半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ,Gg;:)k\  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 E6ZkO/  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 `;J`O02  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 \~"Ub"~I  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 a4*976~![  

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第1章 真空技术 oJ\g0|\qwe  
1.1 真空的基本概念 _io'8X2K%  
1.1.1 真空的定义 849,1n^  
1.1.2 真空度单位 b&mA1w[W]  
1.1.3 真空区域划分 PXkpttIE]M  
1.2 真空的获得 ^n(FO,8c  
1.3 真空度测量 h]s~w  
1.3.1 热传导真空计 &UOxS W  
1.3.2 热阴极电离真空计 0B7G:X0  
1.3.3 冷阴极电离真空计 YLGE{bS  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 |w}j!}u  
参考文献 ]LUcOR  
&h5Y_no GX  
第2章 蒸发技术 <Q\KS  
2.1 发展历史与简介 R`Z"ey@C  
2.2 蒸发的种类 IBo  
2.2.1 电阻热蒸发 gTXpaB<  
2.2.2 电子束蒸发 $3G^}A"  
2.2.3 高频感应蒸发 [
gMn  
2.2.4 激光束蒸发 t]@>kAA>2L  
2.2.5 反应蒸发 n@RmH>"  
2.3 蒸发的应用实例 Nw1*);b[y  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 z3K$gEve  
2.3.2 ITO薄膜 kpIn_Ea  
参考文献 U?le|tK  
ou<3}g  
第3章 溅射技术 TA-2{=8  
3.1 溅射基本原理 #Az#_0=  
3.2 溅射主要参数 =
IRot  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 !SW0iq[7j  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Y b3ckktY  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 P'lnS&yA  
3.3 溅射装置及工艺 Wvf>5g)?  
3.3.1 阴极溅射 `}l%61n0  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 =wdh#{  
3.3.3 射频溅射 0BlEt1e2T  
3.3.4 磁控溅射 7,+eG">0  
3.3.5 反应溅射 W
3tin3__  
3.4 离子成膜技术 E5n7 <
 
3.4.1 离子镀成膜 kk-<+R2  
3.4.2 离子束成膜 ;rT'~?q  
3.5 溅射技术的应用 E=ijt3  
3.5.1 溅射生长过程 /B@{w-N  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 KHML!f=mu  
参考文献 P);s0Y|@H  
=#Sw.N  
第4章 化学气相沉积 |NZi2Bu  
4.1 概述 g2|Myz)  
4.2 硅化学气相沉积 n9+33^ PT  
4.2.1 CVD反应类型 SWV*w[X<X  
4.2.2 CVD热力学分析 FpRYffT 9u  
4.2.3 CVD动力学分析 O D}RnKL  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ^[xcfTN  
4.2.5 成核 Z)`)9]*  
4.2.6 掺杂 Bdt6 w(`^  
4.2.7 外延层质量 51q|-d  
4.2.8 生长工艺 iQgg[ )  
4.3 CVD技术的种类 ][$I~nRf  
4.3.1 常压CVD 4=([v;fc  
4.3.2 低压CVD 2F:qaz  
4.3.3 超高真空CVD 3Tl<ST\  
4.4 能量增强CVD技术 2e1KF=N+  
4.4.1 等离子增强CVD k
P ]Up&'  
4.4.2 光增强CVD ^~YT<cJ1h  
4.5 卤素输运法 ,IjZQ53q~  
4.5.1 氯化物法 (?|M'gZ  
4.5.2 氢化物法 yDafNH  
4.6 MOCVD技术 {-\U)&6#v  
4.6.1 MOCVD简介 ?uq`|1`  
4.6.2 MOCVD生长GaAs z$%twBg}#  
4.6.3 MOCVD生长GaN a_>|N
y6{  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Jp=fLo 9  
4.7 特色CVD技术 e?]5q ez  
4.7.1 选择外延CVD技术 *U[y
eE]
.  
4.7.2 原子层外延 @(,1}3s  
参考文献 QhZg{v[d  
b5NVQ8Mq  
第5章 脉冲激光沉积 @L3XBV2  
5.1 脉冲激光沉积概述 YZg#H)w%  
5.2 PLD的基本原理 WTfjn|a  
5.2.1 激光与靶的相互作用 la3B`p  
5.2.2 烧蚀物的传输 >$4#G)s  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ,dIev<  
5.3 颗粒物的抑制  ? }M81  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 tqGrhOt  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 K;RH,o1  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 ,|]JaZq  
参考文献 Y %"Ji[  
L^sjV/\oW  
第6章 分子束外延 $H)^o!  
6.1 引言 _%nz-I  
6.2 分子束外延的原理和特点  %!<Y  
6.3 外延生长设备 `6U!\D  
6.4 分子束外延生长硅 3Z b]@n  
6.4.1 表面制备 [8iY0m_Qe  
6.4.2 外延生长 )E}v~GW.+  
6.4.3 掺杂 ]||b2[*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 a`!Jq'  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 N6Mr#A-{  
6.5.1 MBE生长GaAs ^#Ii=K-[^  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs mJSfn"b}K  
6.5.3 MBE生长GaN UkL1h7}a\  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ax&?Z5%a  
6.6.1 HgCdTe材料 6cH8Jr _  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 Pxlc RF  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 9bM\ (s/  
6.6.4 ZnSe、ZnTe VXeO}>2S  
6.6.5 ZnO薄膜 M-o'`e'  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 &`r/+B_W  
6.7.1 SiC：材料 _'=,c"  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 FZHA19Kb  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 JVc{vSa!rm  
参考文献 #EPC]jFk  
zPby+BP  
第7章 液相外延 6mM9p)"$  
7.1 液相外延生长的原理 Rf:.'/<
^  
7.1.1 液相外延基本概况 x)PW4{3qR  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 39X~<\&'  
7.2 液相外延生长方法和设备 I1
Q!3P  
7.3 液相外延生长的特点 ]\(8d[4  
7.4 液相外延的应用实例 KdVKvs[  
7.4.1 硅材料 ~YYnn7)  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 GJ ^c^`  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料
kK? SG3  
7.4.4 SiC材料 KgL!~J  
参考文献 [YDSS/  
6D;N.wDZ  
第8章 湿化学制备方法 Vb0T)C  
8.1 溶胶-凝胶技术  Gl~l  
)Qbd/zd\U  
第9章 半导体超晶格和量子阱 gmGK3am  
第10章 半导体器件制备技术 N^L@MR-  
参考文献 Y}?8  
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