半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 .my0|4CQ#@  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 TDNQu
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 lfz2~Si5A  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 -[!P!d=  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 yXF?H"h(  
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第1章 真空技术 pDcjwlA%  
1.1 真空的基本概念 9Hu/u=vB<  
1.1.1 真空的定义 V=V:SlS9|  
1.1.2 真空度单位 Nkl_Ho,  
1.1.3 真空区域划分 ^Z#W_R\l  
1.2 真空的获得 U,q\emR  
1.3 真空度测量 i Ae<&Ms  
1.3.1 热传导真空计 *c*0PdV  
1.3.2 热阴极电离真空计 vIwCJN1C  
1.3.3 冷阴极电离真空计 "xHgqgFyO  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Y2SJ7  
参考文献 )'%$V%9  
Z1Z1@2 T
 
第2章 蒸发技术 @8^
[!F  
2.1 发展历史与简介 ,%Up0Rr,  
2.2 蒸发的种类 B'EKM)dA  
2.2.1 电阻热蒸发 C #6dC0  
2.2.2 电子束蒸发 \z7SkZt,GT  
2.2.3 高频感应蒸发 ;R?I4}O#R8  
2.2.4 激光束蒸发 +0q>fp_K(+  
2.2.5 反应蒸发 4^Q:  
2.3 蒸发的应用实例 fKeT~z{~  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 pg%aI,  
2.3.2 ITO薄膜 x{c/$+Z[  
参考文献 F>[,zN  
^?]%sdT q  
第3章 溅射技术 .0O2Qqdg  
3.1 溅射基本原理 F
[[TWf/  
3.2 溅射主要参数 $K'|0  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Y=n4K<  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 /&{$ pM|?  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 $3uKw!z  
3.3 溅射装置及工艺 xz{IH,?IG  
3.3.1 阴极溅射 $Gv9m  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 xD[Gq%  
3.3.3 射频溅射 .]7Qu;L  
3.3.4 磁控溅射 ?Ovqp-sw  
3.3.5 反应溅射 o b|BXF  
3.4 离子成膜技术 q)vplV1A  
3.4.1 离子镀成膜 Nn"+w|v[ev  
3.4.2 离子束成膜 {aJJ`t  
3.5 溅射技术的应用 qt^T6+faaQ  
3.5.1 溅射生长过程 | j a-
 
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 'ao"9-c  
参考文献 JPWOPB'H  
w{90`  
第4章 化学气相沉积 Cp]"1%M,  
4.1 概述 ;~u{56  
4.2 硅化学气相沉积 -7&Gi +]  
4.2.1 CVD反应类型 +_xOLiu  
4.2.2 CVD热力学分析 0}xFD6{X  
4.2.3 CVD动力学分析 BQ2wnGc  
4.2.4 不同硅源的外延生长 {TRsd  
4.2.5 成核 ]&{ci  
4.2.6 掺杂 tP%{P"g
3^  
4.2.7 外延层质量 GSQ/NYK  
4.2.8 生长工艺 d)R352  
4.3 CVD技术的种类 0Ir<y  
4.3.1 常压CVD `TPOCxM Mo  
4.3.2 低压CVD ;h" P{fF   
4.3.3 超高真空CVD [ $T(WGF  
4.4 能量增强CVD技术 *(>}Y  
4.4.1 等离子增强CVD WJ9cZL  
4.4.2 光增强CVD {]]|5 \F  
4.5 卤素输运法 U(;&(W"M  
4.5.1 氯化物法 [kgdv6E  
4.5.2 氢化物法 $Qy7G{XJ[^  
4.6 MOCVD技术 T=:]]nf?M  
4.6.1 MOCVD简介 t"YNgC ^  
4.6.2 MOCVD生长GaAs d/e|'MPX  
4.6.3 MOCVD生长GaN LW:LFzp  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ? j 9|5*  
4.7 特色CVD技术 e=QK}gzX  
4.7.1 选择外延CVD技术 'vaLUy9]  
4.7.2 原子层外延 d'Axum@  
参考文献 @M8|(N%  
T}=>C+3r  
第5章 脉冲激光沉积 {?}*1,I  
5.1 脉冲激光沉积概述 fQ=MJ7l  
5.2 PLD的基本原理 @IP)S[^' t  
5.2.1 激光与靶的相互作用 "h7tnMS  
5.2.2 烧蚀物的传输 z]bwnJfd  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 F[!ckes<bB  
5.3 颗粒物的抑制 kY&h~Q  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 KB!|B.ChN(  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 Vax^8 -  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 b2b75}_A  
参考文献 Mf#83<&K  
)I-fU4?  
第6章 分子束外延 on7I l  
6.1 引言 xlR2|4|8  
6.2 分子束外延的原理和特点 6Ik,zQL  
6.3 外延生长设备 DK&h eVIoZ  
6.4 分子束外延生长硅 mG1IQ!  
6.4.1 表面制备 sW^a`VM  
6.4.2 外延生长 KYxBVgJ  
6.4.3 掺杂 G^1b>K  
6.4.4 外延膜的质量诊断 yRYWch  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 *+b6B_u]  
6.5.1 MBE生长GaAs M-uMZQe  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ;!T{%-tP  
6.5.3 MBE生长GaN f0LP?]  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 n!E2_  
6.6.1 HgCdTe材料 Fv)7c4  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 j` /&r*zNq  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Ij'NC C  
6.6.4 ZnSe、ZnTe JkA|Qdj~Mr  
6.6.5 ZnO薄膜 z
K+52jhi  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 pNE(n4v  
6.7.1 SiC：材料 N|2y"5  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 2`=6%s  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 j,2l8?  
参考文献 W];EKj,3W  
swc@34ei\  
第7章 液相外延 -6
Mm#sX  
7.1 液相外延生长的原理 @oG)LT  
7.1.1 液相外延基本概况 9%iFV N'  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 I6L
D)?  
7.2 液相外延生长方法和设备 J:F^ #gW  
7.3 液相外延生长的特点 ~ekh1^evu  
7.4 液相外延的应用实例 u.|~$yP.!  
7.4.1 硅材料 qOG}[%<^n7  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 br,+45:  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ;#G%U!p  
7.4.4 SiC材料 XL}<1-}  
参考文献 *xM/;)  
8"vwU@cfC  
第8章 湿化学制备方法 qsg>5E  
8.1 溶胶-凝胶技术 )-/gLZsx  
|@o6NZ<9N  
第9章 半导体超晶格和量子阱 n`;R pr&  
第10章 半导体器件制备技术 T_OF7?  
参考文献 [ev-^[  
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