半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 3\mFK$#sr  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 `$@1NL7>  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Mh_jlgE'd#  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 8zVXQ!'  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 }E/L:  

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第1章 真空技术 NoYu"57
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1.1 真空的基本概念 `+zr PpX  
1.1.1 真空的定义 fG,qax`:c  
1.1.2 真空度单位 B0R[f  
1.1.3 真空区域划分 &G<ZK9Ot}0  
1.2 真空的获得 z>y,}#D?C  
1.3 真空度测量 |qbJ]v!  
1.3.1 热传导真空计 j/Bzbjq"  
1.3.2 热阴极电离真空计 ,cC4d`  
1.3.3 冷阴极电离真空计 3
!}'A  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Q?1 KxD!  
参考文献 dOiy[4s  
`kj7I{'l%9  
第2章 蒸发技术 =e._b 7P  
2.1 发展历史与简介 h/_z QR-  
2.2 蒸发的种类 ~^5uOeTZ~  
2.2.1 电阻热蒸发 s#qq% @  
2.2.2 电子束蒸发 K}Z'!+<U  
2.2.3 高频感应蒸发 `L;I/Hp  
2.2.4 激光束蒸发 le[5a=e(  
2.2.5 反应蒸发 5/*ZqrJw{"  
2.3 蒸发的应用实例 f%@Y XGf  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 y|lP.N/  
2.3.2 ITO薄膜 6Jj)[ R\5=  
参考文献 np>*O}r*  
| c8u  
第3章 溅射技术 E RMh% C  
3.1 溅射基本原理 U`8)rtYw  
3.2 溅射主要参数 R/^ rh  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 2qn~A0r  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 O:Z|fDQ`  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ~O^_J)  
3.3 溅射装置及工艺 ~;`i&s  
3.3.1 阴极溅射 J J3vC  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 (wA|lK3  
3.3.3 射频溅射 {u5)zVYC,U  
3.3.4 磁控溅射 sY#K=5R  
3.3.5 反应溅射 u>? VD%  
3.4 离子成膜技术 ~I^]O \
?  
3.4.1 离子镀成膜 \+>b W(  
3.4.2 离子束成膜 1zp,Suv  
3.5 溅射技术的应用 `/|=eQ")o@  
3.5.1 溅射生长过程 em W#ZX  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 .g|pgFM?  
参考文献 Tw`l
4S&  
Aw|3W ]  
第4章 化学气相沉积 }5S2v+zE  
4.1 概述 }3i@5ctQ  
4.2 硅化学气相沉积 |6;.C1\,  
4.2.1 CVD反应类型 Q,DumOq  
4.2.2 CVD热力学分析 j1d=$'a "  
4.2.3 CVD动力学分析 /3c1{%B\  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ims *|~{sr  
4.2.5 成核 +ypT"y  
4.2.6 掺杂 B}!n6j`  
4.2.7 外延层质量 #/1Bam6
 
4.2.8 生长工艺 `kz_q/K  
4.3 CVD技术的种类 nrxN_0 R%  
4.3.1 常压CVD U{_O=S u  
4.3.2 低压CVD =AAH}  
4.3.3 超高真空CVD ~_oTEXT^O  
4.4 能量增强CVD技术 lW2qVR  
4.4.1 等离子增强CVD 6zI?K4o  
4.4.2 光增强CVD Df4n9m}E  
4.5 卤素输运法 MR~BWH?@1  
4.5.1 氯化物法 "vJADQ4F  
4.5.2 氢化物法 Q^F-8  
4.6 MOCVD技术 P&SR;{:y  
4.6.1 MOCVD简介 0-#ct1-  
4.6.2 MOCVD生长GaAs tN0>5'/  
4.6.3 MOCVD生长GaN !eO?75/  
4.6.4 MOCVD生长ZnO of
i']J{R  
4.7 特色CVD技术 =o-qu^T^u  
4.7.1 选择外延CVD技术 .9E`x>C  
4.7.2 原子层外延 Q{a!D0
;4v  
参考文献 2n7[Op  
:kUH>O  
第5章 脉冲激光沉积  KA<  
5.1 脉冲激光沉积概述 :L?zk"0C  
5.2 PLD的基本原理 un/R7"  
5.2.1 激光与靶的相互作用 :V"}"{(6  
5.2.2 烧蚀物的传输 $C>EnNx  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 IrVeP&KM+  
5.3 颗粒物的抑制 C8jZcs#4  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 - Z|1@s&  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 t3WlVUtq3  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 JxWHrsh[  
参考文献 yQW\0&a$  
B\mdOTLQ  
第6章 分子束外延 DUtpd|  
6.1 引言 [|>.iH X  
6.2 分子束外延的原理和特点 o4J K$%  
6.3 外延生长设备 p\HXE4d'  
6.4 分子束外延生长硅 xM*v!J,  
6.4.1 表面制备 BkJcT  
6.4.2 外延生长 +g;G*EP
7*  
6.4.3 掺杂 ~9n@MPS^!  
6.4.4 外延膜的质量诊断 &sKYO<6K}  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 8sIGJ|ku
 
6.5.1 MBE生长GaAs vS0P]AUo  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs J2R<'(  
6.5.3 MBE生长GaN \}2Wd`kD  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 f(C0&"4e  
6.6.1 HgCdTe材料 hb_Ia]b  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 J?]W!V7C  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 3HA{18{4uP  
6.6.4 ZnSe、ZnTe f+1]#"9i|  
6.6.5 ZnO薄膜 8O7JuR  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 3Q#VD)  
6.7.1 SiC：材料 7~65@&P>  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 l(`w]=t&  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 a0n F U  
参考文献 0s8S`hCn>  
3)xV-Y9  
第7章 液相外延 jy*wj7fj1  
7.1 液相外延生长的原理 mI.*b(Irp  
7.1.1 液相外延基本概况 Soa.thP
 
7.1.2 硅液相外延生长的原理 !!QMcx_C#/  
7.2 液相外延生长方法和设备 z#\Z
|OKU  
7.3 液相外延生长的特点 z(]*'0)P  
7.4 液相外延的应用实例 !pN,,H6Y  
7.4.1 硅材料 e*g; +nz  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Qh*|mW  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 |hpm|eZG"h  
7.4.4 SiC材料 gC3{:MC-G  
参考文献 YcGqT2oLP  
XJlun l)(K  
第8章 湿化学制备方法 %'>. R  
8.1 溶胶-凝胶技术 @NVq .z  
vxwctJ&  
第9章 半导体超晶格和量子阱 S)~h|&A(  
第10章 半导体器件制备技术 ~E!"YkIr  
参考文献 p7k0pS
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