半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 AZwa4n}"  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 sqG`"O4W  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 7;xK
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 @L;C_GEa  
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第1章 真空技术 };p~A-E=  
1.1 真空的基本概念 *?N<S$m  
1.1.1 真空的定义 Jvj=I82  
1.1.2 真空度单位 %#9P?COs&W  
1.1.3 真空区域划分 XRa#21
pQ  
1.2 真空的获得 J wFned#T  
1.3 真空度测量 oKiD8':  
1.3.1 热传导真空计 owMmCR  
1.3.2 热阴极电离真空计 *w 21U!  
1.3.3 冷阴极电离真空计 rIlBH*aT  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Tc_do"uU  
参考文献 sVoR?peQ  
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第2章 蒸发技术 } J(1V!EA  
2.1 发展历史与简介 ~B]jV$=  
2.2 蒸发的种类 ?9S+Cj`  
2.2.1 电阻热蒸发 8uA<G/Q;  
2.2.2 电子束蒸发 0||F`24  
2.2.3 高频感应蒸发 A'~#9@l<  
2.2.4 激光束蒸发 p1^
0{ILx  
2.2.5 反应蒸发 qUg9$oh{LI  
2.3 蒸发的应用实例 [R\=M'  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 pK"&QPv  
2.3.2 ITO薄膜 8KKz5\kn7  
参考文献 f9F2U )  
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第3章 溅射技术 DZP*x  
3.1 溅射基本原理 * gHCy4u{  
3.2 溅射主要参数 l/F!Bq[*g  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 QQ~23TlA  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ;NG1{]|Z  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 OQ
c{ V  
3.3 溅射装置及工艺 J{!'f| J  
3.3.1 阴极溅射 cD8Ea(  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 6Pijvx^0  
3.3.3 射频溅射 #%WCL'6B  
3.3.4 磁控溅射 g? I!OG  
3.3.5 反应溅射 +,wWhhvlzv  
3.4 离子成膜技术 J% AG`  
3.4.1 离子镀成膜 a7=YG6[  
3.4.2 离子束成膜 yU!GS-
  
3.5 溅射技术的应用 dq2@6xd  
3.5.1 溅射生长过程 XLocg  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ^(g_.>  
参考文献 S;h&5.p  
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第4章 化学气相沉积 dFMAh&:>  
4.1 概述 ^Rk^XQCh  
4.2 硅化学气相沉积 [%?hC
c  
4.2.1 CVD反应类型 Pv[ykrm/  
4.2.2 CVD热力学分析 VH<e))5C  
4.2.3 CVD动力学分析 vlAy!:CV  
4.2.4 不同硅源的外延生长 {s9<ej~<R  
4.2.5 成核 <b'1#Pd>0  
4.2.6 掺杂 N5ci};?  
4.2.7 外延层质量 FSe5k5  
4.2.8 生长工艺 T,Fm"U6[(  
4.3 CVD技术的种类 90(UgK&Y  
4.3.1 常压CVD >'.[G:b  
4.3.2 低压CVD }Q;BQ2[  
4.3.3 超高真空CVD Q2FQhc@L(:  
4.4 能量增强CVD技术 G1TANy  
4.4.1 等离子增强CVD o Fi) d[`  
4.4.2 光增强CVD nAvs~J  
4.5 卤素输运法 ;xI0\a7  
4.5.1 氯化物法 ?F25D2[(  
4.5.2 氢化物法 w#rVSSXQ3  
4.6 MOCVD技术 3jS7 uU  
4.6.1 MOCVD简介 ^} tuP  
4.6.2 MOCVD生长GaAs )Z&HuEg{ZR  
4.6.3 MOCVD生长GaN +dJ&tuL:S  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Eny!R@u7q  
4.7 特色CVD技术 oo\
IS\  
4.7.1 选择外延CVD技术 d#4Wj0x  
4.7.2 原子层外延 !x6IV25  
参考文献 yE<,Z%J[n  
0yKhp:^  
第5章 脉冲激光沉积 xmO
M<0T  
5.1 脉冲激光沉积概述 m$)YYpX  
5.2 PLD的基本原理 1S
&0  
5.2.1 激光与靶的相互作用 >gF-6nPQ  
5.2.2 烧蚀物的传输 _=6vW^s  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 b70AJe=  
5.3 颗粒物的抑制 my]P_mE  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 `{Hb2 }L5  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 n~.%p  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 !@A|L#*  
参考文献 3#B@83C0Z  
YT][\x  
第6章 分子束外延 r<v_CFJ  
6.1 引言 b13nE.  
6.2 分子束外延的原理和特点 !#C)99L"F  
6.3 外延生长设备 k~& o  
6.4 分子束外延生长硅 oH=4m~'V  
6.4.1 表面制备 5
R)[Ou.  
6.4.2 外延生长 G%Y*q(VrEu  
6.4.3 掺杂 raSF3b/0  
6.4.4 外延膜的质量诊断 p?}&)Un  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 s* @QT8%  
6.5.1 MBE生长GaAs =1eV   
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs \;iG{}(  
6.5.3 MBE生长GaN 1R*1BStc  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 { qjUI  
6.6.1 HgCdTe材料 xiEcEz'lk  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 W%=Zdm rv  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 \G]K,TG  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 58 kv#;j  
6.6.5 ZnO薄膜 ]!q }|bP  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Q:kwQg:~  
6.7.1 SiC：材料 0=2H9v  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 g~eJ YS,  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 pz.Y=V\t  
参考文献 w' .'Yu6  
Hi$#!OU  
第7章 液相外延 }F~f&<GX6  
7.1 液相外延生长的原理 \m@]G3=]  
7.1.1 液相外延基本概况 RzMA\r;#  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 t$tsWAmiA[  
7.2 液相外延生长方法和设备 xAeZ7.Q&  
7.3 液相外延生长的特点 SlR7h$r'  
7.4 液相外延的应用实例 b!0'Qidh0  
7.4.1 硅材料 Y!bpOa&  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 0kkRK*fp}x  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 @T9m}+fR  
7.4.4 SiC材料 K<D`(voL  
参考文献 =`rppO  
*sjj"^'=  
第8章 湿化学制备方法 `^?}s-H+  
8.1 溶胶-凝胶技术 !."Izz/  
MX"A@p~H  
第9章 半导体超晶格和量子阱 u}Lc|_ea`  
第10章 半导体器件制备技术 b0!*mrF]6  
参考文献 +oE7~64LL  
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