半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 yye(^  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 xg>AW Q  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 u,rieKYF  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 iQI$Y]Y7  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 b[MdA|C%j  

图片:baomwuli.jpg

;~>E^0M  
o=,q4;R'  
市场价：￥36.00 \AT]$`8@_  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) -'sn0_q/e  
H3?HQ>&O7  
zz4.gkU  
第1章 真空技术 xTJ-v/t3<  
1.1 真空的基本概念 ;{Sgv^A  
1.1.1 真空的定义 Ofyz,% |Q  
1.1.2 真空度单位 _Q:739&  
1.1.3 真空区域划分 cVR3_e{&H  
1.2 真空的获得 _v+mjDdQ  
1.3 真空度测量 PUdJ>U
 
1.3.1 热传导真空计 zMXlLRC0  
1.3.2 热阴极电离真空计 A-"}aCmik  
1.3.3 冷阴极电离真空计 M99gDN  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 #e!4njdM  
参考文献 ,a$?KX  
4rh*&'  
第2章 蒸发技术 bYKyR}e  
2.1 发展历史与简介 iuX82z`  
2.2 蒸发的种类 n tfwR#j  
2.2.1 电阻热蒸发
\I"UW1)B  
2.2.2 电子束蒸发 [;Q8xvVZ'  
2.2.3 高频感应蒸发 P`^{dH$P  
2.2.4 激光束蒸发 n>w/T"  
2.2.5 反应蒸发 bs%lMa.o  
2.3 蒸发的应用实例 f4s^$Q{Q  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ;Ly(O'
9  
2.3.2 ITO薄膜 *hT1_  
参考文献 $=c79Al
(  
%("Bq"Q8  
第3章 溅射技术 t ._PS3  
3.1 溅射基本原理 )m-l&UK  
3.2 溅射主要参数 J#0oL_xY#  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 K$H>/*&'~  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 _/W[=c   
3.2.3 溅射速率和淀积速率 lD8&*5tDmP  
3.3 溅射装置及工艺 nC3U%*l  
3.3.1 阴极溅射 vu%:0p`K  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 [\M=w7  
3.3.3 射频溅射 .
Z!!x  
3.3.4 磁控溅射 r3@Q(Rb  
3.3.5 反应溅射 j;tT SNF  
3.4 离子成膜技术 QL>G-Rp  
3.4.1 离子镀成膜 ;BEg"cm  
3.4.2 离子束成膜 (;V=A4F-D  
3.5 溅射技术的应用 OAc*W<Q0  
3.5.1 溅射生长过程 <bwsK,C  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 8QeM6;^/5  
参考文献 H:X=v+W  
wo>s
rZs  
第4章 化学气相沉积 wp!<u %  
4.1 概述 <"uT=]wZ=  
4.2 硅化学气相沉积 3gW4\2|T  
4.2.1 CVD反应类型 3 <V{.T  
4.2.2 CVD热力学分析 FQR{w  
4.2.3 CVD动力学分析 k
F9T 9  
4.2.4 不同硅源的外延生长 9})!~r;|  
4.2.5 成核 }mjJglK!N  
4.2.6 掺杂 "+REv_:  
4.2.7 外延层质量 ?-g=Rfpag  
4.2.8 生长工艺 !A"`jc~x:  
4.3 CVD技术的种类 :\@WY  
4.3.1 常压CVD lD!o4ZAo  
4.3.2 低压CVD v^aARIg  
4.3.3 超高真空CVD J?XEF@?'G  
4.4 能量增强CVD技术 AW8"@  
4.4.1 等离子增强CVD .,:700n+^  
4.4.2 光增强CVD A#W%ud4  
4.5 卤素输运法 @L%9NqE`O  
4.5.1 氯化物法 _Cv({m&N  
4.5.2 氢化物法 XelY?Ph,,  
4.6 MOCVD技术 V8>%$O sw  
4.6.1 MOCVD简介 >Au]S`  
4.6.2 MOCVD生长GaAs '#SacJ\L7  
4.6.3 MOCVD生长GaN ]@op  
4.6.4 MOCVD生长ZnO .`!|^h%0  
4.7 特色CVD技术 k--.g(
T  
4.7.1 选择外延CVD技术 Ox"4 y  
4.7.2 原子层外延 ;l_%;O5  
参考文献 Urhh)i  
hq.z:D  
第5章 脉冲激光沉积 H#8]Lb@@:  
5.1 脉冲激光沉积概述 9YMUvd,u  
5.2 PLD的基本原理 [8/E ;h  
5.2.1 激光与靶的相互作用 br"p D-}  
5.2.2 烧蚀物的传输 t_&FK A  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 }%EQ  
5.3 颗粒物的抑制 +XU*NAD,!  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 dOq*W<%
 
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 dL<okw  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 06I'#:]  
参考文献 JBdZ]  
/sENoQR  
第6章 分子束外延 M_V\mYC8I  
6.1 引言
^;B vd!  
6.2 分子束外延的原理和特点 od|w)?16  
6.3 外延生长设备 >R/^|hnJ  
6.4 分子束外延生长硅 |b'fp1</  
6.4.1 表面制备 ?Zu=UVb  
6.4.2 外延生长 4YkH;!M>ji  
6.4.3 掺杂 ([s}bD.9  
6.4.4 外延膜的质量诊断 qFmvc  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 *5 FSq  
6.5.1 MBE生长GaAs De[!^/f;T  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 6
$%^  
6.5.3 MBE生长GaN i% k`/X;  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 (F_Wys=6  
6.6.1 HgCdTe材料 Q"CZ}B1<  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 \$s<G|<P  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 %;9f$:U  
6.6.4 ZnSe、ZnTe eKpH|S!xU  
6.6.5 ZnO薄膜 RNuOwZ1m  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 .l5y!?  
6.7.1 SiC：材料 o"t+G/M  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 cS,(HLO91  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ,;C92
XY  
参考文献 "8VCX
D  
=PyU9C-
@  
第7章 液相外延 =-{+y(<"r  
7.1 液相外延生长的原理 4~4PZ  
7.1.1 液相外延基本概况 VB*$lxX  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 noa?p&Y1m  
7.2 液相外延生长方法和设备 5
bGV91  
7.3 液相外延生长的特点 ~.mnxn  
7.4 液相外延的应用实例 A[v]^pv'  
7.4.1 硅材料 AV AF!Z  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 tR!eYt  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 _
h7!  
7.4.4 SiC材料 e{Pgz0sOQ  
参考文献 "$PbpY  
Afo(! v  
第8章 湿化学制备方法 !Pt|Hk dr  
8.1 溶胶-凝胶技术 ;JA2n\iP,  
?Jm/v%0O  
第9章 半导体超晶格和量子阱 p+#J;.  
第10章 半导体器件制备技术 '
0U+M{  
参考文献 $I~=t{;"XV  
e2;19bj&  
市场价：￥36.00 Nqp%Z7G  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) }m/aigA[1