半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 6gakopZO  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 *PL+)2ob  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 FD_0FMZ9,  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 a;*&q/{o  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 b^Rg_,s  
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第1章 真空技术 BAoqO Xv  
1.1 真空的基本概念 2Y 6/,W  
1.1.1 真空的定义 ,vg8iRa  
1.1.2 真空度单位 cY\-e?`=4  
1.1.3 真空区域划分 ( Y/ DMQ  
1.2 真空的获得 CoJaVLl  
1.3 真空度测量 {j:{wW.  
1.3.1 热传导真空计 zK
fb  
1.3.2 热阴极电离真空计 *WMcE$w/D  
1.3.3 冷阴极电离真空计 *%Gy-5hM  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 kf"cd1  
参考文献 >@H:+0h-  
Mqw&%dz'_  
第2章 蒸发技术 '^Sa|WXq  
2.1 发展历史与简介 y"@~5e477$  
2.2 蒸发的种类 Q.\+ XR_|  
2.2.1 电阻热蒸发 D*D83z OzN  
2.2.2 电子束蒸发 I &{dan2  
2.2.3 高频感应蒸发 zac>tXU;  
2.2.4 激光束蒸发 ?r'b Z~  
2.2.5 反应蒸发 [&+wW  
2.3 蒸发的应用实例 !\|&E>Gy  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 zT_{M qY  
2.3.2 ITO薄膜 w`#lLl B  
参考文献 JvHJ*E   
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第3章 溅射技术 T w"^I*B  
3.1 溅射基本原理 ,3fw"P$  
3.2 溅射主要参数 IUu[`\b=  
3.2.1 溅射闽和溅射产额  KsUsj3J  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 >xP
 $A{  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 (''`Ce  
3.3 溅射装置及工艺 f0wQn09  
3.3.1 阴极溅射 Hk6Dwe[y  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 zhN'@Wj'_  
3.3.3 射频溅射 hrcR"OZ~X  
3.3.4 磁控溅射 H%faRUonz  
3.3.5 反应溅射 d(To)ly.  
3.4 离子成膜技术 2@e<II2ha8  
3.4.1 离子镀成膜 @9vz%1B<l  
3.4.2 离子束成膜 zyCl`r[}  
3.5 溅射技术的应用 xTAC&OCk^[  
3.5.1 溅射生长过程 U4LOe}Ny  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ?'h@!F%R'  
参考文献 |
n6nRE wW  
ND21;  
第4章 化学气相沉积 n$b/@hp$z  
4.1 概述 `?Y/:4  
4.2 硅化学气相沉积 dAAE2}e  
4.2.1 CVD反应类型 /ebYk-c  
4.2.2 CVD热力学分析 AV&W&$  
4.2.3 CVD动力学分析 vhhsOga  
4.2.4 不同硅源的外延生长 YO-O-NEP  
4.2.5 成核 t~@TUTbx  
4.2.6 掺杂 TSuHY0.cp  
4.2.7 外延层质量 1Z`<HW"  
4.2.8 生长工艺 YtIJJH  
4.3 CVD技术的种类 >nl*aN  
4.3.1 常压CVD T+2?u.{I  
4.3.2 低压CVD !T @|9PCp  
4.3.3 超高真空CVD TR:D  
4.4 能量增强CVD技术 rcQ?E=V2O  
4.4.1 等离子增强CVD %W`pTvF  
4.4.2 光增强CVD :5"|iRP'  
4.5 卤素输运法 EW]gG@w]5r  
4.5.1 氯化物法 NO9Jre  
4.5.2 氢化物法 pu`|HaQaE  
4.6 MOCVD技术 vx-u+/\  
4.6.1 MOCVD简介 &OuyjW4  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 6o,,w^  
4.6.3 MOCVD生长GaN 1~5={eI  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ~yO.R)4v  
4.7 特色CVD技术 lWOB!l  
4.7.1 选择外延CVD技术 l"ih+%
S  
4.7.2 原子层外延 0]NsT0M  
参考文献 W:0@m^r  
!_V*VD  
第5章 脉冲激光沉积 /wvA]ooT  
5.1 脉冲激光沉积概述 YR[Ii?  
5.2 PLD的基本原理 [0IeEjL  
5.2.1 激光与靶的相互作用 q:nYUW o  
5.2.2 烧蚀物的传输 +F67g00T|  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 D;:lw]  
5.3 颗粒物的抑制 ,P9B8oIq  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ^. Pn)J  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 GbZA3.J]yl  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 ]`UJwq  
参考文献 WddU|-W  
0>.'w\,87B  
第6章 分子束外延 f Z\Ev%F  
6.1 引言 Hj2P|;2S  
6.2 分子束外延的原理和特点 9$d (`-&9p  
6.3 外延生长设备 cJH7zumM)  
6.4 分子束外延生长硅 G-} zkax  
6.4.1 表面制备 2Jj`7VH>  
6.4.2 外延生长 -G*u2i_*  
6.4.3 掺杂 ][0HJG{{g  
6.4.4 外延膜的质量诊断 F]YPq  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 =#>P!  
6.5.1 MBE生长GaAs ZY]
[LU~l8  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs Uvz9x"0[u  
6.5.3 MBE生长GaN 1lx\Pz@ol  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 b!UT<:o  
6.6.1 HgCdTe材料 E>7%/TIl  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 9`vse>,-hg  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 (T`x-wTl  
6.6.4 ZnSe、ZnTe &f!!UZMt)  
6.6.5 ZnO薄膜 X|.X4fs  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 W;0_@!?mr}  
6.7.1 SiC：材料 Q2k\8i  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 j&#p&`B  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 vguqk!eo4  
参考文献  (+Er  
I@x*>  
第7章 液相外延 }RM?gE  
7.1 液相外延生长的原理 cvc.-7IO  
7.1.1 液相外延基本概况 c{&sf y  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 "w|GIjE+  
7.2 液相外延生长方法和设备 e4?}#6RF  
7.3 液相外延生长的特点 UkeW
2l`:  
7.4 液相外延的应用实例 2>s:wABb /  
7.4.1 硅材料 wGbD%=  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 vbA9V<c&  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 mk[=3!J  
7.4.4 SiC材料 &uk?1Z#j  
参考文献 sy]
1Ba%  
{zg}KiNDZd  
第8章 湿化学制备方法 B%r)~?6DM  
8.1 溶胶-凝胶技术 r)*KgGsk  
EV~_-YC   
第9章 半导体超晶格和量子阱 WxI
P~  
第10章 半导体器件制备技术 3 vE;s"/  
参考文献 znu?x|mV  
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