半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 *~~J1.ja>  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 E9b>wP  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 k]A=Q  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 1LaJ hrp?  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 w`EC6ZN  
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第1章 真空技术 >7)Q
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1.1 真空的基本概念 >(_2'c*[w  
1.1.1 真空的定义 qu.AJ*  
1.1.2 真空度单位 /oZvm  
1.1.3 真空区域划分 g##<d(e!}  
1.2 真空的获得 JC`;hY  
1.3 真空度测量 KSJ+3_7]k  
1.3.1 热传导真空计 gil:SUW1r  
1.3.2 热阴极电离真空计 vTo+jQs^  
1.3.3 冷阴极电离真空计 h@]{j_$u  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 A#{I-*D[  
参考文献 :fDzMD  
mN l[D  
第2章 蒸发技术 tSY4'  
2.1 发展历史与简介 k{'<J(Hb  
2.2 蒸发的种类 GDs/U1[*  
2.2.1 电阻热蒸发 nltOX@P-  
2.2.2 电子束蒸发 j >`FZKxp  
2.2.3 高频感应蒸发 {3SK|J`  
2.2.4 激光束蒸发 m^
zD']  
2.2.5 反应蒸发 8#R%jjr%T  
2.3 蒸发的应用实例 t<"`gM^|  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 MR: H3  
2.3.2 ITO薄膜 H]*B5Jv~  
参考文献 ~.6% %1?  
mE=Tj%+x  
第3章 溅射技术 4uH} SG[  
3.1 溅射基本原理 'K}2m  
3.2 溅射主要参数 WZjR^6  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 {MN6JGb|'  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ,<C~DSA
yZ  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 Bio QV47B  
3.3 溅射装置及工艺 ~}/_QlX` K  
3.3.1 阴极溅射 GY5JPl  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 N"0>)tG  
3.3.3 射频溅射 I*f@M}  
3.3.4 磁控溅射 1H\5E~X   
3.3.5 反应溅射 <;@E .I\N  
3.4 离子成膜技术 cp"{W-Q{$  
3.4.1 离子镀成膜 cmYzS6f,7  
3.4.2 离子束成膜 s0CDp"uJY  
3.5 溅射技术的应用 kyZZ0  
3.5.1 溅射生长过程 oLtzPC  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 YE:5'@Z  
参考文献 hhhxsGyv  
4#t=%}  
第4章 化学气相沉积 [w-# !X2y  
4.1 概述 >L8 &6aU  
4.2 硅化学气相沉积 z_#HJ}R=  
4.2.1 CVD反应类型 :o87<) _F  
4.2.2 CVD热力学分析 tkff\W[JU  
4.2.3 CVD动力学分析 kpy)kS  
4.2.4 不同硅源的外延生长 4N1)+W8k*  
4.2.5 成核 ![eY%2;<  
4.2.6 掺杂 /Z~$`!J  
4.2.7 外延层质量 arS@l<79  
4.2.8 生长工艺 5Vdy:l  
4.3 CVD技术的种类 #s#BYbF  
4.3.1 常压CVD jwuSne  
4.3.2 低压CVD @7;}6,)  
4.3.3 超高真空CVD b7">IzAe  
4.4 能量增强CVD技术 +VJyGbOcC  
4.4.1 等离子增强CVD ynf!1!4  
4.4.2 光增强CVD m?1r@!/y  
4.5 卤素输运法 \4 +HNy3  
4.5.1 氯化物法 Z0v&AD=  
4.5.2 氢化物法 snNB;hkj  
4.6 MOCVD技术 kn
fmJUT  
4.6.1 MOCVD简介 E70o nR!i  
4.6.2 MOCVD生长GaAs  @k#xr  
4.6.3 MOCVD生长GaN gKmF#Z"\  
4.6.4 MOCVD生长ZnO h0A
%KL  
4.7 特色CVD技术 .81 ~ K[  
4.7.1 选择外延CVD技术 hBifn\dFr  
4.7.2 原子层外延 0QW;=@)d  
参考文献 b/\l\\$-  
JuOCOl\  
第5章 脉冲激光沉积 $" =3e]<  
5.1 脉冲激光沉积概述 J/,m'wH  
5.2 PLD的基本原理 FF7?|V!Q  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ,Ij/ ^EC}  
5.2.2 烧蚀物的传输 r gi4>  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 B?e] Ht  
5.3 颗粒物的抑制 AM#s2.@  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 zz<o4bR  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 @3U=kO(^+\  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 CL?=j| Ea  
参考文献 RMid}BRE  
b`}hw"f  
第6章 分子束外延 83aWMmA(1  
6.1 引言 CHjm7  
6.2 分子束外延的原理和特点 (h[. Ie  
6.3 外延生长设备 fEtBodA
)  
6.4 分子束外延生长硅 j0n.+CO-{  
6.4.1 表面制备 A!uiM*"W  
6.4.2 外延生长 IJ:JH=8  
6.4.3 掺杂 0,8RA_Ca}  
6.4.4 外延膜的质量诊断 9%0^fhrJ  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 hvA|d=R(  
6.5.1 MBE生长GaAs _?K,Jc8j.  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 1CJAFi>%D  
6.5.3 MBE生长GaN sheCwhV  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 dl`{:ZR S  
6.6.1 HgCdTe材料 N] pw7S%  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 Sw?EF8}[  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 :2XX~|  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ta'wX  
6.6.5 ZnO薄膜 ivt~S  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 i'1MZ%.  
6.7.1 SiC：材料 -3m!970  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 `_]UlI_h  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 -[h|*G.J  
参考文献 '!`]Z
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`7?EE1o  
第7章 液相外延 YOA)paq+  
7.1 液相外延生长的原理 fhC|=0XB  
7.1.1 液相外延基本概况 8_O?#JYi  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 hDBo XIK  
7.2 液相外延生长方法和设备 x0%@u^BF  
7.3 液相外延生长的特点 $'::51  
7.4 液相外延的应用实例 R:f ,g2  
7.4.1 硅材料 OsRizcgdA  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 _NpxV'E  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Q]$pg5O  
7.4.4 SiC材料 ep*8*GmP  
参考文献 s3K!~v\L]  
58eO|c(  
第8章 湿化学制备方法 1xO-tIp/  
8.1 溶胶-凝胶技术 7?);wh7`  
K<50>uG  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ,pVe@d'  
第10章 半导体器件制备技术 ft4hzmuzM  
参考文献 ~]'yUd1gSZ  
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