半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 &vmk!wAs  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 L-- t(G  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 q
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 [.>=>KJ_  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 ~+{*KPiD  

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第1章 真空技术 0y$VPgsKf  
1.1 真空的基本概念 7l7VT
?<:  
1.1.1 真空的定义 x"Ll/E)\v]  
1.1.2 真空度单位 #r9\.NA!  
1.1.3 真空区域划分 Hx6ODj[-  
1.2 真空的获得 <%.%q  
1.3 真空度测量 07SW$INb  
1.3.1 热传导真空计 ;R6f9tu2  
1.3.2 热阴极电离真空计 U~=?I)Ni  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Vl+UC1M}B>  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ?8$`GyjS  
参考文献 1M`>;fjYa  
;uAh)|;S#  
第2章 蒸发技术 0m1V@3]7>  
2.1 发展历史与简介 D,=~7/g  
2.2 蒸发的种类 z(c8]Wu#  
2.2.1 电阻热蒸发 lrc%GU):  
2.2.2 电子束蒸发 UA'bE
~i  
2.2.3 高频感应蒸发 wDi/oH/H  
2.2.4 激光束蒸发 5 v.&|[\k  
2.2.5 反应蒸发 P8=|#yCi  
2.3 蒸发的应用实例 ]+`K\G ^X  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 JjZB!Lg=  
2.3.2 ITO薄膜 U;3t{~Ym  
参考文献 9Avj\G  
*-*V>ntvT$  
第3章 溅射技术 28v^j*=* \  
3.1 溅射基本原理 _t,aPowX  
3.2 溅射主要参数 Ru d9l.n  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 "{@[06|1  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 rbOJ;CK  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 zU[o_[+7^  
3.3 溅射装置及工艺 ri-&3%%z<  
3.3.1 阴极溅射 a9&[Qv5-/  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 Uy=yA  
3.3.3 射频溅射 a 7v^o`  
3.3.4 磁控溅射 *# <%04f  
3.3.5 反应溅射 CSjd&G*ZB  
3.4 离子成膜技术 3KqRw (BK  
3.4.1 离子镀成膜 IJ+}  
3.4.2 离子束成膜 5vD\?,f E  
3.5 溅射技术的应用 m~;.k
c  
3.5.1 溅射生长过程 R-$w*=Y  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 G "+[@|  
参考文献 tWl')^  
(soTkH:#  
第4章 化学气相沉积 ~c&sr5E  
4.1 概述 ^%%Rf  
4.2 硅化学气相沉积 5X3JQ"z  
4.2.1 CVD反应类型 ,y"vf^BE.  
4.2.2 CVD热力学分析 #5y+gdN  
4.2.3 CVD动力学分析 V1P]pP  
4.2.4 不同硅源的外延生长 &b~X&{3,  
4.2.5 成核 yLqhj7  
4.2.6 掺杂 k2loGvBJ  
4.2.7 外延层质量 MYV3</Xj*  
4.2.8 生长工艺 dR i6
 
4.3 CVD技术的种类 C<C^7-5  
4.3.1 常压CVD q%k&O9C2]  
4.3.2 低压CVD 1r4NP  
4.3.3 超高真空CVD m%eCTpYo  
4.4 能量增强CVD技术 1LFad>`  
4.4.1 等离子增强CVD [e\IHakj  
4.4.2 光增强CVD )Dms9:  
4.5 卤素输运法 *:\[;69[  
4.5.1 氯化物法 ]?}pJ28  
4.5.2 氢化物法 Jo8fMG\P  
4.6 MOCVD技术 sBWyUD  
4.6.1 MOCVD简介 `"'u mIz  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 8d1qRCIz  
4.6.3 MOCVD生长GaN VWd`06'BN'  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 9pi{)PDJ  
4.7 特色CVD技术  0zr%8Q(Q  
4.7.1 选择外延CVD技术 <:(;#&<  
4.7.2 原子层外延 s hq +  
参考文献 Xa-TNnws?  
O|Vc  
第5章 脉冲激光沉积 NG\'Ii:-J  
5.1 脉冲激光沉积概述 |61ns6i!  
5.2 PLD的基本原理 t?^!OJ:L  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ~U7Bo(EJp  
5.2.2 烧蚀物的传输 AD!w:jT
9  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 Ymnh%wS  
5.3 颗粒物的抑制 m0W3pf  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 FW2x  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 ]ZR` 6|"VO  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 r1.zURY  
参考文献 v:!TqfI  
V]]!0ugvk(  
第6章 分子束外延 Nz"K`C>/  
6.1 引言 z<P?p  
6.2 分子束外延的原理和特点 r4K_Wp  
6.3 外延生长设备 %Y/;jCY  
6.4 分子束外延生长硅 rkh%[o9"/  
6.4.1 表面制备 1QhQ#`$<1  
6.4.2 外延生长 L|D9+u L  
6.4.3 掺杂 O,+9r_Gh  
6.4.4 外延膜的质量诊断 $B9?>a|{A  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 @b2?BSdUp  
6.5.1 MBE生长GaAs SH"<f_  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ?|NsaW  
6.5.3 MBE生长GaN ETX>wZ  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 eC 2~&:$L  
6.6.1 HgCdTe材料 y_Gs_xg  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 }U9dzU14  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 @az<D7j2  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Dbx zqd  
6.6.5 ZnO薄膜 ,\\=f#c=  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 %PPy0RZ^  
6.7.1 SiC：材料 &_@M 6[-  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 2=<,#7zlJ  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 3*{l^<`:gA  
参考文献 x~IrqdmW  
[P6A$HC<  
第7章 液相外延 _BgWy#  
7.1 液相外延生长的原理 W?N+7_%'  
7.1.1 液相外延基本概况 n Jz*}=  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 s/3sOb}sA  
7.2 液相外延生长方法和设备 q)@;8Z=_c  
7.3 液相外延生长的特点 Gw6Odj  
7.4 液相外延的应用实例 .W9 *-  
7.4.1 硅材料 1 K^-tms  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 wT3D9N.  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料  *ni0.  
7.4.4 SiC材料 eH*i_g'  
参考文献 ht+wi5b  
p Zxx  
第8章 湿化学制备方法 39~WP$GM  
8.1 溶胶-凝胶技术 RZ9_*Lq7+  
u#V;  
第9章 半导体超晶格和量子阱 q{[y4c1bG{  
第10章 半导体器件制备技术 |<1A<fU8
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参考文献 WhFE{-!gX  
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