半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 L
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 UM'JK#P"  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Z7Nhb{  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 WK.,q>#  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 N8!e(YK_  

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第1章 真空技术 qLB(Th\&'  
1.1 真空的基本概念 %F<3_#Y  
1.1.1 真空的定义 NNRKYdp,  
1.1.2 真空度单位 PG'I7)Bv  
1.1.3 真空区域划分
=g=Vv"B_  
1.2 真空的获得 5'xZ9K  
1.3 真空度测量 @2\UjEo~  
1.3.1 热传导真空计 5jTA6s9zA  
1.3.2 热阴极电离真空计 0%3T'N%  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ]`}EOS-Q  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 |D8c=c%  
参考文献 4Q\~l(  
?!bWUVC)_  
第2章 蒸发技术 ;kVo? W]  
2.1 发展历史与简介 [U{RDX  
2.2 蒸发的种类 /ZSdY_%s  
2.2.1 电阻热蒸发 ry4:i4/[  
2.2.2 电子束蒸发 +jp^  
2.2.3 高频感应蒸发
y{nX 6  
2.2.4 激光束蒸发 >k u7{1)  
2.2.5 反应蒸发 MO79FNH2\  
2.3 蒸发的应用实例 "~IGE3{  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 fy!,cK};  
2.3.2 ITO薄膜 yF^)H{yx  
参考文献 -} +PE 4fh  
,Lw '3  
第3章 溅射技术 KY
FkO~N  
3.1 溅射基本原理 $7\hszjZ  
3.2 溅射主要参数 }$s._)a  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 McU]U9:z  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 y;HJ"5.Mw  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 @wXo{p@W  
3.3 溅射装置及工艺 x0L,$Ol  
3.3.1 阴极溅射 f&Mei
u+  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 r$Y% 15JV  
3.3.3 射频溅射 }5ONDg(I~  
3.3.4 磁控溅射 [m]O^Hp{{  
3.3.5 反应溅射 7me1:}4  
3.4 离子成膜技术 i(<do "Am<  
3.4.1 离子镀成膜 q.RW_t~  
3.4.2 离子束成膜 |7G=f9V  
3.5 溅射技术的应用 =7U8`]WA  
3.5.1 溅射生长过程 7ZgFCK,8m,  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 F}#=qBa[  
参考文献 <1E*wPm8  
f.u[!T  
第4章 化学气相沉积 {I"d"'h  
4.1 概述 a7l-kG=R;  
4.2 硅化学气相沉积 6.GIUM%D  
4.2.1 CVD反应类型 FYeUz$/  
4.2.2 CVD热力学分析 0CUUgwA/  
4.2.3 CVD动力学分析 L+"5g@  
4.2.4 不同硅源的外延生长 i52:<< 8a  
4.2.5 成核 jhSc9  
4.2.6 掺杂 w1|YR  
4.2.7 外延层质量 affig  
4.2.8 生长工艺 G(y@Tor+  
4.3 CVD技术的种类 .;9I:YB$  
4.3.1 常压CVD ?QCHkhU  
4.3.2 低压CVD GvT'v0
&+  
4.3.3 超高真空CVD :ugj+  
4.4 能量增强CVD技术 o@G <[X|ke  
4.4.1 等离子增强CVD 'B4j=K*  
4.4.2 光增强CVD X2p9KC  
4.5 卤素输运法 %y;Cgo[  
4.5.1 氯化物法 1PJ8O|Zt8  
4.5.2 氢化物法 -|xyj2M  
4.6 MOCVD技术 nA^UF_rD-  
4.6.1 MOCVD简介 Y
vjRJ  
4.6.2 MOCVD生长GaAs nXqZkZE\  
4.6.3 MOCVD生长GaN &/A?*2  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 'y.'Xj:l  
4.7 特色CVD技术 P$i?%P~  
4.7.1 选择外延CVD技术 `l95I7  
4.7.2 原子层外延 u4[3JI>  
参考文献 ?yt"  
KBo/GBD]|  
第5章 脉冲激光沉积 ~;0J4hR  
5.1 脉冲激光沉积概述 hE>i~:~R  
5.2 PLD的基本原理 2@S
{e$YK`  
5.2.1 激光与靶的相互作用 `P<m`*  
5.2.2 烧蚀物的传输 f^f{tOX  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 we&g9j'  
5.3 颗粒物的抑制 !&D&Gs  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 t`X-jr)g  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 } .cP  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 YQ}bG{V  
参考文献 OQON~&~  
"!6 Ax-'  
第6章 分子束外延 :kDHwYv$  
6.1 引言 [/ E_v gZ  
6.2 分子束外延的原理和特点 )5U&^tJ  
6.3 外延生长设备 +[ 9
44n  
6.4 分子束外延生长硅 ggUJ -M'2h  
6.4.1 表面制备 tc'`4O]c8  
6.4.2 外延生长 xA9{o+  
6.4.3 掺杂 4W9#z~'  
6.4.4 外延膜的质量诊断 I2=?H<  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 =MqefV;-  
6.5.1 MBE生长GaAs X,<n|zp  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs it~>)_7*P  
6.5.3 MBE生长GaN 6 ztM(2[  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 t*zBN!Wu_  
6.6.1 HgCdTe材料 S&@uY#_(*T  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 KS/1ux4x  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 8ctUK|
 
6.6.4 ZnSe、ZnTe DM%4V|F"  
6.6.5 ZnO薄膜 nkp!kqJ09  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 L+PrV y  
6.7.1 SiC：材料 )0P>
o]fWI  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 i!30f^9D-S  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 L s=2!  
参考文献 <=*xwI&q  
&zr..i4O  
第7章 液相外延 c"3 a
,&  
7.1 液相外延生长的原理 *1}'ZEaJ  
7.1.1 液相外延基本概况 I"^ `!8<q  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 PYl(~Vac  
7.2 液相外延生长方法和设备 [e+"G <>  
7.3 液相外延生长的特点 ~bCn%r2  
7.4 液相外延的应用实例 MH`H[2<\!,  
7.4.1 硅材料 )x-iru A:  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Wm nsD!  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 hmOhXE[a&  
7.4.4 SiC材料 O>zM(I+p  
参考文献 *ws!8-)fH  
y8Bi5Ae,+1  
第8章 湿化学制备方法 Z_Ox'  
8.1 溶胶-凝胶技术 n_%JXm#\  
m?G}%u  
第9章 半导体超晶格和量子阱 9qe6hF/29  
第10章 半导体器件制备技术 HPAd@5d(  
参考文献 =~% B}T  
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