《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
e$Ksn_wEq 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
PMfW;%I. 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
F\ B/q 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
lL}NiN-)t 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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Q;]JVT1 3`bQ0-D; 第1章 真空技术
$aV62uNf 1.1 真空的基本概念
GbSCk}> 1.1.1 真空的定义
<T}^:2G| 1.1.2 真空度单位
O] @E8<?^ 1.1.3 真空区域划分
<Ht"t]u*Bn 1.2 真空的获得
YO$Ig:a# 1.3 真空度测量
aJ'Fn 1.3.1 热传导真空计
i#'K7XM2 1.3.2 热阴极电离真空计
[d`E9&Hv3 1.3.3 冷阴极电离真空计
-c_l
n K 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
NiZfaC6V 参考文献
"w:h rtj/&> 第2章 蒸发技术
W'C>Fn}lO? 2.1 发展历史与简介
2lTt 2.2 蒸发的种类
"wgPPop 2.2.1 电阻热蒸发
OG5{oH#K 2.2.2 电子束蒸发
J :O!4gI 2.2.3 高频感应蒸发
8,U~ p<Gz 2.2.4 激
光束蒸发
y\T$) XGV 2.2.5 反应蒸发
Fi i(dmn 2.3 蒸发的应用实例
riIubX# 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
EpS/"adI-! 2.3.2 ITO薄膜
}j/\OY _& 参考文献
#Zdh<. GHsDZ(d3. 第3章 溅射技术
cXq9k!I% 3.1 溅射基本
原理 90vWqL! 3.2 溅射主要
参数 Jh-yIk 3.2.1 溅射闽和溅射产额
C
m:AU; 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
~O}r<PQ 3.2.3 溅射速率和淀积速率
hIV9 .{J 3.3 溅射装置及工艺
Ca~8cQ 3.3.1 阴极溅射
Wd'}YbC 3.3.2 三极溅射和四极溅射
7h\is 3.3.3 射频溅射
\@@ G\\)er 3.3.4 磁控溅射
{8m&Z36E 3.3.5 反应溅射
\rr"EAk] 3.4 离子成膜技术
hk?i0#7W 3.4.1 离子镀成膜
`y>m
>j 3.4.2 离子束成膜
.#&)%}GC 3.5 溅射技术的应用
hi(b\ABx 3.5.1 溅射生长过程
q /JC\ 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
TCp9C1Q4 参考文献
Fl)nmwOc \'2rs152 第4章 化学气相沉积
&& ]ix3 4.1 概述
E-WpsNJ)X 4.2 硅化学气相沉积
RvR.t"8 4.2.1 CVD反应类型
:W)lt28_ 4.2.2 CVD热力学分析
n*[ZS[I 4.2.3 CVD动力学分析
p*<Jg l 4.2.4 不同硅源的外延生长
U6-47m0% 4.2.5 成核
ThV>gn5 4.2.6 掺杂
n.l#(`($4 4.2.7 外延层质量
ep8UWxB5 4.2.8 生长工艺
hJSvx 4.3 CVD技术的种类
Uh0g !zzp 4.3.1 常压CVD
iQO4IT 4.3.2 低压CVD
LVUA"'6V 4.3.3 超高真空CVD
]y#'U 4.4 能量增强CVD技术
H'i\N?VL 4.4.1 等离子增强CVD
]Gi&:k 4.4.2 光增强CVD
&<><4MQ 4.5 卤素输运法
Ry+?#P+ 4.5.1 氯化物法
UlWmf{1%]? 4.5.2 氢化物法
^|<>`i6 4.6 MOCVD技术
=Htt'""DN 4.6.1 MOCVD简介
jGouwta 4.6.2 MOCVD生长GaAs
! VT$U6 4.6.3 MOCVD生长GaN
>~ *wPoW 4.6.4 MOCVD生长ZnO
f}yRTR GJv 4.7 特色CVD技术
LGc8w>qE 4.7.1 选择外延CVD技术
q]1p Q)\'p 4.7.2 原子层外延
L]l/w 参考文献
<oXBkCi0r ]U#of O 第5章 脉冲激光沉积
T @^ S:K 5.1 脉冲激光沉积概述
s/ABT.ZO 5.2 PLD的基本原理
GJWGT`" 5.2.1 激光与靶的相互作用
e;v"d!H/ 5.2.2 烧蚀物的传输
%e[E@H 7 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
v{$?Ow T/u 5.3 颗粒物的抑制
A,&711Y 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
jUD^]Qs 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
3*Q=)} 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
9qDM0'WuU 参考文献
@(c^u; E q4tcZ 第6章 分子束外延
Rk5#5R n 6.1 引言
I:t?# )wl 6.2 分子束外延的原理和特点
XZN@hXc9:v 6.3 外延生长设备
ktPM66`b 6.4 分子束外延生长硅
~0+<-T 6.4.1 表面制备
f:46.)Wj< 6.4.2 外延生长
g}R#0gkdk} 6.4.3 掺杂
'Ev[G6vo 6.4.4 外延膜的质量诊断
gaC4u,Zb 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 kxJs4BY0 6.5.1 MBE生长GaAs
<b'*GBw$ 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
X>
98` 6.5.3 MBE生长GaN
+UWv }| 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
+wz1kPRs 6.6.1 HgCdTe材料
Cgln@Rz 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
Y'000#+ 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
4RctYMz 6.6.4 ZnSe、ZnTe
db_Qt' > 6.6.5 ZnO薄膜
#)n$Q^9& 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
0,-]O= 6.7.1 SiC:材料
9_==C"F 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
{Y/0BS2D 6.7.3 生长有机半导体薄膜
r]-n, 参考文献
MtwlZg`c3 pq]z%\$u 第7章 液相外延
NA$)qX_ 7.1 液相外延生长的原理
3f$n8>mq 7.1.1 液相外延基本概况
/$clk= 7.1.2 硅液相外延生长的原理
p*<I_QM! 7.2 液相外延生长方法和设备
Z79 6;qk 7.3 液相外延生长的特点
EKO'S+~ 7.4 液相外延的应用实例
~)#E?:h5 7.4.1 硅材料
0t7)x8c 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
>l8?B L 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
3=U#v< 7.4.4 SiC材料
S]=.p-Am 参考文献
q{G8Po$z' ~-NSIV:f 第8章 湿化学制备方法
] 7[#K^ 8.1 溶胶-凝胶技术
VOC$Kqg; SFh<>J^ 0a 第9章 半导体超晶格和量子阱
A",}Ikh='` 第10章 半导体器件制备技术
Y,L[0% 参考文献
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