光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 kGYsjhL\d  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 Q]3]Z/i  
光学特征 ~*<`PDO?  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） 99CK [G  
l  超大接受角度范围（+/-20°） >yHtGIHe-  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） rK`^A  
l  高损伤阈值 dQ9W40g1  
l  可精确控制相位延迟 H)EL0 Kv/  

LZ.Xcy   光学头规格
-;FAS3(wy   型号	=tP^vgfQ   材料	3la`S$c   频率	相位延迟范围		kqxq'Aq)d   通光孔径
			Z @ef2y;   1/4 波长	(n7{?`Yid   1/2波长
>]C/ Q6   I/FS50	$5&~gHc,   Fused Silica	('$*QC.M   50 kHz	dqo- .,=   170nm - 2μm	P1B=fgT   170nm-1μm	` aF8|tc_   16mm
a1/+C$ oB   I/FS20	r>TOJVT&]   Fused Silica	AXSip   20 kHz	v?} 0h5   170nm - 2μm	f?ibyoXL   170nm-1μm	2N]8@a   22mm
:N"&o(^   I/CF50	'}B"071)<   Calcium Fluoride	MI ^$df   50kHz	b-#lKWso   130nm - 2μm	yXv@yn   130nm-1μm	1#Hr{&2   16mm
v+`'%E   II/FS20A	S<*IoZ?T   Fused Silica	yjH'<   20kHz	r]DU   170nm - 2μm	y'I m/{9U   170nm-1μm	?!/8~'xA6   56mm
5>daWmD   II/FS20B	c00rq ~<K   Fused Silica	D %)L"5C   20kHz	V45adDiZ   1.6μm- 2.6μm	EzjK{v">   800nm-2.5μm	{;& U5<NO   56mm
[rK`BnJX   II/FS42A	",Vx.LV   Fused Silica	"::2]3e   42kHz	wVnmT94   170nm- 2μm	Mx`';z8~   170nm- 1μm	B)1(   27mm
Q^nfD   II/FS42B	i8-Y,&>V   Fused Silica	g\@.qKF   42kHz	Bp5ra9*5+~   1.6μm- 2.6μm	%6 GM[1__   800nm-2.5μm	0)~c)B:5   27mm
/2c(6h   II/FS47A	W} H~ka   Fused Silica	N[Ei%I   47kHz	Y,Rr[i"j   170nm-2μm	a%si:_   170nm-1μm	W |2|v?v   24mm
l'wu-   II/FS47B	|3!)   Fused Silica	Pmd[2/][   47kHz	t&q~ya/C   1.6μm-2.6μm	ss-6b^   800nm-2.5μm	<bSPKTKL   24mm
~+Pe=~a[   II/FS84	|Rkw/5   Fused Silica	SlR//h   84kHz	3Wv^{|^   800nm-2.5μm	/_{ZWLi(   400nm-2.5μm	LPu*Lkx   13mm
6o3#<ap<   II/IS42B	FjtS   Fused Silica	bEQ-?X%7   42kHz	HB'9&   1.6μm-3.5μm	Z@&%"nO   800nm-2.5μm	SE^l`.U@   27mm
j7gTVfO   II/IS84	J9*;Bqzim   Fused Silica	,h'Q   84kHz	d<Q%h?E   800nm-3.5μm	_ LC*_LT_   400nm-1.8μm	8zj&e8&v   27mm
KRT&]2   II/CF57	A-=hvJ5T   Calcium Fluoride	la-:"gKC   57kHz	(&/4wI^M   2μm - 8.5μm	MQN~I^v3   1μm - 5.5μm	!o_eK\p   23mm
!8[A;+o3P   II/ZS37	GuU-<*u(d   Zinc Selenide	Q. O4R _H   37kHz	X5 or5v   2μm - 18μm	UhS:tT]7   1μm - 9μm	*#Ia8^z=p   19mm
X5[t6q!   II/ZS50	Er~KX3vF   Zinc Selenide	;NdH]a{   50 kHz	0,DrVGa   2μm - 18μm	}kvix{   1μm - 10μm	2xO[ ?fR   14mm
Qr~!YPK\   II/SI40	i)X~L4gn   Silicon	Il&7n_ H   40kHz	^$lZ   FIR - THz	7R:Ij[dV   FIR - THz	M3@qhEf?vk   36mm
]7W!f 2@   II/SI50	_%D7D~2r|   Silicon	fv8x7l7   50 kHz	)/)u.$pi   FIR - THz	}l$zZ>.\H   FIR - THz	]3Ia>i   29mm

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