半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 }g& KT!r  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 u7SC_3R  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 /@64xrvIl=  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 c_T+T
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 a@^)?cH!z  
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第1章 真空技术 udS&$/&GH  
1.1 真空的基本概念 'p[*2J"K4  
1.1.1 真空的定义 D?FmlDTr[  
1.1.2 真空度单位 5+2qx)FZ  
1.1.3 真空区域划分 &b'{3o_KN  
1.2 真空的获得 zY2x_}#Q\"  
1.3 真空度测量 vdh[%T,&  
1.3.1 热传导真空计 |kY  
1.3.2 热阴极电离真空计 P%;lHC #i  
1.3.3 冷阴极电离真空计 07]9VJa  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 \opcn\vW  
参考文献 >sZ_I?YDs  
8)>4ZNXz  
第2章 蒸发技术 U]W"  
2.1 发展历史与简介 }USOWsLSt  
2.2 蒸发的种类 YU XxQ|  
2.2.1 电阻热蒸发 < lUpvr  
2.2.2 电子束蒸发 TK0WfWch  
2.2.3 高频感应蒸发 gnYo/q
=K  
2.2.4 激光束蒸发 'w=aLu5dY  
2.2.5 反应蒸发 N8DouDq  
2.3 蒸发的应用实例 E#Ol{
6  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 r$<M*z5q(\  
2.3.2 ITO薄膜 qDcoccEf  
参考文献 ?zf3AZ9  
Res4;C  
第3章 溅射技术 BSL+Gjj~}  
3.1 溅射基本原理 7uf5w0]
  
3.2 溅射主要参数 4aKppj  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 jZH4]^De  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Dw>)\\n{Kl  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 :2V|(:^'  
3.3 溅射装置及工艺 ,4=mlte"  
3.3.1 阴极溅射 E.*gKfL  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 $3gM P+  
3.3.3 射频溅射 "YAnGGx)LZ  
3.3.4 磁控溅射 ?M^qSo=/~  
3.3.5 反应溅射 fCZ"0P3(  
3.4 离子成膜技术 EnmMFxu<  
3.4.1 离子镀成膜 j{johV+`8  
3.4.2 离子束成膜 ("YWJJ'H  
3.5 溅射技术的应用 Dbb=d8utE  
3.5.1 溅射生长过程 mmG]|Cl@  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Z;[xaP\S  
参考文献 RN}joKV  
omznSL  
第4章 化学气相沉积 \6bvk_
 
4.1 概述 +_25E.>ml  
4.2 硅化学气相沉积 JDW/Mc1bh  
4.2.1 CVD反应类型 ^/cqE[V~,  
4.2.2 CVD热力学分析 s IBP$9
 
4.2.3 CVD动力学分析 a^\F9^j  
4.2.4 不同硅源的外延生长 [mj=m
?j  
4.2.5 成核 2jlz#Sk  
4.2.6 掺杂 H0jbG;  
4.2.7 外延层质量 Sy]W4%  
4.2.8 生长工艺 I!}V+gu=  
4.3 CVD技术的种类 (XlvPcTi  
4.3.1 常压CVD .l|
29{J  
4.3.2 低压CVD 6pt|Crvu
 
4.3.3 超高真空CVD J1w3g,  
4.4 能量增强CVD技术  E(wS6  
4.4.1 等离子增强CVD s Ytn'&$\  
4.4.2 光增强CVD Aar]eY\  
4.5 卤素输运法 TU;AO%5  
4.5.1 氯化物法 4.Fh4Y:$'  
4.5.2 氢化物法 7HQL^Q  
4.6 MOCVD技术 <f=<r*6  
4.6.1 MOCVD简介 t~)4f.F:  
4.6.2 MOCVD生长GaAs n*i&o;5  
4.6.3 MOCVD生长GaN [P0c,97_ H  
4.6.4 MOCVD生长ZnO i[MBO`FF  
4.7 特色CVD技术 ,1cpV|mAr  
4.7.1 选择外延CVD技术 -0BxZ AW=  
4.7.2 原子层外延  !VXy67  
参考文献 JG&E"j#q  
kM@e_YtpY  
第5章 脉冲激光沉积 *M$mAy<  
5.1 脉冲激光沉积概述 N"tX K  
5.2 PLD的基本原理 I2pE}6q  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Dx=RLiU9  
5.2.2 烧蚀物的传输 0M)\([W9&  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 2pvby`P4  
5.3 颗粒物的抑制 ,7Ejb++/M,  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Yakrsi/jV}  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 1<m.Q*  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 t:P7ah  
参考文献 }'86hnW  
Jr%F#/  
第6章 分子束外延 h?h)i>  
6.1 引言 @P>>:002/  
6.2 分子束外延的原理和特点 
C3N1t  
6.3 外延生长设备 st~l||  
6.4 分子束外延生长硅 kGC*\?<LmR  
6.4.1 表面制备 m5a'Vs  
6.4.2 外延生长 L]Xx
-S  
6.4.3 掺杂 ZsCwNZR  
6.4.4 外延膜的质量诊断 wDSwcNS  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 68w~I7D>  
6.5.1 MBE生长GaAs Vq/hk
  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs qT:`F  
6.5.3 MBE生长GaN 2^75|Q  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 %rf6>  
6.6.1 HgCdTe材料 #;lEx'lKN  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 M?;YpaSe+  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 6i~<,;Cn  
6.6.4 ZnSe、ZnTe }sJ}c}b  
6.6.5 ZnO薄膜 #Ye0*`  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 b$p
Cp`/MT  
6.7.1 SiC：材料 <0m^b#hdG  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 aIr"!. 4  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 =3rf}bl2  
参考文献 I>w|80%%  
W5()A,R  
第7章 液相外延 #7sxb  
7.1 液相外延生长的原理 LaZ @4/z!  
7.1.1 液相外延基本概况 |Q@(<'8=  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 n{qVF#N_  
7.2 液相外延生长方法和设备 BZKg:;9  
7.3 液相外延生长的特点 Fi7~JZZ  
7.4 液相外延的应用实例 W>c*\)Xk !  
7.4.1 硅材料 __uk/2q  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Lpnw(r9Y  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Fo5UG2E&  
7.4.4 SiC材料 #,FXc~V  
参考文献 &oJ[ *pQ  
|oX9SUl  
第8章 湿化学制备方法 uINEq{yo  
8.1 溶胶-凝胶技术 8/y8tMm]  
:uqEGnEut  
第9章 半导体超晶格和量子阱 G9#3 |B-?  
第10章 半导体器件制备技术 EG_P^<z  
参考文献 .:B0(4Mj  
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