光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 vA{DF{S4  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 #nQboTB@  
光学特征 2K^xN]]rG  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） 1@N4Y9o  
l  超大接受角度范围（+/-20°）
ec,Bu7'8  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） Z6zLL   
l  高损伤阈值 bZ#KfR  
l  可精确控制相位延迟 ]5Q)mWF  

4av   光学头规格
l*Q OM   型号	[s+FX5'K   材料	uF ;8B]"   频率	相位延迟范围		NxzAlu   通光孔径
			|kF"p~s   1/4 波长	Zbr1e5?   1/2波长
tiy#b8   I/FS50	&k`/jl;u   Fused Silica	hXD`OlX   50 kHz	L<G6)'5W   170nm - 2μm	9&HaEAme   170nm-1μm	QO>)ug+   16mm
|fb*<o eT   I/FS20	NA YwuE-`   Fused Silica	uF{l`|b'   20 kHz	[,Y;#;    170nm - 2μm	Bw<$fT`   170nm-1μm	(SCZ.G(>   22mm
4<- E0   I/CF50	-dw/wHf"   Calcium Fluoride	"HLh3L~   50kHz	gF]IAZCi   130nm - 2μm	8}X>u2t   130nm-1μm	Oiw!d6"Ovq   16mm
PWV+M@   II/FS20A	MIu'OJ"z~   Fused Silica	&m`@6\N(    20kHz	)7m.n%B!5V   170nm - 2μm	k#2b3}(,   170nm-1μm	mp0s>R   56mm
QbYNL9%   II/FS20B	FC4hvO(/m   Fused Silica	?QcS$ i   20kHz	S,s") )A1   1.6μm- 2.6μm	.4!wp&   800nm-2.5μm	h2aO-y>K   56mm
}cIj1:   II/FS42A	t&C0V|s79$   Fused Silica	F3nPQw{;   42kHz	W,%qL6qV   170nm- 2μm	kqCUr|M.P   170nm- 1μm	S+pm@~xe   27mm
V'AZs;   II/FS42B	/b{Ufo3v   Fused Silica	gT|&tTS1@   42kHz	^.[+) 0I   1.6μm- 2.6μm	^56#{~%^?   800nm-2.5μm	)IuwI#pm   27mm
+H_  /   II/FS47A	%Gjjl*`E   Fused Silica	I -XkxDw   47kHz	%%Wn:c>   170nm-2μm	U6M&7l8   170nm-1μm	]r1Lr{7^S   24mm
>kV=h?]Y   II/FS47B	ibgF,N   Fused Silica	SU4~x0   47kHz	*%dWNvN4X   1.6μm-2.6μm	Z?'?+48xv4   800nm-2.5μm	M,eq-MEK   24mm
jAD{?/RB}   II/FS84	M-5zsN   Fused Silica	3UGdXufw   84kHz	v FGVz   800nm-2.5μm	lJ<( mVt   400nm-2.5μm	gk"J+u M   13mm
-axmfE?g0   II/IS42B	1<f,>BQ+   Fused Silica	Va\?"dH>M   42kHz	YfH+kDT   1.6μm-3.5μm	3q1u9`4;   800nm-2.5μm	gd;e-.   27mm
n4EZy<~m   II/IS84	{qBbzBG   Fused Silica	NZ~"2~Hh   84kHz	S]DYEL$   800nm-3.5μm	_+nlm5   400nm-1.8μm	Y.8mgy>    27mm
j=w`%nh4"f   II/CF57	j*1O(p+   Calcium Fluoride	12yX`9h>   57kHz	2ZFp(e^%   2μm - 8.5μm	M{~KT3c   1μm - 5.5μm	nL* SNQ_   23mm
h+Tt+Q\   II/ZS37	rxAb]~MMp   Zinc Selenide	W_G'wU 3R   37kHz	GwZ(3   2μm - 18μm	.JL?RH2@8   1μm - 9μm	0t}&32lL&   19mm
}Gm/9@oKc   II/ZS50	2aO.t   Zinc Selenide	J9/}ZD^   50 kHz	Qu@T}Ci   2μm - 18μm	NpYzN|W:   1μm - 10μm	. vQCX1V(   14mm
6}e"$Ee}9   II/SI40	b$' }IWNV   Silicon	`}fwR   40kHz	NX:i]t   FIR - THz	q/yL={H?   FIR - THz	'#0'_9}   36mm
)k|_ CW~   II/SI50	*f$wmZ5A   Silicon	Sj<WiQ%<   50 kHz	B@2VI 1%   FIR - THz	GFBku^pi   FIR - THz	+ %07J6   29mm

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