晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 `c'W-O/  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 UUMtyf  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： }MlwC;ot  
1、顶层设计 IJ/sX_k  
2、仿真 h&kZjQ&  
3、热设计及功耗 {aM<{_v  
4、资源利用、速率与工艺 T6~_Q}6  
5、覆盖率要求 UQ4% Xp  
6、 >"Q@bQ:e  
四、具体到测试有哪些需要关注： z~A]9|/61v  
1、可测试性设计 sdS^e`S  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 pAk/Qxl3eo  
3、可靠性测试 pFJB'=c  
4、故障与测试关系 w}CmfR
 
5、 1 `KN]Nt  
+d|mR9^([  
测试有效性保证； qgDRu]ba  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ sCu+Lg~f  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 ?ByM[E$  
kHqztg  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 +b3^.wkq  
晶圆的工艺参数监测dice， h;jIYxj  
芯片失效分析13488683602 /6_|]ijc  
2W$cFC  
*@TZ+{t  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 Dwl3Cj  
mJM_2Ab  
+[xnZ$Iev  
=V^.}WtO  
r0m*5rd1  
故障种类： z'`y,8Y1l  
缺陷种类： 4WB-Ec  
针对性测试： [g2;N,V#  
+\r+n~w  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 5K?}}Frrt`  
XbQlHfrS  
o`.R!wm:W  
vip~'  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； D?Ux[Ozb  
仿真与误差， 3su78et}  
预研阶段 |{@FMxn|q  
顶层设计阶段 n k2om$nN  
模块设计阶段 CX m+)a-L  
模块实现阶段 CpQN,-4  
子系统仿真阶段 <?D\+khlq  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 q
n,O40/]  
后端版面设计 MJ=)v]a  
测试矢量准备 Zec <m8~  
后端仿真 eW>3XD4  
生产 d9n?v)<v  
硅片测试 >*wtbkU  
顶层设计： Rml2"9"`  
书写功能需求说明 !'Q -yoHKD  
顶层结构必备项 0dh=fcb  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 FV,4pi  
完成顶层结构设计说明 21(p|`X  
确定关键的模块（尽早开始） 7+hK~  
确定需要的第三方IP模块 !!o8N<NU  
选择开发组成员 #b7$TV  
确定新的开发工具 {6oE0;2o'  
确定开发流程/路线 V _c@b%  
讨论风险 K6olYG>  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 0KD]j8^