半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 )*L
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 >x1yFwX}-f  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 yf2P6b\  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 6IJH%qUx'  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 gle<{ `  

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第1章 真空技术 L%<DLe^P`l  
1.1 真空的基本概念 t2,?+q$x  
1.1.1 真空的定义 ;YZ'd"0v  
1.1.2 真空度单位 v"l8[::  
1.1.3 真空区域划分 XE8%t=V!c$  
1.2 真空的获得 E5IS<.  
1.3 真空度测量 H@te!EE  
1.3.1 热传导真空计 cEIs9;  
1.3.2 热阴极电离真空计 k+zskfo  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Ri>ZupQ6  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 O Cnra  
参考文献 bZ#5\L2  
VsDY,=Ww  
第2章 蒸发技术 YH&q5W,KX  
2.1 发展历史与简介 ^vJy<  
2.2 蒸发的种类 |zJ2ZE|  
2.2.1 电阻热蒸发 eVzZfB-=4}  
2.2.2 电子束蒸发 /@1pm/>ZaN  
2.2.3 高频感应蒸发 LvMA('4  
2.2.4 激光束蒸发 Ab8Ke|fA  
2.2.5 反应蒸发 P9x':I$  
2.3 蒸发的应用实例 r)Ja\;  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 lV9  
2.3.2 ITO薄膜 vwzElZ{C:v  
参考文献 q7p
e\~q  
VNs3.  
第3章 溅射技术 RWFvf   
3.1 溅射基本原理 ~sdM~9@ '  
3.2 溅射主要参数 /i{V21(%  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 [@2$W?0i  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ;u=%Vn"2a  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 BZ(DP_}&D  
3.3 溅射装置及工艺 f
VJWW):  
3.3.1 阴极溅射 rl x6a@MiD  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 Fd<eh(g9P  
3.3.3 射频溅射
&(m01  
3.3.4 磁控溅射 k~?5mUyK<  
3.3.5 反应溅射 5n[''#D  
3.4 离子成膜技术 XRTiC#6  
3.4.1 离子镀成膜 4HpKKhv"  
3.4.2 离子束成膜 L#S|2L_hC  
3.5 溅射技术的应用 j@{B 8  
3.5.1 溅射生长过程 X6BOB?  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 uDLj*U6L  
参考文献 _j*a5fsPU  
^v+p@k  
第4章 化学气相沉积 i.^:xZ  
4.1 概述 ZSr!L@S  
4.2 硅化学气相沉积 yY]E~  
4.2.1 CVD反应类型 Pj_*,L`mZ  
4.2.2 CVD热力学分析 '.jYu7   
4.2.3 CVD动力学分析 @)wsHW%cjz  
4.2.4 不同硅源的外延生长 =mSu^q(l  
4.2.5 成核 \uO^wJ}  
4.2.6 掺杂 vpC?JXz=H  
4.2.7 外延层质量 biS{.  
4.2.8 生长工艺 Y ` Z,52  
4.3 CVD技术的种类 nX\mCO4T  
4.3.1 常压CVD R:rols"QM  
4.3.2 低压CVD X]o"vx%C  
4.3.3 超高真空CVD ]<K"`q2  
4.4 能量增强CVD技术 pK ^$^*#  
4.4.1 等离子增强CVD Y[W:Zhl;  
4.4.2 光增强CVD k9;t3-P  
4.5 卤素输运法 clk]JA (  
4.5.1 氯化物法 *U$%mZS]1  
4.5.2 氢化物法 8A}<-?>  
4.6 MOCVD技术 D/=k9[b!  
4.6.1 MOCVD简介 M%g2UP  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ;%k C?Vzi  
4.6.3 MOCVD生长GaN D]5j?X'  
4.6.4 MOCVD生长ZnO YI`BA`BQ8  
4.7 特色CVD技术 xo2jfz  
4.7.1 选择外延CVD技术 5tk7H2K^<  
4.7.2 原子层外延 <8YvsJ  
参考文献 h lSav?V_  
saDu'SmYV  
第5章 脉冲激光沉积 LIKQQ  
5.1 脉冲激光沉积概述 R}IuMMx  
5.2 PLD的基本原理 )1YX+',"  
5.2.1 激光与靶的相互作用 yYP>3]z  
5.2.2 烧蚀物的传输 b
cT'!:  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 @}Q!K*  
5.3 颗粒物的抑制 -wf>N:  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 m4yWhUi(o  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 t,Q"Pt?  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 5m;BL+>YE  
参考文献 EB@rIvUi,  
dk"@2%xJ2d  
第6章 分子束外延 RS@[ +!:t  
6.1 引言 QjD=JC+  
6.2 分子束外延的原理和特点 *Vg)E*s  
6.3 外延生长设备 H}q$6WE  
6.4 分子束外延生长硅 Ps<k2  
6.4.1 表面制备 ;.b^&h  
6.4.2 外延生长 gI"cZ h3}  
6.4.3 掺杂 D6"d\Fm<  
6.4.4 外延膜的质量诊断 [)kuu  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 BR_fOIDc  
6.5.1 MBE生长GaAs KXpbee  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs .$ YYN/+W  
6.5.3 MBE生长GaN gVy`||z  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 PS=q):R|  
6.6.1 HgCdTe材料 ;lSsy  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 7j29wvSp5  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 7#Uzz"^  
6.6.4 ZnSe、ZnTe F/[m.!Eo  
6.6.5 ZnO薄膜 J1Az+m  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 0cVxP)J+  
6.7.1 SiC：材料 }%<_>b\  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 O1wo KkfV  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 WF_QhKW|k  
参考文献 Ix<!0! vk  
Z[B:6\oQ  
第7章 液相外延 rq Uk_|Xa  
7.1 液相外延生长的原理 2E`mbT,v&  
7.1.1 液相外延基本概况 7%[ YX  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 /k(wb4Hv  
7.2 液相外延生长方法和设备 * dk(<g=fM  
7.3 液相外延生长的特点 U0iV E+)Bt  
7.4 液相外延的应用实例 fVVD}GM=  
7.4.1 硅材料 kbJ4CF}H  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 G \Nnw==v  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 )4.-6F7U?  
7.4.4 SiC材料 .:GOKyr(~  
参考文献 Hs_7oy|P  
+@H{H2J4  
第8章 湿化学制备方法 &FJr?hY%  
8.1 溶胶-凝胶技术 -yTIv*y  
UX<)hvKj  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Hl'AnxE  
第10章 半导体器件制备技术 ^,)nuUy  
参考文献 D;jbZ9  
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