半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 +qf{ '|H  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 }8#Czo jt  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 o|q#A3%?  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 7b2<, .E  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 BmXGk  

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第1章 真空技术 :zRboqe(cc  
1.1 真空的基本概念 Q*(o;\s  
1.1.1 真空的定义 hiHp@"l<  
1.1.2 真空度单位 .9Fm>e+!C  
1.1.3 真空区域划分 g>zL{[e!  
1.2 真空的获得 1hij4m$b  
1.3 真空度测量 NL
Y5L7  
1.3.1 热传导真空计 +KNr1rG  
1.3.2 热阴极电离真空计 cyNLeg+O*  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Y&:i^k  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 !F)o
X7"  
参考文献 <=M
}[  
>O
~5s.1u  
第2章 蒸发技术 >.\E'e5^C  
2.1 发展历史与简介 (mlc']F  
2.2 蒸发的种类 Lai"D[N  
2.2.1 电阻热蒸发 --kK<9J7  
2.2.2 电子束蒸发 i>2_hn_UR  
2.2.3 高频感应蒸发 yk{alSF  
2.2.4 激光束蒸发 :6V8  
2.2.5 反应蒸发 f lB2gr^  
2.3 蒸发的应用实例 I&Y(]S,cU  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 |3m%d2V*hF  
2.3.2 ITO薄膜 z?,5v`,t2  
参考文献 ^dv>n]?  
p;Kr664  
第3章 溅射技术 aK'r=NU
 
3.1 溅射基本原理 ]mA?TwD  
3.2 溅射主要参数 i;Y^}2   
3.2.1 溅射闽和溅射产额 :f;|^(]"  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 a0.XJR{T"  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 pdSyx>rJ  
3.3 溅射装置及工艺 ^h=kJR9  
3.3.1 阴极溅射 e$=|-Jz  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 kZQ;\QL1}  
3.3.3 射频溅射 M.xEiHz  
3.3.4 磁控溅射 :xCobMs_/  
3.3.5 反应溅射 r$5!KO  
3.4 离子成膜技术 $hio(   
3.4.1 离子镀成膜 jQ*Qh  
3.4.2 离子束成膜 #G
x@\BE{  
3.5 溅射技术的应用 0i"OG( ,  
3.5.1 溅射生长过程 dp_q:P4;B  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Ek3O{<  
参考文献 ?9+;[X  
m='OnTeOE  
第4章 化学气相沉积 ] ?(=rm9u  
4.1 概述 14RL++  
4.2 硅化学气相沉积 -eTGRr  
4.2.1 CVD反应类型 rtm28|0H'  
4.2.2 CVD热力学分析 Sf9+T
W  
4.2.3 CVD动力学分析 zeX?]@]Y  
4.2.4 不同硅源的外延生长 )Pq.kn{Sp  
4.2.5 成核 $G3P3y: [  
4.2.6 掺杂 P6Ei!t,>  
4.2.7 外延层质量 }
_ E  
4.2.8 生长工艺 Wm61  
4.3 CVD技术的种类 ;G$FLL1   
4.3.1 常压CVD dkjL;1  
4.3.2 低压CVD 3$Je,|bs  
4.3.3 超高真空CVD R<
-KXT9  
4.4 能量增强CVD技术 &D:88   
4.4.1 等离子增强CVD iYnt:C  
4.4.2 光增强CVD +dfSCs  
4.5 卤素输运法 8CCA/6  
4.5.1 氯化物法 +Ji dP  
4.5.2 氢化物法 bGZy0.  
4.6 MOCVD技术 sZc<h]L(g  
4.6.1 MOCVD简介 3?:}lY<,  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ":OXs9Yg  
4.6.3 MOCVD生长GaN ScEM#9T|  
4.6.4 MOCVD生长ZnO R-ci?7dt3  
4.7 特色CVD技术 2sngi@\  
4.7.1 选择外延CVD技术 Ch3##-  
4.7.2 原子层外延 EOL03N  
参考文献 f&:g{K  
Ap/WgVw;  
第5章 脉冲激光沉积 H X8q+  
5.1 脉冲激光沉积概述 6*$N@>8&  
5.2 PLD的基本原理 |c)#zSv  
5.2.1 激光与靶的相互作用 3XIxuQwf  
5.2.2 烧蚀物的传输 ,~v1NK*  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 %uKDcj  
5.3 颗粒物的抑制 @:}z\qBM  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 V;$lgTs|'  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 !
T}`h'  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 m9/a!|fBE  
参考文献 q_!3<.sf  
4_$f"6  
第6章 分子束外延 1*Z}M%  
6.1 引言 CXa$QSu>  
6.2 分子束外延的原理和特点 /)~McP3  
6.3 外延生长设备 b+kb7  
6.4 分子束外延生长硅 Y#\e~>K  
6.4.1 表面制备 @uc%]V<:k  
6.4.2 外延生长 kns[b [!H  
6.4.3 掺杂 Ab2VF;z :  
6.4.4 外延膜的质量诊断 fy-(B;  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 "YivjHa7H  
6.5.1 MBE生长GaAs ,W.O*vC
A  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs d%WF
gf}  
6.5.3 MBE生长GaN mWZVO,t$  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 K~uoZ~_gA  
6.6.1 HgCdTe材料 bp }~{]:b  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 fSj^/>  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 3 Tt8#B  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 9vXrC_W9  
6.6.5 ZnO薄膜 0'gJSrgNI  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 IlH*s/  
6.7.1 SiC：材料 Q~jUZ-qN  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 iKu5K0x{>I  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ,$*$w<  
参考文献 8$1<N  
xk#/J]j  
第7章 液相外延 &Oe,$%{hBh  
7.1 液相外延生长的原理 T3\Q<  
7.1.1 液相外延基本概况 $N~8^6  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 +ft?aB@  
7.2 液相外延生长方法和设备 &",pPuq  
7.3 液相外延生长的特点 %GJ,&b|
 
7.4 液相外延的应用实例 zH.7!jeE  
7.4.1 硅材料 a4c~ThbI  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 }psJ'aiG*  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 nM@
S`"  
7.4.4 SiC材料 U
c.K6%iI  
参考文献 lOql(ZH`w  
Y}PI{PN  
第8章 湿化学制备方法 9mr99tA  
8.1 溶胶-凝胶技术 E#J+.&2  
)nQ.6  
第9章 半导体超晶格和量子阱 n<?:!f`  
第10章 半导体器件制备技术 M5wj79'l"  
参考文献 [^#6.xH  
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