半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 <W^~Y31:0  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 yiA\$mtO  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 41D[[Gh  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 )U`kU`+'  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 qz2d'OhmtH  
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第1章 真空技术 H9[.#+ln  
1.1 真空的基本概念 +y#979A,  
1.1.1 真空的定义 \MPy"uC  
1.1.2 真空度单位 svgi!=  
1.1.3 真空区域划分 v1rGq  
1.2 真空的获得 q=(wK&  
1.3 真空度测量 C`K/ai{4  
1.3.1 热传导真空计 j. cH,Y  
1.3.2 热阴极电离真空计 %LmB`DqZ  
1.3.3 冷阴极电离真空计 `8Ix&d3F  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 4B(qVf&M  
参考文献 jqmP^ZS  

@)wXP@7  
第2章 蒸发技术 D=]P9XDvb.  
2.1 发展历史与简介 eU*hqy?0  
2.2 蒸发的种类 J],BO\ECH  
2.2.1 电阻热蒸发 ~8E rl3=5{  
2.2.2 电子束蒸发 ]~,'[gWb  
2.2.3 高频感应蒸发 d1TG[i<J_  
2.2.4 激光束蒸发 o*VQH`G*|g  
2.2.5 反应蒸发 [c~zO+x  
2.3 蒸发的应用实例 Rk^&ras_  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 0't)fnI#  
2.3.2 ITO薄膜 s3S73fNOk  
参考文献 fN;
y\!q5  
:-n4!z"k  
第3章 溅射技术 +bU(-yRy5o  
3.1 溅射基本原理 T8k oP  
3.2 溅射主要参数 7="V7  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 dfce/QOV  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 +q!6zGs.  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 |H49FL  
3.3 溅射装置及工艺 n"vI>_|G  
3.3.1 阴极溅射 aQuENsB  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 _1QNO#X  
3.3.3 射频溅射 bcg)K`'N  
3.3.4 磁控溅射 kQtl&{;k?  
3.3.5 反应溅射 IAQ=d4V&  
3.4 离子成膜技术 1l{n`gR  
3.4.1 离子镀成膜 pK%'S  
3.4.2 离子束成膜 [a2/`ywdV  
3.5 溅射技术的应用 H>?@nYP  
3.5.1 溅射生长过程 -lHJ\=  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 F{S.f1Bsp  
参考文献 [aW#7  
z Ey&%Ok  
第4章 化学气相沉积 Z]dc
%>  
4.1 概述 6AY%onY  
4.2 硅化学气相沉积 ?*HlAVDcFT  
4.2.1 CVD反应类型 TM9>r :j'  
4.2.2 CVD热力学分析 ?Z"}RMM)8  
4.2.3 CVD动力学分析 Q{l;8MCL  
4.2.4 不同硅源的外延生长 l }[ 4  
4.2.5 成核 0nX5 $Kn  
4.2.6 掺杂 5 ,HNb
 
4.2.7 外延层质量 (s~hh  
4.2.8 生长工艺 N
|; cG[W  
4.3 CVD技术的种类 D UeT  
4.3.1 常压CVD $J+$8pA  
4.3.2 低压CVD -Q/Dbz#-  
4.3.3 超高真空CVD lsd\ `X5,  
4.4 能量增强CVD技术 3)sqAs(  
4.4.1 等离子增强CVD +!rK4[W'  
4.4.2 光增强CVD Ek:u[Uw\  
4.5 卤素输运法 #gq3 e  
4.5.1 氯化物法 afjC~}  
4.5.2 氢化物法 *|'k  
4.6 MOCVD技术 tSjK=1"}  
4.6.1 MOCVD简介 %rYt; 7B  
4.6.2 MOCVD生长GaAs p[RD[&#b  
4.6.3 MOCVD生长GaN DWD
e5$^{  
4.6.4 MOCVD生长ZnO D6D*RT
i4  
4.7 特色CVD技术 Eyuc~[  
4.7.1 选择外延CVD技术 @-wAR=k7  
4.7.2 原子层外延 y]k`}&-~  
参考文献 #RcmO*
*  
'(Pbz   
第5章 脉冲激光沉积 m1TPy-|1  
5.1 脉冲激光沉积概述 }I]9I _S  
5.2 PLD的基本原理 6eb5q/  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ^T"A9uaG  
5.2.2 烧蚀物的传输 {)G3*>sG3  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 lD(d9GVm{z  
5.3 颗粒物的抑制 oR~+s&c  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 &]5<^?3  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 k,H4<")H  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 3' ^ON  
参考文献 ]HRE-g  
sM4N`$Is23  
第6章 分子束外延 0pu'K)Rb  
6.1 引言 "l!"gc87  
6.2 分子束外延的原理和特点 Z|)~2[Roa  
6.3 外延生长设备 oY{*X6:6<  
6.4 分子束外延生长硅 Wd[XQZ<  
6.4.1 表面制备 ,y^By_1wS  
6.4.2 外延生长 {T$;BoR#O  
6.4.3 掺杂 Cnc77EUD  
6.4.4 外延膜的质量诊断 sQR;!-j  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 bw@tA7Y  
6.5.1 MBE生长GaAs ?p`}6s Q}  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ?H
y++  
6.5.3 MBE生长GaN  d(k`Yk8  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 Kl^
Yq  
6.6.1 HgCdTe材料 3p7*UVR"  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 n^'{{@&(v  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 3>;U||O  
6.6.4 ZnSe、ZnTe  3o/f#y  
6.6.5 ZnO薄膜 `toSU>:  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ;e-iiC]PI  
6.7.1 SiC：材料 1wwhTek  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 iud%X51  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 %$b 5&>q  
参考文献 $ \jly  
B3K%V|;z )  
第7章 液相外延 A1i-QG/6  
7.1 液相外延生长的原理 jJ9|  
7.1.1 液相外延基本概况 |>VHV} 4)<  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 =uD2j9!"7  
7.2 液相外延生长方法和设备 cZ5[A
T  
7.3 液相外延生长的特点 |GIT{_JE  
7.4 液相外延的应用实例 LV`- eW  
7.4.1 硅材料 t
#kmtJC  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 3n X7$$X  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 a29mVmi>  
7.4.4 SiC材料 guBOR0x`  
参考文献 fE7Kv_N-%  
Yzd-1Jvk  
第8章 湿化学制备方法 !zD| @sX{  
8.1 溶胶-凝胶技术 jk)U~KGcg  
5-n N8qs  
第9章 半导体超晶格和量子阱 lnTl"9F  
第10章 半导体器件制备技术 9;.dNdg>  
参考文献 e;Q~P]x  
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