半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

发布:cyqdesign 2010-01-31 22:03 阅读:5754
半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 .Qi`5C:U  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 y:v0& 9L  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 moc_}(  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 1F$a My?  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 I/Vlw-  
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1"!<e$&$X  
第1章 真空技术 Q2tGe~H  
1.1 真空的基本概念 WOg_Pn9HI  
1.1.1 真空的定义 AS8T!  
1.1.2 真空度单位 Mr`u!T&sc  
1.1.3 真空区域划分 #}B~V3UD  
1.2 真空的获得 +J#H9>To!  
1.3 真空度测量 52:oe1-8  
1.3.1 热传导真空计 3g5i5 G\  
1.3.2 热阴极电离真空计 g/Qr] :;  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ;w@:  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 "E'OP R  
参考文献 5))?,YkrrI  
DVCc^5#  
第2章 蒸发技术 "5>p]u>  
2.1 发展历史与简介 ^:DlrI$  
2.2 蒸发的种类 +\}]`uS:  
2.2.1 电阻热蒸发 0<o#;ZQ]  
2.2.2 电子束蒸发 H,\c"  
2.2.3 高频感应蒸发 (xxJ^u>QC  
2.2.4 激光束蒸发 o+q 5:vJt  
2.2.5 反应蒸发 SmtH2%yI  
2.3 蒸发的应用实例 ,a?em'=  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 s+ 0$_&xR  
2.3.2 ITO薄膜 S&]JY  
参考文献 c| p eRO.  
`;i| %$TU  
第3章 溅射技术 mX"z$  
3.1 溅射基本原理 (]iw#m{  
3.2 溅射主要参数 wN*e6dOF  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 BD9` +9  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 5V%K'a(  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ^]Gt<_  
3.3 溅射装置及工艺 [#14atv  
3.3.1 阴极溅射 Kj'm<]u  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 a+J :1'  
3.3.3 射频溅射 &<v# ^2S3  
3.3.4 磁控溅射 (hmasy6hM  
3.3.5 反应溅射 Ar>Om!]=v  
3.4 离子成膜技术 =3& WH0  
3.4.1 离子镀成膜 _c%~\LOk  
3.4.2 离子束成膜 -/FCd(  
3.5 溅射技术的应用 44S<(Re  
3.5.1 溅射生长过程 d)dIIzv  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 [KCh,'&  
参考文献 6,oi(RAf  
kQ4%J, 7e4  
第4章 化学气相沉积 fzw6VGTf  
4.1 概述 ;/e!!P]jP  
4.2 硅化学气相沉积 {;z3$/JB  
4.2.1 CVD反应类型 b;S~`PL  
4.2.2 CVD热力学分析 } |sP;Rpu  
4.2.3 CVD动力学分析 PJb_QL!9  
4.2.4 不同硅源的外延生长 Z1q '4h=F.  
4.2.5 成核 ?VReKv1\  
4.2.6 掺杂 |!&,etu  
4.2.7 外延层质量 /i$&89yod  
4.2.8 生长工艺 <Z#u_:5@  
4.3 CVD技术的种类 (VC_vz-  
4.3.1 常压CVD o5zth^p[  
4.3.2 低压CVD o F @{&  
4.3.3 超高真空CVD XFd[>U<X  
4.4 能量增强CVD技术 ,=K!Y TeVl  
4.4.1 等离子增强CVD YBg\L$| n  
4.4.2 光增强CVD e6{/e+/R  
4.5 卤素输运法 :*Ckq~[Hg  
4.5.1 氯化物法  %_A1WC  
4.5.2 氢化物法 S _#UEf  
4.6 MOCVD技术 ;'cv?3Y  
4.6.1 MOCVD简介 @tp/0E?  
4.6.2 MOCVD生长GaAs pY-iz M L  
4.6.3 MOCVD生长GaN Ry/NfF=  
4.6.4 MOCVD生长ZnO zwAuF%U  
4.7 特色CVD技术 y ?Q"-o (  
4.7.1 选择外延CVD技术 b6g,mzqu  
4.7.2 原子层外延 U6_1L,W  
参考文献 !%5{jO1  
}V9146  
第5章 脉冲激光沉积 d9sgk3K  
5.1 脉冲激光沉积概述 <2,@rYe/  
5.2 PLD的基本原理 ]4hXK!^Uu  
5.2.1 激光与靶的相互作用 iiRK3m  
5.2.2 烧蚀物的传输 YM#XV*P0 q  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 )vPce  
5.3 颗粒物的抑制 AV%Q5Mi}  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 [IW@ mn>  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 >} aykz*g  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 ]kKf4SJZFU  
参考文献 fpoH7Jd V  
t7-sCC0  
第6章 分子束外延 U7:~@eYy  
6.1 引言 j*+r`CX  
6.2 分子束外延的原理和特点 ydlH6>  
6.3 外延生长设备 z<@$$Z=0UF  
6.4 分子束外延生长硅 *TMg.  
6.4.1 表面制备 u5idH),<  
6.4.2 外延生长 rhL<JTS  
6.4.3 掺杂 GW}KmTa]&  
6.4.4 外延膜的质量诊断 v~@Y_ `l  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 b^A&K@[W#,  
6.5.1 MBE生长GaAs iY( hGlV  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs Y*"%;e$tg  
6.5.3 MBE生长GaN 6`+DBr  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 -=g`7^qa>  
6.6.1 HgCdTe材料 Jl5<9x  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 ;tKL/eI  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 c#G(7.0MU  
6.6.4 ZnSe、ZnTe l~f +h?cF  
6.6.5 ZnO薄膜 vTB*J,6.  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 O<%U*:B  
6.7.1 SiC:材料 wmoOp;C  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 sIELkF?.  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 E}a3.6)p  
参考文献 gc(1,hv  
.h*&$c/l  
第7章 液相外延 I>P</TE7  
7.1 液相外延生长的原理 X\$M _b>O  
7.1.1 液相外延基本概况 6tnAE':  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 8zpK; +  
7.2 液相外延生长方法和设备 iPkG=*Ip(%  
7.3 液相外延生长的特点  sRoZvp 5  
7.4 液相外延的应用实例 T!;<Fy"p  
7.4.1 硅材料 ~I'Z=Wo  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 {0QA+[Yd&!  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 ,e>ugI_;*  
7.4.4 SiC材料 $G=\i>R.  
参考文献 s:fnOMv "  
~ 4&_$e!  
第8章 湿化学制备方法 h eh! cDK  
8.1 溶胶-凝胶技术 VD=$:F]  
bH,Jddc  
第9章 半导体超晶格和量子阱 QZwRg&d<o  
第10章 半导体器件制备技术 tKJ) 'v?  
参考文献 g@j:TQM_0  
b< [eBXe  
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最新评论

gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 vR`KRI`{  
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