晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 OIN]u{S  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ,}NG@JID  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Yy&0b(m U  
1、顶层设计 =zsXa=<  
2、仿真 EV9m\'=j  
3、热设计及功耗 }MoCUN)I  
4、资源利用、速率与工艺 Ys\l[$_`*  
5、覆盖率要求 /HLQ  
6、 1vobfZ-w9  
四、具体到测试有哪些需要关注： /%.K`BMN  
1、可测试性设计 <#c2Hg%jh  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 Z*JZUbo-Q  
3、可靠性测试 o;"!#Z 1SJ  
4、故障与测试关系 @x)z" )>  
5、 Dhq7qz  
%o5GD  
测试有效性保证； 7n#0eska,  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 1j}o.0\  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 VRD2e ,K  
$u>^A<TBN  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 sR5dC_  
晶圆的工艺参数监测dice， _yU e2Gd  
芯片失效分析13488683602 )xi|BqQz  
$BG9<:p  
B-o"Y'iXs  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 .[~E}O  
hj-M #a  
uu(.,11`  
py)V7*CgH  
Am-JB
 
故障种类： q+SDJ?v  
缺陷种类： :kgwKuhL  
针对性测试： JBuorc  
y1P?A]v  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test B [03,zVf  
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<;=X7l+  
T1D7H~\lG  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； t
0?
\5q  
仿真与误差， D`Fl*Wc4H  
预研阶段 y9:|}Vh  
顶层设计阶段 ~?nPp$^  
模块设计阶段 a}MOhM6T  
模块实现阶段 {<&x9<f9  
子系统仿真阶段 1&wLNZXH  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 <TDgv%eg0  
后端版面设计 >:8GU f*  
测试矢量准备 : wb\N'b  
后端仿真 az7L0pp  
生产 oU67<jq  
硅片测试 DLf6D |"  
顶层设计： o:m:9d
n  
书写功能需求说明 m
/CA  
顶层结构必备项 .{~ygHQ`f  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 =TU"B-*  
完成顶层结构设计说明 _8t{4C  
确定关键的模块（尽早开始） <.~j:GbsE  
确定需要的第三方IP模块 2g|+*.*`  
选择开发组成员 n&k1'KL&  
确定新的开发工具 r*y4Vx7  
确定开发流程/路线 !i0:1{.  
讨论风险 pl'n 0L<l  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 e>X&[\T