半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 s-#EV  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 /Ne#{*z)hO  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 =}#yi<Lt  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 84QOW|1  
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第1章 真空技术 gSwV:hm  
1.1 真空的基本概念 )]j3-#  
1.1.1 真空的定义 n"htx|v  
1.1.2 真空度单位 IqYJ  
1.1.3 真空区域划分 4W"A*A  
1.2 真空的获得 AOZ C D{  
1.3 真空度测量 3_)I&RM  
1.3.1 热传导真空计 QcL@3QC  
1.3.2 热阴极电离真空计 \W.CHSD  
1.3.3 冷阴极电离真空计 d}4NL:=&  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 :s_>y_=g  
参考文献 U`qkeNd  
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第2章 蒸发技术 AB'+6QU9k  
2.1 发展历史与简介 ~{I.qv)>M~  
2.2 蒸发的种类 !G-+O#W`  
2.2.1 电阻热蒸发 T&_&l;syA  
2.2.2 电子束蒸发 ^[7Mp  
2.2.3 高频感应蒸发 Bib<ySCre  
2.2.4 激光束蒸发 3[[oAp  
2.2.5 反应蒸发 }_'5Vb_  
2.3 蒸发的应用实例 K5qCPt`'  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Vx$;wU Y  
2.3.2 ITO薄膜 Q]K` p(  
参考文献 &IQ=M.!r  
0(7 IsG=t  
第3章 溅射技术 PyQ.B*JJ  
3.1 溅射基本原理 lAU99(GXV  
3.2 溅射主要参数 +]%S}<R  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 zL yI|%KH  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 XYo,5-  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 5*$yY-A  
3.3 溅射装置及工艺 xG/Q%A  
3.3.1 阴极溅射 LDjtkD.r  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 5?-HQoT)G  
3.3.3 射频溅射 yiZtG#6K{  
3.3.4 磁控溅射 Ocdy;|&  
3.3.5 反应溅射 M1kA-Xr  
3.4 离子成膜技术
.gJ2P?  
3.4.1 离子镀成膜 KyyRHf5  
3.4.2 离子束成膜 Vu5?;|^:  
3.5 溅射技术的应用 -$Z1X_~;)<  
3.5.1 溅射生长过程 X+;[Gc}(W  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 \1<'XVS  
参考文献 }Ja-0v)Wf  
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第4章 化学气相沉积 |R9Lben',  
4.1 概述 kG>jb!e@(  
4.2 硅化学气相沉积 GY]P(NU  
4.2.1 CVD反应类型 ^#:;6^Su  
4.2.2 CVD热力学分析 y&$n[j  
4.2.3 CVD动力学分析 ^>IP"kF  
4.2.4 不同硅源的外延生长 AY/.vyS  
4.2.5 成核 1q7&WG  
4.2.6 掺杂 <<>+z5D+  
4.2.7 外延层质量 ^+m`mcsE  
4.2.8 生长工艺 _RIU,uJs  
4.3 CVD技术的种类 XKjrS 9:  
4.3.1 常压CVD -8n1y[  
4.3.2 低压CVD _
<S!tW  
4.3.3 超高真空CVD LIID(s!bX  
4.4 能量增强CVD技术 cLZ D\1Mt  
4.4.1 等离子增强CVD |o5eG><  
4.4.2 光增强CVD @Go_5X(  
4.5 卤素输运法 $wUYK%.  
4.5.1 氯化物法
Jp=qPG|  
4.5.2 氢化物法 *I]]Ogpq=  
4.6 MOCVD技术 G)7U&B  
4.6.1 MOCVD简介 6^b)Q(Edut  
4.6.2 MOCVD生长GaAs o+1(N#?m9  
4.6.3 MOCVD生长GaN 7%^G]AFi  
4.6.4 MOCVD生长ZnO O)dnr8*  
4.7 特色CVD技术 wp?:@XM  
4.7.1 选择外延CVD技术 S8#0Vo$)a  
4.7.2 原子层外延 -$Fj-pO\  
参考文献 DN2 ]Y'  
]U>MYdGWb  
第5章 脉冲激光沉积 ?Q]&;5o  
5.1 脉冲激光沉积概述 Zy(i_B-b  
5.2 PLD的基本原理 egq,)6>  
5.2.1 激光与靶的相互作用 6F(z6_<  
5.2.2 烧蚀物的传输 &nmBsl3Q.  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 $nE{%?n-#  
5.3 颗粒物的抑制 Xw4Eti._D  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 2w.FC  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 u nv:sV#b  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 WzzA:X  
参考文献 wo`.sB&T  
[K4cxqlfk  
第6章 分子束外延 hV7EjQp  
6.1 引言 e@h{Ns.1-  
6.2 分子束外延的原理和特点 G+c&e:ip<  
6.3 外延生长设备 bsQ'kBD  
6.4 分子束外延生长硅 `LkrG9KV{  
6.4.1 表面制备  |#yu  
6.4.2 外延生长 ]KFh1  
6.4.3 掺杂 CF;Gy L1M  
6.4.4 外延膜的质量诊断 x@  =p  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 v<1@"9EH  
6.5.1 MBE生长GaAs Z[@ i/. I  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 5=TgOS]R  
6.5.3 MBE生长GaN !4p{b f  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ;?Pz0,{h  
6.6.1 HgCdTe材料 M XG>|  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 $>/d)o  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Gld~Gy
B\k  
6.6.4 ZnSe、ZnTe JO|j?%6YY  
6.6.5 ZnO薄膜 {vD$odi  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 'Dfs&sm  
6.7.1 SiC：材料 RE t&QP  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 (pELd(*Ga  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Wet0qt]  
参考文献 BwH
Jr(n  
 LDg9@esi  
第7章 液相外延 s\d3u`G  
7.1 液相外延生长的原理 Gpu[<Z4  
7.1.1 液相外延基本概况 :I#.d7`uk  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 mlByE,S2E  
7.2 液相外延生长方法和设备 .F ?ww}2p]  
7.3 液相外延生长的特点 t=7Gfv
 
7.4 液相外延的应用实例 EE'2<"M  
7.4.1 硅材料 kQ=bd{a6  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 F+*E}QpM  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 I{$suPk  
7.4.4 SiC材料 K\-N'M!Z  
参考文献 B
e{@ L  
U4d7-&U  
第8章 湿化学制备方法 ^y>V-R/N  
8.1 溶胶-凝胶技术 C@-Hm  
Z.${WZW  
第9章 半导体超晶格和量子阱 7#)k-S!B  
第10章 半导体器件制备技术 le5@WG/x  
参考文献 $j- Fm:ZIA  
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