半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 Y#lk!#\Y  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 8pPC 9ew\=  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 g. ?*F#2  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 OwA~(  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 0TO_1 0D  
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第1章 真空技术 TF=k(@9J?  
1.1 真空的基本概念 #Pu@Wx  
1.1.1 真空的定义 ]
)V2}gH  
1.1.2 真空度单位 l Io9,K
e  
1.1.3 真空区域划分 \\S/NA  
1.2 真空的获得 tL~,ZCQz  
1.3 真空度测量 ACigeK^C}E  
1.3.1 热传导真空计 ZU|6jI}  
1.3.2 热阴极电离真空计
I7dm \|#  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Tr8AG>  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 #2PrGz]  
参考文献 2W3NL|P  
_[OF"X2  
第2章 蒸发技术 U g}8y8  
2.1 发展历史与简介 [DZqCo  
2.2 蒸发的种类 l'*^$
qc  
2.2.1 电阻热蒸发 &yxNvyA[u  
2.2.2 电子束蒸发 xF( bS+(o  
2.2.3 高频感应蒸发 A*8m8Sh$  
2.2.4 激光束蒸发 e1 x^PT  
2.2.5 反应蒸发 4$ Dt8!p0  
2.3 蒸发的应用实例 fJN*s  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 O^9CV*]!n  
2.3.2 ITO薄膜 b7B+eN ?z  
参考文献 E X%6''ys  
TB7>s~)47E  
第3章 溅射技术 0xJ7M.  
3.1 溅射基本原理 4_PCqEp)  
3.2 溅射主要参数 Ih.rC>)rx  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 sm 's-gD  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ^WE4*.(  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 0QMTIAW6h  
3.3 溅射装置及工艺 X'fuF2owd  
3.3.1 阴极溅射 Z_H?WGO  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 M.>^{n$ z  
3.3.3 射频溅射 v(DwU!  
3.3.4 磁控溅射 <9P4}`%)3  
3.3.5 反应溅射 5Sr4-F+@%  
3.4 离子成膜技术 D.'h?^kA  
3.4.1 离子镀成膜 25 CZmsg  
3.4.2 离子束成膜 9-0<*)"b>  
3.5 溅射技术的应用 &+ KyPY+  
3.5.1 溅射生长过程 wfgqgPo!v  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 & _; y.!  
参考文献 9O;cJ)tXY  
)Im3'0l>  
第4章 化学气相沉积 E2@`d6  
4.1 概述 wV(AT$  
4.2 硅化学气相沉积 $
+;+:K  
4.2.1 CVD反应类型
N]NF\7(  
4.2.2 CVD热力学分析 N0i!l|G6  
4.2.3 CVD动力学分析 U{6oLqwq3Y  
4.2.4 不同硅源的外延生长 4&QUh+F  
4.2.5 成核 UuU/c-.  
4.2.6 掺杂 X) V7bVW  
4.2.7 外延层质量 <,"4k&0Q>V  
4.2.8 生长工艺 zh\p  
4.3 CVD技术的种类 M=OCzgj  
4.3.1 常压CVD ,LDm8   
4.3.2 低压CVD UtnZNdlv  
4.3.3 超高真空CVD O] Y v  
4.4 能量增强CVD技术 qve ./  
4.4.1 等离子增强CVD bu>qsU3  
4.4.2 光增强CVD C|MQ $~5:w  
4.5 卤素输运法 H~noJIw#
 
4.5.1 氯化物法 eG5Y+iL-V  
4.5.2 氢化物法 &-%>qB|*  
4.6 MOCVD技术 )VSwTx&  
4.6.1 MOCVD简介 Mp~y0e  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 8)N@qUV  
4.6.3 MOCVD生长GaN
.`jo/,?+O  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Q_]d5pl  
4.7 特色CVD技术 oH^(qZ8W  
4.7.1 选择外延CVD技术 >I}9LyZt  
4.7.2 原子层外延 F/p,j0S  
参考文献 /kgeV4]zR  
[}OgSP9i  
第5章 脉冲激光沉积 Xa," 'r  
5.1 脉冲激光沉积概述 Z\~GU*Y.e  
5.2 PLD的基本原理 hn.bau[  
5.2.1 激光与靶的相互作用 $=B8qZ+  
5.2.2 烧蚀物的传输 pd3,pQ  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 CS 8jA\  
5.3 颗粒物的抑制 <[Q3rJ  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 V8WFQdXc  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 f$.?$  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 7Vu?  
参考文献 gn8|/ev  
'OkGReKt  
第6章 分子束外延 =^&%9X  
6.1 引言 ]0c+/ \b&  
6.2 分子束外延的原理和特点 08s_v=cF  
6.3 外延生长设备 iCj2"T4TN  
6.4 分子束外延生长硅  7I=C+  
6.4.1 表面制备 hB9Ee@  
6.4.2 外延生长 IvHh4DU3Z  
6.4.3 掺杂 [kV;[c}  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ht=P\E  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 E<E3&;qD  
6.5.1 MBE生长GaAs J-xS:Ha'l  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ehNzDr\s  
6.5.3 MBE生长GaN Es5f*P0  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 7y^%7U \  
6.6.1 HgCdTe材料 GOT1@.Y  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 GsQ*4=C  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 KS}hU~
 
6.6.4 ZnSe、ZnTe 31WC=ur5  
6.6.5 ZnO薄膜 WIr2{+#  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 r%@Lej5+  
6.7.1 SiC：材料 jN31hDg<z  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 H 3@Z.D  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 fu[K".  
参考文献 ^qG
b%! l  
7O5`v(<9n>  
第7章 液相外延 l<g5yYyf  
7.1 液相外延生长的原理 T
lZT1H  
7.1.1 液相外延基本概况 2P#=a?~[  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 /E;y,o75  
7.2 液相外延生长方法和设备 #[{3} %b  
7.3 液相外延生长的特点 wh6yPVVF/  
7.4 液相外延的应用实例 (*p ,T  
7.4.1 硅材料 {-3LIO  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 xu5ia|gYz7  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 =Prb'8 W  
7.4.4 SiC材料 kIHDe
o%K}  
参考文献 Y;4!i?el  
r;BT,jiX  
第8章 湿化学制备方法 &H}r%%|A  
8.1 溶胶-凝胶技术 kOOGw:/  
N`@NiJ(O;  
第9章 半导体超晶格和量子阱 o?L'Pg  
第10章 半导体器件制备技术 b-ll  
参考文献 zGKyN@o  
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