《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
.Qi`5C:U 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
y:v0&9L 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
moc_}( 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
1F$a
My? 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
I/Vlw-
$'&`k,a3|P mBnC]$<R 市场价:¥36.00
aV>w($tdd 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折)
_
-?)-L&g
pf2$%lE 1"!<e$&$X 第1章 真空技术
Q 2tGe~H 1.1 真空的基本概念
WOg_Pn9HI 1.1.1 真空的定义
AS8T! 1.1.2 真空度单位
Mr`u!T&sc 1.1.3 真空区域划分
#}B~V3UD 1.2 真空的获得
+J#H9>To! 1.3 真空度测量
52:oe1-8 1.3.1 热传导真空计
3g5i5 G\ 1.3.2 热阴极电离真空计
g/Qr]:; 1.3.3 冷阴极电离真空计
;w@: 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
"E'OPR 参考文献
5))?,YkrrI DVCc^5# 第2章 蒸发技术
"5>p]u> 2.1 发展历史与简介
^:DlrI$ 2.2 蒸发的种类
+\}]`uS: 2.2.1 电阻热蒸发
0<o#;ZQ] 2.2.2 电子束蒸发
H,\c" 2.2.3 高频感应蒸发
(xxJ^u>QC 2.2.4 激
光束蒸发
o+q5:vJt 2.2.5 反应蒸发
SmtH2%y I 2.3 蒸发的应用实例
,a?em'= 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
s+0$_&xR 2.3.2 ITO薄膜
S&]JY 参考文献
c| p
eRO. `;i|
%$TU 第3章 溅射技术
mX "z$ 3.1 溅射基本
原理 (]iw#m{ 3.2 溅射主要
参数
wN*e6dOF 3.2.1 溅射闽和溅射产额
BD9` +9 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
5V%K'a( 3.2.3 溅射速率和淀积速率
^]Gt<_ 3.3 溅射装置及工艺
[#14atv 3.3.1 阴极溅射
Kj'm<]u 3.3.2 三极溅射和四极溅射
a+J :1' 3.3.3 射频溅射
&<v#^2S3 3.3.4 磁控溅射
(hmasy6hM 3.3.5 反应溅射
Ar>Om!]=v 3.4 离子成膜技术
=3& WH0 3.4.1 离子镀成膜
_c%~\LOk 3.4.2 离子束成膜
-/FCd( 3.5 溅射技术的应用
44S<(Re 3.5.1 溅射生长过程
d)dIIzv 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
[KCh,'& 参考文献
6,oi(RAf kQ4%J,7e4 第4章 化学气相沉积
fzw6VGTf 4.1 概述
;/e!!P]jP 4.2 硅化学气相沉积
{;z3$/JB 4.2.1 CVD反应类型
b;S~`PL 4.2.2 CVD热力学分析
} |sP;Rpu 4.2.3 CVD动力学分析
PJb_QL!9 4.2.4 不同硅源的外延生长
Z1q'4h=F. 4.2.5 成核
?VReKv1\ 4.2.6 掺杂
|!&,etu 4.2.7 外延层质量
/i$&89yod 4.2.8 生长工艺
<Z#u_:5@ 4.3 CVD技术的种类
(VC_vz- 4.3.1 常压CVD
o5zth^p[ 4.3.2 低压CVD
o F@{& 4.3.3 超高真空CVD
XFd[>U<X 4.4 能量增强CVD技术
,=K!Y TeVl 4.4.1 等离子增强CVD
YBg\L$|n 4.4.2 光增强CVD
e6{/e+/R 4.5 卤素输运法
:*Ckq~[Hg 4.5.1 氯化物法
%_A1WC 4.5.2 氢化物法
S
_# UEf 4.6 MOCVD技术
;'cv?3Y 4.6.1 MOCVD简介
@tp/0E? 4.6.2 MOCVD生长GaAs
pY-izML 4.6.3 MOCVD生长GaN
Ry/NfF= 4.6.4 MOCVD生长ZnO
zwAuF%U 4.7 特色CVD技术
y
?Q"-o ( 4.7.1 选择外延CVD技术
b6g,mzqu 4.7.2 原子层外延
U6_1L,W 参考文献
!%5{jO1 }V9146 第5章 脉冲激光沉积
d9sgk3K 5.1 脉冲激光沉积概述
<2,@rYe/ 5.2 PLD的基本原理
]4hXK!^Uu 5.2.1 激光与靶的相互作用
iiRK3m 5.2.2 烧蚀物的传输
YM#XV*P0 q 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
)vPce 5.3 颗粒物的抑制
AV%Q5Mi} 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
[IW@mn> 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
>} aykz*g 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
]kKf4SJZFU 参考文献
fpoH7Jd V t7-sCC0 第6章 分子束外延
U7:~@eYy 6.1 引言
j*+r`CX 6.2 分子束外延的原理和特点
ydlH6 > 6.3 外延生长设备
z<@$$Z=0UF 6.4 分子束外延生长硅
*TMg. 6.4.1 表面制备
u5idH),< 6.4.2 外延生长
rhL<JTS 6.4.3 掺杂
GW}KmTa]& 6.4.4 外延膜的质量诊断
v~@Y_`l 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 b^A&K@[W#, 6.5.1 MBE生长GaAs
iY(hGlV 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
Y*"%;e$tg 6.5.3 MBE生长GaN
6`+DBr 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
-=g`7^qa> 6.6.1 HgCdTe材料
Jl5<9x 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
;tKL/eI 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
c#G(7. 0MU 6.6.4 ZnSe、ZnTe
l~f +h?cF 6.6.5 ZnO薄膜
vTB*J,6. 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
O<%U*:B 6.7.1 SiC:材料
wmoOp;C 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
sIELkF?. 6.7.3 生长有机半导体薄膜
E}a3. 6)p 参考文献
gc(1,hv .h*&$c/l 第7章 液相外延
I>P</TE7 7.1 液相外延生长的原理
X\$M _b>O 7.1.1 液相外延基本概况
6tnAE': 7.1.2 硅液相外延生长的原理
8zpK;+ 7.2 液相外延生长方法和设备
iPkG=*Ip(% 7.3 液相外延生长的特点
sRoZvp5 7.4 液相外延的应用实例
T!;<Fy"p 7.4.1 硅材料
~I'Z=Wo 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
{0QA+[Yd&! 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
,e>ugI_;* 7.4.4 SiC材料
$G=\i>R. 参考文献
s:fnOMv
" ~ 4&_$e! 第8章 湿化学制备方法
heh!cDK 8.1 溶胶-凝胶技术
VD=$:F] bH,Jddc 第9章 半导体超晶格和量子阱
QZwRg&d<o 第10章 半导体器件制备技术
tKJ)'v? 参考文献
g@j:TQM_0 b<[eBXe 市场价:¥36.00
:ss9- 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折)
m\~[^H~g