半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 MpIiHKQ G9  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 S.<4t*,  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 d9%P[(yM^
 
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 XGjFb4Tw
7  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 hr hj4  

图片:baomwuli.jpg

pUW7
p  
3=*ur( Qy  
市场价：￥36.00 Z/|=@gpw  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) ^6LnB#C&  
Ed2A\S6tl  
h ^s8LE3  
第1章 真空技术 !+QfQghAT  
1.1 真空的基本概念 WJ[>p ELT,  
1.1.1 真空的定义 @7V~CNB+  
1.1.2 真空度单位 aUA)p}/:  
1.1.3 真空区域划分 a#& ( i  
1.2 真空的获得 nr,Z0  
1.3 真空度测量 }d;6.~Gw  
1.3.1 热传导真空计 Xil;`8h  
1.3.2 热阴极电离真空计 >7S@3,C3ke  
1.3.3 冷阴极电离真空计 )}t't"  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 zgH*B*)bj  
参考文献 *;~u 5y2b  
S kB*w'k  
第2章 蒸发技术 {t!7r_hj  
2.1 发展历史与简介 BBv+*jj  
2.2 蒸发的种类 fGRV]6?V  
2.2.1 电阻热蒸发 }&==;7,O  
2.2.2 电子束蒸发 4-Jwy  
2.2.3 高频感应蒸发 *c&|2EsZ  
2.2.4 激光束蒸发 &ODo7@v`1  
2.2.5 反应蒸发 3wcFR0f  
2.3 蒸发的应用实例 ?(z"Ub]  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 m]vV.pwv  
2.3.2 ITO薄膜 FouN}X6  
参考文献 9cU9'r# h  

<gfRAeXA  
第3章 溅射技术 E-FR w  
3.1 溅射基本原理 !6@'H4cb=  
3.2 溅射主要参数 Pz\K3-  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 .>P:{''  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 +mzLOJ
ed  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 HEIg_6sb  
3.3 溅射装置及工艺 P".IW.^kk~  
3.3.1 阴极溅射 p
e\Nwq  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 QCE7VV1Rw  
3.3.3 射频溅射 gq/Za/!6  
3.3.4 磁控溅射 { I\og  
3.3.5 反应溅射 U V*Ruy-  
3.4 离子成膜技术 85;bJfY  
3.4.1 离子镀成膜 TsGx2[  
3.4.2 离子束成膜 GQ>0E  
3.5 溅射技术的应用 wJCw6&D,/  
3.5.1 溅射生长过程 (V]3w  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 AX<f$%iqD  
参考文献 d!YP{y P  
zB~<@  
第4章 化学气相沉积 hp
PacN
 
4.1 概述 ]
sk=V.GGQ  
4.2 硅化学气相沉积 V[KN,o{6  
4.2.1 CVD反应类型 2zW IB[  
4.2.2 CVD热力学分析 =!xX{o?64  
4.2.3 CVD动力学分析 #Lp}j?Y  
4.2.4 不同硅源的外延生长 k0K$OX
*:e  
4.2.5 成核 '?L^Fa_H  
4.2.6 掺杂 g=Vu'p 3u  
4.2.7 外延层质量 6=;(~k&x9:  
4.2.8 生长工艺 EG\;l9T  
4.3 CVD技术的种类 4gsQ:3  
4.3.1 常压CVD t"q'"FX  
4.3.2 低压CVD f:<BUqa  
4.3.3 超高真空CVD a%`%("g!  
4.4 能量增强CVD技术 !*NDsC9  
4.4.1 等离子增强CVD Zis,%XY  
4.4.2 光增强CVD dnU-v7k,{  
4.5 卤素输运法 Br7q.
 
4.5.1 氯化物法 3IlVSR^py  
4.5.2 氢化物法 k:R\;l5  
4.6 MOCVD技术 k4{|Xn  
4.6.1 MOCVD简介 iaeNY;T  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 10*Tk 8  
4.6.3 MOCVD生长GaN fe98Y-e  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 9&AO  
4.7 特色CVD技术 'yq?xlIj  
4.7.1 选择外延CVD技术 5~@-LXqL  
4.7.2 原子层外延 >19s:+  
参考文献 ~$5XiY8A  
YZ4`b-  
第5章 脉冲激光沉积 MyllL@kP  
5.1 脉冲激光沉积概述 iBSg`"S^]C  
5.2 PLD的基本原理 c&',#.9  
5.2.1 激光与靶的相互作用 4^l9d  
5.2.2 烧蚀物的传输 $S|+U}]C  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 wGKxT ap  
5.3 颗粒物的抑制 >Wt@O\k  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 4A6Y \ZXI  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 A%Ka)UU+n  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 O& Sk}^  
参考文献 d\]KG(T  
SYA~I-OYc  
第6章 分子束外延 A+* lV*@0  
6.1 引言 vu\W5M  
6.2 分子束外延的原理和特点 *$fM}6}  
6.3 外延生长设备 }%/mPbd#  
6.4 分子束外延生长硅 ofQs 
/  
6.4.1 表面制备 ZF[W<Q  
6.4.2 外延生长 klT?h[I!  
6.4.3 掺杂 Yz_}*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 %"A8Af**I  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 G&{yM2:E  
6.5.1 MBE生长GaAs l!88|~  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs PKrG6% W+  
6.5.3 MBE生长GaN >jhcSvM6  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 :p/=KI_  
6.6.1 HgCdTe材料 1Ys=KA-!_x  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 E2>{seZ  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 _.; PLq~0  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 0j!3\=P$  
6.6.5 ZnO薄膜 w!6{{m  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 \#: W  
6.7.1 SiC：材料 w)+1^eW  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ;QXg*GNAv$  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 cLf90|YFp  
参考文献 49=pB,H;H  
Q^2dZXk~  
第7章 液相外延 5_E8 RAG  
7.1 液相外延生长的原理 }vZf&ib-   
7.1.1 液相外延基本概况 -^m?%_<50l  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 HZRFE[ 9nb  
7.2 液相外延生长方法和设备 )Su>8f[?e  
7.3 液相外延生长的特点 )y*&&q   
7.4 液相外延的应用实例 ZL<X*l2  
7.4.1 硅材料 x;u#ec4
  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 g:Qq%'  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 &@oI/i&0B  
7.4.4 SiC材料 yM@sGz6c!  
参考文献 @iuX~QA[9  
(x2?{\?  
第8章 湿化学制备方法 h#r~2\q4ei  
8.1 溶胶-凝胶技术 ^t4^gcoZ4Z  
g@>llve{  
第9章 半导体超晶格和量子阱 u.X]K:Yow  
第10章 半导体器件制备技术 Hvk~BP' m  
参考文献 1cOR?=G~  
.4%z$(+6  
市场价：￥36.00 D}
y W:Pi'  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) gxVr1DIkN