半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 zk5=Opmvh  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 pzq;vMr  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 4r[pMJiq  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 x}&a{;  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 J+b!6t}mZn  
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第1章 真空技术 ^'&iYV  
1.1 真空的基本概念 zD2.Q%`IM  
1.1.1 真空的定义 0^9:KZ.!  
1.1.2 真空度单位 |vfujzRZ  
1.1.3 真空区域划分 =1*%>K  
1.2 真空的获得 3X$Q,  
1.3 真空度测量 qA/#IUi)1  
1.3.1 热传导真空计 >H}jR[H'  
1.3.2 热阴极电离真空计 :YqQlr\
 
1.3.3 冷阴极电离真空计 Er"R;l]xJ  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 /z1p/RiX  
参考文献 lC=N:=Mu  
\ I^nx+l  
第2章 蒸发技术 {b'}:aMc  
2.1 发展历史与简介 A{z>D`d  
2.2 蒸发的种类 OG`|td
 
2.2.1 电阻热蒸发 #9D/jYK1X  
2.2.2 电子束蒸发 aGB0-;.t7  
2.2.3 高频感应蒸发 M!Z*QY."P  
2.2.4 激光束蒸发 "($Lx  
2.2.5 反应蒸发 BFMS*t`  
2.3 蒸发的应用实例 E+}GxFG-:  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜
%'L].+$t  
2.3.2 ITO薄膜 %1\v7Xw{9  
参考文献 AozmO  
1mHwYT+  
第3章 溅射技术 |5=~(-I>@  
3.1 溅射基本原理 K`Bq(z?/  
3.2 溅射主要参数 7~wFU*P1  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ]8$#qDS@  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 EqD^/(,L2  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 /!=U+X  
3.3 溅射装置及工艺 M=5d95*-}  
3.3.1 阴极溅射 [)#u<lZ<~  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 D:wnO|:  
3.3.3 射频溅射 \G$QNUU  
3.3.4 磁控溅射 FZe:co8Mu  
3.3.5 反应溅射 vG]GQ#  
3.4 离子成膜技术 C-llq
`(d  
3.4.1 离子镀成膜 SU%mmwES3  
3.4.2 离子束成膜 6OL41g'  
3.5 溅射技术的应用 ud0QZ X  
3.5.1 溅射生长过程 "7=
bL7wM&  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能  vv+TKO  
参考文献 !1a}| !Zn  
o]Z _@VI  
第4章 化学气相沉积 -xJX_6}A  
4.1 概述 N'I(P9@  
4.2 硅化学气相沉积 TC qkm^xv  
4.2.1 CVD反应类型 7:n?PN(p6a  
4.2.2 CVD热力学分析 In f9wq\  
4.2.3 CVD动力学分析 ,*/Pg52?  
4.2.4 不同硅源的外延生长 7MY)\aH  
4.2.5 成核 ,{k<JA{  
4.2.6 掺杂 i=
oTg  
4.2.7 外延层质量 \V]t!mZ-}l  
4.2.8 生长工艺 gaQ[3g  
4.3 CVD技术的种类 O\6vVM[  
4.3.1 常压CVD A-Mj|V  
4.3.2 低压CVD B@-|b  
4.3.3 超高真空CVD ?4^};wDb2  
4.4 能量增强CVD技术 N99[.mErU  
4.4.1 等离子增强CVD p-.Ri^p   
4.4.2 光增强CVD 4~!Eje!  
4.5 卤素输运法 6\NvG,8  
4.5.1 氯化物法 "tqnx?pM  
4.5.2 氢化物法 YWEYHr;%^?  
4.6 MOCVD技术 H#OYw#L"u  
4.6.1 MOCVD简介 J*5hf:?i  
4.6.2 MOCVD生长GaAs H4t)+(:D'  
4.6.3 MOCVD生长GaN lbRzx4=\y  
4.6.4 MOCVD生长ZnO k@S)j<  
4.7 特色CVD技术 8qn 9|  
4.7.1 选择外延CVD技术 Ua %UbAt  
4.7.2 原子层外延 %NNj9Bl<VV  
参考文献 0; 7#ji  
w&%9IJ  
第5章 脉冲激光沉积 rn;<HT  
5.1 脉冲激光沉积概述 yE#g5V&  
5.2 PLD的基本原理 >Iuzk1'S  
5.2.1 激光与靶的相互作用 :vpl+)n  
5.2.2 烧蚀物的传输
`M:DZNy,  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 :$NsR*Cq*9  
5.3 颗粒物的抑制 eH %Ja[  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 8) HBh7/  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 CphFv!k'Z  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 S_6g~PHsr  
参考文献 \wYc1M@7V  
?\ZL#)hr"p  
第6章 分子束外延 C8ZL*9U  
6.1 引言 3A_G=WaED  
6.2 分子束外延的原理和特点 K*1.'9/  
6.3 外延生长设备 [@//#}5v  
6.4 分子束外延生长硅 *r;xw  
6.4.1 表面制备 fN@{y+6  
6.4.2 外延生长 z`4c 4h]I  
6.4.3 掺杂 p}uncIod  
6.4.4 外延膜的质量诊断 6#U^<`  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 e4DMO*6  
6.5.1 MBE生长GaAs #AShbl jm+  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs V C-d0E0  
6.5.3 MBE生长GaN l
-<`m#/v  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 (-,>qMQs  
6.6.1 HgCdTe材料 b?8)7.{F{  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 +y/55VLq  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 z8E1m"  
6.6.4 ZnSe、ZnTe <`)iA-Df;9  
6.6.5 ZnO薄膜 `rlk|&T1  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 -U>y  
6.7.1 SiC：材料 E;9>ePd@  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ZIDbqQu  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 7
VAJJv3  
参考文献 x:fW~!Xc6  
y\D=Z N@  
第7章 液相外延 DN_W.o  
7.1 液相外延生长的原理 ?{6s58Q{  
7.1.1 液相外延基本概况 %Ds+GM-  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 5!(?m~jJ  
7.2 液相外延生长方法和设备 Wpr ,jN8b  
7.3 液相外延生长的特点 d$G}iJ8$mp  
7.4 液相外延的应用实例 ?2 f_aY ;  
7.4.1 硅材料 `XJm=/f  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ?T!)X)A#  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 bWmw3w  
7.4.4 SiC材料 ^nNitF  
参考文献 6@V~0DG  
=^tA_AxVw  
第8章 湿化学制备方法 V kjuy
K  
8.1 溶胶-凝胶技术 P6\6?am  
Yf}xwpuLk  
第9章 半导体超晶格和量子阱 A%XX5*  
第10章 半导体器件制备技术 /TV=$gB`  
参考文献 IeP W
Opj3  
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