《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
.my0|4CQ#@ 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
TDNQu_E 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
lfz2~Si5A 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
-[!P!d= 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
yXF?H"h( vbBc}G"w m~u5kbHOi= 市场价:¥36.00
r{ef .^&: 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折)
%_L\z*+
&[/w_|b "a"]o 第1章 真空技术
pDcjwlA% 1.1 真空的基本概念
9Hu/u=vB< 1.1.1 真空的定义
V=V:SlS9| 1.1.2 真空度单位
Nkl_Ho, 1.1.3 真空区域划分
^Z#W_R\l 1.2 真空的获得
U,q\emR 1.3 真空度测量
i Ae<&Ms 1.3.1 热传导真空计
*c*0PdV 1.3.2 热阴极电离真空计
vIwCJN1C 1.3.3 冷阴极电离真空计
"xHg qgFyO 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
Y2SJ7 参考文献
)'%$V%9 Z1Z1@2 T 第2章 蒸发技术
@8^[!F 2.1 发展历史与简介
,%Up0Rr, 2.2 蒸发的种类
B'EKM)dA 2.2.1 电阻热蒸发
C
#6dC0 2.2.2 电子束蒸发
\z7SkZt,GT 2.2.3 高频感应蒸发
;R?I4}O#R8 2.2.4 激
光束蒸发
+0q>fp_K(+ 2.2.5 反应蒸发
4^Q: 2.3 蒸发的应用实例
fKeT~z{~ 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
pg%aI, 2.3.2 ITO薄膜
x{c/$+Z[ 参考文献
F>[,zN ^? ]%sdT q 第3章 溅射技术
.0O2Qqdg 3.1 溅射基本
原理 F[[TWf/ 3.2 溅射主要
参数 $K'|0 3.2.1 溅射闽和溅射产额
Y=n4K< 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
/&{$ pM|? 3.2.3 溅射速率和淀积速率
$3uKw!z 3.3 溅射装置及工艺
xz{IH,?IG 3.3.1 阴极溅射
$Gv9m 3.3.2 三极溅射和四极溅射
xD[Gq% 3.3.3 射频溅射
.]7Qu;L 3.3.4 磁控溅射
?Ovqp-sw 3.3.5 反应溅射
o b|BXF 3.4 离子成膜技术
q)vplV1A 3.4.1 离子镀成膜
Nn"+w|v[ev 3.4.2 离子束成膜
{aJJ`t 3.5 溅射技术的应用
qt^T6+faaQ 3.5.1 溅射生长过程
| j a- 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
'ao"9-c 参考文献
JPWOPB'H w{90` 第4章 化学气相沉积
Cp]"1%M, 4.1 概述
;~u{56 4.2 硅化学气相沉积
-7&Gi
+] 4.2.1 CVD反应类型
+_xOLiu
4.2.2 CVD热力学分析
0}xFD6{X 4.2.3 CVD动力学分析
BQ2wnGc 4.2.4 不同硅源的外延生长
{TRsd 4.2.5 成核
]&{ ci 4.2.6 掺杂
tP%{P"g3^ 4.2.7 外延层质量
GSQ/NYK 4.2.8 生长工艺
d)R352 4.3 CVD技术的种类
0Ir<y 4.3.1 常压CVD
`TPOCxM Mo 4.3.2 低压CVD
;h" P{fF 4.3.3 超高真空CVD
[ $T(WGF 4.4 能量增强CVD技术
*(>}Y 4.4.1 等离子增强CVD
WJ9cZL 4.4.2 光增强CVD
{]]|5
\F 4.5 卤素输运法
U(;&(W"M
4.5.1 氯化物法
[kgdv6E 4.5.2 氢化物法
$Qy7G{XJ[^ 4.6 MOCVD技术
T=:]]nf?M 4.6.1 MOCVD简介
t"YNgC ^ 4.6.2 MOCVD生长GaAs
d/e|'MPX 4.6.3 MOCVD生长GaN
LW:LFzp 4.6.4 MOCVD生长ZnO
?
j
9|5* 4.7 特色CVD技术
e=QK}gzX 4.7.1 选择外延CVD技术
'vaLUy9] 4.7.2 原子层外延
d 'Axum@ 参考文献
@M8|(N% T}=>C+3r 第5章 脉冲激光沉积
{?}*1,I 5.1 脉冲激光沉积概述
fQ=MJ7l 5.2 PLD的基本原理
@IP)S[^' t 5.2.1 激光与靶的相互作用
"h7tnMS 5.2.2 烧蚀物的传输
z]bwnJfd 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
F[!ckes<bB 5.3 颗粒物的抑制
kY&h~Q 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
KB!|B.ChN( 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
Vax^8 - 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
b2b75}_A 参考文献
Mf#83<&K )I-f U4? 第6章 分子束外延
on7I
l 6.1 引言
xlR2|4|8 6.2 分子束外延的原理和特点
6 Ik,zQL 6.3 外延生长设备
DK&h
eVIoZ 6.4 分子束外延生长硅
m G1IQ! 6.4.1 表面制备
sW^a`VM 6.4.2 外延生长
KYxBVgJ 6.4.3 掺杂
G^1b>K 6.4.4 外延膜的质量诊断
yRYWch 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 *+b6B_u] 6.5.1 MBE生长GaAs
M-uMZQe 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
;!T{%-tP 6.5.3 MBE生长GaN
f0LP?] 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
n!E2_ 6.6.1 HgCdTe材料
Fv)7c4 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
j` /&r*zNq 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
Ij'NC C 6.6.4 ZnSe、ZnTe
JkA|Qdj~Mr 6.6.5 ZnO薄膜
zK+52jhi 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
pNE(n4v 6.7.1 SiC:材料
N|2y"5 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
2`=6 %s
6.7.3 生长有机半导体薄膜
j,2l8? 参考文献
W];EKj,3W swc@34ei\ 第7章 液相外延
-6Mm#sX 7.1 液相外延生长的原理
@oG)LT 7.1.1 液相外延基本概况
9%iFV
N' 7.1.2 硅液相外延生长的原理
I6LD)? 7.2 液相外延生长方法和设备
J:F^
#gW 7.3 液相外延生长的特点
~ekh1^evu 7.4 液相外延的应用实例
u.|~$yP.! 7.4.1 硅材料
qOG}[%<^n7 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
b r,+45: 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
;#G%U!p 7.4.4 SiC材料
XL}<1-} 参考文献
*xM/;) 8"vwU@cfC 第8章 湿化学制备方法
qsg>5E 8.1 溶胶-凝胶技术
)-/gLZsx |@o6NZ<9N 第9章 半导体超晶格和量子阱
n`;R pr& 第10章 半导体器件制备技术
T_OF7? 参考文献
[ev-^[ XvSIWs 市场价:¥36.00
S C_|A9 优惠价:¥24.80 为您节省:11.20元 (69折)
"L2 m-e6