半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 [p2H=  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ?_ dIIQ  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 cetvQAGXY  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 @c~)W8  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 l/Vo-#  

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第1章 真空技术 tw(JZDc  
1.1 真空的基本概念 NNF>Xa`9,  
1.1.1 真空的定义 ]IL;`>Gp  
1.1.2 真空度单位 LC})ciWa  
1.1.3 真空区域划分 Gdg)9  
1.2 真空的获得 '}rRzD:  
1.3 真空度测量 #BQ.R,  
1.3.1 热传导真空计 gN>2xnh'm  
1.3.2 热阴极电离真空计 @rHK(25+d  
1.3.3 冷阴极电离真空计 n=,\;3Y=  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Cn_$l>  
参考文献 Q0\0f
 
8&Myva  
第2章 蒸发技术 u-1;'a  
2.1 发展历史与简介 jM&r{^(  
2.2 蒸发的种类 2>\v*adG  
2.2.1 电阻热蒸发 dVQ-
k  
2.2.2 电子束蒸发 gZEi]/8_  
2.2.3 高频感应蒸发 4Td{;Y="yF  
2.2.4 激光束蒸发 ^0#;YOk  
2.2.5 反应蒸发 fS:1^A2,  
2.3 蒸发的应用实例 ex<O]kPFE  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Nk[2n
yeO>  
2.3.2 ITO薄膜 Pub0IIs  
参考文献 h!#:$|Q  
<jS~ WI@  
第3章 溅射技术 xP=/N!,#  
3.1 溅射基本原理 vfNAs>Xg"  
3.2 溅射主要参数 fGv#s X  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 |8bq>01~  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Lw'9  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 2Sq_Tw3^  
3.3 溅射装置及工艺 hb/]8mR  
3.3.1 阴极溅射 xcJ`1*1N  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 y}v+c%d  
3.3.3 射频溅射 m>}8'N)  
3.3.4 磁控溅射 {}o>{&X  
3.3.5 反应溅射 'u4ezwF;  
3.4 离子成膜技术 ZvGgmLN  
3.4.1 离子镀成膜 `]v[5E  
3.4.2 离子束成膜 +x]9+D&  
3.5 溅射技术的应用 `p'Q7m2y/b  
3.5.1 溅射生长过程 1shBY@mlq  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Uu7dSU  
参考文献 1G7b%yPA  
fZKt%m  
第4章 化学气相沉积 |+U<S~  
4.1 概述 y{9~
&r  
4.2 硅化学气相沉积 J4=_w  
4.2.1 CVD反应类型 3u>8\|8wz  
4.2.2 CVD热力学分析 @FN*TJ  
4.2.3 CVD动力学分析 UwY-7Mmo  
4.2.4 不同硅源的外延生长 Cv)/7vyB8  
4.2.5 成核 \tyg(srw0  
4.2.6 掺杂 #&8}<8V  
4.2.7 外延层质量 j%V["?)  
4.2.8 生长工艺 U6[ang'l  
4.3 CVD技术的种类 $3X-rjQtW  
4.3.1 常压CVD K={qU[_O  
4.3.2 低压CVD <P%}|@  
4.3.3 超高真空CVD uE=$p)  
4.4 能量增强CVD技术 INSkgOo  
4.4.1 等离子增强CVD P%Ay3cR+E  
4.4.2 光增强CVD f-2$ L  
4.5 卤素输运法 `N/RHb%  
4.5.1 氯化物法 T88Y qI  
4.5.2 氢化物法 fU2qrcVu  
4.6 MOCVD技术
Ovw[b2ii  
4.6.1 MOCVD简介 @OV-KT[>  
4.6.2 MOCVD生长GaAs zHfP+(ah  
4.6.3 MOCVD生长GaN kHc<*L_V  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Fk=}iB#(  
4.7 特色CVD技术 _U|7'^|  
4.7.1 选择外延CVD技术 X
H7xT@  
4.7.2 原子层外延 l_/C65%.:  
参考文献 %m{U& -(l@  
s,*c@1f?  
第5章 脉冲激光沉积 w'7R4  
5.1 脉冲激光沉积概述 lo&#(L+2  
5.2 PLD的基本原理 W</n=D<,I  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Uf*EJ1Ei  
5.2.2 烧蚀物的传输 :Zw@yt  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 f!t69nd%L  
5.3 颗粒物的抑制 O(H1P[  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 % 0:p)Z0  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 tGcya0R
L  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 |4Ck;gg!j  
参考文献 C.!_]Pxs  
 PWgDFL?  
第6章 分子束外延
VY 1vXM3y  
6.1 引言 >x:EJV   
6.2 分子束外延的原理和特点 ^b?2N/m@  
6.3 外延生长设备 J?:[$C5  
6.4 分子束外延生长硅 O,V9R rG  
6.4.1 表面制备 1D([@)^  
6.4.2 外延生长 dpN@#w  
6.4.3 掺杂 a?cn9i)#  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Y^v
e:Z  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Vs0 SXj  
6.5.1 MBE生长GaAs V
U!w!GN]Y  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs m)?5}ZwAH  
6.5.3 MBE生长GaN N1--~e  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 jkrx]`A{~  
6.6.1 HgCdTe材料 BZ+-p5]-  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 = Rc"^oS  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 D>T],3U(H  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ySN
V^+  
6.6.5 ZnO薄膜 =)<3pGO  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 J>S3sP  
6.7.1 SiC：材料 Sg*0[a3z  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 =F%RLpNU4  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ;\)=f6N  
参考文献 uf)Oy7FQ  
~0tdfK0c  
第7章 液相外延 F#q&(  
7.1 液相外延生长的原理 f5dR 5G  
7.1.1 液相外延基本概况 uVU`tDzd:  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 - HOnB=  
7.2 液相外延生长方法和设备 FbSa~uN  
7.3 液相外延生长的特点 1IA5.@G:  
7.4 液相外延的应用实例 d;suACW  
7.4.1 硅材料 /r$&]C:Fi  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Y\t_&px  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 H"YL k  
7.4.4 SiC材料 }B!cv{{  
参考文献 B1T5f1;uY  
KjR4=9MD  
第8章 湿化学制备方法 hFb fNB3  
8.1 溶胶-凝胶技术 'wQy]zm$  
saK;[&I*  
第9章 半导体超晶格和量子阱 {gkwOMW  
第10章 半导体器件制备技术 3B18dv,V  
参考文献 2*[Un(  
,Q2N[Jwd$  
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