半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 _owjTo}  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 { BEo &  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ,_ag;pt
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 HMY@F_qY`u  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 EVQ0l@K  
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第1章 真空技术 xLZd!>C  
1.1 真空的基本概念 q8ImrC.'^  
1.1.1 真空的定义 @d"wAZzD?  
1.1.2 真空度单位 V,EF'-F  
1.1.3 真空区域划分 wve=.
n  
1.2 真空的获得 (qwdQMj`  
1.3 真空度测量 _#o' +_Z  
1.3.1 热传导真空计 D=RU`?L  
1.3.2 热阴极电离真空计 l.nH?kK<  
1.3.3 冷阴极电离真空计 9SMiJad<  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 hnWo|! ,O$  
参考文献 _y .]3JNm  
nW?R"@Zm  
第2章 蒸发技术 ]IJv-(  
2.1 发展历史与简介 G%u9+XV1#  
2.2 蒸发的种类 c-j_INGm  
2.2.1 电阻热蒸发  8RwX=  
2.2.2 电子束蒸发 @6o]chJo  
2.2.3 高频感应蒸发 DG;y6#|p  
2.2.4 激光束蒸发 fRTo.u  
2.2.5 反应蒸发 bl/,*Wx:4.  
2.3 蒸发的应用实例 /NF#+bx  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 dV8iwI  
2.3.2 ITO薄膜 ;1DdjETr  
参考文献 F=)eLE{W  
j;K#]  
第3章 溅射技术 zGc(Ef5`M6  
3.1 溅射基本原理 p2x[
p  
3.2 溅射主要参数 w?csV8ot  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 !.fw,!}hOD  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 NHX>2-b  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ;K:8#XuV  
3.3 溅射装置及工艺 > 8]j   
3.3.1 阴极溅射 `Iy4=nVb  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 u@%|kc`  
3.3.3 射频溅射 ;mAhY  
3.3.4 磁控溅射 ]B9 ^3x[:  
3.3.5 反应溅射 +?`b=6e(`  
3.4 离子成膜技术 !d9AG|  
3.4.1 离子镀成膜 'PdmI<eXQ  
3.4.2 离子束成膜 2H?d+6Pt3  
3.5 溅射技术的应用 3]E(mRX  
3.5.1 溅射生长过程 J7-^F)lu-  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 l54|Q  
参考文献 )"O{D`uX  
kReG:  
第4章 化学气相沉积 .gZZCf&?  
4.1 概述 ST8!i`Q$  
4.2 硅化学气相沉积 :
cp   
4.2.1 CVD反应类型 dYOF2si~%  
4.2.2 CVD热力学分析 A~-#@Z  
4.2.3 CVD动力学分析 "EftN5?/  
4.2.4 不同硅源的外延生长 f1+qXMs  
4.2.5 成核 7el<5chZ  
4.2.6 掺杂 p {%t q$}.  
4.2.7 外延层质量 Fm j=  
4.2.8 生长工艺 1
"K*._K  
4.3 CVD技术的种类 [ug,jEH"S  
4.3.1 常压CVD &A50'8B2A  
4.3.2 低压CVD CdhSp$>  
4.3.3 超高真空CVD |#5 e|z5(  
4.4 能量增强CVD技术 
{`.O|_b  
4.4.1 等离子增强CVD E*v]:kok  
4.4.2 光增强CVD WBppKj_M  
4.5 卤素输运法 H)JS0 G0  
4.5.1 氯化物法 m=&j@  
4.5.2 氢化物法 VTh$a_P>  
4.6 MOCVD技术 &^ I+s^\=  
4.6.1 MOCVD简介 _GbE^  
4.6.2 MOCVD生长GaAs &y:CW>T$/X  
4.6.3 MOCVD生长GaN [wcA.g*F  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ~LE[, I:q  
4.7 特色CVD技术 Z6=~1'<X  
4.7.1 选择外延CVD技术 lg/sMF>z\f  
4.7.2 原子层外延 U|fTb0fB  
参考文献 q9}2  
-gKpL\  
第5章 脉冲激光沉积 B7"Fp  
5.1 脉冲激光沉积概述 \K`jCsT  
5.2 PLD的基本原理 l`rC0kJ]  
5.2.1 激光与靶的相互作用 _Dq Qfc%  
5.2.2 烧蚀物的传输 kr_oUXiX  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 *)PG-$6X&  
5.3 颗粒物的抑制 .S vyj  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 0o68rF5^s  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 <%,'$^'DS  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 lYQtv=q  
参考文献 +J40wFI:y  
anx&Xj|=.F  
第6章 分子束外延 NV!4(_~  
6.1 引言 9A;6x$s  
6.2 分子束外延的原理和特点 @P70W<<  
6.3 外延生长设备 (UW6F4:$  
6.4 分子束外延生长硅 U1^l+G^,~  
6.4.1 表面制备 w#{l4{X|  
6.4.2 外延生长 :,C%01bH|l  
6.4.3 掺杂 +{&+L0DfH~  
6.4.4 外延膜的质量诊断 a@SUi~+3  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ?Le
yz  
6.5.1 MBE生长GaAs %1jdiHTaL  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs rUFFF'm\*a  
6.5.3 MBE生长GaN (n=Aa;  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 i
^S2%qz  
6.6.1 HgCdTe材料 |4xo4%BQ>  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 W8.j/K:  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 j#o3  
6.6.4 ZnSe、ZnTe rU*q@y Px  
6.6.5 ZnO薄膜 "z/V%ZK~f  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 eYDgEM  
6.7.1 SiC：材料 }*-u$=2  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 f=oeF]=I"  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 }@*I+\W/  
参考文献 y$h"ty{g  
o>K &D$J;O  
第7章 液相外延 #L1>dHhat  
7.1 液相外延生长的原理 u[mY!(>nQ  
7.1.1 液相外延基本概况 4@~a<P#  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 zW)gC9_|m-  
7.2 液相外延生长方法和设备 a8NVLD>7}  
7.3 液相外延生长的特点 @$
ftG  
7.4 液相外延的应用实例 5h(jeT8"  
7.4.1 硅材料 fn?VNZ`J  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 _jDS"  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 W2n*bNI  
7.4.4 SiC材料 ULTNhq R*n  
参考文献 GMTor  
c'~[!,[b<  
第8章 湿化学制备方法 RK;;b~  
8.1 溶胶-凝胶技术 xtsL8-u f  
0k.v0a7%  
第9章 半导体超晶格和量子阱 mLULd}g/o  
第10章 半导体器件制备技术 Q4CJ]J`  
参考文献 1 Xa+%n9  
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