晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2514
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 qp W#!Vbx  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 H<;Fb;b  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: X?6h>%) k  
1、顶层设计 y^AA#kk  
2、仿真 Xo@YTol  
3、热设计及功耗 ^)q2\ YE;  
4、资源利用、速率与工艺 ~& 5&s  
5、覆盖率要求 RGO:p]t|  
6、 ^@Qi&g`lr?  
四、具体到测试有哪些需要关注: <!9fJFE  
1、可测试性设计 M?B(<j1Ri  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 mbBRuPEa=u  
3、可靠性测试 l;BX\S  
4、故障与测试关系 LO]6Xd"  
5、 qP"JNswI_  
B"PHJj  
测试有效性保证; ~RXpz-Ye  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? TJXraQK-=  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 , Ln   
^Q=y^fx1  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 z`/.v&<>V  
晶圆的工艺参数监测dice, `XxG"k\/S  
芯片失效分析13488683602 =$8@JF'  
.gN$N=7<  
EyPJvs  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 5!ubY 6Ph  
e5ru:#P.p  
;a#*|vx  
JYd7@Msfc  
?Y{^un  
故障种类:  |.C    
缺陷种类: )@qup _M@  
针对性测试: }{8Fo4/  
# \; >8  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ^MT9n  
bW9"0=j[{  
)M'UASB;8  
kV ,G,wo  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; m*!f%}T  
仿真与误差, @vQa\|j  
预研阶段 3%R{"Q"  
顶层设计阶段 EF=dXm/\  
模块设计阶段 ^%8qKC`Tt  
模块实现阶段 ( f,J_  
系统仿真阶段 7B(bH8  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 i~)N QmH<  
后端版面设计 D;zWksq  
测试矢量准备 s8_aL)@f  
后端仿真 !\0F.*   
生产 %X9b=%'+  
硅片测试 9&%#nN4`8  
顶层设计: _(6`{PWY  
书写功能需求说明 6z3T?`}Y  
顶层结构必备项 !&`}]qQZ  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 BF36V\  
完成顶层结构设计说明 S= -M3fP~  
确定关键的模块(尽早开始) 1n'$Ji7  
确定需要的第三方IP模块 4TUtY:  
选择开发组成员 A)hhnb0o  
确定新的开发工具 tqf&N0*  
确定开发流程/路线 ,;.B4  
讨论风险 w< 65S  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 _1sMYhI  
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