光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 ^lT
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PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 `e0U-W]kF  
光学特征 )p"37Ct?  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） v.)'be*u  
l  超大接受角度范围（+/-20°） fMr6ZmB  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） />XfK,c-  
l  高损伤阈值 :b;2
iBVB  
l  可精确控制相位延迟 _=jc%@]1y  

.Lo$uKsW$l   光学头规格
5nr}5bum   型号	VuwBnQ.2k   材料	Tk9*@ kqv   频率	相位延迟范围		bC k_ZA   通光孔径
			g/so3F%v .   1/4 波长	rd\mFz-SB   1/2波长
__c:$7B/4U   I/FS50	t'4hWNR'   Fused Silica	a J[VX)"J   50 kHz	4x=rew>Ew   170nm - 2μm	={b/s31H:   170nm-1μm	^aDos9SyV   16mm
+&tY&dQQB   I/FS20	it\{#rb=4   Fused Silica	]y$D@/L@   20 kHz	71cc6T   170nm - 2μm	3S:}fPR   170nm-1μm	B4R!V!Z*   22mm
}nYm^Yh   I/CF50	88h-.\%Z   Calcium Fluoride	iwCnW7:   50kHz	H|T:_*5   130nm - 2μm	_< 69d   130nm-1μm	2Ua_7   16mm
q^Lj)zmnK   II/FS20A	h|dVVCsN   Fused Silica	g8mVjM\B;   20kHz	a9"x_IVU   170nm - 2μm	nTY`1w.;   170nm-1μm	8 +xLi4Pw   56mm
RX>kOp29   II/FS20B	}f^r@3Cb3   Fused Silica	IoJkM-^H&)   20kHz	NaG1j+LN   1.6μm- 2.6μm	zUXqTcj   800nm-2.5μm	9+9}^B5@A   56mm
I'BoP   II/FS42A	BkA>':bUr   Fused Silica	B[C2uVEX:   42kHz	!li Q;R&   170nm- 2μm	 V8NNIS   170nm- 1μm	CBs0>M/   27mm
5)V J   II/FS42B	 nq8mzI   Fused Silica	;38DBo   42kHz	Lh"Je-x<<   1.6μm- 2.6μm	"f~S3?^!2   800nm-2.5μm	v%/_*69a   27mm
KI-E=<zt   II/FS47A	e<l Wel   Fused Silica	%#02Z%?%   47kHz	c_O|?1   170nm-2μm	v/8K?$"q   170nm-1μm	kE,~NG9P    24mm
jIZQ/xp8_   II/FS47B	 ,L\OhT   Fused Silica	joAR;J   47kHz	Z5[ t/   1.6μm-2.6μm	QZ"Lh   800nm-2.5μm	Bca\grA   24mm
.gv J;A7   II/FS84	7w|W\J^7r   Fused Silica	jbn{5af   84kHz	=!9+f   800nm-2.5μm	^;c!)0Q<Z   400nm-2.5μm	=:1f 0QF   13mm
2hw3+o6   II/IS42B	r=s,Ath   Fused Silica	hBLJKSv   42kHz	+0.$w   1.6μm-3.5μm	u\ytiGO*   800nm-2.5μm	!0fpD'f!n   27mm
q3VE\&*^F   II/IS84	-/B}XNW   Fused Silica	/+"BU-aQk   84kHz	tKo^A:M   800nm-3.5μm	I(s\ Q[   400nm-1.8μm	W.-[ceM   27mm
P@lExF*D1:   II/CF57	V~&P<=8;Wl   Calcium Fluoride	G! zV=p   57kHz	"T<Q#^m   2μm - 8.5μm	c*1t<OAS~   1μm - 5.5μm	W~POS'1   23mm
8PDt 7 \   II/ZS37	<3LyNG.   Zinc Selenide	tcwE.>5O   37kHz	Ua,Lg.z   2μm - 18μm	]V<[W,*(5   1μm - 9μm	?<#6=   19mm
vy,ER<   II/ZS50	{Rc/Ten   Zinc Selenide	,6}HAC $   50 kHz	C^aP)& qt   2μm - 18μm	AVOzx00U   1μm - 10μm	f%an<>j^w   14mm
a/NmM )   II/SI40	bguhx3s   Silicon	d~D<;7M XJ   40kHz	tU}CRh   FIR - THz	pez[qs   FIR - THz	O9r3^y\>I   36mm
$`i$/FE   II/SI50	(VO) Q   Silicon	a^~T-;_V   50 kHz	X<x"\Yk   FIR - THz	n (C*LK   FIR - THz	>O&(G0!N+}   29mm

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