光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 - mXr6R?  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 FQl|<l6  
光学特征 "V2$g  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） T0jJp7O  
l  超大接受角度范围（+/-20°） IBsn>*ja<  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） kJFHUR  
l  高损伤阈值 !%9I%Ak^  
l  可精确控制相位延迟 pBLO  

Gjr2]t;E   光学头规格
yK3z3"1M?   型号	v:;cTX=x`#   材料	#IDCCD^1=   频率	相位延迟范围		%Ski5q   通光孔径
			4F!d V;"Z(   1/4 波长	)FPbE^s(   1/2波长
" z{w^k   I/FS50	G> >_G<x   Fused Silica	4y.[tk5   50 kHz	1fZ:^|\   170nm - 2μm	 CVp<SS(   170nm-1μm	?Pc3*.   16mm
X.<R['U&\   I/FS20	Y1IlH8+0   Fused Silica	~yN,FpD   20 kHz	\f#ao<vQm   170nm - 2μm	Jmx}r,j   170nm-1μm	W9"I++~f   22mm
v(~m!8!TI   I/CF50	2oLa`33c1   Calcium Fluoride	4uA^/]ygo   50kHz	jfamuu7   130nm - 2μm	L4b4X   130nm-1μm	Gy%e%'   16mm
!)34tu2   II/FS20A	%\0 Y1!Hw   Fused Silica	w3D_ c~   20kHz	(P-<9y@   170nm - 2μm	Ip0q&i<6   170nm-1μm	y rk#)@/m   56mm
+&@0;zSga   II/FS20B	5>Q)8`@E   Fused Silica	X$f% Ss   20kHz	iXFaQ   1.6μm- 2.6μm	>^&+,*tsS4   800nm-2.5μm	T^_9R;   56mm
ZI7<E   II/FS42A	se[};t:   Fused Silica	at!?" u   42kHz	3 6 ;hg#   170nm- 2μm	AK HH{_   170nm- 1μm	"T|\   27mm
Cx[4 /~_<   II/FS42B	1oPT8)[U   Fused Silica	"dOzQz*E   42kHz	MXb(Z9)]kw   1.6μm- 2.6μm	il~,y8WTU{   800nm-2.5μm	lS^0*(Y   27mm
o9i\[Ul   II/FS47A	OjZ@_V:   Fused Silica	JFZ p^{   47kHz	iweP3u##   170nm-2μm	0*)79Sz   170nm-1μm	#82B`y<<y/   24mm
$Tg$FfD6&   II/FS47B	;Peyo1   Fused Silica	KVuv%?   47kHz	Z>l>@wNm   1.6μm-2.6μm	#^Y,,GA   800nm-2.5μm	yWzTHW`)Mr   24mm
m| Z)h{&   II/FS84	iX=*qiVX   Fused Silica	. fIodk   84kHz	|($pXVLH`   800nm-2.5μm	x+pFu5,   400nm-2.5μm	@UKd0kxPN{   13mm
Y*Pr    II/IS42B	>KE(%9y~   Fused Silica	!ZRV\31%   42kHz	 X_lNnk   1.6μm-3.5μm	t`Sh!e   800nm-2.5μm	nV,a|V5Xm   27mm
SZ_hGD0   II/IS84	<$ 5\^y,V   Fused Silica	DcOLK\   84kHz	b}fH$.V@   800nm-3.5μm	X\;y;pmRH   400nm-1.8μm	b|NEU-oy   27mm
<x/&Ml+   II/CF57	@9-qqU@   Calcium Fluoride	R:Lu)d>=   57kHz	 Dg@6o   2μm - 8.5μm	/=N`P &R#   1μm - 5.5μm	'Gk|&^   23mm
7$'ja   II/ZS37	@bZb#,n]   Zinc Selenide	jzQgDed ]   37kHz	"ggq7cJ}_   2μm - 18μm	b#sO1MXv   1μm - 9μm	SC#   19mm
FEkx&9]   II/ZS50	>(3 y(1;   Zinc Selenide	e*tOXXY1   50 kHz	v[m>;Ubg&   2μm - 18μm	PYZ8@G   1μm - 10μm	H_{Yr+p   14mm
Q-\: u~   II/SI40	ZR1EtvVG   Silicon	aa|xZ   40kHz	#r\uh\Cy   FIR - THz	8W{R&Z7aL   FIR - THz	L(.5:&Y=`   36mm
G]{)yZ'}   II/SI50	>">-4L17m   Silicon	Y9ru~&/o$   50 kHz	},l3N K   FIR - THz	*p"%cas   FIR - THz	.A E(D7d6   29mm

C[75!F   
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