半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 21TR_0g&<  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 k^ <]:B  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ?]><#[?'L  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 /LFuf`bXV  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 X>I3N?5  

图片:baomwuli.jpg

)N 3^r>(e<  
]SJ#:7  
市场价：￥36.00 y[N0P0r l:  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) Gz&}OO  
y:)^*2GA-B  
!!\}-r^y%  
第1章 真空技术 N.*)-O  
1.1 真空的基本概念 ;JxL>K(  
1.1.1 真空的定义 L:HvrB
~  
1.1.2 真空度单位 a0NiVF-m%  
1.1.3 真空区域划分 mZ71_4X#  
1.2 真空的获得 Q`F1t  
1.3 真空度测量 ,HP }}K+S  
1.3.1 热传导真空计 Avw=*ZW  
1.3.2 热阴极电离真空计 [IAUJ09>I  
1.3.3 冷阴极电离真空计 $0$sM/%  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 MpOU>\  
参考文献 ?^VPO%  
[ar0{MPYd  
第2章 蒸发技术 eN
])qw{  
2.1 发展历史与简介 xMr,\r'+  
2.2 蒸发的种类 }Xj25` x  
2.2.1 电阻热蒸发 qyM/p.mP  
2.2.2 电子束蒸发 6R45+<.  
2.2.3 高频感应蒸发 !(lcUdBd  
2.2.4 激光束蒸发 SnE^\I^O  
2.2.5 反应蒸发 i~h@}0WR"  
2.3 蒸发的应用实例 <Yki8  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 X['9;1Xr  
2.3.2 ITO薄膜 1AAyzAP9`  
参考文献 ]5'$EAsuW  
_mSefPl  
第3章 溅射技术 ",,#q  
3.1 溅射基本原理 /\%<VBx ?q  
3.2 溅射主要参数 C*mVM!D);!  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 uw\@~ ,d  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 6]v}  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 d-b04Q7DQ  
3.3 溅射装置及工艺 &_L%wV|[  
3.3.1 阴极溅射 ?%5VaxWJ
 
3.3.2 三极溅射和四极溅射 DFMpU.BN W  
3.3.3 射频溅射 TAXsL&Tz>  
3.3.4 磁控溅射 BwT[SI
<Sg  
3.3.5 反应溅射 >._d2.Q'  
3.4 离子成膜技术 n^nE&'[?0g  
3.4.1 离子镀成膜 l
@);U%\pS  
3.4.2 离子束成膜 oz&`
3`  
3.5 溅射技术的应用 CyIlv0fd}  
3.5.1 溅射生长过程 Gd!-fqNa'x  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 9rEBq&
 
参考文献 Na91K4r#  
)9H5'Wh#  
第4章 化学气相沉积 9[/0  
4.1 概述 ?I=1T.  
4.2 硅化学气相沉积 $e+sqgU  
4.2.1 CVD反应类型 +Kk1[fh-  
4.2.2 CVD热力学分析 IQJ"B6U)  
4.2.3 CVD动力学分析 E7$&:xqx  
4.2.4 不同硅源的外延生长 MhN;GMH  
4.2.5 成核 ~kZdep^]  
4.2.6 掺杂 *s4|'KS2o  
4.2.7 外延层质量 kGD_w  
4.2.8 生长工艺 "'CvB0>  
4.3 CVD技术的种类 [oh06_rB  
4.3.1 常压CVD @6UtnX'd  
4.3.2 低压CVD vX:}tir[  
4.3.3 超高真空CVD Dck/Ea  
4.4 能量增强CVD技术 L3{(Bu  
4.4.1 等离子增强CVD z_>~=Mm  
4.4.2 光增强CVD v +4v  
4.5 卤素输运法 Xc-["y64  
4.5.1 氯化物法 es7;eH*O9  
4.5.2 氢化物法 egu{}5  
4.6 MOCVD技术 aMI;;iL^  
4.6.1 MOCVD简介 ox&5}&\  
4.6.2 MOCVD生长GaAs _=$~l^Y[  
4.6.3 MOCVD生长GaN l>\EkUT  
4.6.4 MOCVD生长ZnO t2,II\Kl  
4.7 特色CVD技术 .{ v$;g  
4.7.1 选择外延CVD技术 :^y!z1\2(7  
4.7.2 原子层外延 
!R@LC  
参考文献 ehW[LRtq  
dBI-y6R  
第5章 脉冲激光沉积 )=f}vHg$  
5.1 脉冲激光沉积概述 kx&JY9(&#  
5.2 PLD的基本原理 }<WJR Y6j  
5.2.1 激光与靶的相互作用 RQE]=N  
5.2.2 烧蚀物的传输 6La[( )  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 VgbNZ{qk@  
5.3 颗粒物的抑制 Pk;w.)kT  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 x;[ .ZzQ  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 eKr>>4,-P  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 qe.QF."y  
参考文献 :-{"9cgFR  
_s;y0$O  
第6章 分子束外延 -`'|z+V  
6.1 引言 "5N4 of 8  
6.2 分子束外延的原理和特点 65aYH4"  
6.3 外延生长设备 Ke4oLF2
 
6.4 分子束外延生长硅 ^ =C>  
6.4.1 表面制备  ]~;*9`:  
6.4.2 外延生长 lfAy$qP"}  
6.4.3 掺杂 ,g?ny<#o  
6.4.4 外延膜的质量诊断 =G}a%)?As\  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 qlcd[Y*B  
6.5.1 MBE生长GaAs A"S"La%"  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 9(]_so24,  
6.5.3 MBE生长GaN IBNg2Y  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 _4>DuklH,  
6.6.1 HgCdTe材料 [h-6;.e  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 QD.5o
S  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 jnqp" Ult>  
6.6.4 ZnSe、ZnTe -o+t
&m  
6.6.5 ZnO薄膜 <~mqb=qA$  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 %R$)bGT  
6.7.1 SiC：材料 5
x@U<  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 <lB2Nv-,  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 "\*)KH`C  
参考文献 IX+Jf? &^  
D#<y pJR  
第7章 液相外延 -`4]u!A  
7.1 液相外延生长的原理 {APfSD_4  
7.1.1 液相外延基本概况 '`upSJ;e  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 vGyQ306  
7.2 液相外延生长方法和设备 XI`_PQco  
7.3 液相外延生长的特点 aX.BaK6I  
7.4 液相外延的应用实例 \!-]$&,j4  
7.4.1 硅材料 I~l_ky|a !  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 L@\t] ~  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 q-t%spkl  
7.4.4 SiC材料 @zS/J,:v}  
参考文献 G5qsnTxUJ  
{b
-C,J  
第8章 湿化学制备方法 E{6ku=2F  
8.1 溶胶-凝胶技术 rv[BL.qV  
>IQ&*Bb  
第9章 半导体超晶格和量子阱 @Xoh@:j\  
第10章 半导体器件制备技术 .U(6])%;@  
参考文献 -v9(43  
>> cW0I/`  
市场价：￥36.00 xLIyh7$t  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) eQQVfEvS