半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 c""&He4zp  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ~q ^o|?  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 l'"nU6B&  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 p":u]Xgb  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 od)TQSo  
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第1章 真空技术 A)U"F&tvm  
1.1 真空的基本概念 n#">k%bD  
1.1.1 真空的定义 YmC}q20;  
1.1.2 真空度单位 Gn2{C%  
1.1.3 真空区域划分 F'K >@y  
1.2 真空的获得 30sJ"hF9  
1.3 真空度测量 V#EL
n[k  
1.3.1 热传导真空计 VE
gtN}  
1.3.2 热阴极电离真空计 JR]2Ray  
1.3.3 冷阴极电离真空计 => (g_\  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 dL0Q8d\^T  
参考文献  FSMM  
H\>{<`sD;f  
第2章 蒸发技术 ps<Ef  
2.1 发展历史与简介 FOG{dio  
2.2 蒸发的种类 .aNh>`OT'  
2.2.1 电阻热蒸发 JK!(\Ae.  
2.2.2 电子束蒸发 hL3up]pZ  
2.2.3 高频感应蒸发 rCw4a?YS  
2.2.4 激光束蒸发 a/V,iCiH  
2.2.5 反应蒸发 MZt#T+b  
2.3 蒸发的应用实例 !/p|~K  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 {?`rGJ{f  
2.3.2 ITO薄膜 5k0iVpjQ  
参考文献 /GgID!8  
(,I:m[0  
第3章 溅射技术 i6#*y!3{  
3.1 溅射基本原理 Ge2Klyi  
3.2 溅射主要参数 TDo)8+.2z  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ZH Q?{
"  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 .+9*5  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ??/bI~Sd  
3.3 溅射装置及工艺 q1VKoKb6\:  
3.3.1 阴极溅射 +v B}E  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 3 `_/h' ~  
3.3.3 射频溅射  qraXAQ  
3.3.4 磁控溅射 'UX^]  
3.3.5 反应溅射 B!+c74  
3.4 离子成膜技术 6,=Z4>  
3.4.1 离子镀成膜 ?$/::uo  
3.4.2 离子束成膜 7rdmj[vu  
3.5 溅射技术的应用 %NkiYiA  
3.5.1 溅射生长过程 OL\-SQ&  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 :<aGZ\R5  
参考文献 uj3`M9  
3P0z$jh"H  
第4章 化学气相沉积 I">">  
4.1 概述 WXxnOLJr  
4.2 硅化学气相沉积 r-T1^u  
4.2.1 CVD反应类型 @{@b^tk  
4.2.2 CVD热力学分析 +'m9b7+v  
4.2.3 CVD动力学分析 M]o]D;N~l  
4.2.4 不同硅源的外延生长 HAH\#WE  
4.2.5 成核 vGi<" Sn7  
4.2.6 掺杂 &n1Vv_Lb  
4.2.7 外延层质量 9y7hJib  
4.2.8 生长工艺 [x)T2sA  
4.3 CVD技术的种类 RFbf2s\t  
4.3.1 常压CVD 3f5YPf2u  
4.3.2 低压CVD +k6` tl~*  
4.3.3 超高真空CVD qXtC7uNj$  
4.4 能量增强CVD技术 W"%n5)  
4.4.1 等离子增强CVD O]XRalkEM  
4.4.2 光增强CVD W<q<}RSn  
4.5 卤素输运法 sO) H#G  
4.5.1 氯化物法 I q|'#hs  
4.5.2 氢化物法 ZW;Ec+n_K  
4.6 MOCVD技术 ;jgf,fbM  
4.6.1 MOCVD简介 wp~}1]g  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ?Q_ @@)  
4.6.3 MOCVD生长GaN ;y-JR$M  
4.6.4 MOCVD生长ZnO d>Tv?'o`q  
4.7 特色CVD技术 q!W,2xqZoq  
4.7.1 选择外延CVD技术 \Hb!<mrp  
4.7.2 原子层外延 :NLY;B`  
参考文献 .J-k^+-  
N%Bl+7,q  
第5章 脉冲激光沉积 S<(i/5Z+  
5.1 脉冲激光沉积概述 UG.:D';3,  
5.2 PLD的基本原理 % (h6m${j  
5.2.1 激光与靶的相互作用 fmYx  
5.2.2 烧蚀物的传输 tzN9d~JZ  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 H^Pq[3NQ  
5.3 颗粒物的抑制 xlZh(pf  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 GipiO5)1C  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 e_!h>=$%8  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 dk
g`T#}  
参考文献 \r
aP  
4j;IyQDvM  
第6章 分子束外延 :#vA5kC  
6.1 引言 48,*sTRq  
6.2 分子束外延的原理和特点 [DpOI  
6.3 外延生长设备 fKEDe
>B5  
6.4 分子束外延生长硅 $-DW+|p.?^  
6.4.1 表面制备 JRBz/ j  
6.4.2 外延生长 vgc~%k62c  
6.4.3 掺杂 8/2Wq~&  
6.4.4 外延膜的质量诊断 y:\<FLR}j  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Eet/l]e#a  
6.5.1 MBE生长GaAs ();Z,A  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs :&5u)  
6.5.3 MBE生长GaN |j"C52Q  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 VXCB.C"  
6.6.1 HgCdTe材料 V@+sNM  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 oBmv^=cH  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 @j\;9>I/  
6.6.4 ZnSe、ZnTe }vZfp5Y  
6.6.5 ZnO薄膜 I!F&8B+|  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 R;AcAJ;  
6.7.1 SiC：材料 C=;}
7g  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 %^W(sB$b  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 <.g)?nj1  
参考文献 DaH4
Br.2  
dw#pObH|`  
第7章 液相外延 $o9^b Z  
7.1 液相外延生长的原理 N]8/l:@  
7.1.1 液相外延基本概况 Wv5=$y  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 c-zW 2;|61  
7.2 液相外延生长方法和设备 F+c8 O
 
7.3 液相外延生长的特点 /p;OZf]  
7.4 液相外延的应用实例 gT[]"ZT7  
7.4.1 硅材料 CWZv/>,%  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 e8SAjl"}  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 + d>2'  
7.4.4 SiC材料 6k')12~'  
参考文献 "@ZwDg`  
LB7$&.m'B  
第8章 湿化学制备方法 p8]XNe  
8.1 溶胶-凝胶技术 11S{XbU
 
R(> oyxA[F  
第9章 半导体超晶格和量子阱 9XUYy2{G  
第10章 半导体器件制备技术 z+fy&NPl  
参考文献 l [ m_<1L  
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