半导体集成
电路制造
手册是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到
封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量
芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
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f 8iTB 第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
Z2t\4|wr: 第1章 半导体芯片制造综述
Ci4;e 1.1 概述
.8->n aj| 1.2 半导体芯片
g4u6#.m( 1.3 摩尔定律
y 2)W"PuG 1.4 芯片的设计
Z9.0#Jnu 1.5 芯片生产的环境
/xSFW7d1 1.6 芯片的生产
= N;5T 参考文献
UwxszEHC 第2章 集成电路设计
wn;)La 2.1 概述
(:I]v_qEYS 2.2 集成电路的类型
!S%0#d2 2.3 p-n结
{a__/I>) 2.4
晶体管
<F8e?xy 2.5 集成电路设计
PXyv);#Q` 2.6 集成电路设计的未来走向及问题
fwvwmZW 参考文献
n.rn+nuwv 第3章 半导体制造的硅衬底
OD9z7*E@ 3.1 概述
'J$@~P 3.2 硅衬底材料的关键特性
v[2&0&!K# 3.3 硅晶圆制造基础
`8S3Y 3.4 硅衬底材料
ZS%W/.? 3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
@mJ~?d95v 3.6 结论
yM `u]p1 参考文献
d@ >i=l [ 第4章 铜和低κ介质及其可靠性
)tKSooW 4.1 概述
`yP`5a/ 4.2 铜互连技术
e_|Z& 4.3 低κ介质技术
zO---}[9a 4.4 铜/低κ介质的可靠性
OLqV#i[K#9 参考文献
lWecxD$ 第5章 硅化物形成基础
peF)U
!`D 5.1 概述
|lcp
(u*u 5.2 硅上工艺基础
JEk'2Htx 5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
-r_,#LR!l 5.4 结论
q-+:1E 参考文献
F}7sb#G 第6章 等离子工艺控制
cS'{h 6.1 概述
S2e3d 6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
TZ+ p6M8G 6.3 工艺控制和量测
$~iZ aX8& 6.4 干法刻蚀的特性
71y{Dwya 6.5 未来趋势和结论
<zL_6Y2 参考文献
Ix6\5}.c 9 第7章 真空技术
.1q}mw 7.1 真空技术概述
vc&v+5Y 7.2 测量低气压压力的方法
EG`6T 7.3 产生真空的方法
Q#G xo 7.4 真空系统的组成部件
8}m J)9<7 7.5 泄漏探测
A[8m3L#k 7.6 真空系统设计
v2 E <~/| 7.7 未来趋势和结论
gHp*QL\?9 补充读物
ZMb+sUK 信息资源
lKw-C[ 第8章 光刻掩膜版
PMpq>$6b7 8.1 概述
$L 8>Ha} 8.2 光刻掩膜版基础
[#C6K ' 8.3 光刻掩膜版生产设备
tc0;Ake-& 8.4 运转、经济、安全及维护的考虑
mf3,V|>[\ 8.5 未来趋势与结论
c)LG+K 参考文献
W-l+%T! 第二部分 晶圆处理
*d3-[HwZCL 第9章 光刻
(^35cj{s 9.1 光刻工艺
nj'5iiV`] 9.2
光学光刻成像
Jz~: 9.3 光刻胶化学
uQKQC?w 9.4 线宽控制
0M"n 9.5 光刻的局限性
%+=;4tHJ 补充读物
7H5VzV 第10章 离子注入和快速热退火
E<Zf!!3 10.1 概述
DPjs?M< 10.2 离子注入系统的组成部分
Zs
/>_w} 10.3 后站结构
C3{hf 10.4 关键工艺和制造问题
@k&6\1/U 10.5 离子注入的资源
J<;io! 参考文献
xy7A^7Li 第11章 湿法刻蚀
)b #5rQ 11.1 概述
-n&&d8G^s 11.2 含HF的化学刻蚀剂
LNWS 11.3 金属刻蚀
}[;ZZm? 11.4 湿法刻蚀在混合半导体中的应用
JFVx& 11.5 湿法刻蚀的设备
*,4rYb7I w 11.6 环境、健康和安全问题
|E7J5ha 参考文献
=S`h/fru 第12章 等离子刻蚀
"D
_r</b 12.1 概述
X|T|iB,vT 12.2 硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀
5[Vr {^) 12.3 硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀
(s,&