半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 X^j
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Iu=(qU  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 dSHDWu&  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 5Gm_\kd  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 1?l1:}^L  
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第1章 真空技术 zfdl45  
1.1 真空的基本概念 MF'JeM;H  
1.1.1 真空的定义 5[0?g@aO  
1.1.2 真空度单位 v`T c}c '  
1.1.3 真空区域划分 E2-\]?\F(  
1.2 真空的获得 &UFZS94@r  
1.3 真空度测量 CWKm(@"5  
1.3.1 热传导真空计 M"L=L5OH-  
1.3.2 热阴极电离真空计 +lTq^
4  
1.3.3 冷阴极电离真空计 |Y.?_lC  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响
;hq\  
参考文献 );YDtGip J  
:Hbv)tS\3w  
第2章 蒸发技术 yB!dp;gM{  
2.1 发展历史与简介 |w3M7;~eF  
2.2 蒸发的种类 m]&SNz=  
2.2.1 电阻热蒸发 7d\QB(~  
2.2.2 电子束蒸发 f6p/5]=J26  
2.2.3 高频感应蒸发 .6J$,.Ig  
2.2.4 激光束蒸发 ~}Pfu  
2.2.5 反应蒸发 % ]U  
2.3 蒸发的应用实例 %z$#6?OK^  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Dha1/g1q  
2.3.2 ITO薄膜 "J1 4C9u   
参考文献 '5tCz9}Y  
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第3章 溅射技术 U$UIN#  
3.1 溅射基本原理 1Z&(6cDY8M  
3.2 溅射主要参数 : rVnc =k  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 \{D" !e  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ,]D,P  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 19] E 5'AI  
3.3 溅射装置及工艺 }-2|XD%]  
3.3.1 阴极溅射 s#GLJl\E_P  
3.3.2 三极溅射和四极溅射  0+8e,  
3.3.3 射频溅射 }QmqoCAE~m  
3.3.4 磁控溅射 MqMQtU9w  
3.3.5 反应溅射 1 -b_~DF  
3.4 离子成膜技术 `GLx#=Q  
3.4.1 离子镀成膜 eJX#@`K  
3.4.2 离子束成膜
t#yuOUg  
3.5 溅射技术的应用 QsW/X0YBv  
3.5.1 溅射生长过程 jb)ZLA;L_c  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 y)<q/  
参考文献 R|Q?KCI&  
phz&zlD  
第4章 化学气相沉积 `H+lPM66  
4.1 概述 &nK<:^n  
4.2 硅化学气相沉积 P2nu;I_&  
4.2.1 CVD反应类型 2Z%O7V~u  
4.2.2 CVD热力学分析
S|}L&A  
4.2.3 CVD动力学分析 d"Y{UE  
4.2.4 不同硅源的外延生长 c*M}N?|6  
4.2.5 成核 Bbp|!+KP{(  
4.2.6 掺杂 3$JoDL(Z  
4.2.7 外延层质量 t$ *0{w E  
4.2.8 生长工艺 T^q 0'#/  
4.3 CVD技术的种类 sR8"3b<qA  
4.3.1 常压CVD A%-6`>  
4.3.2 低压CVD tf G@&&%9  
4.3.3 超高真空CVD b`_Q8 J  
4.4 能量增强CVD技术 zBH2@
d3W  
4.4.1 等离子增强CVD XX~,>Q}H=  
4.4.2 光增强CVD hv+zGID7  
4.5 卤素输运法 -F>jIgeC2v  
4.5.1 氯化物法 !!ya  
4.5.2 氢化物法 =R\]=cRbg  
4.6 MOCVD技术 DTs;{c  
4.6.1 MOCVD简介 eDB;cN  
4.6.2 MOCVD生长GaAs tnIX:6  
4.6.3 MOCVD生长GaN "7`<~>9t.  
4.6.4 MOCVD生长ZnO QSj]ZA  
4.7 特色CVD技术 2"~8Z(0  
4.7.1 选择外延CVD技术 et+0FF ,  
4.7.2 原子层外延 Y^]rMK/;  
参考文献 h7@6T+#WoT  
ctV,Q3'Z  
第5章 脉冲激光沉积 y> (w\K9W  
5.1 脉冲激光沉积概述 !o-@&q  
5.2 PLD的基本原理 'f|o{  
5.2.1 激光与靶的相互作用 q'
11^V!0  
5.2.2 烧蚀物的传输 .sA.C]f  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 hzC>~Ub5  
5.3 颗粒物的抑制 YoE3<[KD(  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 /L#?zSt  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 CH/rp4NeSy  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 rQ9'bCSr%  
参考文献 6zn5UW#q  
$]8Q(/mbK  
第6章 分子束外延 J-4:H gx  
6.1 引言 l+0P  
6.2 分子束外延的原理和特点 3N:D6
w-R  
6.3 外延生长设备 Hr4}3.8  
6.4 分子束外延生长硅 A(N4N  
6.4.1 表面制备 lys#G:H]  
6.4.2 外延生长 GH xp7H  
6.4.3 掺杂 \C1nZk?3  
6.4.4 外延膜的质量诊断 E!AE4B1bd  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 &-
=5Xc+Z  
6.5.1 MBE生长GaAs p<;0g9,1  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 0?M:6zf_iv  
6.5.3 MBE生长GaN Q
dC<Sk!G  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 -{+}@?  
6.6.1 HgCdTe材料 M@ZI\  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 KGpA2Nx  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 =rK+eG#,  
6.6.4 ZnSe、ZnTe v.ui
!|c  
6.6.5 ZnO薄膜 IIqUZJ  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 %PJQ%~ A  
6.7.1 SiC：材料 ]+$?u&0?w  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 '%`:+
]!  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 K4);HJ|=  
参考文献 E.>4C[O  
i 3SHg\~Z  
第7章 液相外延 I2^8pTLh  
7.1 液相外延生长的原理 3yXY.>'  
7.1.1 液相外延基本概况 ei{eTp4HpV  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 o8vug$=Z  
7.2 液相外延生长方法和设备 [c06 N$:  
7.3 液相外延生长的特点 4'Zp-k?5`  
7.4 液相外延的应用实例 #5j\C+P}|  
7.4.1 硅材料 x$%!U[!3  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 e~':(/%|5;  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ~3 bPIg7D  
7.4.4 SiC材料 $tS}LN_!  
参考文献 NgCvVWto  
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第8章 湿化学制备方法 +d;bjo 2  
8.1 溶胶-凝胶技术 IaXeRq?<  
N
.{D$"  
第9章 半导体超晶格和量子阱 &8 x-o,  
第10章 半导体器件制备技术 K96<M);:g  
参考文献 l/awS!Q/nF  
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