半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 Ol9'ZB|R  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 od\Q<Jm}  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 |3?q
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 +8 avA:o  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 \?_eQKiZ3  

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第1章 真空技术 (0Xgv3wd  
1.1 真空的基本概念 !`yg bI.  
1.1.1 真空的定义 AK/_^?zAs  
1.1.2 真空度单位 IGj%)_W  
1.1.3 真空区域划分 5__8+R  
1.2 真空的获得 u:Q_XXT5  
1.3 真空度测量 |.x |BJ  
1.3.1 热传导真空计 z (,%<oX  
1.3.2 热阴极电离真空计 rkdwGqG  
1.3.3 冷阴极电离真空计 C~.7m-YW  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 G(-1"7  
参考文献 gQJy"f  
DbdxHuKa>  
第2章 蒸发技术 ?\C7.
of  
2.1 发展历史与简介 ^h z4IZ^  
2.2 蒸发的种类 MX-(;H  
2.2.1 电阻热蒸发 mJaWzR  
2.2.2 电子束蒸发 w1-/U+0o  
2.2.3 高频感应蒸发 H[ DrG6GA  
2.2.4 激光束蒸发 Jb'M/iG  
2.2.5 反应蒸发 HY.?? 5MH  
2.3 蒸发的应用实例 GVT+c@Gx  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 1k2+eI  
2.3.2 ITO薄膜 D=U"L-rRs  
参考文献 cNzn2-qv  
Y3+G
BqP  
第3章 溅射技术 RzG<&a3B3s  
3.1 溅射基本原理 []D@"Bz  
3.2 溅射主要参数 |0vV?f$  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 &<Bx1\ ~V  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 >z*2Og#1  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 2YD;Gb[8  
3.3 溅射装置及工艺 2 w2JFdm  
3.3.1 阴极溅射 Yl[GO}M  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 20G..>zW  
3.3.3 射频溅射 gw0b>E8gZ&  
3.3.4 磁控溅射 D}1Z TX_  
3.3.5 反应溅射 4@D 8{?$~Q  
3.4 离子成膜技术 F2yc&mXyk  
3.4.1 离子镀成膜 **L. !/  
3.4.2 离子束成膜 U$j*{`$4  
3.5 溅射技术的应用 \K+LKa)  
3.5.1 溅射生长过程 9IgozYj  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 SG1fu<Q6J  
参考文献 wV- kB4^4
 
-AUdBG  
第4章 化学气相沉积 ?Xscc mN  
4.1 概述 #F\}PCBe'  
4.2 硅化学气相沉积 Iy\{)+}aS  
4.2.1 CVD反应类型 oR'8|~U@B  
4.2.2 CVD热力学分析 %/17K2g  
4.2.3 CVD动力学分析 H tIl;E  
4.2.4 不同硅源的外延生长 6$TE-l  
4.2.5 成核 H-GlCVq~  
4.2.6 掺杂 )BR6?C3  
4.2.7 外延层质量 7@R;lOzL3  
4.2.8 生长工艺 Gma)
8X#  
4.3 CVD技术的种类 tgn_\-+  
4.3.1 常压CVD PaPQ|Pwz  
4.3.2 低压CVD ^&iUC&8W  
4.3.3 超高真空CVD qF m=(J%  
4.4 能量增强CVD技术 |7Z7_YWs  
4.4.1 等离子增强CVD h$)},% e  
4.4.2 光增强CVD VkCv`E  
4.5 卤素输运法 nlaJ  
4.5.1 氯化物法 G<9UL*HU  
4.5.2 氢化物法 ZSj^\JU  
4.6 MOCVD技术 HMbF#!E  
4.6.1 MOCVD简介 FCv3ZF?K  
4.6.2 MOCVD生长GaAs Y_n^6 ;  
4.6.3 MOCVD生长GaN g6:S"Em  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 0\f3La  
4.7 特色CVD技术 qSh^|;2?R  
4.7.1 选择外延CVD技术 V3&_ST  
4.7.2 原子层外延 ;C=C`$Q  
参考文献 hO3>Gl5<  
#Aox$[|@  
第5章 脉冲激光沉积 VmM?KlC  
5.1 脉冲激光沉积概述 !\.%^LK1  
5.2 PLD的基本原理 |) {)w`  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ]t-_.E )F  
5.2.2 烧蚀物的传输 zCxr]md  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 @Y":DHF5q  
5.3 颗粒物的抑制 zmk#gk2H  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 fI@4 v\  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
=ja(;uC  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 Id3i qAL  
参考文献 J8[N!qDCj  
XPnN"Y"y  
第6章 分子束外延 4%/iu)nx  
6.1 引言 /*DC`,q  
6.2 分子束外延的原理和特点 Tl9KL%9  
6.3 外延生长设备 q1QrtJFPG  
6.4 分子束外延生长硅 z>$AZ>t%J$  
6.4.1 表面制备 *I7$\0Q  
6.4.2 外延生长 A7!!kR":  
6.4.3 掺杂 4%do.D*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 NMYkEz(&R  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 6j9P`#Lt  
6.5.1 MBE生长GaAs 8Qtd,  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs cTf/B=yMi  
6.5.3 MBE生长GaN ,Q~C F;qe  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 _:4n&1{.E  
6.6.1 HgCdTe材料 yM(zc/?  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长
:|i jCg+  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 w@U`@})r.  
6.6.4 ZnSe、ZnTe XKqUbi  
6.6.5 ZnO薄膜 5nL,sFd  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构  w.kb/  
6.7.1 SiC：材料 H6Q1r[(B  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 o)<c1\q  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 dQ+{
Dv3A  
参考文献 {J-kcD!bz`  
lTOO`g  
第7章 液相外延 ts rcX  
7.1 液相外延生长的原理 FL-yt  
7.1.1 液相外延基本概况 rdd%"u+  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 oW]~\vp^0  
7.2 液相外延生长方法和设备 ptXCM[Z+  
7.3 液相外延生长的特点 F6 ?4E"d  
7.4 液相外延的应用实例 >% a^;gk(  
7.4.1 硅材料 lqPzDdC^>  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ^b-o  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 }$-;P=k  
7.4.4 SiC材料 {L 7O{:J  
参考文献 IN2FO/Y@  
afEhC0j  
第8章 湿化学制备方法 6\4~&+;wL  
8.1 溶胶-凝胶技术  )L}6to  
\ UCOe  
第9章 半导体超晶格和量子阱 6{/HNEI*1  
第10章 半导体器件制备技术 -ZXC^zt  
参考文献 zX+NhTTB  

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