光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 B?^~1Ua9Zv  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 )hQ]>o@i{  
光学特征 OS<GA
A
0  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） P/WGB~NH  
l  超大接受角度范围（+/-20°） S~fP$L5  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） D~i5E9s5  
l  高损伤阈值 j82w 3  
l  可精确控制相位延迟 }s'=w]m  

WH39=)D%u   光学头规格
,66(*\xT   型号	i={4rZOD^   材料	(91ts$jH   频率	相位延迟范围		< -W8   通光孔径
			z<fd!g+^   1/4 波长	I;wxgWOP   1/2波长
W" vkmk   I/FS50	7_jt =sr   Fused Silica	v 9 /37AU   50 kHz	J> ,w},`   170nm - 2μm	.XeZjoJ$z   170nm-1μm	}TZM@{;   16mm
{2Tu_2>   I/FS20	b5]<!~Fv:`   Fused Silica	<Dgf'GrJ   20 kHz	ZQ`4'|"   170nm - 2μm	$`\qY ^.(   170nm-1μm	#tsP   22mm
u0k'Jh]K   I/CF50	wX6-WQR   Calcium Fluoride	z ULHgG   50kHz	%WR"qd&HSh   130nm - 2μm	^:ny   130nm-1μm	pnx^a}|px   16mm
`#!>}/m   II/FS20A	~fL`aU&   Fused Silica	F|!=]A<   20kHz	GoX<d{   170nm - 2μm	8tj WVo   170nm-1μm	_D{FQRU<YD   56mm
)Kl@dj   II/FS20B	gG.+3=   Fused Silica	| ~>7_:   20kHz	3"my!}03   1.6μm- 2.6μm	6?.S-.Mr   800nm-2.5μm	?G!p4u?C   56mm
n.NWS/v_{   II/FS42A	l]t^MEoc8   Fused Silica	|=VWE>g   42kHz	2{l|<'   170nm- 2μm	!h }Vz   170nm- 1μm	,+OV Rc   27mm
kt_O=   II/FS42B	I(&N2L$-   Fused Silica	e~># M$   42kHz	> Q"3dw   1.6μm- 2.6μm	Vx5fQ mx   800nm-2.5μm	XrMw$_0)   27mm
NgsEEPu?   II/FS47A	yD!GgnW   Fused Silica	/?Y4C)G   47kHz	W:wSM*   170nm-2μm	E;4dlL`*   170nm-1μm	4T$jY}U   24mm
*Ev8f11i&   II/FS47B	4~oRcO8!Y   Fused Silica	g~9rt_OV   47kHz	9Ou}8a?m"   1.6μm-2.6μm	&F[N$6:v   800nm-2.5μm	9X#]Lg?b   24mm
h;#^?v!+   II/FS84	?uP5("c   Fused Silica	yF|28KJ   84kHz	r~,3   800nm-2.5μm	6Qz=g t%I=   400nm-2.5μm	*h 5L1Eq   13mm
XS&;8 PO   II/IS42B	,|zwY~lt5   Fused Silica	/9D mK%d   42kHz	Ho&f[T(   1.6μm-3.5μm	d:]ZFk_*   800nm-2.5μm	rt)[}+ox   27mm
Aq'~'hS`1   II/IS84	&i`(y>\   Fused Silica	#!yX2lR   84kHz	e!C,<W&B\   800nm-3.5μm	R Eo{E   400nm-1.8μm	hQL@q7tUr   27mm
.]<iRf[\[   II/CF57	mL;oR4{   Calcium Fluoride	=&.9z 4A   57kHz	9&B#@cw   2μm - 8.5μm	6 Rg>h   1μm - 5.5μm	.K#' Fec   23mm
w; f LnEz_   II/ZS37	CA$|3m9)NM   Zinc Selenide	aqi]5,   37kHz	~ `{{Z&   2μm - 18μm	XA69t2J~F   1μm - 9μm	"1DlusmCCB   19mm
?AI`,*^   II/ZS50	ka_R|xG\   Zinc Selenide	0Uk;&a0s   50 kHz	gKWUHlQY   2μm - 18μm	:2A-;P4   1μm - 10μm	LiGECqWBa'   14mm
Kj4L PG   II/SI40	oHV!>K_D   Silicon	] J|#WtS   40kHz	K)n058PO   FIR - THz	dg(sRTi{   FIR - THz	tjne[p   36mm
ej(< Le\   II/SI50	Oo>U u{{   Silicon	wo86C[   50 kHz	zx?|5=+!   FIR - THz	S[&yO-=p6   FIR - THz	Je K0><   29mm

S1i~r+jf  
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