晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 qk'&:A  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 t*Ro2QZ  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注：  Xp<O  
1、顶层设计 mz1m^p)~{  
2、仿真 'MYKAnZ-i  
3、热设计及功耗 <Tgubv+J  
4、资源利用、速率与工艺 xzY/$?  
5、覆盖率要求 S6bYd`  
6、 Ygg+=@].@  
四、具体到测试有哪些需要关注： sx+k V A  
1、可测试性设计 <astIu Au  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 3
)>re&  
3、可靠性测试 )Rbt0   
4、故障与测试关系 c %Y*XJ'  
5、 [V?HK_~  
rC|nE=i  
测试有效性保证； k~<Ozx^AyY  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ z"7?I$NQ  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 AX{<d@z`j  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 *wqR.n?  
晶圆的工艺参数监测dice， Yy/,I]F  
芯片失效分析13488683602 /J-.K*xKt  
+ah4 K(+3  
l8+1{6xP  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 7`L]aRS[  
@~$=96^  
0[ "CP:u  
>(n/  
z<A8S=s6n  
故障种类： W=S^t_F  
缺陷种类： GfP'  
针对性测试： |uFb(kL[U  
%<Qv?`B  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test F\;l)  
|,n(9Ix  
TGG=9a]m  
?t\GHQ$$?  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； rFC9y o  
仿真与误差， V0,5c`H c  
预研阶段 yP-$@Ry  
顶层设计阶段 m#Z9wf] F  
模块设计阶段 JT6Be8   
模块实现阶段 &?@U_emLi  
子系统仿真阶段 4M>]0%3.D  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 <uoVGV5N  
后端版面设计 9@M;\ @&g  
测试矢量准备 d\A7}_r*x  
后端仿真 (NnE\2  
生产 (Y&gse1}!  
硅片测试 2^5RQl/  
顶层设计： K43`$  
书写功能需求说明 M9VAs~&S  
顶层结构必备项 SJ8 ~:"\P  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 buKkm$@w  
完成顶层结构设计说明 `tHF}  
确定关键的模块（尽早开始） !L|VmLqa  
确定需要的第三方IP模块 *6_>/!ywI  
选择开发组成员 ZW;Re5?DJ  
确定新的开发工具 S[8nGH#m  
确定开发流程/路线 Y>nQ<  
讨论风险 0Iyb}
  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 Y.52`s6F