半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 m1$tf ^  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 #<{v~sVp&  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 9YzV48su#  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。  X\^nV  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 9`in r.:  
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第1章 真空技术  a_?sJ  
1.1 真空的基本概念 9"~ FKMN  
1.1.1 真空的定义 y|`-)fY  
1.1.2 真空度单位 `DM%a~^yg  
1.1.3 真空区域划分 I G1];vX  
1.2 真空的获得 ,H=k5WA4m  
1.3 真空度测量 L\Se ,  
1.3.1 热传导真空计 ;ALWL~Xm  
1.3.2 热阴极电离真空计 MAh1tYs4D
 
1.3.3 冷阴极电离真空计 ORM>|&  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Q}BMvR 9w  
参考文献 ImXYI7PL  
E7Lqa S  
第2章 蒸发技术 ">V1II 7  
2.1 发展历史与简介 SNj-h>&Mha  
2.2 蒸发的种类 "@Vyc6L  
2.2.1 电阻热蒸发 qBEp |V  
2.2.2 电子束蒸发 w~Tg?RH:  
2.2.3 高频感应蒸发 tv#oEM9esl  
2.2.4 激光束蒸发 g=Xf&}&=x  
2.2.5 反应蒸发 zdN[Uc+1Bd  
2.3 蒸发的应用实例 'a#lBzu\b  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 mjeJoMvN)H  
2.3.2 ITO薄膜 Y
T(N][V  
参考文献 0|&@)`  
VD=H=Ju  
第3章 溅射技术 ,!orD1,'  
3.1 溅射基本原理 ;1k&}v&  
3.2 溅射主要参数 ,54z9F`  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 QLqtE;;)JK  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 L(y70T  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 O}M-6!%<,  
3.3 溅射装置及工艺 ON2o^-%=  
3.3.1 阴极溅射 Hw \of  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 t3<MoDe7`r  
3.3.3 射频溅射 2`o @L  
3.3.4 磁控溅射 X^\D"fmE.  
3.3.5 反应溅射 VLuHuih  
3.4 离子成膜技术 *.W3V;K  
3.4.1 离子镀成膜 ^exU]5nvz  
3.4.2 离子束成膜 -^_2{i  
3.5 溅射技术的应用 Xa`Q;J"h  
3.5.1 溅射生长过程 M(X _I`\E  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 .}==p
&(  
参考文献 VN`.*B|9[  
RpJ7.  
第4章 化学气相沉积 {JE [  
4.1 概述 ~[;r) g\  
4.2 硅化学气相沉积 2e_ Di(us  
4.2.1 CVD反应类型 o[Ffa#sE  
4.2.2 CVD热力学分析 k]m ~DVS  
4.2.3 CVD动力学分析 J!:BCjRdw  
4.2.4 不同硅源的外延生长 >@vu;j\*E5  
4.2.5 成核 1K Vit{  
4.2.6 掺杂 kL8rqv^  
4.2.7 外延层质量 N/tcW  
4.2.8 生长工艺 LG[N\%<!H  
4.3 CVD技术的种类 q?!HzZ  
4.3.1 常压CVD `~XksyT  
4.3.2 低压CVD #9,8{ O"  
4.3.3 超高真空CVD BUXE s0]Lv  
4.4 能量增强CVD技术 'z|Da&d P  
4.4.1 等离子增强CVD Q yqOtRk  
4.4.2 光增强CVD T}fo  
4.5 卤素输运法 :\^b6"}8  
4.5.1 氯化物法 A5nggg4  
4.5.2 氢化物法 Ark]>4x>  
4.6 MOCVD技术 Fm`*j/rq
 
4.6.1 MOCVD简介 P@v"aa\@2)  
4.6.2 MOCVD生长GaAs p/Pus;*s  
4.6.3 MOCVD生长GaN 24J c`%7,=  
4.6.4 MOCVD生长ZnO HVa9b;  
4.7 特色CVD技术 nM[yBA  
4.7.1 选择外延CVD技术 cL9gaD$;)  
4.7.2 原子层外延 Q.N!b7r7  
参考文献 hF'VqJS  
9]eG|LFD  
第5章 脉冲激光沉积 oJa}NH   
5.1 脉冲激光沉积概述 )LGVR3#  
5.2 PLD的基本原理 5]&sXs  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Mt.Cj;h@^[  
5.2.2 烧蚀物的传输 Y(UK:LZ'  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ZID-~ 6  
5.3 颗粒物的抑制 u+8"W[ZULq  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 |]G%b[
 
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 SH)-(+72d  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 NK0'\~7&  
参考文献 u8c@q'_  
y8YsS4E^Q  
第6章 分子束外延 qA>#;UTp  
6.1 引言 k A3K  
6.2 分子束外延的原理和特点 }+@!c%TCx~  
6.3 外延生长设备 8UU
L=  
6.4 分子束外延生长硅 x,C8):\t`B  
6.4.1 表面制备 0/v]YK.  
6.4.2 外延生长 YE`Y t  
6.4.3 掺杂 D$>!vD'  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ei-\t qY_  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ,7d/KJ^7  
6.5.1 MBE生长GaAs sU>IETo  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs -))S  
6.5.3 MBE生长GaN Bz
/ba *  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 nP%U<$,+  
6.6.1 HgCdTe材料 @T^FOTW  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 LG8h@HY&L  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ,IB\1#  
6.6.4 ZnSe、ZnTe %,WH*")  
6.6.5 ZnO薄膜 q8P&rMwy  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 e|oMbTZ5m  
6.7.1 SiC：材料 UOb`@
#  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 XP)^81i|  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 8&U Mmbgy  
参考文献  x+cL(R  
d.?}>jl  
第7章 液相外延 NK qIx  
7.1 液相外延生长的原理 *QQeK#$s  
7.1.1 液相外延基本概况 p6%Vf  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 !=eNr<:V.  
7.2 液相外延生长方法和设备 ]In7%Qb  
7.3 液相外延生长的特点 'Q=;I  
7.4 液相外延的应用实例 - VJx)g  
7.4.1 硅材料 3O,nNt;L{  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 {wC*61@1  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 IL|Q-e}Ol  
7.4.4 SiC材料 S]fu M%  
参考文献 {dZ]+2Z~+  
U;W9`JT<.f  
第8章 湿化学制备方法 Q0(6n8i  
8.1 溶胶-凝胶技术 t+a.,$U  
Mz&/.A  
第9章 半导体超晶格和量子阱 0h A:=r  
第10章 半导体器件制备技术 Oa/zEH  
参考文献 X&WP.n)  
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