半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 g?C;b>4  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Y.tx$%
 
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 H}@:Br
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 k9|5TLXq?  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 eim+oms  

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第1章 真空技术 IgT`on3Y  
1.1 真空的基本概念
B5e9'X^ [  
1.1.1 真空的定义 D28`?B9(  
1.1.2 真空度单位 +/:tap|V  
1.1.3 真空区域划分 Dn- gP  
1.2 真空的获得 ITu19WG  
1.3 真空度测量 G)3I+uxn  
1.3.1 热传导真空计 M[uWX=  
1.3.2 热阴极电离真空计 EeIDlm0o  
1.3.3 冷阴极电离真空计 IRdt:B|@  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ~MpikBf  
参考文献 J 3!~e+wn  
`]Bb0h1![  
第2章 蒸发技术 s
6H'}[E<  
2.1 发展历史与简介 K%^n.  
2.2 蒸发的种类 2[E wN!IZ  
2.2.1 电阻热蒸发 ?b7\m":'  
2.2.2 电子束蒸发 rS8a/d~;0  
2.2.3 高频感应蒸发 N<EVs.7  
2.2.4 激光束蒸发 . ,7bGY 1$  
2.2.5 反应蒸发 0p.bmQSH  
2.3 蒸发的应用实例 )?n'ZhsX  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 rg/{5f  
2.3.2 ITO薄膜 NnZW@l
n"|  
参考文献 4s\s
pvJ  
h}bfZL  
第3章 溅射技术 KKeMi@N  
3.1 溅射基本原理 QYJ EUC@  
3.2 溅射主要参数 0=d2_YzSf  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 1Pf(.&/9_  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 49$P  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 7#8Gn=g  
3.3 溅射装置及工艺
 *kr/,_K  
3.3.1 阴极溅射 V\~.  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 `-NK:;^  
3.3.3 射频溅射 ?^|`A}q#  
3.3.4 磁控溅射 \l+v,ELX=  
3.3.5 反应溅射 %pWn9  
3.4 离子成膜技术 AerU`^  
3.4.1 离子镀成膜 %>_[
b,  
3.4.2 离子束成膜 :1v,QEb\  
3.5 溅射技术的应用 &H(yLd[  
3.5.1 溅射生长过程 ]`^!
]Ql  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ^E&PZA\,;  
参考文献 3f;=#|l  
3;nOm =I  
第4章 化学气相沉积 -@TY8#O#-  
4.1 概述 jW/WG tz  
4.2 硅化学气相沉积 UK`A:N2[  
4.2.1 CVD反应类型 +`y(S}Z  
4.2.2 CVD热力学分析 ?u|??z%  
4.2.3 CVD动力学分析 VK}4<u  
4.2.4 不同硅源的外延生长 gY}In+S  
4.2.5 成核 m0HK1'  
4.2.6 掺杂 wjarQog5Y  
4.2.7 外延层质量 P5S]h  
4.2.8 生长工艺 K+g[E<x\=  
4.3 CVD技术的种类 )m%uSSx#  
4.3.1 常压CVD 3G})$y3m  
4.3.2 低压CVD 0zt]DCdY  
4.3.3 超高真空CVD ,GbmL8P7Y  
4.4 能量增强CVD技术 OV>&`puL  
4.4.1 等离子增强CVD &(F c .3m  
4.4.2 光增强CVD ?HEqv$n  
4.5 卤素输运法 h$S#fY8  
4.5.1 氯化物法 OvfluFu7  
4.5.2 氢化物法 >7U/TVd&  
4.6 MOCVD技术 }$6L]   
4.6.1 MOCVD简介 ;p`1Y<d-O  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 3i^X9[.  
4.6.3 MOCVD生长GaN dab]>% M  
4.6.4 MOCVD生长ZnO |}"YUk^  
4.7 特色CVD技术 PN* .9;5Z  
4.7.1 选择外延CVD技术 ^'UM@dd?!  
4.7.2 原子层外延 ;?h[WIy  
参考文献 {gMe<y  
dwj?;  
第5章 脉冲激光沉积 U S^% $Z:  
5.1 脉冲激光沉积概述 )>a~%~:  
5.2 PLD的基本原理 xATx2*@X2  
5.2.1 激光与靶的相互作用 EOPx4+o  
5.2.2 烧蚀物的传输 .jrNi=BP*  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 FW]tDGJOw  
5.3 颗粒物的抑制 /A_:`MAZ  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 R >xd*A  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 )e(<YST  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 \C~X_/sg  
参考文献 \"P{8<h.3  
U-|]A\`)I  
第6章 分子束外延 ~Xi@#s
~  
6.1 引言 emSq{A  
6.2 分子束外延的原理和特点 ]jT}]9Q$  
6.3 外延生长设备 T"wg/mT  
6.4 分子束外延生长硅 $4bc!  
6.4.1 表面制备 _!xrBdaJ  
6.4.2 外延生长 ^WA7X9ed  
6.4.3 掺杂 @]uqC~a^  
6.4.4 外延膜的质量诊断 R%r bysP  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ]#
0 (  
6.5.1 MBE生长GaAs WjD885Xo  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ;zCUx*{  
6.5.3 MBE生长GaN RpdUR*K9x  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 `}X3f#eO&  
6.6.1 HgCdTe材料 |)x7qy`  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 qx
ZIH
 
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 fit{n]g  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ?v^NimcZ  
6.6.5 ZnO薄膜 G e;67  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 8/e-?2l  
6.7.1 SiC：材料 #W\}v(Ke  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 qqDg2,Yb  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 3,PR6a,b'  
参考文献 ch i=]*9  
@SfQbM##%  
第7章 液相外延 -wU]L5uP  
7.1 液相外延生长的原理 ,dC.|P' `  
7.1.1 液相外延基本概况 
W(q3m;n  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 17hoX4T  
7.2 液相外延生长方法和设备 b]u$!W  
7.3 液相外延生长的特点 (j}7|*.  
7.4 液相外延的应用实例 2z>-H595az  
7.4.1 硅材料 zlMh^+rMX  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ybaY+![*  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 yan^\)HZ  
7.4.4 SiC材料 aZ@pfWwa:  
参考文献 *-0s `rC  
N{J
1C6  
第8章 湿化学制备方法 1>(EvY}Y\  
8.1 溶胶-凝胶技术 U>tR:)  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 5lsslE+:J  
第10章 半导体器件制备技术 -K|1w'E  
参考文献
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