半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 _:"<[ >9  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 _"w2Uq  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 _zwUE  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 I2nhqJy^  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 J":,Vd!*-  

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第1章 真空技术 xcf%KXJf6  
1.1 真空的基本概念 c*@E_}C#  
1.1.1 真空的定义 se>MQM5 )  
1.1.2 真空度单位 #
"5 Dk#@  
1.1.3 真空区域划分 9^p;UA  
1.2 真空的获得 UQI]>#_/v  
1.3 真空度测量 n;T7=1_"  
1.3.1 热传导真空计 6ZQwBS0
Y  
1.3.2 热阴极电离真空计 r|qp3x  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ~7zGI\=P@  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 4sT88lG4n  
参考文献
;hjwD  
oczN5YSt  
第2章 蒸发技术 :65~[$2  
2.1 发展历史与简介 ynhmMy%  
2.2 蒸发的种类 #hsx#x||  
2.2.1 电阻热蒸发 %GS(:]{n  
2.2.2 电子束蒸发 ML>[^F  
2.2.3 高频感应蒸发 <h'5cO  
2.2.4 激光束蒸发 rq/I` :  
2.2.5 反应蒸发  #c66)  
2.3 蒸发的应用实例 [a wjio  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 &Ob!4+v/GP  
2.3.2 ITO薄膜 8{X"h#  
参考文献 vsl]92xI  
SV~~Q_U9  
第3章 溅射技术 0PrLuej
z  
3.1 溅射基本原理 AQ[GO6$,%H  
3.2 溅射主要参数 aiu5}%U  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 yLQ*"sw\  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 hK,Sf ;5V  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 d*%`!G  
3.3 溅射装置及工艺 J:zU,IIJ  
3.3.1 阴极溅射 0p!>JQ]m  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 f__cn^1  
3.3.3 射频溅射 pv Gf\pu  
3.3.4 磁控溅射 T r1?620  
3.3.5 反应溅射 ,^. 88<  
3.4 离子成膜技术 ZGKu>yM  
3.4.1 离子镀成膜 @6]sNm  
3.4.2 离子束成膜 ry`z(f  
3.5 溅射技术的应用 mh{1*T$fP  
3.5.1 溅射生长过程 J.xPv)1'  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 428>BQA  
参考文献 B2'i7Ps  
cLsV`@J(k  
第4章 化学气相沉积 M 4?ig}kh  
4.1 概述 +w{*Xk)4  
4.2 硅化学气相沉积 ZWKg9%y7  
4.2.1 CVD反应类型 W1|0Yd ;P  
4.2.2 CVD热力学分析 rcC<Zat,|  
4.2.3 CVD动力学分析 SX# e:_  
4.2.4 不同硅源的外延生长 a+Kj1ix  
4.2.5 成核 yooX$  
4.2.6 掺杂 <BMXCk  
4.2.7 外延层质量 mSb#Nn6W  
4.2.8 生长工艺 A"G 1^8wvX  
4.3 CVD技术的种类 '
DL`Ee\  
4.3.1 常压CVD f>UXD
 
4.3.2 低压CVD ^!<BQP7  
4.3.3 超高真空CVD !FElW`F  
4.4 能量增强CVD技术 P
;ci9vk  
4.4.1 等离子增强CVD <#u=[_H  
4.4.2 光增强CVD lY?QQ01D  
4.5 卤素输运法 <4g{ fT0  
4.5.1 氯化物法 =06gj)8  
4.5.2 氢化物法 Z:sg}  
4.6 MOCVD技术 1]@}|  
4.6.1 MOCVD简介 )W;o<:x3  
4.6.2 MOCVD生长GaAs z4jR[x,  
4.6.3 MOCVD生长GaN vnM@QfN  
4.6.4 MOCVD生长ZnO uP~@U"!  
4.7 特色CVD技术 _0]S69lp  
4.7.1 选择外延CVD技术 Y6zbo
  
4.7.2 原子层外延 O06"bi5Y  
参考文献 R|(q  
%&w3;d;c  
第5章 脉冲激光沉积 sP;nGQ.eN  
5.1 脉冲激光沉积概述 QSszn`e  
5.2 PLD的基本原理 8TLgNQP
 
5.2.1 激光与靶的相互作用 QD:{U8YbF$  
5.2.2 烧蚀物的传输 o4K ~  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ;;C?{  
5.3 颗粒物的抑制 GS a[ oh  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ,}ECF>  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 4,CXJ2  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 XkXHGDEf1  
参考文献 -xEXN[\S  
1p/3!1  
第6章 分子束外延 ZaV8qAsP  
6.1 引言 kT"Kyd  
6.2 分子束外延的原理和特点 7Z\--=;|[:  
6.3 外延生长设备 MHX?@. v  
6.4 分子束外延生长硅 qUob?| ^   
6.4.1 表面制备 s/q7.y7n{  
6.4.2 外延生长 g1W.mAA3B  
6.4.3 掺杂 AP7Yuv`  
6.4.4 外延膜的质量诊断 :UF%K>k2  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 AGQ#$fh>7=  
6.5.1 MBE生长GaAs J;{N72  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs Sjyoc<Uo  
6.5.3 MBE生长GaN |Lf"6^@yh  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 !Wy6/F@Z  
6.6.1 HgCdTe材料 z$/_I
0[  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 R`DKu=  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 t<z`N-5*  
6.6.4 ZnSe、ZnTe TgmnG/Z  
6.6.5 ZnO薄膜 lOuHVa*}  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 cDFO;Dr  
6.7.1 SiC：材料 B8V>NvE~o  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 r? NznNVU  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ZniB]k1  
参考文献 T>x&T9  
aJ-K?xQ  
第7章 液相外延 v/68*,z[  
7.1 液相外延生长的原理 9F)z4  
7.1.1 液相外延基本概况 C":32_q  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ^S UPi  
7.2 液相外延生长方法和设备 nrxo&9[@n  
7.3 液相外延生长的特点 "$ Y_UJT7  
7.4 液相外延的应用实例 r@+ri1c  
7.4.1 硅材料 aE&,]'6  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Xm%D><CC8"  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 %C~1^9uq  
7.4.4 SiC材料 +*ZO&yJQ^<  
参考文献 @z4*.S&tz  
\ 3wfwu.q  
第8章 湿化学制备方法 XQ9O$ ~q  
8.1 溶胶-凝胶技术 Z&1T  
wQP^WzNE  
第9章 半导体超晶格和量子阱 trPAYa}W  
第10章 半导体器件制备技术  FT#8L  
参考文献 ~]pE'\D7Ad  
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