晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 A?04,l]y  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 M^\`~{*T  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： .n_Z0&i/w  
1、顶层设计 (D[~Z!   
2、仿真 v(0ujfSR0  
3、热设计及功耗 ?4wl  
4、资源利用、速率与工艺 " ]k}V2l  
5、覆盖率要求 .= ~2"P  
6、 ?99r>01>  
四、具体到测试有哪些需要关注： QsKnaRT  
1、可测试性设计 v B~VJKD  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ZYY~A_C  
3、可靠性测试 wKdWE`|y  
4、故障与测试关系 ~pH!.|k-&  
5、 \kV|S=~@  
z7BFkZ6+  
测试有效性保证； D]fgBW-  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ wvisu\V  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 "D>/#cY1/  
eu)""l  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 id+EBVHAd  
晶圆的工艺参数监测dice， l#]#_  
芯片失效分析13488683602 s\~j,$Mm2  
3%Q<K=jy  
euV!U}Xr  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 e/x 9@1s#  
Q;l%@)m+~  
~C>;0a;<:  
S['%>  
<]z4;~/&  
故障种类： *qL'WrB1  
缺陷种类： 1,zc8>M  
针对性测试： Ui"$A/  
yYe>a^r4R  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test BZTj>yd  
%@ >^JTkY8  
Z$c&Y>@)  
x]hG2on!  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； jR:
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仿真与误差， <2kv/  
预研阶段 ^vVAuO  
顶层设计阶段 /EQ^-4yr  
模块设计阶段 zV15d91GX  
模块实现阶段 [giw(4m#y  
子系统仿真阶段 -/B*\X
[  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 \Js*>xA  
后端版面设计 t{s>B]i^_w  
测试矢量准备 xh<{
lZ)KJ  
后端仿真 wZCboQ,  
生产 c3rj :QK6I  
硅片测试 Hsov0  
顶层设计： I)jAdd
 
书写功能需求说明 i&m6;>?`  
顶层结构必备项 l{?9R.L  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 "p+oi@  
完成顶层结构设计说明 Z/GSR$@lI  
确定关键的模块（尽早开始） Ap"%%D^{:  
确定需要的第三方IP模块 *j<#5=l  
选择开发组成员 j5n"LC+oz  
确定新的开发工具 {Z
!t:'x8  
确定开发流程/路线 FB,rQ9D  
讨论风险 pcOKC0b.  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 ['>r tV