芯片失效分析方法，过程及实验室介绍

芯片失效分析方法，过程及实验室介绍 3'O+  
芯片常用分析手段： 7_d gQI3y  
1、X-Ray 无损侦测，可用于检测 TS)p2#  
IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性 +q"d=  
PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接 ^Qrdh0j  
开路、短路或不正常连接的缺陷 -]R7[5C:  
封装中的锡球完整性 U^?/nRZ  
2、SAT超声波探伤仪/扫描超声波显微镜 tQbDP!,A*=  
可对IC封装内部结构进行非破坏性检测, 有效检出因水气或热能所造成的各种破坏如﹕ \i}n1Qd  
晶元面脱层 EYd`qk3  
锡球、晶元或填胶中的裂缝 rAwq$!xx  
封装材料内部的气孔 [ECSJc&i  
各种孔洞如晶元接合面、锡球、填胶等处的孔洞 <g5Btwo%  
3、SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪 |[}YM%e  
可用于材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸 V"*|`z)  
4、三种常用漏电流路径分析手段：EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测 -7*,}xV  
EMMI微光显微镜用于侦测ESD,Latch up, I/O Leakage, junction defect, hot electrons , oxide current leakage等所造成的异常。 ~K
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OBIRCH常用于芯片内部高阻抗及低阻抗分析，线路漏电路径分析.利用OBIRCH方法，可以有效地对电路中缺陷定位，如线条中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高阻区等；也能有效的检测短路或漏电,是发光显微技术的有力补充。 9`i=kp  
LC可侦测因ESD,EOS应力破坏导致芯片失效的具体位置。 !v<r=u  
5、Probe Station 探针台/Probing Test探针测试，可用来直接观测IC内部信号 ..3TB=Z#  
6、ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试 cfMj^*I  
7、FIB做电路修改 "X g@X5BG  
FIB聚焦离子束可直接对金属线做切断、连接或跳线处理. 相对于再次流片验证, 先用FIB工具来验证线路设计的修改, 在时效和成本上具有非常明显的优势. NQ !t`
  
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芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。 "2}04b|"