光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 'YSHi\z ](  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 ri-b=|h2j  
光学特征 ((M>s&\y*Y  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） j3E7zRm] \  
l  超大接受角度范围（+/-20°） 4ID5q~  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） ' %o#q6O  
l  高损伤阈值 >(t6.=  
l  可精确控制相位延迟 or}[h09qA  

sdw(R#GE   光学头规格
j*r{2f4Rt   型号	IF:;`r@%   材料	t'k$&l}+   频率	相位延迟范围		T{[=oH+   通光孔径
			n,WqyNt*   1/4 波长	B \2SH%\   1/2波长
; kI134i=   I/FS50	>}6%#CAf   Fused Silica	Qh\60f>0   50 kHz	PB\x3pV!}   170nm - 2μm	\(2sW^fY   170nm-1μm	&&>ekG9@   16mm
_KAQ}G3   I/FS20	^Xh^xL2cn   Fused Silica	Y`a3tO=Pd   20 kHz	w~qT1vCCN   170nm - 2μm	w ;^ra<*<+   170nm-1μm	*b\t#meS&   22mm
7WZ+T"O{I   I/CF50	&0JI!bR(   Calcium Fluoride	['iPl/v0   50kHz	HLG"a3tt   130nm - 2μm	V1M.JU   130nm-1μm	+TDw+   16mm
-e:`|(Mo   II/FS20A	P+/e2Y   Fused Silica	C1QA)E['V   20kHz	JZyAXm%   170nm - 2μm	A2Gevj?F$   170nm-1μm	[`7ThHX   56mm
zy }$i?   II/FS20B	_xhax+,! ~   Fused Silica	Uz]|N6`   20kHz	HN|%9{VeB   1.6μm- 2.6μm	;NI Tc   800nm-2.5μm	97!;.f-   56mm
/IMFO:c   II/FS42A	rFL;'Cj@   Fused Silica	pFjK}JOF   42kHz	Er?&Y,o   170nm- 2μm	gRcQt:   170nm- 1μm	Xc&9Glf   27mm
c{w2Gt!   II/FS42B	]~siaiN[   Fused Silica	Z(CkZll   42kHz	f) L   1.6μm- 2.6μm	$f7l34Sf3   800nm-2.5μm	},-H"Qs   27mm
92oFlEJ   II/FS47A	kE1TP]|   Fused Silica	U&qZ"   47kHz	j1T#yt J   170nm-2μm	d%n-[ZL   170nm-1μm	ysY*k`5   24mm
$ $ mV d+   II/FS47B	-zfR)(zG   Fused Silica	4BpZJ~(p   47kHz	AFwdJte9e   1.6μm-2.6μm	KVa   800nm-2.5μm	{ 2f-8Z&>   24mm
O?#7N[7   II/FS84	Wmv#:U   Fused Silica	\ @2R9,9E   84kHz	7 s^'d,P   800nm-2.5μm	U|R_OLWAg   400nm-2.5μm	KF:78C   13mm
~*];pV]A[   II/IS42B	=[7Av>   Fused Silica	4;2uW#dG"   42kHz	JNnDts*w   1.6μm-3.5μm	l9Q-iJ   800nm-2.5μm	mj7#&r,1l   27mm
Tpa5N'O   II/IS84	8'y$M] e9n   Fused Silica	gL/9/b4   84kHz	ysnx3(+|   800nm-3.5μm	F#5~M<`.o   400nm-1.8μm	&s>Jb?_5Mx   27mm
nKj7.,>;:<   II/CF57	1<aP92/N&   Calcium Fluoride	k)TpnH! "   57kHz	Q\sK"~@3   2μm - 8.5μm	]\HvKCN}   1μm - 5.5μm	deh*Ib:(S   23mm
%JTpI`   II/ZS37	[AJJSd/:   Zinc Selenide	jT;;/Fd3/   37kHz	lNO;O}8   2μm - 18μm	SOao o^,O   1μm - 9μm	ZXPX,~ 5o   19mm
A?OQE9'   II/ZS50	(A.C]hD   Zinc Selenide	-MBxl`JU   50 kHz	~v6D#@%A   2μm - 18μm	j3ls3H&   1μm - 10μm	@_{=V0   14mm
:7;@ZEe   II/SI40	HTTC TR   Silicon	pT6$DB#   40kHz	_+3::j~;m   FIR - THz	Qn2&nD%zi   FIR - THz	YtLt*Ig%   36mm
S$-7SEkO+   II/SI50	9} .z;prz   Silicon	P[fq8lDA   50 kHz	*|HY>U.   FIR - THz	n~Lt\K:   FIR - THz	<IW$m!{VG   29mm

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