半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 [sl"\3)  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 +wcif-  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 U nS|""  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 J~}i}|YC>  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 U
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第1章 真空技术 W#foVAi .  
1.1 真空的基本概念 ^qNZ!V4T  
1.1.1 真空的定义 y'_2|5!Qs  
1.1.2 真空度单位 .$xTX'  
1.1.3 真空区域划分 *
0z'!m12  
1.2 真空的获得 MPMAFs  
1.3 真空度测量 /\U:F  
1.3.1 热传导真空计 yJ?=HH?  
1.3.2 热阴极电离真空计 cHon' tS  
1.3.3 冷阴极电离真空计 BOme`0
A  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 $$eBr8  
参考文献 )D"2Q:  
9`Xr7gmQf  
第2章 蒸发技术 `.F3&pA  
2.1 发展历史与简介 8@]vvZ2/gj  
2.2 蒸发的种类 Xz"xp8Hc(6  
2.2.1 电阻热蒸发 lL*"N|Y  
2.2.2 电子束蒸发 xzBUm  
2.2.3 高频感应蒸发 Hd{@e6S  
2.2.4 激光束蒸发 @DK`#,  
2.2.5 反应蒸发 }^azj>p5  
2.3 蒸发的应用实例 ddEV@2F  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 }Io5&ww:U  
2.3.2 ITO薄膜 [E0.4FLT!  
参考文献 Dyh|F\T  
$spk.j  
第3章 溅射技术 HxNoV.q  
3.1 溅射基本原理 0A F}wz>  
3.2 溅射主要参数 qP72JxT  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Z<`:xFy(  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 :_pn|  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 X{P=2h#g  
3.3 溅射装置及工艺 9lB$i2G>Zw  
3.3.1 阴极溅射 bf6:J `5Z  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 M9KoQS  
3.3.3 射频溅射 T=VBKaSbU  
3.3.4 磁控溅射 lMe+.P|  
3.3.5 反应溅射 S&NWZ:E3[  
3.4 离子成膜技术 `It3X.^}  
3.4.1 离子镀成膜 VJgYXPE `  
3.4.2 离子束成膜 _z53r+A  
3.5 溅射技术的应用 98lz2d/Fcq  
3.5.1 溅射生长过程 ageTv/  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 N;* wd<  
参考文献 TiD|.a8S  
jAfqC@e  
第4章 化学气相沉积 MGH2z:  
4.1 概述 qD{~QHDa  
4.2 硅化学气相沉积 d*l2x[8}g-  
4.2.1 CVD反应类型 j>#ywh*A  
4.2.2 CVD热力学分析 SEIJ+u9XsA  
4.2.3 CVD动力学分析 I[bWd{i:  
4.2.4 不同硅源的外延生长 0+Q;a  
4.2.5 成核 "8/BVW^bv  
4.2.6 掺杂 &S8,-~U  
4.2.7 外延层质量 [!U! Z'i  
4.2.8 生长工艺 FLLfTkXdI  
4.3 CVD技术的种类 "/
d  
4.3.1 常压CVD h/..cVD,K  
4.3.2 低压CVD H.&"
~eH  
4.3.3 超高真空CVD U|+c&TY
 
4.4 能量增强CVD技术 .Xk#Cwm'  
4.4.1 等离子增强CVD ?P(U/DS8  
4.4.2 光增强CVD ~$m:j];  
4.5 卤素输运法 z~#d@c\  
4.5.1 氯化物法 ;jFUtG  
4.5.2 氢化物法 }B&+KO)  
4.6 MOCVD技术 "-g5$v$de  
4.6.1 MOCVD简介 HEF\TH9  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 8p PQ   
4.6.3 MOCVD生长GaN ;!)gjiapw  
4.6.4 MOCVD生长ZnO :*eJ*(M  
4.7 特色CVD技术 K/z2.Npn  
4.7.1 选择外延CVD技术 C9n*?Mk:  
4.7.2 原子层外延 [I78<IJc  
参考文献 @P<aTRy,f  
.GIygU_  
第5章 脉冲激光沉积 -V=,x3Zew  
5.1 脉冲激光沉积概述 lFa?l\jLXZ  
5.2 PLD的基本原理 {2LV0:k2  
5.2.1 激光与靶的相互作用 >)VWXv0  
5.2.2 烧蚀物的传输 iVA=D&eZ  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 .@@&q4=&  
5.3 颗粒物的抑制 @
s|yH"  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 WP !u3\91  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 #Ht;5p>5  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 K9) |b`E=  
参考文献 R/l/GNm  
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?Vf  
第6章 分子束外延 9!s)52qt  
6.1 引言 ?gG%FzfQ/  
6.2 分子束外延的原理和特点 q>[}JtXK  
6.3 外延生长设备 e(vnnv?R{  
6.4 分子束外延生长硅 &90pKs  
6.4.1 表面制备 5Vlm?mPU  
6.4.2 外延生长 fr8hT(,s)  
6.4.3 掺杂 >w#&f
d  
6.4.4 外延膜的质量诊断 lKV7IoJ&;  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 o_cAelI[!  
6.5.1 MBE生长GaAs s"x(i  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs h`4!Qv  
6.5.3 MBE生长GaN M\r=i>(cu  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 oo]g=C$n  
6.6.1 HgCdTe材料 ek`6 Uf  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 $>hH{  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 UH#S |

o4  
6.6.4 ZnSe、ZnTe #=#bv`  
6.6.5 ZnO薄膜 0iVeM!bM  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 D:PrFa  
6.7.1 SiC：材料 Wx8n)  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 2tZ\/6G<  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 k]S`A,~  
参考文献 f!J?n]  
Xuj=V?5  
第7章 液相外延 sq+cF/jo6  
7.1 液相外延生长的原理 s"(F({J  
7.1.1 液相外延基本概况 !}=#h8fv  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 @m9dB P  
7.2 液相外延生长方法和设备 Wo6C0Z3g}  
7.3 液相外延生长的特点 (} Y|^uM,  
7.4 液相外延的应用实例 DiSU\?N2'  
7.4.1 硅材料 bRI`ZT0  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 3q.HZfN~  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 #|F5Kh"  
7.4.4 SiC材料 ?J6\?ct4  
参考文献 0">9n9  
3#Xv))w1  
第8章 湿化学制备方法 _cd=PZhI  
8.1 溶胶-凝胶技术 h&x;#.SYK  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 }a!c  
第10章 半导体器件制备技术 ;2'/rEq4o  
参考文献 K'b #}N\  
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