半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 B/bS:  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 pLsJa?}R  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 6"|+\  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 z[De?8=)  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Schvwlm~i  

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第1章 真空技术 %<;PEQQ|C  
1.1 真空的基本概念 gIcm`5+T  
1.1.1 真空的定义 K5:>  
1.1.2 真空度单位 8?&!@3n  
1.1.3 真空区域划分 #H&`wMZZ:  
1.2 真空的获得 LABLT;c  
1.3 真空度测量 _sC kBDl-  
1.3.1 热传导真空计 xJF}6yPm@  
1.3.2 热阴极电离真空计 [:bYd}J  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ^3w >:4m  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 8eZ^)9m  
参考文献 AOR(1Qyo  
DT>Gi
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第2章 蒸发技术 d/&~IR  
2.1 发展历史与简介 ^fT?(y_=e  
2.2 蒸发的种类 <hmRr  
2.2.1 电阻热蒸发 c_)lTI4  
2.2.2 电子束蒸发 W,p?}KiO T  
2.2.3 高频感应蒸发 QOKE9R#Y  
2.2.4 激光束蒸发 P|kfPohI=  
2.2.5 反应蒸发 =aJb}X  
2.3 蒸发的应用实例 |-.r9;-b  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 b%D}mxbS  
2.3.2 ITO薄膜 A<P rsk!  
参考文献 l|'{Cb   
?;?$\b=  
第3章 溅射技术 6@cT;=W;xj  
3.1 溅射基本原理 fv?vfI+m  
3.2 溅射主要参数 KImazS^  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ad'C&^o5  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 .lIkJQ3d  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 +
N>&b%  
3.3 溅射装置及工艺 zIh`Vw,t0  
3.3.1 阴极溅射 <jHo2U8/"s  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 }^}ep2^  
3.3.3 射频溅射 3ew`e"s  
3.3.4 磁控溅射 "`aLSw75x  
3.3.5 反应溅射 LGF5yRk  
3.4 离子成膜技术 _S;Fs|p_  
3.4.1 离子镀成膜 )|CF)T-  
3.4.2 离子束成膜 ?(P3ZTk?.  
3.5 溅射技术的应用 MPF;P&6  
3.5.1 溅射生长过程 Qlgii_?#@  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 KI~M.2pk  
参考文献 c(G;O)ikS  
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第4章 化学气相沉积 ^E`SR6_cmj  
4.1 概述 .Pi8c[  
4.2 硅化学气相沉积 z2Rg`1B  
4.2.1 CVD反应类型 P*zOt]T  
4.2.2 CVD热力学分析 BaUcmF2Q  
4.2.3 CVD动力学分析 !pG_MO  
4.2.4 不同硅源的外延生长 FT+[[
9i  
4.2.5 成核 #JIh-h@  
4.2.6 掺杂 V [KFZSA  
4.2.7 外延层质量 euc|G Xs  
4.2.8 生长工艺 1Wy0#?L  
4.3 CVD技术的种类 yttI
A/  
4.3.1 常压CVD wJKP=$6n_  
4.3.2 低压CVD y?*4SLy
 
4.3.3 超高真空CVD pQf5s7  
4.4 能量增强CVD技术 5 Yf T
 
4.4.1 等离子增强CVD yPhTCr5pK  
4.4.2 光增强CVD 'k?*?XxG  
4.5 卤素输运法 M5>cYVG  
4.5.1 氯化物法 w5tcO%+k1  
4.5.2 氢化物法 8s#2Zv  
4.6 MOCVD技术 }*s%|!{H  
4.6.1 MOCVD简介 \OX;ZVb?5  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ofIw7D*h  
4.6.3 MOCVD生长GaN G>yTv`-  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 7U_OUUg  
4.7 特色CVD技术 >p|tIST  
4.7.1 选择外延CVD技术 XAF*jevr  
4.7.2 原子层外延 z),@YJU"z  
参考文献 !HPye@Ua  
ygn]f*;?kw  
第5章 脉冲激光沉积 /a:sWmxMT  
5.1 脉冲激光沉积概述 _BP!{~&;  
5.2 PLD的基本原理 WfF~\DlrD  
5.2.1 激光与靶的相互作用 TowRY=#jiS  
5.2.2 烧蚀物的传输 (viGL|Ogn  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 Y~%9TC  
5.3 颗粒物的抑制 |E#+X  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 WY 'Qhi
eH  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 <1(j&U  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 b6y/o48  
参考文献 u~y0H  
IGC:zZ~z  
第6章 分子束外延 e qzmEg  
6.1 引言 suP/I?4'@  
6.2 分子束外延的原理和特点 i{+W62k*  
6.3 外延生长设备 6)_svtg  
6.4 分子束外延生长硅 x%d\}%]  
6.4.1 表面制备 /3mt=1/~{B  
6.4.2 外延生长 7g&"clRGO  
6.4.3 掺杂 1o*eu&@  
6.4.4 外延膜的质量诊断 [@LA<Z_
 
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 "Smek#l  
6.5.1 MBE生长GaAs S%t*!  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ?f\ ~:Gm/  
6.5.3 MBE生长GaN 6Yu&'[?H$  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 { *&Wc Os  
6.6.1 HgCdTe材料 _)U[c;^6  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 'l7ey3B%  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 fCa*#ME  
6.6.4 ZnSe、ZnTe lk?@ =U~  
6.6.5 ZnO薄膜 $
>csm  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 6b6rM%B.oD  
6.7.1 SiC：材料 S7Tc9"oqV  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 q{:]D(   
6.7.3 生长有机半导体薄膜 (m3 <)  
参考文献 P^Tk4_,0  
f%2>pQTq@)  
第7章 液相外延 Z>)M{25  
7.1 液相外延生长的原理 $pLJtQ  
7.1.1 液相外延基本概况 K#>@T<  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 c>}fy  
7.2 液相外延生长方法和设备 H0P:t(<Gt  
7.3 液相外延生长的特点 k=D}i\F8  
7.4 液相外延的应用实例 <T|?`;K
 
7.4.1 硅材料 ^^FqN;  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Z| f~   
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 x$@Gp  
7.4.4 SiC材料 ;?K>dWf3f  
参考文献
{`>;I  
lI*uF~ 'D  
第8章 湿化学制备方法 ^0fe:ac;  
8.1 溶胶-凝胶技术 (- QvlpZ  
&4R-5i2a  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ]?3-;D.eG  
第10章 半导体器件制备技术 LeTOVgjA|  
参考文献 @?!&M c2  
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