晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 g.Z>9(>;Y  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 BB>3Kj:|  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： hBOI:4u[  
1、顶层设计 h{VCx#!]  
2、仿真
XQ.JzzY$  
3、热设计及功耗
b>Iqk  
4、资源利用、速率与工艺 JEGcZeq)  
5、覆盖率要求 %BC*h}KGH  
6、 W_ngB[  
四、具体到测试有哪些需要关注： Xq1n1_Z  
1、可测试性设计 {eMu"<  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ts aD5B  
3、可靠性测试 Rq<T2}K  
4、故障与测试关系 T[*=7jnJQ  
5、 \&n]W\  
FD,M.kbg  
测试有效性保证； Y6,< j|  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ SzMh}xDh2  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 \2*<Pq  
rX)PN3TD  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Gmf.lHr$%  
晶圆的工艺参数监测dice， K3M<%  
芯片失效分析13488683602 7_?:R2]n  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 (G*--+Gn  
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故障种类：  +,gI|  
缺陷种类： @
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针对性测试： %F` cNw]  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test "W?k~.uw  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； "[q/2vC  
仿真与误差， "@;q! B.qo  
预研阶段 )
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顶层设计阶段 MMN2X
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模块设计阶段 @(,k%84z  
模块实现阶段 hCD0Zel  
子系统仿真阶段 6@t4pML  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Zm>Q-7r9  
后端版面设计 pLE|#58I  
测试矢量准备 zQMsS  
后端仿真 y+)][Wa0  
生产 )O#]Wvr  
硅片测试 Zz'(!h Uy  
顶层设计：
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书写功能需求说明 RF
U(wek  
顶层结构必备项 z| Hl*T  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 <x,u!}5J  
完成顶层结构设计说明 x$Ko
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确定关键的模块（尽早开始） &cV$8*2b^  
确定需要的第三方IP模块 tV<}!~0,*  
选择开发组成员 dE7 kd=.o  
确定新的开发工具 fIu5d6;'  
确定开发流程/路线 Ek~Qp9B  
讨论风险 8P.t  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 bae .?+0[