光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 XvzV lKL  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 `i>B|g-  
光学特征 &PQ{e8w  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） J\dhi{0  
l  超大接受角度范围（+/-20°） WJFTy+bD  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Bn#HJ17/#  
l  高损伤阈值 MBY
D,v&  
l  可精确控制相位延迟 E~Up\f  

c;|&>Fp   光学头规格
P #2T M   型号	>gi{x|/   材料	%yuIXOJ   频率	相位延迟范围		_KkVI7a   通光孔径
			JmJ,~_   1/4 波长	C@?e`=9(   1/2波长
@qhg[= @   I/FS50	a+a%}76N   Fused Silica	'xrbg]b%   50 kHz	z5*O@_r+.b   170nm - 2μm	,YMdXYu`s   170nm-1μm	TaHi+   16mm
tSXjp   I/FS20	f s"V'E2a   Fused Silica	8JFkeU%yO   20 kHz	k}0   170nm - 2μm	wgR@M[]o;   170nm-1μm	K[|P6J    22mm
qP^0($   I/CF50	g-V\s&}   Calcium Fluoride	x]J-q5   50kHz	ohtn^o;C}   130nm - 2μm	)J6b:W   130nm-1μm	Boj{+rE0   16mm
VU'l~%ql   II/FS20A	" $"mWF-   Fused Silica	K~ /V   20kHz	vLT12v:)`   170nm - 2μm	&lfF!    170nm-1μm	(uK), *6B   56mm
nu9k{owB T   II/FS20B	4a\+o]   Fused Silica	 TtjSLkF   20kHz	Di1G   1.6μm- 2.6μm	];}|h|q/{}   800nm-2.5μm	"N/K*   56mm
~V- o{IA   II/FS42A	.6/p4OR|   Fused Silica	+#db_k   42kHz	;WAu]C|   170nm- 2μm	 x w83K   170nm- 1μm	ds[Z=_Ll   27mm
(X7yNIPfA   II/FS42B	:@8.t,|   Fused Silica	.&Gtw _   42kHz	~t3?er& R   1.6μm- 2.6μm	l3|>*szX   800nm-2.5μm	+~k,4   27mm
9C~GL,uKs   II/FS47A	m)RxV@   Fused Silica	jW$f(qAbm   47kHz	>)Z2bCe   170nm-2μm	O xau a   170nm-1μm	] G&\L~P   24mm
r$eL-jQmn   II/FS47B	2}Plr{s9   Fused Silica	& ~G   47kHz	{Om3fSk:   1.6μm-2.6μm	v=WDs#"   800nm-2.5μm	iw;Alav"x   24mm
 !3M!p&   II/FS84	+hhbp'%   Fused Silica	.7Bav5 ;   84kHz	,ZW.P`   800nm-2.5μm	pG=zGx4   400nm-2.5μm	+W s}a   13mm
l>P~M50D?{   II/IS42B	|Q q'_4:   Fused Silica	pnb $lpxt   42kHz	d}CMX$1   1.6μm-3.5μm	XxQ2g&USk   800nm-2.5μm	BU\NBvX$   27mm
`fVA. %   II/IS84	+mPB?5   Fused Silica	<sG>[\i   84kHz	Z{)|w=   800nm-3.5μm	|8+rUFkU8   400nm-1.8μm	a'fb0fz   27mm
o%Q'<0d   II/CF57	S%|' /cFo   Calcium Fluoride	GDe$p;#"9g   57kHz	@d9*<>@:   2μm - 8.5μm	5S?Xl|8E   1μm - 5.5μm	B|w}z1.   23mm
"d*   II/ZS37	kQcQi}e   Zinc Selenide	RS=7W._W   37kHz	uB!P>v6   2μm - 18μm	F&Z>B};   1μm - 9μm	EE{%hGb   19mm
9{&x-ugM   II/ZS50	~$Yuxo   Zinc Selenide	t/c^hTT   50 kHz	E_*T0&P.P   2μm - 18μm	y!Eh /KD   1μm - 10μm	9$t@Gmn   14mm
A#\X-8/   II/SI40	?q7Gs)B=^'   Silicon	DvKMb-*S   40kHz	ba.OjK@   FIR - THz	*tqeq y-X   FIR - THz	'/@VG_9L]   36mm
yw^,@'   II/SI50	zoXF"Nz   Silicon	;">hCM7   50 kHz	E_#&L({|@   FIR - THz	-rrg?4   FIR - THz	f5eX%FR   29mm

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