半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 eh[_~>w  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 D3c2^r$Z  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 2r%lA\,h$  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 jLJ1u/l>;  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 F,5r9^,_  
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第1章 真空技术 y ?G_y  
1.1 真空的基本概念 >q7BVF6V|  
1.1.1 真空的定义 :pRpvhm  
1.1.2 真空度单位 Y4IGDY*  
1.1.3 真空区域划分 A6oq.I0  
1.2 真空的获得 }KD;
0t4  
1.3 真空度测量 L>Mpi$L  
1.3.1 热传导真空计 ?6!]Nl1gr  
1.3.2 热阴极电离真空计 qOaQxRYm%Y  
1.3.3 冷阴极电离真空计 $F.kK%-*  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 {_U Kttp  
参考文献 B4XZko(  
mQ}ny(K'  
第2章 蒸发技术 kw`WH)+F  
2.1 发展历史与简介 S^Au#1e   
2.2 蒸发的种类 U=8@@yE  
2.2.1 电阻热蒸发 B-d(@7,1  
2.2.2 电子束蒸发 RwVaZJe)l  
2.2.3 高频感应蒸发 *;|`E(  
2.2.4 激光束蒸发 yFhB>i  
2.2.5 反应蒸发 _owjTo}  
2.3 蒸发的应用实例 `c+/q2M  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 umLb+GbI4  
2.3.2 ITO薄膜 %c)[ kAU!  
参考文献  Yav2q3  
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第3章 溅射技术 8q)=  
3.1 溅射基本原理 71C42=AU  
3.2 溅射主要参数 vB!|\eJ  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 hO[3Z^X  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 N-w(e  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 3/JyUh?  
3.3 溅射装置及工艺 Iak0 [6Ey  
3.3.1 阴极溅射 u-"
c0@  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 2u?zO7W)-L  
3.3.3 射频溅射 7<9L?F2  
3.3.4 磁控溅射 FEz>[#eOX  
3.3.5 反应溅射 Lhh;2r/?78  
3.4 离子成膜技术 Q:6VYONN  
3.4.1 离子镀成膜 eo^/c+FG  
3.4.2 离子束成膜 OlD`uA  
3.5 溅射技术的应用 YD
mWN#  
3.5.1 溅射生长过程 0@Kkl$O>mb  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 A"Q@W<.  
参考文献 ~:_0CKa!  
69#8Z+dw7  
第4章 化学气相沉积 buk=p-oi  
4.1 概述 ;7Oi!BC  
4.2 硅化学气相沉积 t5 a7DD  
4.2.1 CVD反应类型 djT5X  
4.2.2 CVD热力学分析 VhEMk\  
4.2.3 CVD动力学分析 Mp\<cE  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ^%y
`u1ab  
4.2.5 成核 P%X-@0)  
4.2.6 掺杂 nws"RcP+Z  
4.2.7 外延层质量 8Z85D  
4.2.8 生长工艺 A\te*G0:S  
4.3 CVD技术的种类 O7aLlZdg~  
4.3.1 常压CVD 6g>)6ux>aV  
4.3.2 低压CVD q;AT>" =)  
4.3.3 超高真空CVD ^+?|Qfi  
4.4 能量增强CVD技术 c#xP91.m  
4.4.1 等离子增强CVD O_K_f+7  
4.4.2 光增强CVD #G3N(wV3  
4.5 卤素输运法 i[semo\E  
4.5.1 氯化物法 #f'DEo<b  
4.5.2 氢化物法 TOI4?D]  
4.6 MOCVD技术 AW5iV3  
4.6.1 MOCVD简介 0_eQlatb  
4.6.2 MOCVD生长GaAs b4,jN~ci  
4.6.3 MOCVD生长GaN K'6[J"dB  
4.6.4 MOCVD生长ZnO f3WSa&e
F  
4.7 特色CVD技术 wz -)1!  
4.7.1 选择外延CVD技术 ;BH>3VK  
4.7.2 原子层外延 E@ h y7X  
参考文献 -pTI?  
1K|@h&@  
第5章 脉冲激光沉积 POU}/e!Ua  
5.1 脉冲激光沉积概述 k4KHS<n0  
5.2 PLD的基本原理 bdc\  
5.2.1 激光与靶的相互作用 2pyt&'NJua  
5.2.2 烧蚀物的传输 $R{8z-,Q  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 .6T6 S v  
5.3 颗粒物的抑制 %6 =\5>  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Gg0#H^s( (  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 x
Qt 3[(Z  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 >R,?hWT  
参考文献 YT2'!R 1  
VTe.M[:  
第6章 分子束外延 _py2kjA6  
6.1 引言 Jme%  
6.2 分子束外延的原理和特点 a5`eyL[f  
6.3 外延生长设备 4?]oV%aP)  
6.4 分子束外延生长硅 QV,E#(\5  
6.4.1 表面制备 zJ& b|L  
6.4.2 外延生长 ^>r^3C)_-  
6.4.3 掺杂 r25Z`X Z  
6.4.4 外延膜的质量诊断 fB#XhO  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ,9/5T:2  
6.5.1 MBE生长GaAs `"y{;PCt_  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs I 8Y*@$h  
6.5.3 MBE生长GaN ^GXEJU7U  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 'm1.X-$V  
6.6.1 HgCdTe材料 )bWrd$X  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 QdDtvJLf  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 MguL$W&l  
6.6.4 ZnSe、ZnTe {tzxA_  
6.6.5 ZnO薄膜 Mz|L-62  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 <]#o*_aFP  
6.7.1 SiC：材料 x%XT2+  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 kP,7Li\  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 lpEDPvD_Vm  
参考文献  Q
&+c.S  
U'3Fou}  
第7章 液相外延 M9V-$ _)  
7.1 液相外延生长的原理 yU`:IMz  
7.1.1 液相外延基本概况 {$TZ}z"DA  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 F RH&B5w  
7.2 液相外延生长方法和设备 SgSk!lj  
7.3 液相外延生长的特点 $Qq_qTJu?G  
7.4 液相外延的应用实例 >rR
f9wO1l  
7.4.1 硅材料 1~qm+nET\  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 k46gY7y,9  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 iK x+6v  
7.4.4 SiC材料 ;6<zjV7}  
参考文献 Gc5VQ^]  
u_'nOle K  
第8章 湿化学制备方法 eti9nPjG  
8.1 溶胶-凝胶技术 ]%XK)[:5_=  
:_c*m@=z(  
第9章 半导体超晶格和量子阱 YmCbxYa7  
第10章 半导体器件制备技术 Nu. (viQ}  
参考文献 #uWE2*
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