晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 b{5K2k&,  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 JhX=l-?  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ir[jCea,  
1、顶层设计 VQxpN 1  
2、仿真 D7?C  
3、热设计及功耗 qp~gP  
4、资源利用、速率与工艺 n]N96oD  
5、覆盖率要求 0LL c 1t>}  
6、 /:[2'_Xl  
四、具体到测试有哪些需要关注： e@n!x}t8  
1、可测试性设计 %*
W<vu>H  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 <Q5Le dN  
3、可靠性测试 J4aBPq`  
4、故障与测试关系 ~cqryr9  
5、 M1!pQC_9  
M+xdHBg  
测试有效性保证； BfmsMW  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ N1x@-/xa|  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 lMifpK  
`<fh+*  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Y
(6S
p'0  
晶圆的工艺参数监测dice， ]%dnKP~  
芯片失效分析13488683602 cQUC.TZ_  
0q6I;$H  
cAuY4RV  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ~?Omy8#  
tE"Si<[]H$  
p{Sh F.  
Hs(D/&6%  
'Kbl3fUF  
故障种类： GWP dv  
缺陷种类： }!d;(/)rb  
针对性测试： xWX*tJ4  
[QczlwmO  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test }e]f  
<7sIm^N  
G^Tk 20*  
n$)_9:Z-j  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； {}Ejt:rKN  
仿真与误差， U4,2br>  
预研阶段 olYsT**'  
顶层设计阶段 d"Q |I
  
模块设计阶段 Bl;KOR  
模块实现阶段 z2yJ#  
子系统仿真阶段 0$vj!-Mb^j  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 s8gU7pT49  
后端版面设计 'mMjjG9  
测试矢量准备 (ywo a  
后端仿真 6][1<}8  
生产 x"4%(xBu  
硅片测试 5#JJ?  
顶层设计： y'M#z_.z  
书写功能需求说明 >cR)?P/o  
顶层结构必备项 Om'(mr  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 k9si|'  
完成顶层结构设计说明 7C,T&g 1:  
确定关键的模块（尽早开始） v."Dnl  
确定需要的第三方IP模块 9w4sSj`  
选择开发组成员 -_^c6!i  
确定新的开发工具 ;</Lf=+Vm  
确定开发流程/路线 XhW %,/<  
讨论风险 u<tk G B  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 RDQ^dui