半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 H((! BRl  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 :W(3<D7\  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 l[lUmE  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 bg;NBoZd  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 'b#RfF,7H}  
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第1章 真空技术 B5h-JON]-  
1.1 真空的基本概念 v9R#=m/
=  
1.1.1 真空的定义 Ci6yH( RE  
1.1.2 真空度单位 Bv_C *vW  
1.1.3 真空区域划分 9XWHr/-_@  
1.2 真空的获得 CY;ML6c@  
1.3 真空度测量 rB|Mp!g%@  
1.3.1 热传导真空计 ^{&Vv(~!Q  
1.3.2 热阴极电离真空计 v(D{_  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Qb}7lm{r  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 OrP-+eg  
参考文献 n^P=a'+  
BE. v+'c"  
第2章 蒸发技术 CqX2R:#  
2.1 发展历史与简介 -BUxQ8/,  
2.2 蒸发的种类 *n mr4Q'v{  
2.2.1 电阻热蒸发 $G/h-6+8  
2.2.2 电子束蒸发 N1$lG? )+  
2.2.3 高频感应蒸发 jqxeON  
2.2.4 激光束蒸发 WmU4~.  
2.2.5 反应蒸发 dA>=#/"  
2.3 蒸发的应用实例 wuE]ju<  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 (\m4o   
2.3.2 ITO薄膜 [.4R ,[U  
参考文献 4DI.RK9  
q !\Ht2$b  
第3章 溅射技术 Gxu  
3.1 溅射基本原理 Aw
l4*J~  
3.2 溅射主要参数 UMR0S5`}  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 H&jK|]UXoO  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 )&:4//}a  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 +7n;Bsk _  
3.3 溅射装置及工艺 }[ LME Z  
3.3.1 阴极溅射 ,73kh  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 lJ.:5$2H  
3.3.3 射频溅射 e3w4@V`  
3.3.4 磁控溅射 -=BQVJ_dK{  
3.3.5 反应溅射 "jBrPCB 8  
3.4 离子成膜技术 2[f8"'lUQ  
3.4.1 离子镀成膜 H59}d oKH  
3.4.2 离子束成膜 +c4]}9f!  
3.5 溅射技术的应用 *y[i~{7:  
3.5.1 溅射生长过程 hZNS$  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 vQB;a?)o  
参考文献 0[ MQp"z  
ucP}( $  
第4章 化学气相沉积 K{)N:|y%!$  
4.1 概述 .),ql_sXr  
4.2 硅化学气相沉积 HqNM31)  
4.2.1 CVD反应类型 >qh8em  
4.2.2 CVD热力学分析 SA_5..  
4.2.3 CVD动力学分析 m<L.H33'  
4.2.4 不同硅源的外延生长 4_qd5K+n"  
4.2.5 成核 *,qW9z  
4.2.6 掺杂 ?U'c;
*O-  
4.2.7 外延层质量 l/9V59Fv9  
4.2.8 生长工艺 2)}ic2]pn  
4.3 CVD技术的种类 lM ]n  
4.3.1 常压CVD
Xv;} !z  
4.3.2 低压CVD Ny|2Fcs  
4.3.3 超高真空CVD S9kagiFX\  
4.4 能量增强CVD技术 0'u2xe  
4.4.1 等离子增强CVD
t\44 Pu%  
4.4.2 光增强CVD ~lO^C  
4.5 卤素输运法 `s HrC  
4.5.1 氯化物法 P,5gaT)  
4.5.2 氢化物法 Zp'c>ty=  
4.6 MOCVD技术
.ko8`J%%M  
4.6.1 MOCVD简介 *L_+rJj,  
4.6.2 MOCVD生长GaAs !Ra.DSL  
4.6.3 MOCVD生长GaN 7A0D[?^xe  
4.6.4 MOCVD生长ZnO N-* ^V^V  
4.7 特色CVD技术 ,iKEIxA!  
4.7.1 选择外延CVD技术 p)l>bC?3  
4.7.2 原子层外延 9pAklD4  
参考文献 =xwA'D9]  
;/gH6Z?  
第5章 脉冲激光沉积 |"V]$s$ c  
5.1 脉冲激光沉积概述 %|mRib|<C  
5.2 PLD的基本原理 8W' ,T  
5.2.1 激光与靶的相互作用 <vS J<WY  
5.2.2 烧蚀物的传输 u&MlWKCi  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 tMM*m  
5.3 颗粒物的抑制 i}SJ   
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 pqmb&"l  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 U$CAA5HV]  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 qMy>:,)Z
 
参考文献 T=lir%q  
72rnMHq  
第6章 分子束外延 ?VC[%sjwn  
6.1 引言 vY|{CBGbd  
6.2 分子束外延的原理和特点 Vgy}0pCl  
6.3 外延生长设备 s;oDwT1  
6.4 分子束外延生长硅 6zuWG0t  
6.4.1 表面制备 -h=K]Y{`  
6.4.2 外延生长 _@U?;73"5  
6.4.3 掺杂 vrVb/hhG  
6.4.4 外延膜的质量诊断 :N!Fe7H,  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 +E.}k!y  
6.5.1 MBE生长GaAs q2Xm~uN`)  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 76e%&ZG)Q  
6.5.3 MBE生长GaN .h
I3Uv8[  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 [UO?L2$&  
6.6.1 HgCdTe材料 h
<KE)^).  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 RmXC ^VQ  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Y{c_5YYf  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Z}#,E;  
6.6.5 ZnO薄膜 J:s^F n  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 0*?/s\>PS;  
6.7.1 SiC：材料 n_G< /8  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 &?~OV:r9  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 5Ym/'eT  
参考文献 *}BaO*
A  
QwaCaYoh  
第7章 液相外延 tqI]S X  
7.1 液相外延生长的原理 X\X*-.]{  
7.1.1 液相外延基本概况 gFk~SJd  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 q5X\wz2N  
7.2 液相外延生长方法和设备 l2>ka~  
7.3 液相外延生长的特点 u=a5Z4N'  
7.4 液相外延的应用实例 Af8&PhyrU  
7.4.1 硅材料 AvW2)+6G  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 .j*muDVQn  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 sTu6KMn  
7.4.4 SiC材料 #qL?;Zh0S  
参考文献 t__UqCq~h  
EL_rh TWw  
第8章 湿化学制备方法 |&JCf=  
8.1 溶胶-凝胶技术 -{z.8p}IW  
#$h~QBg  
第9章 半导体超晶格和量子阱 VCOz?Y*  
第10章 半导体器件制备技术 S}=d74(/n  
参考文献 G8}w|'0m  
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