半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 <ORz`^27o  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 5BO!K$6  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 K}(n;6\  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 j1CD;9i)%  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 aC]l({-0  
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第1章 真空技术 `B0*/ml  
1.1 真空的基本概念 !D5`8  
1.1.1 真空的定义 E4ee_`p  
1.1.2 真空度单位 ul&7hHp_u%  
1.1.3 真空区域划分 ?6]ZQ\,  
1.2 真空的获得 IHmNi>E&/  
1.3 真空度测量 I~6 ;9TlQ  
1.3.1 热传导真空计 _ILOA]ga#  
1.3.2 热阴极电离真空计 W>IKy#  
1.3.3 冷阴极电离真空计 .Vjpkt:H  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 w%H#>k  
参考文献 
gb#wrI  
>2a#|_-T  
第2章 蒸发技术 Rp9iX~A`e  
2.1 发展历史与简介 *Yjs$'_2  
2.2 蒸发的种类 4/vQ=t  
2.2.1 电阻热蒸发 RIc<  
2.2.2 电子束蒸发 yiA\$mtO  
2.2.3 高频感应蒸发 78#ud15Ml  
2.2.4 激光束蒸发 PelV67?M  
2.2.5 反应蒸发 DcDGrRuh  
2.3 蒸发的应用实例 7U0):11X#  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 =S +:qk  
2.3.2 ITO薄膜 4Lb<#e13R?  
参考文献 3A
b$  
;<rJ,X#  
第3章 溅射技术 M$A
!
 
3.1 溅射基本原理 I2Q?7p  
3.2 溅射主要参数 50`r}
s}  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ']Y:gmM"  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Ms3/P|{"p  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 a]ey..m  
3.3 溅射装置及工艺 }N!8i'suz9  
3.3.1 阴极溅射 <#`L&w.  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 /UAj]U  
3.3.3 射频溅射 0CYI,V  
3.3.4 磁控溅射 AkC\CdmA  
3.3.5 反应溅射 ~!u94_:  
3.4 离子成膜技术 -fn~y1  
3.4.1 离子镀成膜 $5O&[/L  
3.4.2 离子束成膜 ?-i&6i6Y  
3.5 溅射技术的应用 9r}}
m0  
3.5.1 溅射生长过程 K~G^jAk+  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 JH9CN  
参考文献 tO
$M[P=b  
!;oBvE7Kh  
第4章 化学气相沉积 2x CGr>X  
4.1 概述 1's^W  
4.2 硅化学气相沉积 Ado>)c"*y1  
4.2.1 CVD反应类型 5#tvc4+)
  
4.2.2 CVD热力学分析 xRmB?kM3]5  
4.2.3 CVD动力学分析 LdV_7)  
4.2.4 不同硅源的外延生长 @wz7jzMi  
4.2.5 成核 u/WkqJvw#  
4.2.6 掺杂 YTsn;3d]}  
4.2.7 外延层质量 &[xJfL  
4.2.8 生长工艺 ~C3-E %h@Z  
4.3 CVD技术的种类 EY(4<;)  
4.3.1 常压CVD B{<6&bQ  
4.3.2 低压CVD $TiAJ}:  
4.3.3 超高真空CVD &40dJ~SQ  
4.4 能量增强CVD技术 gUlZcb  
4.4.1 等离子增强CVD >FO=ioNY  
4.4.2 光增强CVD NO)*UZ  
4.5 卤素输运法 F
u)7J4Z  
4.5.1 氯化物法 iuRXeiG8  
4.5.2 氢化物法 &kGSxYDk%  
4.6 MOCVD技术 ! >V1zk  
4.6.1 MOCVD简介 ?g2K&  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 5sRNqTIr  
4.6.3 MOCVD生长GaN >"b"
K{t  
4.6.4 MOCVD生长ZnO `Jo}/c5R  
4.7 特色CVD技术 Rp1OC  
4.7.1 选择外延CVD技术 7O j9~3o4  
4.7.2 原子层外延 ~ i,my31  
参考文献 :.^{!  
a+d|9y/k  
第5章 脉冲激光沉积 Fwtwf{9I  
5.1 脉冲激光沉积概述 ,wjL3c  
5.2 PLD的基本原理 mvnK)R_  
5.2.1 激光与靶的相互作用 b`' ;`*AN+  
5.2.2 烧蚀物的传输
Fc Cxr@  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 uxBk7E%6  
5.3 颗粒物的抑制 e3.TGv7=  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 XT\;2etVL  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 $J+$8pA  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 -Q/Dbz#-  
参考文献 lsd\ `X5,  
.(krB%N  
第6章 分子束外延 E^s>S
,U[y  
6.1 引言 TD@'0MaQ#  
6.2 分子束外延的原理和特点 E[y?\{  
6.3 外延生长设备 s<{c?4T  
6.4 分子束外延生长硅 K)n(U9#  
6.4.1 表面制备 5M3QRJ!  
6.4.2 外延生长 yTk9+>  
6.4.3 掺杂 H]-nm+  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Nt)9-\T  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Gl+}]Vn[n  
6.5.1 MBE生长GaAs @#p4QEQA  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 1FuChd  
6.5.3 MBE生长GaN 0x84 Ah)  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 aLr^uce]  
6.6.1 HgCdTe材料 PO#FtG  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 (%bfNs|  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ;YB8X&H$  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ]l4\/EW6  
6.6.5 ZnO薄膜 R!`#pklB  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 lD(d9GVm{z  
6.7.1 SiC：材料 oR~+s&c  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 &]5<^?3  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 k,H4<")H  
参考文献 3' ^ON  
dJkTHmw  
第7章 液相外延 )]>9\(  
7.1 液相外延生长的原理 8<P.>u  
7.1.1 液相外延基本概况 !R-UL#w9W'  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 r`5;G4UI  
7.2 液相外延生长方法和设备 b{sFN!  
7.3 液相外延生长的特点 o)NWsUXf  
7.4 液相外延的应用实例 lps  
7.4.1 硅材料 ,5q^/h  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 x9uA@$l^|
 
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 MtS$ovg?  
7.4.4 SiC材料 Ih{~?(V$  
参考文献 8F%TZM  
E3`KO'v%  
第8章 湿化学制备方法 q.#aeqKBP  
8.1 溶胶-凝胶技术 ;$nK ^  
P0W%30Dh  
第9章 半导体超晶格和量子阱 n^'{{@&(v  
第10章 半导体器件制备技术 3>;U||O  
参考文献  3o/f#y  
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