半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 HX*U2<^  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 K\Q 1/})  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 5L#M
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 epm|pA*  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 !iqz 4E  
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第1章 真空技术 v}@6"\  
1.1 真空的基本概念 &LYZQ?|  
1.1.1 真空的定义 8/v_uEG  
1.1.2 真空度单位 PeaD]  
1.1.3 真空区域划分 5S bSz!s`$  
1.2 真空的获得 i.&16AY  
1.3 真空度测量 E;0"1 P|S  
1.3.1 热传导真空计 C?k4<B7V  
1.3.2 热阴极电离真空计 7lu;lAAP  
1.3.3 冷阴极电离真空计 uRg^:  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 <o}t-Bgg  
参考文献 zV#k #/$  
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第2章 蒸发技术 u"ow?[E  
2.1 发展历史与简介 Dl6zl6q?  
2.2 蒸发的种类 9'M({/7y  
2.2.1 电阻热蒸发 3:S"!F  
2.2.2 电子束蒸发 mi?Fy0\  
2.2.3 高频感应蒸发 "`zw(  
2.2.4 激光束蒸发 $MHc4FE[  
2.2.5 反应蒸发 lM]7@A
 
2.3 蒸发的应用实例 ga1RMRu+  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 :T2K\@  
2.3.2 ITO薄膜 oT w1w  
参考文献 wqsnyP/m  
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第3章 溅射技术 Lm/^ 8V+  
3.1 溅射基本原理 4"@yGXUb  
3.2 溅射主要参数 GS@ wG  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Gf>T{Q`,is  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 mc$dR, H0  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 &Jz%L^  
3.3 溅射装置及工艺 r&w>+KIt  
3.3.1 阴极溅射 h2y@xnn  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 @EvnV.  
3.3.3 射频溅射 UNJ|J$T]  
3.3.4 磁控溅射 42~;/4  
3.3.5 反应溅射 <JlKtR&nSo  
3.4 离子成膜技术 X$<?:f-  
3.4.1 离子镀成膜 }v{F9dv  
3.4.2 离子束成膜 uG<+IT|x  
3.5 溅射技术的应用
e_e|t>nQ  
3.5.1 溅射生长过程 ' x|B'  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 /<5/gV 1Q  
参考文献 @/~41\=e  
h&XyMm9C  
第4章 化学气相沉积 H$ v4N8D8I  
4.1 概述 !&X}?NK  
4.2 硅化学气相沉积 F!U+IztZ  
4.2.1 CVD反应类型 *E>YLkg]  
4.2.2 CVD热力学分析 sfH|sp  
4.2.3 CVD动力学分析 GlaWBF#  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ;2$^=:8  
4.2.5 成核 7G xNI  
4.2.6 掺杂 ][9M_.  
4.2.7 外延层质量 v/)dsSNZ0u  
4.2.8 生长工艺 TE/2}XG)  
4.3 CVD技术的种类 h0!j;fn  
4.3.1 常压CVD mu(S9  
4.3.2 低压CVD I6UZ_H'E  
4.3.3 超高真空CVD mu*wX'.'  
4.4 能量增强CVD技术 ^+pmZw90  
4.4.1 等离子增强CVD b"J(u|Du`  
4.4.2 光增强CVD om(#P5cSM;  
4.5 卤素输运法 btee;3`  
4.5.1 氯化物法 %'P58  
4.5.2 氢化物法 ?qdG)jo=  
4.6 MOCVD技术
&iuc4"'  
4.6.1 MOCVD简介 3)=$BSC%  
4.6.2 MOCVD生长GaAs (FBKP#x)^  
4.6.3 MOCVD生长GaN :Y"f.>  
4.6.4 MOCVD生长ZnO xi-^_I  
4.7 特色CVD技术 YoXXelO&  
4.7.1 选择外延CVD技术 4bmp
MF-  
4.7.2 原子层外延 z\v\T|C  
参考文献 k38Ds_sW6d  
\wMr[_LW  
第5章 脉冲激光沉积 >XA#/K  
5.1 脉冲激光沉积概述 %lvSO/
F+  
5.2 PLD的基本原理 KktQA*G  
5.2.1 激光与靶的相互作用 "#JRw  
5.2.2 烧蚀物的传输 (fq>P1-  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ~6R| a  
5.3 颗粒物的抑制 $g*|h G/{  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 CFVe0!\  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 I'C{=?  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 gXG1w>  
参考文献 }F-WOQ  
ms<?BgCSz  
第6章 分子束外延 RTSg=   
6.1 引言 Hl]3F^{  
6.2 分子束外延的原理和特点 .F9>|Xx[  
6.3 外延生长设备 :H6Ipa  
6.4 分子束外延生长硅 poeKY[].  
6.4.1 表面制备 .aF+>#V=Q  
6.4.2 外延生长 V\Rbnvq  
6.4.3 掺杂 o XA*K.X<  
6.4.4 外延膜的质量诊断 5`0tG;  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 n pBpYtG  
6.5.1 MBE生长GaAs Uq7 y4zJ  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs t(^c]*r~  
6.5.3 MBE生长GaN MAhcwmZNy  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 EI]NOG 0  
6.6.1 HgCdTe材料 HA>b'lqBM  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 (eSa{C\  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 [|e7oNT(Q  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ?~;G)5  
6.6.5 ZnO薄膜 CpO!xj+  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Kt9:V,  
6.7.1 SiC：材料 JZ'`.yK:  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 9)'L,Xt4:T  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 g6+}'MN:5  
参考文献 /wVrr%SN  
j$a,93P5  
第7章 液相外延 q B5cF_  
7.1 液相外延生长的原理 NFv9%$l-  
7.1.1 液相外延基本概况 6;k#|-GU&  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 \2@OS6LUe  
7.2 液相外延生长方法和设备 >#<o7]  
7.3 液相外延生长的特点 `A])4q$  
7.4 液相外延的应用实例 Ag^Cb'3X  
7.4.1 硅材料 #toKT_  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 6MqJy6  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Z[s{  
7.4.4 SiC材料  5k{a(I  
参考文献 w-pdpbHV  
QD-#sU]  
第8章 湿化学制备方法 x/ lW=EQ  
8.1 溶胶-凝胶技术 @;!s"!~sv  
7'k+/rAO  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ,~p'p)  
第10章 半导体器件制备技术 eJIBkFW/3y  
参考文献 %s6|w=.1  
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