半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 #qk=R7"Q  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 X2I_,k'fQ  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Ge({sy>X  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 0t7)x8c  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Kn3Xn`P?  
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第1章 真空技术 oMemF3M  
1.1 真空的基本概念 ez9F!1  
1.1.1 真空的定义 Pc&dU1  
1.1.2 真空度单位 IR]5,K^l  
1.1.3 真空区域划分 u(yN
81  
1.2 真空的获得 [(g2u@  
1.3 真空度测量 Z&?4<-@6\p  
1.3.1 热传导真空计 4Th?q
{X  
1.3.2 热阴极电离真空计 D1+1j:m  
1.3.3 冷阴极电离真空计 @i> r(
X  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 1P"{TMd?  
参考文献 Fs~*-R$  
D^h! ].3 T  
第2章 蒸发技术 L'a+1O1q&i  
2.1 发展历史与简介 8mmnnf{P  
2.2 蒸发的种类 j;48Yya'  
2.2.1 电阻热蒸发 &b^_~hB:q  
2.2.2 电子束蒸发 u0<yGsEGD  
2.2.3 高频感应蒸发 huA?*fat   
2.2.4 激光束蒸发 (!8b$)k  
2.2.5 反应蒸发 pam9wfP  
2.3 蒸发的应用实例 jP/Vqe%%8  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 XP
f{R619  
2.3.2 ITO薄膜 2o9B >f&g  
参考文献 %^E7Iqc  
@1xVWSF  
第3章 溅射技术 XXX y*/P  
3.1 溅射基本原理 )TVd4s(e  
3.2 溅射主要参数 NAtDt=  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 At[Q0'jkc  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Q|+ a   
3.2.3 溅射速率和淀积速率 r?Mf3U^G  
3.3 溅射装置及工艺 x&J\swN9  
3.3.1 阴极溅射 M`q|GY  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 t}I@Rmso  
3.3.3 射频溅射 3 eF c  
3.3.4 磁控溅射 Dz$w6d  
3.3.5 反应溅射 tA4Ra,-c  
3.4 离子成膜技术 o:cTc:l)  
3.4.1 离子镀成膜 S'$m3,l(k  
3.4.2 离子束成膜 OAiW8BAe  
3.5 溅射技术的应用 bJ 6ivz  
3.5.1 溅射生长过程 u59l)8=  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 li?@BHEf  
参考文献 oLR/\Y(  
OESKLjFt  
第4章 化学气相沉积 S?`0,F  
4.1 概述 7neJV  
4.2 硅化学气相沉积 {Mb<onW  
4.2.1 CVD反应类型 XP!m]\E&I  
4.2.2 CVD热力学分析 B_[I/ ?  
4.2.3 CVD动力学分析 \reVA$M[  
4.2.4 不同硅源的外延生长 u/|@iWK:  
4.2.5 成核 urkuG4cY  
4.2.6 掺杂 IEm~^D#<=  
4.2.7 外延层质量 ;CS[Ja>e  
4.2.8 生长工艺 ~vpF|4Zn5  
4.3 CVD技术的种类 z__t8yc3  
4.3.1 常压CVD aqqo>O3 s  
4.3.2 低压CVD C4PT(cezR  
4.3.3 超高真空CVD s&o9LdL  
4.4 能量增强CVD技术 6RxI9{ry  
4.4.1 等离子增强CVD *)B \M>  
4.4.2 光增强CVD rxMo7px@}I  
4.5 卤素输运法 am3JzH  
4.5.1 氯化物法 }&7kT7ogO  
4.5.2 氢化物法 2.Ww(`swL  
4.6 MOCVD技术 Z
@x&  
4.6.1 MOCVD简介 2 KH
T!ik  
4.6.2 MOCVD生长GaAs bcT_YFLQ  
4.6.3 MOCVD生长GaN 3 ;F  
4.6.4 MOCVD生长ZnO g8'8"9:xC  
4.7 特色CVD技术 eLh35tw  
4.7.1 选择外延CVD技术 YwY?tOxBe  
4.7.2 原子层外延 9&zR i  
参考文献 >*O5Ry:4  
;c]O*\/  
第5章 脉冲激光沉积 ,vvfk=-  
5.1 脉冲激光沉积概述 ;aD~1;q  
5.2 PLD的基本原理 KK
>jV  
5.2.1 激光与靶的相互作用 &@{`{
  
5.2.2 烧蚀物的传输 +PsR*T  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 uA =%EEZ  
5.3 颗粒物的抑制 !<j4*av:G  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 +,R!el!o~u  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 _(gkYJ+MK  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 6A5.n?B{  
参考文献 :+QNN<  
|
zfFB7}v  
第6章 分子束外延 mMZrBz7r  
6.1 引言 tAep_GR  
6.2 分子束外延的原理和特点 WwnBe"7M  
6.3 外延生长设备 iKu3'jZ/O  
6.4 分子束外延生长硅 hmLI9TUe6  
6.4.1 表面制备 OPq|4xu  
6.4.2 外延生长 *UW 8|\;  
6.4.3 掺杂 tGl|/  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Zp_j\B  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 {U3jJ#K  
6.5.1 MBE生长GaAs u&o4?]6  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs =z9,=rR4  
6.5.3 MBE生长GaN @##}zku  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 nSSJl  
6.6.1 HgCdTe材料 [{xY3WS  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 3K~^H1l  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ?uTuO  
6.6.4 ZnSe、ZnTe rttKj{7E  
6.6.5 ZnO薄膜 x%@M*4
:&  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 |8k^jq  
6.7.1 SiC：材料 5Y`4%*$  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 }lPWA/  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 a}VR>!b  
参考文献 8,+T[S  
hF^JSCDz l  
第7章 液相外延 LR#.xFQ+  
7.1 液相外延生长的原理 <T.R%Jys  
7.1.1 液相外延基本概况 9dszn^]T  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 m^ar:mK@  
7.2 液相外延生长方法和设备 +J|LfXgB  
7.3 液相外延生长的特点 8aRmHy"9l  
7.4 液相外延的应用实例 BSSe
he*  
7.4.1 硅材料 @g#| srYD  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 3ZSU^v  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 *Z
.{1  
7.4.4 SiC材料 cJwe4c6.m  
参考文献  r?0w5I  
d^IX(y*$  
第8章 湿化学制备方法 Edh9=sxL  
8.1 溶胶-凝胶技术 [.$%ti
*!  
e>!]_B1ad  
第9章 半导体超晶格和量子阱 $[cB6  
第10章 半导体器件制备技术 Fgwe`[  
参考文献 x3Fn'+  
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