半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 EPI*~=Z.U  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Z(Vrmz
2.  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Ov9.qNT  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 CUG6|qu  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 j% nd  
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第1章 真空技术 T \AuL  
1.1 真空的基本概念 yH`xk%q_  
1.1.1 真空的定义 L.R  
1.1.2 真空度单位 v/.2Z(sZ  
1.1.3 真空区域划分 8,R]R=  
1.2 真空的获得 D>mLSh  
1.3 真空度测量 p|((r?{  
1.3.1 热传导真空计 'L,rJ =M3  
1.3.2 热阴极电离真空计 IV*}w"r  
1.3.3 冷阴极电离真空计 J kA~Ol  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 H [v~  
参考文献 z TK  
"7l}X{b  
第2章 蒸发技术 w+}dm^X  
2.1 发展历史与简介 YZk&'w  
2.2 蒸发的种类 YMWy5 \  
2.2.1 电阻热蒸发 l YhwV\3  
2.2.2 电子束蒸发 z}&<DYD  
2.2.3 高频感应蒸发 2vXMrh\  
2.2.4 激光束蒸发 BoXCc"q[  
2.2.5 反应蒸发 ^;2L`U@5  
2.3 蒸发的应用实例 iZ:-V8{  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜
M *}$$Fe|  
2.3.2 ITO薄膜 i2*nYd`K  
参考文献 t.w?OyO  
pZR^ HOq  
第3章 溅射技术 d. a>(G  
3.1 溅射基本原理 oqE -q\!H  
3.2 溅射主要参数 K'tz_:d|  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 QdRMp n}q  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 KGJB.<Be  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 @bPJ}C  
3.3 溅射装置及工艺 KyDBCCOv  
3.3.1 阴极溅射 H5 -I}z  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 48DsRy  
3.3.3 射频溅射 N@VD-}
E  
3.3.4 磁控溅射 ug{F?LW[  
3.3.5 反应溅射 81g&WQ'  
3.4 离子成膜技术 %9Ue`8  
3.4.1 离子镀成膜 T>z@;5C  
3.4.2 离子束成膜 ZTun{Dw{  
3.5 溅射技术的应用 vi2xonq^  
3.5.1 溅射生长过程 J h"]iN  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 iN><m|  
参考文献 *qqFIp^  
 WsoB!m  
第4章 化学气相沉积 <s:Xj  
4.1 概述 4>|5B:  
4.2 硅化学气相沉积 A#i-C+"}  
4.2.1 CVD反应类型 rB)WHx<  
4.2.2 CVD热力学分析 GZ e )QH  
4.2.3 CVD动力学分析 cD>o(#x]  
4.2.4 不同硅源的外延生长 K%g\\uo   
4.2.5 成核 sPw(+m*C   
4.2.6 掺杂 51&T`i  
4.2.7 外延层质量 (-#{qkA  
4.2.8 生长工艺 m&\Gz*)3  
4.3 CVD技术的种类 T;%SB&  
4.3.1 常压CVD cnj_tC=zt  
4.3.2 低压CVD gV7o eZ5  
4.3.3 超高真空CVD :Y'nye3:  
4.4 能量增强CVD技术 D9Z5g3s7R  
4.4.1 等离子增强CVD qvscf_%FM  
4.4.2 光增强CVD f]lDJ?+ M  
4.5 卤素输运法 u>
E+HxUJ  
4.5.1 氯化物法 cnsGP*w  
4.5.2 氢化物法 (UM+?]Qwy  
4.6 MOCVD技术 F&P)mbz1  
4.6.1 MOCVD简介 8 2qe|XD4p  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ]+Vcuzq/  
4.6.3 MOCVD生长GaN `7j,njCX.  
4.6.4 MOCVD生长ZnO '71btd1  
4.7 特色CVD技术 83h3C EQ  
4.7.1 选择外延CVD技术 $@xkKe"  
4.7.2 原子层外延 pxF!<nN1,  
参考文献 9D<HJ(  
{\e}43^9N  
第5章 脉冲激光沉积 G pd:k  
5.1 脉冲激光沉积概述 !d^`YEfE  
5.2 PLD的基本原理 PTP2QAt  
5.2.1 激光与靶的相互作用 >"[u.1J_'I  
5.2.2 烧蚀物的传输 +~@Y#>+./l  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 7[)(;-  
5.3 颗粒物的抑制 9~_6mR<  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 O^GXFz^  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 <Zi
O[dEV  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 RoTT%c P_  
参考文献 Px8E~X<@  
PEWzqZ|!;  
第6章 分子束外延 `zL9dlZ  
6.1 引言 `#ztp)&  
6.2 分子束外延的原理和特点 }pA4
#{)  
6.3 外延生长设备 .DQ]q o]OG  
6.4 分子束外延生长硅 x#^kv)  
6.4.1 表面制备 (}:xs,Ax  
6.4.2 外延生长 %9lxE[/  
6.4.3 掺杂 #59zv=  
6.4.4 外延膜的质量诊断 HL?pnT09  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 .EcMn  
6.5.1 MBE生长GaAs PjHm#a3zg%  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 6yb<4@LOb  
6.5.3 MBE生长GaN UOwNcY  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 sF$m?/Kt  
6.6.1 HgCdTe材料 *E]\l+]J  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 cMv3` $  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ^kq!/c3r  
6.6.4 ZnSe、ZnTe krA))cP  
6.6.5 ZnO薄膜 S%oGB
Y*Z  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 _X[c19q  
6.7.1 SiC：材料 *pMA V[^  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 &u8c!;y$b  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Jj " {r{  
参考文献 A@ME7^w7  
2?j1~]DvZ  
第7章 液相外延 H #BgE29  
7.1 液相外延生长的原理 *"ShE=\p  
7.1.1 液相外延基本概况 H4,yuV  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 <c#[.{A}s  
7.2 液相外延生长方法和设备 w(D9'  
7.3 液相外延生长的特点 J^:~#`8  
7.4 液相外延的应用实例 UwU]l17~  
7.4.1 硅材料 9m6j?CFG}  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 #"_MY-  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 oB9m\o7$  
7.4.4 SiC材料 Q1Ao65  
参考文献 X\%3uPQ  
yH^*Fp8V  
第8章 湿化学制备方法 @XmkIm  
8.1 溶胶-凝胶技术 _HsvF[\[  
bed+Ur&  
第9章 半导体超晶格和量子阱 '_)tR;s  
第10章 半导体器件制备技术 `vw.~OBl  
参考文献 V*}zwms6  
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