半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 + 505  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ZN. #g_  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 CrK}mbe  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 M]oaWQu  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 0Rj_l:d=  
rK"x92P0  
se_1wCYz  
市场价：￥36.00 1Ztoj}!I  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) d5h:py5  
|_Vlw&qu+  
tY
VmB:l  
第1章 真空技术 1B2>8N  
1.1 真空的基本概念 d^w6_  
1.1.1 真空的定义 /CH*5w)1   
1.1.2 真空度单位 gVb;sk^  
1.1.3 真空区域划分 aK'BC>uFI  
1.2 真空的获得 ?xIwQd0  
1.3 真空度测量 y<kW2<?  
1.3.1 热传导真空计 orJN#0v4  
1.3.2 热阴极电离真空计 h/5.>[VwDh  
1.3.3 冷阴极电离真空计 >]FRHJo_  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 li(g?|AD  
参考文献 rq>@0i  
,|D<De\v&  
第2章 蒸发技术 L\o-zNY  
2.1 发展历史与简介 0ZTT^2R  
2.2 蒸发的种类 :GK]"sNC  
2.2.1 电阻热蒸发 ih~ R?W  
2.2.2 电子束蒸发 ttgb"Wb%S  
2.2.3 高频感应蒸发 9[T}cN=|  
2.2.4 激光束蒸发 L2+~I<|>  
2.2.5 反应蒸发 sZ_+6+ :  
2.3 蒸发的应用实例 [8[g_  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ;~F&b:CyG  
2.3.2 ITO薄膜 |BN^5mqP6  
参考文献 eX>x +]l6  
eqV;4dhm  
第3章 溅射技术 ]U82A**n  
3.1 溅射基本原理 4'[/gMUkw  
3.2 溅射主要参数 l%L..WCT]  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ogtl UCUD  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 zr2oU '+  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 4YMX
;W  
3.3 溅射装置及工艺 kocgPO5  
3.3.1 阴极溅射 DJR_"8  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 ^z)p@sk#  
3.3.3 射频溅射 $cflF@3  
3.3.4 磁控溅射 _e:c 22T'  
3.3.5 反应溅射 z&Cz!HrS  
3.4 离子成膜技术 P9c!  
3.4.1 离子镀成膜 '>4H#tu  
3.4.2 离子束成膜 o!bV;]  
3.5 溅射技术的应用 DxoW,GW  
3.5.1 溅射生长过程 XcLjUz?  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 5o2w)<d!  
参考文献 b@`h]]~:  
0o7*5| T4  
第4章 化学气相沉积 c&X2k\  
4.1 概述 ozB2L\D7  
4.2 硅化学气相沉积 @L0xU??"|  
4.2.1 CVD反应类型 UU'0WIbY6  
4.2.2 CVD热力学分析 juIi-*R!  
4.2.3 CVD动力学分析 qjDt6B^RO  
4.2.4 不同硅源的外延生长 _Fkz^B*  
4.2.5 成核 Kjzo>fIC{  
4.2.6 掺杂 =S#9\W&6Q  
4.2.7 外延层质量 |kGj}v3  
4.2.8 生长工艺 O3 NI  
4.3 CVD技术的种类 , Ox$W  
4.3.1 常压CVD }JI
@f14  
4.3.2 低压CVD JCFiKt9n  
4.3.3 超高真空CVD %[B^b)2  
4.4 能量增强CVD技术 Gu@n1/m@o  
4.4.1 等离子增强CVD Sq:,6bcG  
4.4.2 光增强CVD 5Q7Z$A1a 9  
4.5 卤素输运法 [3D*DyQt  
4.5.1 氯化物法 TsVU
^Z%W  
4.5.2 氢化物法 4]G J
+a  
4.6 MOCVD技术 l$Y*ii  
4.6.1 MOCVD简介 w#}[=jy  
4.6.2 MOCVD生长GaAs duQ,6  
4.6.3 MOCVD生长GaN x4bmV@b  
4.6.4 MOCVD生长ZnO !{
q_Q !  
4.7 特色CVD技术 m)Ta5w^  
4.7.1 选择外延CVD技术 #fy3i+  
4.7.2 原子层外延 Xrl# DN
 
参考文献 1Be/(pSc  
fb+_]{7g  
第5章 脉冲激光沉积 *(E]]8o  
5.1 脉冲激光沉积概述 pF/s5z  
5.2 PLD的基本原理 QZ& 4W  
5.2.1 激光与靶的相互作用  gx9=L&=d  
5.2.2 烧蚀物的传输 X{Ij30Bmv  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 { k>T*/  
5.3 颗粒物的抑制 ,J(shc_F  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ]$~\GE^  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 ?xwLe  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 eHb@qKnf  
参考文献 'D'H)J  
X4eo
E  
第6章 分子束外延 O\F$~YQ  
6.1 引言 u.ej<Lo  
6.2 分子束外延的原理和特点 r17"
i.n  
6.3 外延生长设备 v`hn9O  
6.4 分子束外延生长硅 qr4.s$VGs*  
6.4.1 表面制备 (
T!#7  
6.4.2 外延生长 !LM9  
6.4.3 掺杂 ]w0_!Z&  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ?U+nR/H:6  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 8 qlQC.VA[  
6.5.1 MBE生长GaAs A01PEVd@A  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs >N~orSw%  
6.5.3 MBE生长GaN pz=/A  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 X2T_}{  
6.6.1 HgCdTe材料 BD- c<K"  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 `y>BbJqy  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 H1c>3c  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 6<fcG  
6.6.5 ZnO薄膜 :.=#U  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 T]x]hQ  
6.7.1 SiC：材料 _Un*x5u2O  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 |G)P I`BH  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ` ZBOaN^if  
参考文献 ivg W[]  
{b|V;/  
第7章 液相外延 h t3P@;  
7.1 液相外延生长的原理 |?v .5|1  
7.1.1 液相外延基本概况 &PPYxg<  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 b#-=Dbe  
7.2 液相外延生长方法和设备 T_[5 ZYy  
7.3 液相外延生长的特点 4C[kj  
7.4 液相外延的应用实例 @6M>x=n5  
7.4.1 硅材料 fu iTy72  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 rgo!t028^  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 87F]a3  
7.4.4 SiC材料 8
=)9ZjfD  
参考文献 N)/7j7c~;  
T|p%4hH  
第8章 湿化学制备方法 =gC% =  
8.1 溶胶-凝胶技术 1 F&}e&}c  
h.\p+Qw.  
第9章 半导体超晶格和量子阱 M?5voV*  
第10章 半导体器件制备技术 X4L@|"ZI  
参考文献 YZAQt*x
 
drvz [ 9;  
市场价：￥36.00 558!?kx$  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) wlQ @3RN>