[求助]求助各位镀膜工程师前辈 [复制链接]

镀增透膜后的基底就像有一层雾一样是什么原因，望各位前辈给小弟解答一下（多层膜，膜系al2o3 zro2 mgf2） ~`CWpc:  
还有在镀多层膜过程中，是否要对基底经行全程烘烤以便保持基底温度，镀膜时间大约持续1小时

镀灰了！找机器毛病

中国镀膜人:镀灰了！找机器毛病 (2013-10-13 21:50)  cfA)Ui  

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能讲解的详细点儿吗，应该从机器的什么方向改进，从温度，真空度，还是电子枪蒸发速度，这个膜系制备过程中真空度平均在9*10-3pa左右，蒸发速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s，还有在镀膜全过程中是不是要求烘烤装置全程打开对基底进行加热。

烘烤不能停，一停温度就下降很快的，还有如果没有离子源镀膜温度要接近３００度，因为ＭＧＦ２材料容易脱膜，还有你的真空度太低了，应该不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，这个材料组合可能不合适

yzhuang:烘烤不能停，一停温度就下降很快的，还有如果没有离子源镀膜温度要接近３００度，因为ＭＧＦ２材料容易脱膜，还有你的真空度太低了，应该不低于5*10-3pa，另外，如果是基底是ＺＦ料，这个材料组合可能不合适 (2013-10-16 09:11)  L j>HZS$F  

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对于这个膜系我 用经典四层膜系（zro2（0.058） mgf2（0.072）  zro2（0.5）  mgf2（0.25））做了一些代替 并且在mgf2外层又加镀了10nm左右的sio2作为保护层，但是真空度就是控制的不好，请问您，在镀膜过程中有没有一些常用的方法能控制好真空度的数值。ps：我们现在镀膜所采用的蒸发速度是al2o3 0.25nm/s ，zro2是0.15nm/s ，mgf2是1nm/s。

你ZRO2镀的不慢吗？你的工艺存在问题。 F\IJim-Rh  

1,、测温度。无离子源不能低于300，镀完膜再关烘烤。 i4s_:
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2、真空度太低，必须5.0E-3以下，最好3.0E-3 :N>n1tHL;A  
3、蒸发速率。ZrO2太慢，MgF2有点快，3-5埃/s 2?)8s"Y  
4、氧化物需要充氧

我觉得是基底的原因吧 打底材料部合适 出现白晕膜吧

6楼说的不错，再一个问题要看看基底有没有清洁干净。

zro2 速率调到3 `W9~u: F  
加热不能停 !))!!{  
是否使用离子源，使用的话真空度保持在1.0E-2以下把 Z66h  
镀mgf2 需要加热300度  从一开始到镀膜结束一直需要这个温度