半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 E A1?)|}n  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 aP+X}r  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 IY\5@PVZ  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 *C*U5~Zq7:  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 x2\qXN/R  
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第1章 真空技术 qiD@'Va\  
1.1 真空的基本概念 mnX2a  
1.1.1 真空的定义 }@q`%uzi  
1.1.2 真空度单位 k)=s>&hl  
1.1.3 真空区域划分 BG]#o|KW  
1.2 真空的获得 "_NN3lD)X  
1.3 真空度测量 C1n>M}b  
1.3.1 热传导真空计 ~-Qw.EdC  
1.3.2 热阴极电离真空计 A[{yCn`tM  
1.3.3 冷阴极电离真空计 'yEHI  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 #gs`#6 ,'  
参考文献 D.u{~  
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Qxl  
第2章 蒸发技术 O;jrCB  
2.1 发展历史与简介 `e&Suyf4B  
2.2 蒸发的种类 ~4Fvy'  
2.2.1 电阻热蒸发 `kXs;T6&  
2.2.2 电子束蒸发 PB*&aYLU  
2.2.3 高频感应蒸发
21l;\W  
2.2.4 激光束蒸发 -zeG1gr3  
2.2.5 反应蒸发 yq\K)g*=  
2.3 蒸发的应用实例 \V
~eVf;~  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 AH7}/Rc  
2.3.2 ITO薄膜 uZKr  
参考文献 `l[c_%Bm  
xOmi\VbM  
第3章 溅射技术 KRRdXx\~  
3.1 溅射基本原理 ;$wVu|&  
3.2 溅射主要参数 N5 6g+,w%)  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Fk7')?  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 z$. 88^  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 u `6:5k  
3.3 溅射装置及工艺 &@OT*pNna  
3.3.1 阴极溅射 =X:Y,?  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 dcN22A3  
3.3.3 射频溅射 dkTX  
3.3.4 磁控溅射 +\ .Lp 5  
3.3.5 反应溅射 }|NCboM^_  
3.4 离子成膜技术 bK&+5t&  
3.4.1 离子镀成膜 WW~sNC\3`(  
3.4.2 离子束成膜 ?%[@Qb=2  
3.5 溅射技术的应用 ]GkfEh7/J  
3.5.1 溅射生长过程 }WXi$(@v  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Eo]xNn/g  
参考文献 t-bB>q#3>  

-
x`@6  
第4章 化学气相沉积 +',S]Edx  
4.1 概述 Dp-z[]})1  
4.2 硅化学气相沉积 Fywv  
4.2.1 CVD反应类型 /@TF5]Ri  
4.2.2 CVD热力学分析 BUXpCxQ  
4.2.3 CVD动力学分析 'zuIBOH`j3  
4.2.4 不同硅源的外延生长 s9DYi~/,  
4.2.5 成核 w_K1]<Q*  
4.2.6 掺杂 fuf"Ae  
4.2.7 外延层质量 vV-`jsq20H  
4.2.8 生长工艺 6mxfLlZ  
4.3 CVD技术的种类 \\;jw[P0  
4.3.1 常压CVD 1K50Z.
o&@  
4.3.2 低压CVD `7V]y-  
4.3.3 超高真空CVD <}9lZEqY  
4.4 能量增强CVD技术 o`z]|G1''  
4.4.1 等离子增强CVD $5%SNzzl  
4.4.2 光增强CVD z5*'{t)  
4.5 卤素输运法 YO}<Ytx  
4.5.1 氯化物法 @Qt{jI!  
4.5.2 氢化物法 6q.Uhe_B  
4.6 MOCVD技术 _ *Pf  
4.6.1 MOCVD简介 i2SR{e8:GF  
4.6.2 MOCVD生长GaAs u>a5GkG.  
4.6.3 MOCVD生长GaN &Hs!:43E-<  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Yufc{M00  
4.7 特色CVD技术 ^>v+( z5R  
4.7.1 选择外延CVD技术 wgGl[_)  
4.7.2 原子层外延 ":QZy8f9%  
参考文献 ^RIl  
07{)?1cod4  
第5章 脉冲激光沉积 t!7-DF|N  
5.1 脉冲激光沉积概述 ~6LN6}~|.  
5.2 PLD的基本原理 N6i Q8P-  
5.2.1 激光与靶的相互作用 gT6jYQ  
5.2.2 烧蚀物的传输 8$Y9ORs4  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 QD]6C2
j*  
5.3 颗粒物的抑制 Vp@?^imL  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 88wa7i*  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 _L=h0H l  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 YNsJZnGr8#  
参考文献 Jij*x>K>y  
8VXH+5's  
第6章 分子束外延 ' %o#q6O  
6.1 引言 >(t6.=  
6.2 分子束外延的原理和特点 or}[h09qA  
6.3 外延生长设备 sdw(R#GE  
6.4 分子束外延生长硅 9V*qQS5<p  
6.4.1 表面制备 yEE*B:  
6.4.2 外延生长 )bscBj@  
6.4.3 掺杂 =U?dbSf1*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 M[,@{u/  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 -m~#Bq  
6.5.1 MBE生长GaAs u;2[AQ.  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs XVZ   
6.5.3 MBE生长GaN {;6`_-As%  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 a<bwzX|.  
6.6.1 HgCdTe材料 gp.^~p]x  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ?^\|-Gr  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 &&>ekG9@  
6.6.4 ZnSe、ZnTe p H2Sbs:Tk  
6.6.5 ZnO薄膜 Y`a3tO=Pd  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 C!bUI8x z  
6.7.1 SiC：材料 1
/J=uH  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ak!G8'w  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 }:)&u|d_  
参考文献 &0JI!bR(  
f(MO_Sj]  
第7章 液相外延 k~w*W X'  
7.1 液相外延生长的原理 @b2aNS<T  
7.1.1 液相外延基本概况 A6(/;+n  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 +TDw+  
7.2 液相外延生长方法和设备 -e:`|(Mo  
7.3 液相外延生长的特点 P+/e2Y  
7.4 液相外延的应用实例 o!A+&{  
7.4.1 硅材料 ;u)I\3`*!  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 A2Gevj?F$  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 BnasI;yWb  
7.4.4 SiC材料 20Wg=p9L  
参考文献 ^k9I(f^c-_  
p0vVkdd  
第8章 湿化学制备方法 YNi.SXH  
8.1 溶胶-凝胶技术 {R6ZKB  
f%}xO+.s  
第9章 半导体超晶格和量子阱 +52{-a,>  
第10章 半导体器件制备技术 ~b8]H|<'Y  
参考文献 pZy~1L  
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