半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 _-&\~w  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 9pKN^FX,76  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 92F(Sl  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 l@a>"\><i*  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 #YM5P  
~a:0Q{>a  
')w:`8Tl  
市场价：￥36.00 _uuxTNN0x*  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) Fu0 dYN  
;Ft_Xiq  
1D03Nbh|5  
第1章 真空技术 QCFLi n+r  
1.1 真空的基本概念 {)j3Pn  
1.1.1 真空的定义 |1zoT|}q  
1.1.2 真空度单位 nc#}-}`5  
1.1.3 真空区域划分 n*6Oa/JG7  
1.2 真空的获得 tr6<89e(o  
1.3 真空度测量 5A,@$yp+  
1.3.1 热传导真空计 ^uIP   
1.3.2 热阴极电离真空计 =B g  
1.3.3 冷阴极电离真空计 @UCGsw  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 &v7$*n27  
参考文献 *Ppb;   
5t`< KRz)I  
第2章 蒸发技术 l2"{uCcA  
2.1 发展历史与简介 =T'N6x5@  
2.2 蒸发的种类 A*jU&3#  
2.2.1 电阻热蒸发 {<{ O!  
2.2.2 电子束蒸发 #Hl0>"k ,  
2.2.3 高频感应蒸发 _FXvJ}~m  
2.2.4 激光束蒸发 ;uj&j1  
2.2.5 反应蒸发 f 4CS  
2.3 蒸发的应用实例 SFVOof#s  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 j+He8w-4  
2.3.2 ITO薄膜 8"L#5MO t  
参考文献 hI.@!$~=  
S)T]>Ash  
第3章 溅射技术 O4w6\y3U  
3.1 溅射基本原理 8yEN)RqI  
3.2 溅射主要参数 jnfktDV'  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 kH'LG!O  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 (- `h8M  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 A)9OkL
rc  
3.3 溅射装置及工艺 r(;sX  
3.3.1 阴极溅射 !sWKi)1  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 lXH?*  
3.3.3 射频溅射 ?.tnaE  
3.3.4 磁控溅射  xE.K  
3.3.5 反应溅射 $VOSd<87  
3.4 离子成膜技术 Y5nj _xQJL  
3.4.1 离子镀成膜 \$GM4:R D  
3.4.2 离子束成膜 bBwQ1,c$  
3.5 溅射技术的应用 [=k$Q (.3  
3.5.1 溅射生长过程 }71a3EUK  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 a*?bnw?  
参考文献 ] TY$  
Y+vG]?D  
第4章 化学气相沉积 4D+S\S0bk  
4.1 概述 "Sm'TZx  
4.2 硅化学气相沉积 \)KLm  
4.2.1 CVD反应类型 ~6YTm6o  
4.2.2 CVD热力学分析 kr ,&aP<,  
4.2.3 CVD动力学分析 !C13E lf  
4.2.4 不同硅源的外延生长 e ]-fb{oVH  
4.2.5 成核 H_w&_h&  
4.2.6 掺杂 SU>2M
T^  
4.2.7 外延层质量 +9LIpU&5  
4.2.8 生长工艺 \ZN>7?Vs  
4.3 CVD技术的种类 .nDB{@#  
4.3.1 常压CVD <'WS -P%U  
4.3.2 低压CVD sz;B-1^6  
4.3.3 超高真空CVD `sW+R=  
4.4 能量增强CVD技术 UAleGR`,  
4.4.1 等离子增强CVD xF4S  
4.4.2 光增强CVD v\&C]W]  
4.5 卤素输运法 jQ>~  
4.5.1 氯化物法 :g&9v_}&K{  
4.5.2 氢化物法 \ @XvEx%  
4.6 MOCVD技术 }eKY%WU>O  
4.6.1 MOCVD简介 ,xcm:;&  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ckDWY<@v  
4.6.3 MOCVD生长GaN ZC7ZlL_  
4.6.4 MOCVD生长ZnO .J=<E  
4.7 特色CVD技术 LtrE;+%2oz  
4.7.1 选择外延CVD技术 w3hG\2)[HS  
4.7.2 原子层外延 b}&2j3-n,  
参考文献 LDX>S*cL  
Hs9; &C  
第5章 脉冲激光沉积 |
|p>O  
5.1 脉冲激光沉积概述 M
SQz,nn  
5.2 PLD的基本原理 YCBp]xuE  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ]lQLA IQ  
5.2.2 烧蚀物的传输 {
$ a $m  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 h7?uM^p  
5.3 颗粒物的抑制 #_(t46  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 )By#({O  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 e-&0f);i  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 "UM*(&  
参考文献 9nGS"E l{  
i>elK<R4  
第6章 分子束外延 ]h3{MTr/  
6.1 引言 {OIktG2gZ  
6.2 分子束外延的原理和特点 GkU]>8E'"  
6.3 外延生长设备 "pA24Ze  
6.4 分子束外延生长硅 Zqi;by%  
6.4.1 表面制备 Aq]*$s2\G  
6.4.2 外延生长 I_.Jo `lK~  
6.4.3 掺杂 \I-bZ|^  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Uo]x6j<  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 S+*%u/;l  
6.5.1 MBE生长GaAs l|jb}9(J  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 6}/m~m  
6.5.3 MBE生长GaN ;NoD4*  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 =w,cdU*  
6.6.1 HgCdTe材料 W)LtnD2 w  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 sUe<21:  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 W{!Slf  
6.6.4 ZnSe、ZnTe zZE@:P&lf  
6.6.5 ZnO薄膜 wJ>.I<F6B  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 GZx?vSoHh  
6.7.1 SiC：材料 KlbUs\E  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 35}]U=  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 yt5'2!jc  
参考文献 L"x9O'U  
M/x*d4b_  
第7章 液相外延 .ng:Z7  
7.1 液相外延生长的原理 i_'u:P<t  
7.1.1 液相外延基本概况 =5kTzH.  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 +Rq7m]  
7.2 液相外延生长方法和设备 @ak3ZNor  
7.3 液相外延生长的特点 #J w\pOn  
7.4 液相外延的应用实例 C<B1zgX  
7.4.1 硅材料 G5Z_[Q~z  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 b&g`AnYT  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 @C"w 1}  
7.4.4 SiC材料 #U?=D/  
参考文献 d@QC[$qXj  
;n2b$MB?nM  
第8章 湿化学制备方法 z$]HZ#aRE  
8.1 溶胶-凝胶技术 }'c@E0"  
{)y8Y9G  
第9章 半导体超晶格和量子阱 \0bZ1"  
第10章 半导体器件制备技术 iosL&*'8  
参考文献 sqjv3=
}  
Xhk_h2F[  
市场价：￥36.00 PvkHlb^x%  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) )K>2