半导体集成
电路制造
手册是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到
封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量
芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
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6gV*G
Y2r}W3F= >C|pY6 第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
LiG$M{ 0 第1章 半导体芯片制造综述
*dw.=a9 1.1 概述
tMxde+$y 1.2 半导体芯片
}>@\I^Xm, 1.3 摩尔定律
eY<<Hld 1.4 芯片的设计
(7Z+ De? 1.5 芯片生产的环境
!D??Y^6bI 1.6 芯片的生产
PQ&*(G 参考文献
*S,~zOYN 第2章 集成电路设计
VQ9A/DH/ 2.1 概述
6'# 5Dqw"r 2.2 集成电路的类型
=:]ps<Qx 2.3 p-n结
b>uD-CSA 2.4
晶体管
#PkuCWm6 2.5 集成电路设计
S1QMS 2.6 集成电路设计的未来走向及问题
l f>/ 参考文献
UGcmzwE 第3章 半导体制造的硅衬底
.t "VsY| 3.1 概述
6
VEB2F 3.2 硅衬底材料的关键特性
/v
8"i^;} 3.3 硅晶圆制造基础
*] ihc u 3.4 硅衬底材料
&,&+p0CSI! 3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
_**Nlp*% 3.6 结论
j,0`k 参考文献
`c 第4章 铜和低κ介质及其可靠性
&K/?# 4.1 概述
FLi'}C 4.2 铜互连技术
:G _ 4.3 低κ介质技术
6 s=VU\ 4.4 铜/低κ介质的可靠性
luoQ#1F?sl 参考文献
!xsfhLZK 第5章 硅化物形成基础
ER"69zQg|2 5.1 概述
=5|7S&{ 5.2 硅上工艺基础
)3h\QE!z 5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
(D>_O$o 5.4 结论
2k.VTGak 参考文献
@Xo*TJB 第6章 等离子工艺控制
Rc1j^S;> 6.1 概述
J K/{IkF 6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
%Ig$: I(o 6.3 工艺控制和量测
rFXdxRP;M 6.4 干法刻蚀的特性
fL*7u\m: 6.5 未来趋势和结论
q`<vY'&1 参考文献
v)
n- 第7章 真空技术
`5Y*)
q 7.1 真空技术概述
Ta?J;&<u]/ 7.2 测量低气压压力的方法
xC)bW,% 7.3 产生真空的方法
M$K%e 7.4 真空系统的组成部件
82LE9<4A 7.5 泄漏探测
F^%w%E\ 7.6 真空系统设计
'/>Mr!H# 7.7 未来趋势和结论
s#X/
F 补充读物
)iN;1> 信息资源
3aqH!?rVU 第8章 光刻掩膜版
J^7m?mA 8.1 概述
~]KdsT(=_ 8.2 光刻掩膜版基础
4"P9z}y=i 8.3 光刻掩膜版生产设备
rq%]CsRY5 8.4 运转、经济、安全及维护的考虑
!Tnjha* 8.5 未来趋势与结论
wps/{h, 参考文献
}_+XN"}C 第二部分 晶圆处理
5 ^{~xOM5 第9章 光刻
=$'>VPQ
9.1 光刻工艺
[mtp-4* 9.2
光学光刻成像
B!RfPk1B<* 9.3 光刻胶化学
e;.,x 5+ 9.4 线宽控制
l(>6Yq 9.5 光刻的局限性
](r}`u%}y 补充读物
`D+zX 第10章 离子注入和快速热退火
I*rUe#$ 10.1 概述
!#0)`4O 10.2 离子注入系统的组成部分
:;%Jm 10.3 后站结构
Wb}-H-O 10.4 关键工艺和制造问题
aT0~C.vT 10.5 离子注入的资源
_pdKcE\X 参考文献
@ m`C%7< 第11章 湿法刻蚀
\+o\wTW 11.1 概述
+#IUn 11.2 含HF的化学刻蚀剂
;$D,w 11.3 金属刻蚀
"c%wq0 11.4 湿法刻蚀在混合半导体中的应用
yy3rh(ea 11.5 湿法刻蚀的设备
'{d_q6,% 11.6 环境、健康和安全问题
4=,J@N- 参考文献
s#$t!F??9 第12章 等离子刻蚀
/H'- }C 12.1 概述
}c,b]!: 12.2 硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀
IyO0~Vx> 12.3 硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀
vj?{={Y 12.4 III-V族混合半导体中的等离子刻蚀
T}Tv}~!f 12.5 等离子刻蚀的终点探测
PZ]tl 12.6 结论
v H HgZ 致谢
/?81Ypt 参考文献
T!jh`;D+ 第13章
物理气相淀积
D.Ke 13.1 物理气相淀积概述
?_ H9>/:. 13.2 PVD工艺的基本原理
+`>7cy%cZ 13.3 真空蒸发
ai 4 k? 13.4 蒸发设备
2}^=NUM\NX 13.5 蒸发淀积的层及其性质
Bl\:YYd 13.6 溅射
W?Z>g" 13.7 溅射设备
Dw
i-iA_q 13.8 溅射淀积的层
Y}[<KK}_ 13.9 原子层淀积:薄膜淀积技术的新远景
dDS{XR 13.10 结论与展望
zjoo;(?D| 参考文献
o)I)I/v 第14章 化学气相淀积
JA^!i98{ 14.1 概述
b!H1|7> 14.2 原理
9R=avfI 14.3 CVD系统的组成
m=}h7&5 p 14.4 预淀积与清洗
*~8F.cx 14.5 排除故障
j~'.XD={ 14.6 未来趋势
-VohU-6 | 参考文献
8~U
^G[! 第15章 外延生长
&g?GF\Y s9C^Cy^su 15.1 概述
s#7"ZN 15.2 用于先进CMOS技术的硅外延
i9 aR# 15.3 制造
RLf-Rdx/ 15.4 安全和环境健康
(aYu[ML 15.5 外延的未来发展趋势
Jxl'!8t 15.6 结论
c =m#MMc) 参考文献
?;tPqOs& 补充读物
!oyo_h 第16章 ECD基础
(^yaAy#4 16.1 概述
Y%i<~"k 16.2 基本的ECD技术(电镀工作原理)
ZvyZ5UA 16.3 铜大马士革ECD工艺的优点
4j3q69TZR 16.4 铜ECD的生产线集成
:^(y~q? 16.5 铜ECD工艺的其他考虑因素
1(;{w+nM 16.6 未来趋势
C).\ J ! 16.7 结论
[FhYQI 参考文献
.]>Tj^1 第17章 化学机械研磨
kw59`z Es 17.1 CMP概述
-UEi 17.2 常见的CMP工艺应用
{^oohW - 17.3 CMP的工艺控制
Pz50etJ 17.4 后CMP晶圆清洗
.5 E)dU 17.5 常见的CMP平台与设备
]{=y8]7 17.6 CMP工艺废弃物管理
g:uVl;> 17.7 未来发展趋势与结论
]O;*Y{:Y 参考文献
:[@rA;L 信息资源
"nr?WcA 第18章 湿法清洗
EI=~*&t 18.1 湿法清洗概述与回顾
`GE8?UO- 18.2 典型半导体制造:湿法清洗工艺
Q7y'0s 18.3 湿法清洗设备技术
A^}# 18.4 未来趋势与结论
]DnAW'm 参考文献
=.s0"[% 第三部分 后段制造
Um/l{:S 第19章 目检、测量和测试
(pH)QG 19.1 测试设备概述
/@
emE0 19.2 测试设备基础和制造自动化系统
W9l](Ow 19.3 如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备
<IWg]AJT: 19.4 操作、安全、校准、维护中的考虑因素
L%H\|>k` 19.5 未来趋势和结论
8}yrsF# 致谢作者
dQ;8,JzIw& 补充读物
&wDZ@{h 信息资源
6}Y==GPt 第20章 背面研磨、应力消除和划片
0;x&\x7K 20.1 概述
9O &]!ga 20.2 背面研磨技术
E3a^"V3p 20.3 晶圆背面研磨机
a6zWg7 PN 20.4 划片
In4VS:dD 20.5 划片机
-pJ\_u/&%` 20.6 生产设备要求
~_i=hx 20.7 晶圆减薄
pIR_2Eq 20.8 全合一系统
gIO_mJ3 u 20.9 未来技术趋势
Dlz0*eHD 补充读物
;8=Bee4 第21章 封装
}\m.~$|[ 21.1 概述
ku/vV+&O 21.2 封装的演变
6
JI8l`S 21.3 凸晶及焊盘重布技术
")9 ^ 21.4 实例研究
qbQdxKk 21.5
光电子和MEMS封装
h}|.#!C3 参考文献
q-^{2.ftcx 补充读物
?6"U('y>n 第四部分 纳米技术、MEMS和FPD
E4=D$hfq` 第22章 纳米技术和纳米制造
c)Ng9p 22.1 什么是纳米技术
a`:F07r 22.2 纳米技术和生化技术
aAP86MHO 22.3 纳米制造:途径和挑战
m2~`EL> 22.4 纳米制造——不仅仅是工程和工艺
<FR!x#!
致谢
#"oLz"{ 参考文献
d_ :f- 第23章 微机电系统基础
/\qzTo 23.1 概述
mph9/ %]S 23.2 MEMS的技术基础
6W:]'L4! 23.3 微机电系统制造原理
IJ5'n 23.4 微机电系统的应用
@ o<OI 23.5 未来的趋势
g?iZ RM 23.6 结论
^7Z?}tgU 参考文献
4lCbUk[l 其他信息
7}NvO"u 第24章 平板显示技术和生产
;9#%E 24.1 概述
@-0mE_$[ 24.2 定义
A|PZ<WAY 24.3 平板显示的基础和原理
ajG_t 24.4 平板显示的生产工艺
14l6|a 24.5 未来趋势与结论
KXz7l\1Gb 补充读物
K}N~KDW R| 第五部分 气体和化学品
p< pGqW 第25章 特种气体和CDA系统
*'?V>q, 25.1 概述
CXuMNa 25.2 半导体生产工艺的要求
(I6Q"&h] 25.3 法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题
9*~";{O.Oa 25.4 特殊气体的分配和输送
jZ"j_=o@ 25.5 执行
N2|NYDQs 25.6 特殊气体系统的未来趋势
)b%zYD9p 25.7 洁净干燥空气
XL44pE
m 25.8 结论
n@H;*nI| 致谢
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