晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 dg_w$#  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 [v`kqL~  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： kT:I.,N   
1、顶层设计 !;0K=~(Y^  
2、仿真 x_r*<?OZ  
3、热设计及功耗 D"%>  
4、资源利用、速率与工艺 [2E(3`-u  
5、覆盖率要求 n#@Qd!uzM  
6、 m"QDc[^Ge  
四、具体到测试有哪些需要关注： n~.$
iN  
1、可测试性设计 M=3gV?N  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 4]6-)RHFB  
3、可靠性测试 s
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4、故障与测试关系 d</F6aM\  
5、 T"<)B^8f  
\`E^>6!]q  
测试有效性保证； 4u+0 )<  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ u1=K#5^  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 hCS}  
qG ? :Q  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 B{*{9!(l9  
晶圆的工艺参数监测dice， *"OUwEla  
芯片失效分析13488683602 !F.h+&^D
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#'0Yzh]qc  
n4y]h  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 `.J17mQe"  
,Vw>3|C  
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YV!hlYOB
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57-Hx;  
故障种类： } !y5hv!_  
缺陷种类： D <R_eK  
针对性测试： )Yv=:+f  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test FSn3p}FVa  
M&/%qF15  
/KNDo^P  
0^sY>N"  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； :mW< E  
仿真与误差， m(*rMO>_  
预研阶段 U7?v4O]D[  
顶层设计阶段 ^'a#FbMtt  
模块设计阶段 ft$RF  
模块实现阶段 CH&{x7$he  
子系统仿真阶段 &*%x]fQ@  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 uYWD.]X;[  
后端版面设计 Fx|`0LI+C  
测试矢量准备 IWq#W(yM  
后端仿真 m\X\Xp~A  
生产 J=t}9.H~=  
硅片测试 t ^[fu,  
顶层设计： (:HT|gKoE  
书写功能需求说明 P_w4 DU  
顶层结构必备项 KmTFJ,iM  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 }\Rmwm-  
完成顶层结构设计说明 f:ObI  
确定关键的模块（尽早开始） {(!JYz~P  
确定需要的第三方IP模块 t>/x-{bH\  
选择开发组成员 b
rs`R#e \  
确定新的开发工具 b5LToy:  
确定开发流程/路线 7J!s"|VS  
讨论风险 5l 3PAG  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 f
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