半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 j\RpO'+}  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 0^'
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 uR6w|e`  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 }G$]LWgQx
 
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 :"0J=>PH:  
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第1章 真空技术 7:=5"ScV  
1.1 真空的基本概念 URcR  
1.1.1 真空的定义 }2)DPP:ic  
1.1.2 真空度单位 !~<siy  
1.1.3 真空区域划分 N12:{U  
1.2 真空的获得 *0Gz)'  
1.3 真空度测量 NkxCs  
1.3.1 热传导真空计 $N$ FtpB  
1.3.2 热阴极电离真空计 p<WFqLe(":  
1.3.3 冷阴极电离真空计 3HyhEVR-#~  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 [-*F"}D,  
参考文献 
e2$]g>  
u%O-;>J  
第2章 蒸发技术 ZA#y)z8!E  
2.1 发展历史与简介 09M;}4ev&7  
2.2 蒸发的种类 PBks` |+  
2.2.1 电阻热蒸发 D 7shiv|,  
2.2.2 电子束蒸发 -jg (GGJ  
2.2.3 高频感应蒸发 ;)DzCc/  
2.2.4 激光束蒸发 '!vc/Hw  
2.2.5 反应蒸发 Iy {U'a!  
2.3 蒸发的应用实例 ,$r2gr!_G  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Q"a2.9
Eo  
2.3.2 ITO薄膜 SP 2 8  
参考文献 e{G_GycH  
KiLvI,9y  
第3章 溅射技术 %IpSK 0<Sp  
3.1 溅射基本原理
U6 82Th  
3.2 溅射主要参数 w5]"ga>Y  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ;'RFo?u K  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 w#PZu+  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 pt:;9hA  
3.3 溅射装置及工艺 1TqF6`;+  
3.3.1 阴极溅射 0rMqWP
 
3.3.2 三极溅射和四极溅射 ](r ^.
k,R  
3.3.3 射频溅射 c|wCKn}`  
3.3.4 磁控溅射 b5ie <s  
3.3.5 反应溅射 "2n;3ByR  
3.4 离子成膜技术 ucg$Ed  
3.4.1 离子镀成膜 DM7}&~  
3.4.2 离子束成膜 6i@ub%qq  
3.5 溅射技术的应用 ~ }KzJiL  
3.5.1 溅射生长过程 eVnbRT2y&  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 % m
n />  
参考文献 {KaN,td9  
9rj('F&1  
第4章 化学气相沉积 }(i(Ar-  
4.1 概述 c]Un
bm^w  
4.2 硅化学气相沉积 G_oX5:J*  
4.2.1 CVD反应类型 C@dGWAG  
4.2.2 CVD热力学分析 KvFR8s  
4.2.3 CVD动力学分析 }X1.Wt=?  
4.2.4 不同硅源的外延生长  ';lfS  
4.2.5 成核 <A~GW 'HB  
4.2.6 掺杂 m^$5K's&  
4.2.7 外延层质量 UC9{m252  
4.2.8 生长工艺 6c\DJD  
4.3 CVD技术的种类 {*=E?oF@  
4.3.1 常压CVD SfI*bJo>V  
4.3.2 低压CVD 7u%a/<  
4.3.3 超高真空CVD Gj6. Iv  
4.4 能量增强CVD技术 Fn,k!q  
4.4.1 等离子增强CVD :4;S"p  
4.4.2 光增强CVD wkT;a&_  
4.5 卤素输运法 ?R?Grw)`H  
4.5.1 氯化物法 7~.ZE   
4.5.2 氢化物法 2,AaP*,  
4.6 MOCVD技术 gg8c7d:Q  
4.6.1 MOCVD简介 G*\sdBW!k  
4.6.2 MOCVD生长GaAs oa0X5}D  
4.6.3 MOCVD生长GaN SMq9j,k  
4.6.4 MOCVD生长ZnO @%B4;c  
4.7 特色CVD技术 Ex,JB +  
4.7.1 选择外延CVD技术 ,+-?Zv 2  
4.7.2 原子层外延 '0Zm#g  
参考文献 fNxw&ke8&  
B T7Id  
第5章 脉冲激光沉积 hPPB45^  
5.1 脉冲激光沉积概述 V<-htV  
5.2 PLD的基本原理 6GOg_P  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ;5M<j3_*  
5.2.2 烧蚀物的传输 A7'bNd6f9  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 "-U3
=+  
5.3 颗粒物的抑制 ]31$KBC  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 
>-<F)  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 G^
KC&  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 5+y`P$K@  
参考文献 $I(}r3r  
N*1  
第6章 分子束外延 <3Fz>}V32  
6.1 引言 ?>)yKa#U  
6.2 分子束外延的原理和特点 _?Ckq
 
6.3 外延生长设备 E._hg+ (Hi  
6.4 分子束外延生长硅 hZ o5p&b  
6.4.1 表面制备 bFn(w:1Q  
6.4.2 外延生长 #7C6
yXb%  
6.4.3 掺杂 N(7u],(Om  
6.4.4 外延膜的质量诊断 .D3`'K3t{[  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 96)v#B?p  
6.5.1 MBE生长GaAs RO$*G jQd  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 5Jd` ^U  
6.5.3 MBE生长GaN {_Np<r;j<  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 V g6S/-  
6.6.1 HgCdTe材料 C M^r|4K  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 y^YVo^3  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 BJIFl!w  
6.6.4 ZnSe、ZnTe JilKZQmk  
6.6.5 ZnO薄膜 }+JLn%H)  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 .)0gz!Z  
6.7.1 SiC：材料 (k#t}B[  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 %Y 2G  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 D9G0k[D,  
参考文献 n531rkK-   
"Y(%oJS]D  
第7章 液相外延 [[$Mh_MD  
7.1 液相外延生长的原理 >E~~7Yal  
7.1.1 液相外延基本概况 }Oh5Nm)  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 E]?2!)mgce  
7.2 液相外延生长方法和设备 G "c/a8  
7.3 液相外延生长的特点 ME,duY/>Q  
7.4 液相外延的应用实例 klo^K9!  
7.4.1 硅材料 Pd
,!&
  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 6<+8}`@B>G  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ?qIGQ/af&  
7.4.4 SiC材料 ',%5mF3j  
参考文献 lkyJ;}_**  
%27G2^1  
第8章 湿化学制备方法 4(;20(q]  
8.1 溶胶-凝胶技术 x;*VCs
 
>7
W"giWP  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Yr:>icz|  
第10章 半导体器件制备技术 ;wpW2%&  
参考文献 + p'\(Z(  
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