光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 c</1  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 2i7e
#  
光学特征 '91".c,3?  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） wRtZ`o  
l  超大接受角度范围（+/-20°） P"3*lk+w  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 7&B$HZ  
l  高损伤阈值 z@Hp,|Vy[  
l  可精确控制相位延迟 |Au]1}  

%ow^dzW   光学头规格
H'=(`   型号	wy,p&g)>   材料	p$E8Bn%[   频率	相位延迟范围		',I0ih#Ls   通光孔径
			v [njdP   1/4 波长	r0]4=6U   1/2波长
|=dC )Azs   I/FS50	 bh p5<N   Fused Silica	hBU\'.x   50 kHz	'CR)`G_'[   170nm - 2μm	^tH#YlV4>9   170nm-1μm	58V[mlW)O0   16mm
9`Q<Yy"du   I/FS20	Ts$@s^S]   Fused Silica	>[10H8~bI/   20 kHz	CC^E_jT   170nm - 2μm	YDC&u8   170nm-1μm	%9v@0}5V   22mm
FFKGd/:!   I/CF50	wzCUZ1N9q   Calcium Fluoride	Tr&M~Lgb)   50kHz	MV>$BW   130nm - 2μm	Gi2$B76<   130nm-1μm	_-TA{21)   16mm
2&!bfq![   II/FS20A	:4gLjzL   Fused Silica	gB'fFkd   20kHz	E#wS_[   170nm - 2μm	Ro(Zmk\t   170nm-1μm	[K/m   56mm
_~u2: yl(   II/FS20B	IiBD?}   Fused Silica	}J:+{4Yn   20kHz	4LH[4Yj?`   1.6μm- 2.6μm	cD|Htt"   800nm-2.5μm	_ *f   56mm
?:{sH#ua   II/FS42A	^5GW$   Fused Silica	W,^W^:m-x   42kHz	\daZk/@   170nm- 2μm	An*~-u9m   170nm- 1μm	ao_4mSB   27mm
'(GiF   II/FS42B	wIB`%V   Fused Silica	7CXW#H   42kHz	#>=j79~   1.6μm- 2.6μm	\%Ves@hG>   800nm-2.5μm	39wa|:I   27mm
` |IUGz   II/FS47A	azQD>   Fused Silica	Ian[LbCWB   47kHz	g-c ;}qz   170nm-2μm	lKWPTCU   170nm-1μm	HB+|WW t>   24mm
YOr:sb   II/FS47B	7/7Z`   Fused Silica	NA3\   47kHz	7>XDNI   1.6μm-2.6μm	tGA :[SP   800nm-2.5μm	Yim<>. !   24mm
 qy)_wM   II/FS84	qyC=(v   Fused Silica	D8&`R   84kHz	#U8rO;$   800nm-2.5μm	<fCKUc   400nm-2.5μm	2{-ZD ,(u7   13mm
nOx4<Wk&   II/IS42B	o<IAeH {+   Fused Silica	WE]e m >   42kHz	-7J| l   1.6μm-3.5μm	Y!iZW   800nm-2.5μm	STZPYeXE   27mm
Hbv6_H   II/IS84	WJ<^E"^   Fused Silica	`.s({/|[   84kHz	ARcB'z\r   800nm-3.5μm	w 4[{2   400nm-1.8μm	.920{G?l5   27mm
`Al;vVMRO   II/CF57	Y0?5w0{   Calcium Fluoride	][}0#'/mV   57kHz	X7k.zlH7T   2μm - 8.5μm	l Va &"   1μm - 5.5μm	U9b?i$   23mm
=UyLk-P w   II/ZS37	W9NX=gE4   Zinc Selenide	D %Xo&V[   37kHz	MSf;ZB   2μm - 18μm	8@so"d2e   1μm - 9μm	{s.=)0V   19mm
w$JvB 5O   II/ZS50	l;o1 d-n]   Zinc Selenide	%iV^S!e   50 kHz	II6CHjW`;   2μm - 18μm	A}eOFu`   1μm - 10μm	95el'K[R   14mm
I? ,>DHUX   II/SI40	Lemui)   Silicon	M4as   40kHz	e7w SOs   FIR - THz	ZP {*.]Qu   FIR - THz	\rv<$d@L   36mm
H; RwO@v   II/SI50	v:H$<~)E|   Silicon	#%DE;   50 kHz	s[UHe{^T   FIR - THz	(o`{uj{ !   FIR - THz	;*MLRXq   29mm

eM8}
X[  
如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司