半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 e$Ksn_wEq  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 PMfW;%I.  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 F\ B/q  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 lL}NiN-)t  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 IrMHAM5K  

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第1章 真空技术 $aV62uNf  
1.1 真空的基本概念 GbSCk}>  
1.1.1 真空的定义 <T}^:2G|  
1.1.2 真空度单位 O] @E8<?^  
1.1.3 真空区域划分 <Ht"t]u*Bn  
1.2 真空的获得 YO$Ig:a#  
1.3 真空度测量 aJ'Fn  
1.3.1 热传导真空计 i#'K7XM2  
1.3.2 热阴极电离真空计 [d`E9&Hv3  
1.3.3 冷阴极电离真空计 -c_l nK  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 NiZfaC6V  
参考文献 "w:h  
rtj/&>  
第2章 蒸发技术 W'C>Fn}lO?  
2.1 发展历史与简介 2lTt  
2.2 蒸发的种类 "wgPPop  
2.2.1 电阻热蒸发 OG5{oH#K  
2.2.2 电子束蒸发 J :O!4gI  
2.2.3 高频感应蒸发 8,U~ p<Gz  
2.2.4 激光束蒸发 y\T$) XGV  
2.2.5 反应蒸发 Fi i(dmn  
2.3 蒸发的应用实例 riIubX#  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 EpS/"adI-!  
2.3.2 ITO薄膜 }j/\OY _&  
参考文献 #Zdh<.   
GHsDZ(d3.  
第3章 溅射技术 cXq9k!I%  
3.1 溅射基本原理 
90vWqL!  
3.2 溅射主要参数
Jh-yIk  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 C m:AU;  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ~O}r<PQ  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 hIV9.{J  
3.3 溅射装置及工艺 Ca~8cQ  
3.3.1 阴极溅射 Wd'}YbC  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 7h\is  
3.3.3 射频溅射 \@@G\\)er  
3.3.4 磁控溅射 {8m&Z36E  
3.3.5 反应溅射 \rr"EAk]  
3.4 离子成膜技术 hk?i0#7W  
3.4.1 离子镀成膜 `y>m >j  
3.4.2 离子束成膜 .#&)%}GC  
3.5 溅射技术的应用 hi(b\ABx  
3.5.1 溅射生长过程 q /JC\  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 TCp9C1Q4  
参考文献 Fl)nmwOc  
\'2rs152  
第4章 化学气相沉积 && ]ix3  
4.1 概述 E-WpsNJ)X  
4.2 硅化学气相沉积 RvR.t"8  
4.2.1 CVD反应类型 :W)lt28_  
4.2.2 CVD热力学分析 n*[ZS[I  
4.2.3 CVD动力学分析 p*<Jg l  
4.2.4 不同硅源的外延生长 U6-47m0%  
4.2.5 成核 ThV>gn5  
4.2.6 掺杂 n.l#(`($4  
4.2.7 外延层质量 ep8UWxB5  
4.2.8 生长工艺 hJSvx  
4.3 CVD技术的种类 Uh0g !zzp  
4.3.1 常压CVD iQO4IT   
4.3.2 低压CVD LVUA"'6V  
4.3.3 超高真空CVD ]y#'U  
4.4 能量增强CVD技术 H'i\N?VL  
4.4.1 等离子增强CVD 
]Gi&:k  
4.4.2 光增强CVD &<><4MQ  
4.5 卤素输运法 R
y+?#P+  
4.5.1 氯化物法 UlWmf{1%]?  
4.5.2 氢化物法 ^|<>`i6  
4.6 MOCVD技术 =Htt'""DN  
4.6.1 MOCVD简介 jGouwta  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ! VT$U6  
4.6.3 MOCVD生长GaN >~ *wPoW  
4.6.4 MOCVD生长ZnO f}yRTR GJv  
4.7 特色CVD技术 LGc8w>qE  
4.7.1 选择外延CVD技术 q]1p Q)\'p  
4.7.2 原子层外延  L]l/w  
参考文献 <oXBkCi0r  
]U#of O  
第5章 脉冲激光沉积 T @^ S:K  
5.1 脉冲激光沉积概述 s/ABT.ZO  
5.2 PLD的基本原理 GJWGT`"  
5.2.1 激光与靶的相互作用 e;v"d!H/  
5.2.2 烧蚀物的传输 %e[E@H7  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 v{$?Ow T/u  
5.3 颗粒物的抑制 A,&711Y  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 jUD^]
Qs  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长  3*Q=)}  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 9qDM0'W
uU  
参考文献 @(c^u;  
E q4tcZ  
第6章 分子束外延 Rk5#5R n  
6.1 引言 I:t?#)wl  
6.2 分子束外延的原理和特点 XZN@hXc9:v  
6.3 外延生长设备 ktPM66`b  
6.4 分子束外延生长硅 ~0+<-T  
6.4.1 表面制备 f:46.)Wj<  
6.4.2 外延生长 g}R#0gkdk}  
6.4.3 掺杂 'Ev[G6vo  
6.4.4 外延膜的质量诊断 gaC4u,Zb  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 kxJs4BY
0  
6.5.1 MBE生长GaAs <b'*GBw$  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs X> 98`  
6.5.3 MBE生长GaN +UWv}|  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 +wz1kPRs  
6.6.1 HgCdTe材料 Cgln@Rz  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 Y'0
00#+  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 4RctYMz  
6.6.4 ZnSe、ZnTe d
b_Qt'>  
6.6.5 ZnO薄膜 #)n$Q^9&  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 0,-]O=   
6.7.1 SiC：材料 9_
==C"F  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 {Y/0BS2D  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 r]-n,  
参考文献 MtwlZg`c3  
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]z%\$u  
第7章 液相外延 NA$)qX_  
7.1 液相外延生长的原理 3f$n8>mq  
7.1.1 液相外延基本概况 /$clk=  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 p*<I_QM!  
7.2 液相外延生长方法和设备 Z796;qk  
7.3 液相外延生长的特点 EKO'S+~  
7.4 液相外延的应用实例 ~)#E?
:h5  
7.4.1 硅材料 0t7)x8c  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 >l
8?B L  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 3=U#v<  
7.4.4 SiC材料 S]=.p-Am  
参考文献 q{G8Po$z'  
~-NSIV:f  
第8章 湿化学制备方法 ] 7[#K^  
8.1 溶胶-凝胶技术 VOC$Kqg;  
SFh<>J^ 0a  
第9章 半导体超晶格和量子阱 A",}Ikh='`  
第10章 半导体器件制备技术 Y,L[0%  
参考文献 iVnMn1h  
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