光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 .Ad9(s  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 DcE4r>8B  
光学特征 !'B='].  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） ux6p2Sk;K  
l  超大接受角度范围（+/-20°） ?-tNRIPW@p  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） p6ryUJc6  
l  高损伤阈值 Mq_P'/  
l  可精确控制相位延迟 s'bTP(wl9  

p1W6s0L   光学头规格
qd<I;*WV   型号	EK&0Cn3z   材料	*, ~L_)vWO   频率	相位延迟范围		WpRM|"CF   通光孔径
			}F|B'[wn   1/4 波长	A4rkwM   1/2波长
N|3#pHm@   I/FS50	l=x(    Fused Silica	&(e5*Q   50 kHz	|*Oi:)qt   170nm - 2μm	fK2r6D9   170nm-1μm	9'@G7*Yn   16mm
{WQ6=wGpS   I/FS20	z;_vl   Fused Silica	f.$*9Fkw   20 kHz	>?6HUUQ   170nm - 2μm	F!p;]B   170nm-1μm	zg$ag4%Qgg   22mm
6YV"H   I/CF50	\ FJ ae   Calcium Fluoride	5=%KK3   50kHz	{'z$5<|   130nm - 2μm	^AiQNL}   130nm-1μm	*z.rOY= 8   16mm
_dmG#_1   II/FS20A	]2 $T 6   Fused Silica	Et0)6^-v   20kHz	n{&;@mgI   170nm - 2μm	b*/Mco 9O   170nm-1μm	_"*sx-   56mm
 1'F!C   II/FS20B	]Qa|9G,b   Fused Silica	Hsd76z#8   20kHz	B^/k`h6J   1.6μm- 2.6μm	B9% %jEH*   800nm-2.5μm	yH>C7M7t   56mm
Bf6i{`!G   II/FS42A	;tF&r1   Fused Silica	pjs4FZ`Pd;   42kHz	L./c#b!{   170nm- 2μm	ei{tW3 H$   170nm- 1μm	@|bJMi   27mm
YD0hDp   II/FS42B	yz5! >|EB   Fused Silica	/lh1sHgD   42kHz	7(a1@VH   1.6μm- 2.6μm	Nh}u]<B   800nm-2.5μm	#dD0vYT&od   27mm
$G5:/,Q   II/FS47A	W0Y ,3; 0   Fused Silica	l2}X\N&q   47kHz	 ST0TWE'   170nm-2μm	O0s!3hKu   170nm-1μm	= ^Vp \   24mm
4nQ5zwiV   II/FS47B	Wq"-T.i   Fused Silica	+|7N89l   47kHz	#TO^x&3@   1.6μm-2.6μm	Dln1 R[   800nm-2.5μm	K=nDC.   24mm
]61HQ   II/FS84	BW}M/   Fused Silica	!pkIaCxs   84kHz	C&R U   800nm-2.5μm	3bR%#G%   400nm-2.5μm	*?]<=IV?   13mm
VX>j2Z'   II/IS42B	G%AO%II   Fused Silica	9I;~P &   42kHz	:K"~PrHm   1.6μm-3.5μm	#z<#oC5   800nm-2.5μm	)tnbl"0   27mm
YOj&1ymBZ   II/IS84	he:z9EG}   Fused Silica	jD}h`(bE   84kHz	WSN^iDS   800nm-3.5μm	xkax   400nm-1.8μm	5E1`qof   27mm
*Uj;a.   II/CF57	LME&qKe5   Calcium Fluoride	'3Q~y"C+4   57kHz	zy n X9t   2μm - 8.5μm	}qhYHC   1μm - 5.5μm	hITYBPqRO   23mm
E2YVl%.   II/ZS37	x[Hx.G}5+   Zinc Selenide	s2wDJ|   37kHz	c$^v~lQS   2μm - 18μm	W5= j& &|!   1μm - 9μm	)S 4RR2Q>   19mm
>]ZE<.   II/ZS50	]'M B3@T   Zinc Selenide	Tsj/alC[   50 kHz	*78c2`)[   2μm - 18μm	:vzIc3~c:`   1μm - 10μm	_SOwiz   14mm
h6^|f%\w*i   II/SI40	1"75+Q>D   Silicon	W=w]`'   40kHz	D}lqd Ja   FIR - THz	sQkijo.   FIR - THz	.UQ|k,,t   36mm
k ,+,,W   II/SI50	VjNr<~|d   Silicon	law $LL   50 kHz	^v'0\(H?P   FIR - THz	C=@4U}   FIR - THz	3S]Q IZ1   29mm

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