光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 X>GY*XU  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 HJ1\FO9\  
光学特征 <&0*5|rR  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） S}[:;p?F`  
l  超大接受角度范围（+/-20°） +ZA\M:^b  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） BvW gH.OX  
l  高损伤阈值 8(/f!~  
l  可精确控制相位延迟 OUk5c$M(  

[O+^eE6h   光学头规格
;ld~21#m   型号	{ZM2WFpE   材料	No&[ \;   频率	相位延迟范围		>Wit"p   通光孔径
			p>tdJjnt   1/4 波长	wYMX1=   1/2波长
?| LB:8   I/FS50	/^eemx   Fused Silica	dlzamoS@AR   50 kHz	9c %Tv   170nm - 2μm	^?]H$e   170nm-1μm	3R:i*8C   16mm
{5IG3'   I/FS20	J9=0?^v-:B   Fused Silica	@OY-(cW   20 kHz	BI^]juH-c   170nm - 2μm	5"~^;O   170nm-1μm	)$4DH:WN   22mm
7c ]Ai   I/CF50	7-IeJ6,D   Calcium Fluoride	8 (h   50kHz	&FF. Ddt{   130nm - 2μm	{bW3%iU   130nm-1μm	<a[8;YQC   16mm
6SO7iFS   II/FS20A	Jv.R?1;8i   Fused Silica	({nSs5)$   20kHz	[IBk-opap   170nm - 2μm	Tn-]0hWkP   170nm-1μm	5t?2B]   56mm
V"jnrNs3   II/FS20B	FF!g9>   Fused Silica	l{o{=]x1   20kHz	AHD%6 \$   1.6μm- 2.6μm	$[CA#AXE   800nm-2.5μm	Iw7r}G   56mm
f:&OOD o   II/FS42A	gK\7^95   Fused Silica	azc:C   42kHz	~'.yhPog   170nm- 2μm	u`@FA?+E1   170nm- 1μm	2vQ^519   27mm
dKTAc":-}   II/FS42B	9,eR=M]+:   Fused Silica	\U>Kn_7m   42kHz	N4jLb nA   1.6μm- 2.6μm	Ka\b_P&   800nm-2.5μm	t+J 6P)=   27mm
8mLU ~P |   II/FS47A	J3^ZPW   Fused Silica	hP<qKVy   47kHz	Vdk+1AX   170nm-2μm	}?kO<)d   170nm-1μm	f.^w/ GJO/   24mm
H5 hUY'O   II/FS47B	%pQ o%<d   Fused Silica	gjLgeyyWC   47kHz	&:K?-ac   1.6μm-2.6μm	vGT.(:\-,   800nm-2.5μm	>{Z=cv/6o   24mm
-V/i%_+Ze   II/FS84	toJ&$HrE   Fused Silica	KZfRiCZ   84kHz	jloyJ@ck   800nm-2.5μm	{o%R~{6   400nm-2.5μm	VW`=9T5%@   13mm
n5>N9lc   II/IS42B	rapca'&#   Fused Silica	0|;=mYa4M   42kHz	#K w\r50   1.6μm-3.5μm	5VbNWrw   800nm-2.5μm	cpnwx1q@   27mm
%WN2 xCSf   II/IS84	hz<J8'U   Fused Silica	]!:Y]VYN)\   84kHz	We?:DM [   800nm-3.5μm	ZE`{J=,   400nm-1.8μm	X&Lt?e,&   27mm
&[5az/Hj*   II/CF57	a"aV&t   Calcium Fluoride	K_n%` 5   57kHz	j3&*wU_   2μm - 8.5μm	musxX58%   1μm - 5.5μm	64fG,b   23mm
EdpR| z   II/ZS37	6u7wfAf   Zinc Selenide	3IFU{0a`   37kHz	q|J]   2μm - 18μm	_yUFe&   1μm - 9μm	P7-3Vf_L   19mm
>`'9V|1   II/ZS50	!d(V7`8   Zinc Selenide	`f]O   50 kHz	]EQ/*ct   2μm - 18μm	^ BKr0~4A   1μm - 10μm	nT"z(\i.!J   14mm
e_V(G    II/SI40	VIzZmd   Silicon	H #_Z6J   40kHz	,-)1)R\.   FIR - THz	%>TdTt   FIR - THz	@jKB!z9{   36mm
2l?J9c}Wo   II/SI50	mN02T@R-   Silicon	N=9lA0y+   50 kHz	PAkW[;GSDh   FIR - THz	J?'!8,RX   FIR - THz	UhK,H    29mm

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