漏电定位EMMI

主要用途 ] h-,o R?e  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 ]{"Br
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ZM"~ 0  
性能参数 @L.82p{h  
CTWn2tpW  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； o7mZzzP  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm j1_@qns{  
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c)像素尺寸：30um x 30um hN['7:bQ  
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d)曝光时间 20ms - 400s >=]'hyn]]  
T+N|R  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x #cj6{%c4  
OB[o2G<0  
f)Back side EMMI USFDy  
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应用范围 'J,T{s1J  
SIbDj[s  
　1.P-N接面漏电 ;<UWA.  
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　2.饱和区晶体管的热电子 Vy_2
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P&Pj>!T5  
　3.P-N接面崩溃 rr#K"SP  
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　4.闩锁效应 *3T|
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Lm@vXgMD  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发