半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 U!5)5c}G  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 [`=LTBt  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ?dZt[vAMn  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 T5Eseesp  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 d5I f"8`@  

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第1章 真空技术 Wo$%9!W  
1.1 真空的基本概念 Ei>m0 ~<\  
1.1.1 真空的定义 H(^bC5'  
1.1.2 真空度单位 %i0?UpA  
1.1.3 真空区域划分 Br>Fpe$q4  
1.2 真空的获得 36m5bYMd)  
1.3 真空度测量 9?T{}| ?  
1.3.1 热传导真空计 6~meM@  
1.3.2 热阴极电离真空计 ]1-z!B4K  
1.3.3 冷阴极电离真空计 <oMUQ*OtV  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ({}(qm  
参考文献 donw(_=  
4IdT'  
第2章 蒸发技术 v{x{=
M]  
2.1 发展历史与简介 rd|uz4d  
2.2 蒸发的种类 xom<P+M!|  
2.2.1 电阻热蒸发
6X g]/FD  
2.2.2 电子束蒸发 wt}9B[  
2.2.3 高频感应蒸发 g\A y`.s  
2.2.4 激光束蒸发 0\{BWNK  
2.2.5 反应蒸发 w]j+9-._  
2.3 蒸发的应用实例 &.i^dO^}  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 :q##fG'm/  
2.3.2 ITO薄膜 JMBK{JK>  
参考文献 pj|pcv^  
s0UFym8  
第3章 溅射技术 rPzQ8<  
3.1 溅射基本原理 :bU(S<%M  
3.2 溅射主要参数 6`01EIk  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 }peBR80
tQ  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 /x@RNdKv  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 iGXI6`F"  
3.3 溅射装置及工艺 jD,Ba
z<  
3.3.1 阴极溅射 DLPUqKL]  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 7J$b$P0}  
3.3.3 射频溅射 I~eSZ?$s#  
3.3.4 磁控溅射 Z5G!ct:W  
3.3.5 反应溅射 )n7l'}o?+  
3.4 离子成膜技术 -#`c5y}P  
3.4.1 离子镀成膜 ~!6K]hB4  
3.4.2 离子束成膜 3cl9wWlJ_E  
3.5 溅射技术的应用 ]bCq=6ZKR  
3.5.1 溅射生长过程 o(A|)c4k  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ~o3Hdd_#}N  
参考文献 )8gGv  
d4[(8} x$/  
第4章 化学气相沉积 D6D1S/:ij'  
4.1 概述 Q<tu)Qo  
4.2 硅化学气相沉积 1nj(hg  
4.2.1 CVD反应类型 >v;8~pgO  
4.2.2 CVD热力学分析 f}%D"gz  
4.2.3 CVD动力学分析 [ANuBNF  
4.2.4 不同硅源的外延生长 &`|:L(+  
4.2.5 成核 iSK+GQ~  
4.2.6 掺杂 I lR\  #  
4.2.7 外延层质量 > Vb@[  
4.2.8 生长工艺 rk2xKm^w  
4.3 CVD技术的种类 wl=61Mb  
4.3.1 常压CVD w [>;a.$  
4.3.2 低压CVD qgt[~i*  
4.3.3 超高真空CVD JD>d\z2QC  
4.4 能量增强CVD技术 2B~wHv  
4.4.1 等离子增强CVD QA!_} N4n  
4.4.2 光增强CVD xk~IN%\  
4.5 卤素输运法 yKagT$-  
4.5.1 氯化物法 |rRO@18dA  
4.5.2 氢化物法 @=S}=cl  
4.6 MOCVD技术 \b8sG"G  
4.6.1 MOCVD简介 iItcN;;7  
4.6.2 MOCVD生长GaAs |C \}P  
4.6.3 MOCVD生长GaN a[bBT@f  
4.6.4 MOCVD生长ZnO !{,F~i9  
4.7 特色CVD技术 d87vl13  
4.7.1 选择外延CVD技术 ,"
-Rf<q/  
4.7.2 原子层外延 gB,G.QM*6  
参考文献 D:\g,\Z  
SM0M%  
第5章 脉冲激光沉积 8cx=#Me  
5.1 脉冲激光沉积概述 gE/Tj$  
5.2 PLD的基本原理 qr\!*\9  
5.2.1 激光与靶的相互作用 4o:hyh   
5.2.2 烧蚀物的传输 FX<b:#  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 _GQz!YA  
5.3 颗粒物的抑制 NMO-u3<6.  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 MjfFf} @  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 UCrh/bTm  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 3q[WHwmm  
参考文献 1iT\df  
gJt`?8t  
第6章 分子束外延 Bc-yxjsw  
6.1 引言 aMARZ)V  
6.2 分子束外延的原理和特点 stl 1QO(h  
6.3 外延生长设备 ?{"mP 'dD  
6.4 分子束外延生长硅 _STB$cZ  
6.4.1 表面制备 ExSe=4q#  
6.4.2 外延生长 +!-~yf#RE  
6.4.3 掺杂 F,Xo|jjj  
6.4.4 外延膜的质量诊断 \b'xt  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 u D 5%E7  
6.5.1 MBE生长GaAs )Ag/Qep  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 0XwHP{XaO  
6.5.3 MBE生长GaN fyz nuUl  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 `+lHeLz':  
6.6.1 HgCdTe材料 g3@Rl2yQJ  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 a>4uiFiv  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 nm$Dd~mxW1  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 7fp(R&)1  
6.6.5 ZnO薄膜 ln*icaDqf  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 x)rlyjFM  
6.7.1 SiC：材料 y<R=  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 hli|B+:m"  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 q"KnLA(  
参考文献 6}~pq1IF{  
xieP "6  
第7章 液相外延 FFhtj(hVgc  
7.1 液相外延生长的原理 ;wiao(t>4N  
7.1.1 液相外延基本概况 1PaUI#X"2F  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ?71+f{s  
7.2 液相外延生长方法和设备 &WXY'A=  
7.3 液相外延生长的特点 mAgF73,3  
7.4 液相外延的应用实例 O40+M)e]  
7.4.1 硅材料 wmNHT _  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 4Ph0:^i_  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 +`mGK:>  
7.4.4 SiC材料 zHWSE7!  
参考文献 LVIAF0kX  
Eu}b8c  
第8章 湿化学制备方法 ;:S&F  
8.1 溶胶-凝胶技术 Z.L?1V8Q1  
W^,S6!  
第9章 半导体超晶格和量子阱 w"m+~).U  
第10章 半导体器件制备技术 c97{Pu  
参考文献 uxn)R#?  
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