pFBK'NE  
第5章 脉冲激光沉积 E KJ2P$  
5.1 脉冲激光沉积概述 [_
KOU2  
5.2 PLD的基本原理  zDxJK  
5.2.1 激光与靶的相互作用 E8lq2r=  
5.2.2 烧蚀物的传输 p&2d&;Qo0  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 Lv)1 )'v0  
5.3 颗粒物的抑制 LOwd mj  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ]Ee$ulJ02  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 pz{ ]O_px  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 bq8h?Q  
参考文献 m,5?|J=  
ExFz@6@  
第6章 分子束外延 gTLBR  
6.1 引言 @'P
ay)P  
6.2 分子束外延的原理和特点 S*76V"")  
6.3 外延生长设备 EAC
I>  
6.4 分子束外延生长硅 h>Z`&  
6.4.1 表面制备 \nTV;@F  
6.4.2 外延生长 }P\6}
cK
 
6.4.3 掺杂 L{XW2c$h  
6.4.4 外延膜的质量诊断 +KTHZpp!c2  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 rzvKvGd#N  
6.5.1 MBE生长GaAs _1YC9}  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs
\IqCC h  
6.5.3 MBE生长GaN YB:}Lb  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ?O]RQXsZ2  
6.6.1 HgCdTe材料 I;UT;/E2  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ]$-<< N{}'  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 d*U<Ww^q  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ^/}&z  
6.6.5 ZnO薄膜 4#t-?5"  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 {lppv(U  
6.7.1 SiC：材料 <33,0."
K  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点
Jm0.\[J  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 lO0}  
参考文献 yGV>22vv M  
f)r6F JLU  
第7章 液相外延 L7.SH#m  
7.1 液相外延生长的原理 R. vV
l+  
7.1.1 液相外延基本概况 xm=$D6O:  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 f'M([gn^_  
7.2 液相外延生长方法和设备 z'"Y+EWN  
7.3 液相外延生长的特点 Zdfh*MHMg  
7.4 液相外延的应用实例 @a 7U0$,O#  
7.4.1 硅材料 y(^\]-fE  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 cHOC>|  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 q_9 tbZ;  
7.4.4 SiC材料 nC!L<OMr  
参考文献 |goK@<  
LPca+o|f  
第8章 湿化学制备方法 sN#ju5  
8.1 溶胶-凝胶技术 n@q-f-2  
N\rL ~4/  
第9章 半导体超晶格和量子阱 *{\))Zmhd  
第10章 半导体器件制备技术 YPCitGBl  
参考文献 UG}2q:ST  
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