半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 2S8/ lsB  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 B|~\m~  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 GRj{*zs  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 |^@TA
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 ;comL29l2`  

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第1章 真空技术 gzHjD-g-<  
1.1 真空的基本概念 $0K9OF9$
 
1.1.1 真空的定义 :h3 Gk;u  
1.1.2 真空度单位 Md[nlz  
1.1.3 真空区域划分 d8 ve$X  
1.2 真空的获得 TZ
ZqV8  
1.3 真空度测量 J2H8r 'T  
1.3.1 热传导真空计 Md_\9G .e  
1.3.2 热阴极电离真空计 diqG8KaK  
1.3.3 冷阴极电离真空计 A HKS [ N  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 4F8`5)RM  
参考文献 s6).?oE  
H,=??wN  
第2章 蒸发技术 Jo h&Ay  
2.1 发展历史与简介 %-T]!3"n  
2.2 蒸发的种类 P[ KJuc  
2.2.1 电阻热蒸发 Mp$ uEi  
2.2.2 电子束蒸发 dmrM %a}W-  
2.2.3 高频感应蒸发 3QS"n.d  
2.2.4 激光束蒸发
^#%$?w>wI  
2.2.5 反应蒸发 J/wot,j^  
2.3 蒸发的应用实例 1rE
hL  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 K22W=B)Ln  
2.3.2 ITO薄膜 g >-iBxml  
参考文献 .f&,~$e4  
zYSXG-k  
第3章 溅射技术 D@4hQC\  
3.1 溅射基本原理 R`>E_SY  
3.2 溅射主要参数 _.FxqH>  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 C2eei're  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 (g~&$&pa  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 -\>Bphu,y
 
3.3 溅射装置及工艺 iAWPE`u4  
3.3.1 阴极溅射 jB?Tua$,s  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 eVbHPu4  
3.3.3 射频溅射 :fpYraBM  
3.3.4 磁控溅射 Te!q(;L`4  
3.3.5 反应溅射 R0\E?9P  
3.4 离子成膜技术 p#J}@a  
3.4.1 离子镀成膜 |yN7#O-D  
3.4.2 离子束成膜 K-_e' )22.  
3.5 溅射技术的应用 i':<Ro  
3.5.1 溅射生长过程 tq>QZE
g  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 }L@!TWR-Qu  
参考文献 &Cdk%@Tj]B  
Y@^MU->+  
第4章 化学气相沉积 3Xf}vdgdM$  
4.1 概述 MWsBZJR
r  
4.2 硅化学气相沉积 vVZ@/D6w  
4.2.1 CVD反应类型 pt|u?T_+  
4.2.2 CVD热力学分析 xk.\IrB_  
4.2.3 CVD动力学分析 1c+[S]7rY  
4.2.4 不同硅源的外延生长 t~ Q{\!  
4.2.5 成核 ,T jd  
4.2.6 掺杂 *wyaBV?*K  
4.2.7 外延层质量 }r*t V)  
4.2.8 生长工艺 `2d,=.X  
4.3 CVD技术的种类 @y)-!MHN(8  
4.3.1 常压CVD kUn55 l  
4.3.2 低压CVD -~v;'zOO  
4.3.3 超高真空CVD ;l5F il,3  
4.4 能量增强CVD技术 +vBq,'k`  
4.4.1 等离子增强CVD +`_%U7p(  
4.4.2 光增强CVD =f{V<i~q  
4.5 卤素输运法 =R?NOWrDY  
4.5.1 氯化物法 )5)S8~Oc  
4.5.2 氢化物法 &d9tR\}  
4.6 MOCVD技术 Nm:nSqc  
4.6.1 MOCVD简介 pvP|.sw5G  
4.6.2 MOCVD生长GaAs x(5>f9bb  
4.6.3 MOCVD生长GaN W9{6?,]  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ^ ,U9N  
4.7 特色CVD技术 70a7}C\/o  
4.7.1 选择外延CVD技术 ?7/n s>}  
4.7.2 原子层外延 >Ex\j?  
参考文献 2\lUaC#E  
P0DvZV8  
第5章 脉冲激光沉积 kOx2P(UAEx  
5.1 脉冲激光沉积概述 m(XcPb  
5.2 PLD的基本原理 M8:gHjwsx  
5.2.1 激光与靶的相互作用 kiZA$:V8  
5.2.2 烧蚀物的传输 tlQ3BKp  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 \O^b|0zc  
5.3 颗粒物的抑制 `8KWZi4 ]  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 iAbtv^fn  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 73rr"> 9#0  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 QOcB ]G  
参考文献 'kL>F&|  
`\(Fax  
第6章 分子束外延 j#9p0[  
6.1 引言 /H^=`[Mr  
6.2 分子束外延的原理和特点 wz$1^ml  
6.3 外延生长设备 %=S~[&8C  
6.4 分子束外延生长硅 7y&Fb  
6.4.1 表面制备 
Txj%o5G  
6.4.2 外延生长 O (<Wn-  
6.4.3 掺杂 b`PAOQ  
6.4.4 外延膜的质量诊断 j^"Z^TEBT  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 IO/2iSbW  
6.5.1 MBE生长GaAs \@8$tQCZ  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs d/+sR@\  
6.5.3 MBE生长GaN H"tS33  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 <}pqj3  
6.6.1 HgCdTe材料 L8Z[Ly+_  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 w6'o<=  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 -z-58FLlO  
6.6.4 ZnSe、ZnTe k 9R_27F  
6.6.5 ZnO薄膜 !r,ZyJU  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 6I.N:)=  
6.7.1 SiC：材料 KxqT5`P&  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 5^t68 WOl  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 xYtY}?!"  
参考文献 <=/v%VXPm  
G0^WQQ4  
第7章 液相外延 $h`?l$jC(@  
7.1 液相外延生长的原理 !t3)j>h:  
7.1.1 液相外延基本概况 }"06'  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 Vrf2%$g  
7.2 液相外延生长方法和设备 vHZw{'5y  
7.3 液相外延生长的特点 :(c2YZ   
7.4 液相外延的应用实例 )@RTU~#  
7.4.1 硅材料
U{q6_z|c  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 1
uG?R  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 7v}4 Pl,$4  
7.4.4 SiC材料 .Kv>*_
_-Q  
参考文献 NDm@\<MIzB  
h6c8
hp.  
第8章 湿化学制备方法 ~Us1F=i_Q  
8.1 溶胶-凝胶技术 3Wr
l_V  
HWx
k>F0  
第9章 半导体超晶格和量子阱 t48(,  
第10章 半导体器件制备技术 1M7=*w,  
参考文献 VZ&>zF  
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