半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 hU {-a`  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 SBfFZw)  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 1(gfdx9|b  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 _a -]?R  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 B@K[3  

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第1章 真空技术 3#GqmhqKDk  
1.1 真空的基本概念 &7[[h+Lb  
1.1.1 真空的定义
:`W|hE^  
1.1.2 真空度单位 (FVX57  
1.1.3 真空区域划分 cyF4iG'M,y  
1.2 真空的获得 La,QB3K/  
1.3 真空度测量 hnxc`VX>g  
1.3.1 热传导真空计 l5O=V
qCj  
1.3.2 热阴极电离真空计 R}{GwbF_\  
1.3.3 冷阴极电离真空计 `a4 $lyZ  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 (6qsKX  
参考文献 nX5C<Ky  
^ddO&!U  
第2章 蒸发技术 TSto9$}*  
2.1 发展历史与简介 lOerrP6f(  
2.2 蒸发的种类 

Pl  
2.2.1 电阻热蒸发 8vD3=yK%^  
2.2.2 电子束蒸发 oY3>UZ5\
  
2.2.3 高频感应蒸发 R]L2(' B  
2.2.4 激光束蒸发 F!g;A"?V  
2.2.5 反应蒸发 :pZ}
*?\  
2.3 蒸发的应用实例 rla:<6tt  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 h)dRR_  
2.3.2 ITO薄膜 2
p< Aj!  
参考文献 nX[;^v/  
\ P/W8{  
第3章 溅射技术 8z T0_vw  
3.1 溅射基本原理 (B#(Z=  
3.2 溅射主要参数 :5# V^\3*  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ]b1Li}  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ?q$P>guH6-  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 2Rptxb_@  
3.3 溅射装置及工艺 VifmZ;S@Y  
3.3.1 阴极溅射 w|Q
d`  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 U^$E'Q-VK  
3.3.3 射频溅射 n0fRu`SNV  
3.3.4 磁控溅射 =/Juh7[C  
3.3.5 反应溅射 |63Y >U"  
3.4 离子成膜技术 Lb~\Yn'z  
3.4.1 离子镀成膜 #PAU'u 3{/  
3.4.2 离子束成膜 {LB`)Kuu  
3.5 溅射技术的应用 Zu#<  
3.5.1 溅射生长过程 r+\/G{+=}  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 =5s$qb?#  
参考文献 v3
3T @  
LDQ e^  
第4章 化学气相沉积 ?r3e*qJGn  
4.1 概述 ]w22@s  
4.2 硅化学气相沉积 8S>>7z!U  
4.2.1 CVD反应类型 K51fC4'{  
4.2.2 CVD热力学分析 *m&&1W_  
4.2.3 CVD动力学分析 l,y^HTc}7/  
4.2.4 不同硅源的外延生长 0wvU?z%WK  
4.2.5 成核 v5 Y)al@  
4.2.6 掺杂 $u5.!{Wq?  
4.2.7 外延层质量 Vy;_GfT$  
4.2.8 生长工艺 e
_.~n<=  
4.3 CVD技术的种类 x[Q&k[xV  
4.3.1 常压CVD SIv[9G6  
4.3.2 低压CVD kI+b <$:D  
4.3.3 超高真空CVD shK&2Noan  
4.4 能量增强CVD技术 .@K#U52  
4.4.1 等离子增强CVD gKQ@!UU8  
4.4.2 光增强CVD UK:M:9  
4.5 卤素输运法 RKk"  
4.5.1 氯化物法 i'HST|!j  
4.5.2 氢化物法 vnZ/tF  
4.6 MOCVD技术 "m>};.lj  
4.6.1 MOCVD简介 Y6;@/[_  
4.6.2 MOCVD生长GaAs |"\lL9CT  
4.6.3 MOCVD生长GaN 8b~7~VCk  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Y3M','H([  
4.7 特色CVD技术 2'dG7lLu4  
4.7.1 选择外延CVD技术 mxhW|}_-j  
4.7.2 原子层外延 AeQC:  
参考文献 /cY[at
|p  
Te}IMi:  
第5章 脉冲激光沉积 MM*-i=  
5.1 脉冲激光沉积概述 gTD%4V  
5.2 PLD的基本原理 YiNo#M91  
5.2.1 激光与靶的相互作用 vGyppm[0  
5.2.2 烧蚀物的传输 Tvrc%L(]  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 nOr"K;C  
5.3 颗粒物的抑制 qAvvXs=5  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ;]u1
~  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 L]NYYP-  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 't ;/,+:V  
参考文献 gyg|Tno  
WiwwCKjSa  
第6章 分子束外延 jL2MW(d^Q  
6.1 引言 =ZrjK=K  
6.2 分子束外延的原理和特点 y|LXDq4Wj  
6.3 外延生长设备 #PPsRKj3c  
6.4 分子束外延生长硅 ugRV5bUk  
6.4.1 表面制备 KK .cDAR  
6.4.2 外延生长 /Sh4pu"'  
6.4.3 掺杂 BDnBBbBrz  
6.4.4 外延膜的质量诊断 A1 b6Zt  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 A7e_w 7?a  
6.5.1 MBE生长GaAs p+5#dbyr  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs :.C)7( 8S  
6.5.3 MBE生长GaN GdL4|xv  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ":z@c,  
6.6.1 HgCdTe材料 uRs9}dzv  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 _"`uqW79  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 /$<JCNGv  
6.6.4 ZnSe、ZnTe v.]'%+::#  
6.6.5 ZnO薄膜 {<~s&EPd  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 n*Q4G}p  
6.7.1 SiC：材料 ?n73J wH  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 9EjjkJ%)q  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 e4?<GT  
参考文献 L5TNsLx(  
s2wwmtUCN  
第7章 液相外延 >DkN+S  
7.1 液相外延生长的原理 Ds;Rb6WcnY  
7.1.1 液相外延基本概况 &0FpP&Z(  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 Yoj~|qL  
7.2 液相外延生长方法和设备 ,!8*g[^
O  
7.3 液相外延生长的特点 z
ww?  
7.4 液相外延的应用实例 1h&)I%`?  
7.4.1 硅材料 ~rQ4n9G  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 i:AjWC@]  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 nqUH6(  
7.4.4 SiC材料 `W D*Q-&n  
参考文献 deHY8x5uI  
o&*1U"6D  
第8章 湿化学制备方法 IZzhJK M1V  
8.1 溶胶-凝胶技术 (4E.Li<O  
s=3EBh  
第9章 半导体超晶格和量子阱
XtnIK  
第10章 半导体器件制备技术 q^Q|.&_k /  
参考文献 bEEJVF0  
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