半导体集成
电路制造
手册是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到
封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量
芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
]^MOFzSz~
} r^@Xh ,
"w`,c>! 市场价:¥168.00
dO.?S89L 卓越价:¥124.30 为您节省:43.70元 (74折)
^~}|X%q3
&P{ %\#s@8=2u 第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
;m$F~!Y 第1章 半导体芯片制造综述
]z`Y'wSxd 1.1 概述
Q/r0p> 1.2 半导体芯片
?T-6|vZA 1.3 摩尔定律
6dQa|ACX_ 1.4 芯片的设计
.E:[\H" 1.5 芯片生产的环境
-C.x;@!k 1.6 芯片的生产
Okm&b g 参考文献
R)?b\VK2$ 第2章 集成电路设计
f2Frb
2.1 概述
2Cn^<(F^4I 2.2 集成电路的类型
33x3zEUt6 2.3 p-n结
%||}WT-wv 2.4
晶体管
b<v \ 2.5 集成电路设计
7cin?Z1 2.6 集成电路设计的未来走向及问题
|5)~WoV/G 参考文献
RbX!^v<0f6 第3章 半导体制造的硅衬底
h+F@apUS 3.1 概述
;;'b;,/ 3.2 硅衬底材料的关键特性
1\1a;Q3W%, 3.3 硅晶圆制造基础
CBdSgHA3> 3.4 硅衬底材料
tdg.vYMDPC 3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
s>z$_ 3.6 结论
epa)ctS9 参考文献
m)9N9Ii#) 第4章 铜和低κ介质及其可靠性
~d6_ 4.1 概述
R L/~E
xYC 4.2 铜互连技术
Q(h,P+ 4.3 低κ介质技术
EJY[M 4.4 铜/低κ介质的可靠性
p#~'xq 参考文献
`HU`=a&d 第5章 硅化物形成基础
8[5%l7's 5.1 概述
}CZ,WJz= 5.2 硅上工艺基础
QxvxeK!Y 5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
TuY{c%qQ: 5.4 结论
1;r^QAK& 参考文献
K[)N/Q 第6章 等离子工艺控制
K0 .f4o 6.1 概述
B'6^E#9 6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
awuUaE 6.3 工艺控制和量测
NWPL18*C 6.4 干法刻蚀的特性
Nk=F.fp|/ 6.5 未来趋势和结论
_H^Ij 参考文献
H4 Y7p 第7章 真空技术
%lNWaA 7.1 真空技术概述
P$_Y:XI ! 7.2 测量低气压压力的方法
g(<02t!OT= 7.3 产生真空的方法
\lHi=}0 7.4 真空系统的组成部件
^T"9ZBkb 7.5 泄漏探测
V[,/Hw~d% 7.6 真空系统设计
T:x5 ,vpM 7.7 未来趋势和结论
%Bmi3
=Rr 补充读物
AC3K*)`E 信息资源
R[
S*ON 第8章 光刻掩膜版
_v4TyJ 8.1 概述
A$ %5l 8.2 光刻掩膜版基础
7|PpAvMF 8.3 光刻掩膜版生产设备
XG<J'3 8.4 运转、经济、安全及维护的考虑
d+~c$(M) 8.5 未来趋势与结论
udB:ys 参考文献
V`~$|
K[ 第二部分 晶圆处理
a{Y:hrd:Z 第9章 光刻
AC ,$(E 9.1 光刻工艺
g.f!Uc{ 9.2
光学光刻成像
!;lA+O-t 9.3 光刻胶化学
$/,qw
9.4 线宽控制
0:Js{$ZL4 9.5 光刻的局限性
K @"m0 补充读物
KrVF>bq+ 第10章 离子注入和快速热退火
is{I5IR\/ 10.1 概述
x(3E#7>1 10.2 离子注入系统的组成部分
x*5'
6 10.3 后站结构
u(02{V 10.4 关键工艺和制造问题
xXH%7%W'f 10.5 离子注入的资源
Zb-TCS+3l 参考文献
4nkH0dJQ 第11章 湿法刻蚀
]tH/87qJ 11.1 概述
}r`!p5\$K0 11.2 含HF的化学刻蚀剂
?PiJ7| 11.3 金属刻蚀
E5 H6&XU 11.4 湿法刻蚀在混合半导体中的应用
] =b?^' 11.5 湿法刻蚀的设备
*j><a 11.6 环境、健康和安全问题
wQb")3dw 参考文献
nXK"B Ye 第12章 等离子刻蚀
Q`g0g)3w 12.1 概述
s['F?GWg 12.2 硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀
En+4@BC 12.3 硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀
jnt0,y A 12.4 III-V族混合半导体中的等离子刻蚀
9C[3w[G~C 12.5 等离子刻蚀的终点探测
Cst\_j 12.6 结论
n5 @H 致谢
9g>]m6 参考文献
ujB:G0'r 第13章
物理气相淀积
{"y{V 13.1 物理气相淀积概述
X"J79?5 13.2 PVD工艺的基本原理
Po&gr@e.V 13.3 真空蒸发
B9iH+
]W 13.4 蒸发设备
~6!=_" 13.5 蒸发淀积的层及其性质
m^U\l9LE 13.6 溅射
]N-K`c] 13.7 溅射设备
=NAL*4c+ 13.8 溅射淀积的层
INW8Q`[F 13.9 原子层淀积:薄膜淀积技术的新远景
[:a;|t 13.10 结论与展望
?F*gFW_k 参考文献
s?=f,I 第14章 化学气相淀积
V;=SncUb 14.1 概述
IyOujdKa 14.2 原理
gsc/IUk 14.3 CVD系统的组成
LH]nJdq?) 14.4 预淀积与清洗
{4CkF\ 14.5 排除故障
P`[6IS#\S 14.6 未来趋势
P_hwa1~d 参考文献
"6
dC 第15章 外延生长
+;`Cm.Iu ub}t3# 15.1 概述
V5K`TC^ 15.2 用于先进CMOS技术的硅外延
?.|qRzWL 15.3 制造
p4<&N MG 15.4 安全和环境健康
g[-'0d\1 15.5 外延的未来发展趋势
r&0v,WSp&S 15.6 结论
$Xk1'AzB8 参考文献
R2x(8k"LPU 补充读物
S`K8e^] 第16章 ECD基础
~8`r.1aUO 16.1 概述
n0O- Bxhl 16.2 基本的ECD技术(电镀工作原理)
1P3^il7 16.3 铜大马士革ECD工艺的优点
& @^|=>L 16.4 铜ECD的生产线集成
lj@c"Yrk 16.5 铜ECD工艺的其他考虑因素
$oq&uL 16.6 未来趋势
oO$a4|&, 16.7 结论
*7nlel 参考文献
+_06{7@h 第17章 化学机械研磨
h<6@&yzp 17.1 CMP概述
U|uvSJ)X 17.2 常见的CMP工艺应用
PS`v3|d}}} 17.3 CMP的工艺控制
F_zs"ex/ 17.4 后CMP晶圆清洗
rh${pHl 17.5 常见的CMP平台与设备
0>Z/3i&?< 17.6 CMP工艺废弃物管理
vxZvK0b620 17.7 未来发展趋势与结论
7>wSbAR< 参考文献
d#vq+wR 信息资源
_&.CI6 第18章 湿法清洗
tE9%;8;H 18.1 湿法清洗概述与回顾
_yJd@ 18.2 典型半导体制造:湿法清洗工艺
Q6RBZucv 18.3 湿法清洗设备技术
j*q]-$ 2E 18.4 未来趋势与结论
!R[o6V5T 参考文献
C \H%4p1r 第三部分 后段制造
E{_p&FF 第19章 目检、测量和测试
(lwkg8WC 19.1 测试设备概述
7zgU>$i 19.2 测试设备基础和制造自动化系统
'?v.O} 19.3 如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备
hR[Qdu6r 19.4 操作、安全、校准、维护中的考虑因素
9-Qub+0o 19.5 未来趋势和结论
].
IUQ*4t 致谢作者
zRD{"uqi 补充读物
ts{Tk5+ 信息资源
^WVH z;
第20章 背面研磨、应力消除和划片
xx#;)]WT 20.1 概述
\H*"UgS 20.2 背面研磨技术
!HY+6!hk 20.3 晶圆背面研磨机
jQj`GnN| 20.4 划片
]GJIrtS4 20.5 划片机
0{@E=}}h 20.6 生产设备要求
My5h;N@C 20.7 晶圆减薄
(Y)$+9 20.8 全合一系统
kZ[E493bV 20.9 未来技术趋势
H--(zxK 补充读物
RoJ{
ou@cs 第21章 封装
}Rt?p8p 21.1 概述
A>b o Xcr 21.2 封装的演变
%_(e{Mf) 21.3 凸晶及焊盘重布技术
R8W{[@ 21.4 实例研究
?r'rvu'/ 21.5
光电子和MEMS封装
MJt?^G (w? 参考文献
b=wc-nA 补充读物
z$QYl*F1 第四部分 纳米技术、MEMS和FPD
,~hvFTJI 第22章 纳米技术和纳米制造
$eCxpb.. 22.1 什么是纳米技术
u1~H1
]Ii 22.2 纳米技术和生化技术
(VI4kRj 22.3 纳米制造:途径和挑战
f*0[[J0] 22.4 纳米制造——不仅仅是工程和工艺
(c axl^= 致谢
GghZ".O 参考文献
nkG1&wiX 第23章 微机电系统基础
~N;kF.q&>& 23.1 概述
[as\>@o 23.2 MEMS的技术基础
`&LPqb 23.3 微机电系统制造原理
$GSn#} yz 23.4 微机电系统的应用
q$yTG!q* 23.5 未来的趋势
sPyq.oG 23.6 结论
G yvEc3|@ 参考文献
}Cvf[H1+ 其他信息
?rKewdGY 第24章 平板显示技术和生产
f0~<qT?:n 24.1 概述
~dkS-6q~Q 24.2 定义
z|Q)^ 24.3 平板显示的基础和原理
S4n\<+dR< 24.4 平板显示的生产工艺
0>6J - 24.5 未来趋势与结论
`k+ci7; 补充读物
4[44Eku\ 第五部分 气体和化学品
Eh^c4x 第25章 特种气体和CDA系统
[d`J2^z} 25.1 概述
@!=q.4b 25.2 半导体生产工艺的要求
jL8.*pfv 25.3 法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题
]]Sz|6 P 25.4 特殊气体的分配和输送
}Y[xj{2$O 25.5 执行
W;4rhZEgd 25.6 特殊气体系统的未来趋势
4QARrG% 25.7 洁净干燥空气
_/;vsQB 25.8 结论
`aD~\O 致谢
:XC~G&HuF6 参考文献
Iq]+O Q 补充读物
@SjISZw_ 第26章 废气处理系统
g`i?]6c}jt 26.1 概述
r5M {* 26.2 基本原理
uZL,+Ce| 26.3 主要组成部分
j^;f {0f 26.4 重要考虑因素
Za_w@o 26.5 未来趋势
iH<:wLY&J 参考文献
1YV ;pEw3w 第27章 PFC的去除
_C2iP[YwQ{ 27.1 高氟碳化合物
Xia4I*
* 27.2 减少PFC排放的策略
lD)ZMaaS3 27.3 PFC去除理论
K~$A2b95 27.4 催化法去除
Gf_Je 参考文献
@{P<!x <Q 第28章 化学品和研磨液操作系统
io%WV%1_ 28.1 概述
X
[IVK~D}z 28.2 化学品和研磨液操作系统中的要素和重要条件
\f\CK@ 28.3 设备
<| 8N\FU{ 28.4 高纯化学品的混合
Q=9Ce@[ 28.5 系统的纯度
Tsg;i; 28.6 CMP研磨液系统
c|m*<
i 28.7 结论
h]T 参考文献
O$zXDxn 第29章 操控高纯液体化学品和研磨液的部件
x7J8z\b"O 29.1 概述
N iw~0"-V 29.2 流体操控部件的材料
*lyy |3z 29.3 金属杂质、总可氧化碳量和颗粒污染物
/|Z_Dy 29.4 工业检测
标准和协议
5QN~^ 29.5 操控流体的部件
W5cBT?V 29.6 流体测量设备
CoZOKRoaH 29.7 工艺控制的应用
u#!QIQW 29.8 结论
.3>`y L 补充读物
"QSmxr 第30章 超纯水的基本原理
mO<1&{qMZ 30.1 概述
NW_i<# 30.2 UPW系统的单元操作
>vQ8~*xd 30.3 初始给水
u+EZ"p;o 30.4 预处理
_Ns/#Xe/ 30.5 初级处理
USd7gOq( 30.6 最终处理、抛光和配送
\.ukZqB3
0 30.7 未来趋势
.ni<' 参考文献第六部分 气体和化学品
M`V<` 第31章 良品率管理
M/?eDW/ 31.1 概述
8]h~jNku 31.2 良品率管理定义及其重要性
K}|zKTh:? 31.3 良品率管理基本要素及良品率管理系统的执行
B703{k 31.4 优化良品率管理系统所要考虑的问题
*!oV?N[eA' 31.5 未来趋势与结论
W_.WMbT 补充读物
4j|IG/m 第32章 自动物料搬运系统
IC"Z.'Ph 32.1 概述
q"(b}3 32.2 AMHS的主要组成部分
lT^/8Z<g 32.3 AMHS的设计
/U26IbJ 32.4 运营中的考量
cl04fqX 32.5 未来趋势
ibH!bS{ 第33章 关键尺寸测量方法和扫描电镜
KE[!{O^(a 33.1 概述
B/O0 ~y!n 33.2 关键尺寸测量基本概念
;gGq\c 33.3 扫描电镜的基本概念
?7=c` 33.4 扫描电镜规格和选择流程
7f] qCZ<0V 33.5 未来趋势与结论
OEw#;l4 C 参考文献
] M`%@ps 第34章 六西格玛
8+i=u"< 34.1 什么是六西格玛
tn{YIp 34.2 六西格玛的基本强项
36e 34.3 主要的DMAIC阶段
2OVN9_D% 34.4 六西格玛设计(DFSS)
]*?lgwE 34.5 应用实例
wKU9I[] 34.6 未来趋势与结论
mF:Pplf< 补充读物
p<[MU4 第35章 高级制程控制
t"JE+G 35.1 技术概况
GJ5R <f9I 35.2 高级制程控制的基本知识
E/V_gci 35.3 应用
:
&bJMzB 35.4 应用所需要考虑的事项
\VpN:RI 35.5 未来趋势与结论
Gg e X 参考文献
S=}1k,I 第36章 半导体生产厂区环境、健康和安全方面需要考虑的事项
iD*21c<