《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
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^ 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
#<{v~sVp& 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
9YzV48su# 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
X\^nV 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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?UnQ?F(+G<
c -w #` t7=D$ua 第1章 真空技术
a_?sJ 1.1 真空的基本概念
9"~ FKMN 1.1.1 真空的定义
y|`-)fY 1.1.2 真空度单位
`DM%a~^yg 1.1.3 真空区域划分
I G1];vX 1.2 真空的获得
,H=k5WA4m 1.3 真空度测量
L\Se , 1.3.1 热传导真空计
;ALWL~Xm 1.3.2 热阴极电离真空计
MAh1tYs4D 1.3.3 冷阴极电离真空计
ORM>|& 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
Q}BMvR 9w 参考文献
ImXYI7PL E7Lqa
S 第2章 蒸发技术
">V1II
7 2.1 发展历史与简介
SNj-h>&Mha 2.2 蒸发的种类
"@V yc6L 2.2.1 电阻热蒸发
qBEp |V 2.2.2 电子束蒸发
w~Tg?RH: 2.2.3 高频感应蒸发
tv#oEM9esl 2.2.4 激
光束蒸发
g=Xf&}&=x 2.2.5 反应蒸发
zdN[Uc+1Bd 2.3 蒸发的应用实例
'a#lBzu\b 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
mjeJoMvN)H 2.3.2 ITO薄膜
YT(N][V 参考文献
0|&@)` VD=H=Ju 第3章 溅射技术
,!orD1,' 3.1 溅射基本
原理 ;1k&}v& 3.2 溅射主要
参数 ,54z9F` 3.2.1 溅射闽和溅射产额
QLqtE;;)JK 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
L(y70T 3.2.3 溅射速率和淀积速率
O}M-6!%<, 3.3 溅射装置及工艺
ON2o^-%= 3.3.1 阴极溅射
Hw \of 3.3.2 三极溅射和四极溅射
t3<MoDe7`r 3.3.3 射频溅射
2`o
@L 3.3.4 磁控溅射
X^\D"fmE. 3.3.5 反应溅射
VLuHuih 3.4 离子成膜技术
*.W3V;K 3.4.1 离子镀成膜
^exU]5nvz 3.4.2 离子束成膜
-^_2{i 3.5 溅射技术的应用
Xa`Q;J"h 3.5.1 溅射生长过程
M(X
_I`\E 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
.}==p&( 参考文献
VN`.*B|9[ RpJ7. 第4章 化学气相沉积
{JE [ 4.1 概述
~[;r)
g\ 4.2 硅化学气相沉积
2e_ Di(us 4.2.1 CVD反应类型
o[Ffa#sE 4.2.2 CVD热力学分析
k]m ~DVS 4.2.3 CVD动力学分析
J!:BCjRdw 4.2.4 不同硅源的外延生长
>@vu;j\*E5 4.2.5 成核
1K Vit{ 4.2.6 掺杂
kL8rqv^ 4.2.7 外延层质量
N/tcW 4.2.8 生长工艺
LG[N\%<!H 4.3 CVD技术的种类
q?!HzZ 4.3.1 常压CVD
`~XksyT 4.3.2 低压CVD
#9,8{ O" 4.3.3 超高真空CVD
BUXE
s0]Lv 4.4 能量增强CVD技术
'z|Da &d P 4.4.1 等离子增强CVD
Q yqOtRk 4.4.2 光增强CVD
T}fo 4.5 卤素输运法
:\^b6"}8 4.5.1 氯化物法
A5nggg4 4.5.2 氢化物法
Ark]>4x> 4.6 MOCVD技术
Fm`*j/rq 4.6.1 MOCVD简介
P@v"aa\@2) 4.6.2 MOCVD生长GaAs
p/Pus;*s 4.6.3 MOCVD生长GaN
24J c`%7,= 4.6.4 MOCVD生长ZnO
HV a9b; 4.7 特色CVD技术
nM[yBA 4.7.1 选择外延CVD技术
cL9gaD$;) 4.7.2 原子层外延
Q.N!b7r7 参考文献
hF'VqJS 9]eG|LFD 第5章 脉冲激光沉积
oJa}NH
5.1 脉冲激光沉积概述
)LGVR3# 5.2 PLD的基本原理
5]&sXs 5.2.1 激光与靶的相互作用
Mt.Cj;h@^[ 5.2.2 烧蚀物的传输
Y(UK:LZ' 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
ZID- ~
6 5.3 颗粒物的抑制
u+8"W[ZULq 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
|]G%b[ 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
SH)-(+72d 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
NK0'\~7& 参考文献
u8c@q'_ y8YsS4E^Q 第6章 分子束外延
qA>#;UTp 6.1 引言
k
A3K 6.2 分子束外延的原理和特点
}+@!c%TCx~ 6.3 外延生长设备
8UU
L= 6.4 分子束外延生长硅
x,C8):\t`B 6.4.1 表面制备
0/v]YK. 6.4.2 外延生长
YE`Y t 6.4.3 掺杂
D$>!vD' 6.4.4 外延膜的质量诊断
ei-\t
qY_ 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 ,7d/KJ^7 6.5.1 MBE生长GaAs
sU>IETo 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
-))S 6.5.3 MBE生长GaN
Bz/ba * 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
nP%U<$,+ 6.6.1 HgCdTe材料
@ T^FOTW 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
LG8h@HY&L 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
,IB\1# 6.6.4 ZnSe、ZnTe
%,WH*") 6.6.5 ZnO薄膜
q8P&rMwy 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
e|oMbTZ5m 6.7.1 SiC:材料
UOb`@# 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
XP)^81i| 6.7.3 生长有机半导体薄膜
8&U
Mmbgy 参考文献
x+cL(R d.?}>jl 第7章 液相外延
NK qIx 7.1 液相外延生长的原理
*QQeK#$s 7.1.1 液相外延基本概况
p6%V f 7.1.2 硅液相外延生长的原理
!=eNr<:V. 7.2 液相外延生长方法和设备
]In7%Qb 7.3 液相外延生长的特点
'Q=;I 7.4 液相外延的应用实例
- VJx)g 7.4.1 硅材料
3O,nNt;L{ 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
{wC*61@1 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
IL|Q-e}Ol 7.4.4 SiC材料
S]fu
M% 参考文献
{dZ]+2Z~+ U;W9`JT<.f 第8章 湿化学制备方法
Q0(6n8i 8.1 溶胶-凝胶技术
t+a.,$U M z&/.A 第9章 半导体超晶格和量子阱
0h A: =r 第10章 半导体器件制备技术
Oa/zEH 参考文献
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