晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 $.D)Llcq  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面
J$6WUz:?  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： n$2oM5<  
1、顶层设计 *)RKU),3nL  
2、仿真 [)
V~U?  
3、热设计及功耗 o}Grb/LJ  
4、资源利用、速率与工艺 6:(s8e  
5、覆盖率要求 [7}3k?42X  
6、 mo^E8t.  
四、具体到测试有哪些需要关注： %?[gBf[y  
1、可测试性设计 9D14/9*(dU  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 {^1
O  
3、可靠性测试 #TNjQNg@O  
4、故障与测试关系 XYvj3+  
5、
b>ZAkz)U+  
:!_l@=l  
测试有效性保证； Md4Q.8  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ %%K3J<5  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 zg ,=A?  
deAV:c  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 sUlf4<_zW  
晶圆的工艺参数监测dice， _>vH%FY  
芯片失效分析13488683602 _".h(  
X{x(p  
{#kCqjWG  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 (nQm9 M(  
<%YW/k"o  
`qJJ{<1&U  
X
MS:F]HN  
>c_fUX={  
故障种类： %.d.h;^T  
缺陷种类： R[zN?  
针对性测试： )jXKPLj  
,Vq$>T@z  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ]){ZL  
;=n}61  
F^/KD<cgK  
2V]a+Cgk  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； EmaS/]X[  
仿真与误差， ng/h6 S  
预研阶段 B:X%k/{  
顶层设计阶段 6/ 5c|  
模块设计阶段 [z"E"_r~%Y  
模块实现阶段 %l8!p'a  
子系统仿真阶段 07Yak<+~  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 {d<XDx4`  
后端版面设计 O#k; O*s'  
测试矢量准备 '4M{Xn}@  
后端仿真 /ckkqk"  
生产 8KJ`+"<=@  
硅片测试 x:0swZ5Z  
顶层设计： hqln6m  
书写功能需求说明 C!:Lk,Z  
顶层结构必备项 : jkO  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 1n<4yfJ  
完成顶层结构设计说明 :@)R@. -  
确定关键的模块（尽早开始） "Bwz Fh  
确定需要的第三方IP模块 <lR:^M[v5<  
选择开发组成员 JkN*hm?  
确定新的开发工具 $VQ;y|K+[  
确定开发流程/路线 Dl.UbH }=  
讨论风险 C-A? mIC  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 [_jw8`