半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 FME&vUh/  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 P1<Y7+n  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 }U)g<Kzh  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ?s4-2g  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 j@JhxCe1+R  
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第1章 真空技术 dQ4VpR9|;  
1.1 真空的基本概念 F %OA  
1.1.1 真空的定义  2EG`  
1.1.2 真空度单位 >s@*S
9cj:  
1.1.3 真空区域划分 .hYrE5\-  
1.2 真空的获得 h$#QRH  
1.3 真空度测量 ohK_~  
1.3.1 热传导真空计 2v ^bd^]u:  
1.3.2 热阴极电离真空计 f0uzoeL<%  
1.3.3 冷阴极电离真空计 CNC3">Dk~9  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 hXsd12  
参考文献 #Y*?
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第2章 蒸发技术  xc%\%8C}  
2.1 发展历史与简介 w\ hl2JTy  
2.2 蒸发的种类 rJ LlDKP-(  
2.2.1 电阻热蒸发 d(.e%[`  
2.2.2 电子束蒸发 $T\W'WR>  
2.2.3 高频感应蒸发 ~9&#7fU  
2.2.4 激光束蒸发 t>D|1E"  
2.2.5 反应蒸发 &RRHmJI:  
2.3 蒸发的应用实例 9:|z^r  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ^/|agQ7D2  
2.3.2 ITO薄膜 AXUSU(hU  
参考文献 Eei"baw/  
T3HAr9i%)  
第3章 溅射技术 {K\l3_=5qb  
3.1 溅射基本原理 pwg$% lv  
3.2 溅射主要参数 hE|Z~5\Y,>  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Kjw4,z%\94  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 gyqM&5b  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 {Y>5 [
gp  
3.3 溅射装置及工艺 :n'$Txf  
3.3.1 阴极溅射 gB4&p
PN  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 d~bZOy  
3.3.3 射频溅射 q^:>sfd  
3.3.4 磁控溅射 P`/;3u/P  
3.3.5 反应溅射 +_.k\CRms  
3.4 离子成膜技术 YCv)DW;  
3.4.1 离子镀成膜 ==zt)s.G(+  
3.4.2 离子束成膜 z >EOQe  
3.5 溅射技术的应用 Vu @2  
3.5.1 溅射生长过程 W[pOLc
-  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 |Ai/q6u  
参考文献 K gN=b  
'r&az BO  
第4章 化学气相沉积 \!!qzrq  
4.1 概述 zf@gAvJ  
4.2 硅化学气相沉积 do {E39  
4.2.1 CVD反应类型 6f
"jl  
4.2.2 CVD热力学分析 ~0}gRpMW  
4.2.3 CVD动力学分析 C$"N)6%q  
4.2.4 不同硅源的外延生长 sK)
fEx  
4.2.5 成核 @ |bN[XL  
4.2.6 掺杂 "r!>p\.0O  
4.2.7 外延层质量 ]} D^?g^  
4.2.8 生长工艺 )-98pp7~BB  
4.3 CVD技术的种类 J1i{n7f=@  
4.3.1 常压CVD rF9|xgFK  
4.3.2 低压CVD MQs!+Z"m>  
4.3.3 超高真空CVD w %4SNR  
4.4 能量增强CVD技术 Ban@$uf  
4.4.1 等离子增强CVD cB$OkaG#  
4.4.2 光增强CVD ]!7%)  
4.5 卤素输运法 }ufzlHD  
4.5.1 氯化物法 cyM9[X4rC  
4.5.2 氢化物法 W''%{A/'  
4.6 MOCVD技术 5yOIwzr&Uu  
4.6.1 MOCVD简介 }BF!!*  
4.6.2 MOCVD生长GaAs wM$N#K@  
4.6.3 MOCVD生长GaN 1M1
|Wp  
4.6.4 MOCVD生长ZnO I5nxY)v  
4.7 特色CVD技术 _&(\>{pm  
4.7.1 选择外延CVD技术  ?cG~M|@  
4.7.2 原子层外延 NCW<~  
参考文献 6MCLm.L  
s$%t*T2J>  
第5章 脉冲激光沉积 a0wSXd  
5.1 脉冲激光沉积概述 gmdJ8$  
5.2 PLD的基本原理 FEC`dSTI  
5.2.1 激光与靶的相互作用 WqX$;'}h  
5.2.2 烧蚀物的传输 ?*oBevUnCY  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 OD@k9I[  
5.3 颗粒物的抑制 U yb-feG  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ]=gNA  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 *B4?(&0  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 /9SEW!E  
参考文献 -yP|CZM  
{l E\y9  
第6章 分子束外延 /)%$x
i  
6.1 引言 C VXz>oM  
6.2 分子束外延的原理和特点 9
"W3t]  
6.3 外延生长设备 M]Kxg;  
6.4 分子束外延生长硅 DpRGPs  
6.4.1 表面制备 g~7x+cu0  
6.4.2 外延生长 <?2g\+{s9  
6.4.3 掺杂 8O[br@h:5  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ?l><?i  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 !W\za0p  
6.5.1 MBE生长GaAs )r0XQa]@$  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 1Yk!R9.  
6.5.3 MBE生长GaN Y>J$OA:  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 <)qJI'u|  
6.6.1 HgCdTe材料 0?$jC-@k:  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 e2"<3  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 N9dx^+\  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ;s$,}O.  
6.6.5 ZnO薄膜 /f*QxNZ,p  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 }5Zmc6S{  
6.7.1 SiC：材料 HZawB25{  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 |F}6Zv  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 gmqL,H#  
参考文献 !g.?+~@  
B>;`$-  
第7章 液相外延 EXF|;@-"  
7.1 液相外延生长的原理 Z[ 53cVT^  
7.1.1 液相外延基本概况 .A Dik}o  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 W" i3:r  
7.2 液相外延生长方法和设备 <"hq}B  
7.3 液相外延生长的特点 5y~Srb?2  
7.4 液相外延的应用实例 NiSybyR$  
7.4.1 硅材料 @$7'{*  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Z1~`S!(}  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 cU|tG!Ij?  
7.4.4 SiC材料 oypF0?!m  
参考文献 6/dP)"a('  
O}-+o1  
第8章 湿化学制备方法  vWH)W?2  
8.1 溶胶-凝胶技术 :|HCUZ*H(T  
:!QT ,  
第9章 半导体超晶格和量子阱 X:>,3[hx|  
第10章 半导体器件制备技术 jmBsPSGIC  
参考文献 0woLB#v9  
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