光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 m*I
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PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 Fir7z nRW  
光学特征 &_-~kU1K^  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） cxmr|-^  
l  超大接受角度范围（+/-20°） ke/o11LP  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） v4S
|&m  
l  高损伤阈值 Y}Qu-fm  
l  可精确控制相位延迟 o\2#}eie  

7tt&/k?Q   光学头规格
*?i~AXJm   型号	]7br*t^zv   材料	4Q!*h8O   频率	相位延迟范围		2KPXRK   通光孔径
			/ ?Q@Pn   1/4 波长	0,VbB7 z   1/2波长
[(dAv7YbN   I/FS50	q=6M3OnS>   Fused Silica	4lz9z>J.V   50 kHz	l[h??C`   170nm - 2μm	Li7/pUq>}!   170nm-1μm	Q 04N   16mm
;,IGO7R   I/FS20	`Y'}\>.#   Fused Silica	pG|DT ?   20 kHz	Z/2#h<zj   170nm - 2μm	EnfSVG8kB8   170nm-1μm	vmk c]DC   22mm
G2em>W_n   I/CF50	;%Z)$+Z_)<   Calcium Fluoride	M'[J0*ip   50kHz	cvAkP2   130nm - 2μm	Q+#, VuM   130nm-1μm	6rR}qV,+{   16mm
L-$GQGk{   II/FS20A	L]9*^al   Fused Silica	|qZ4h 7wL   20kHz	<.:B .k   170nm - 2μm	RX#:27:   170nm-1μm	'{C=vW   56mm
FVHEb\Z   II/FS20B	)2:d8J\   Fused Silica	SVeL c   20kHz	QhN5t/Hr   1.6μm- 2.6μm	hGzj}t W8d   800nm-2.5μm	CbwQ'c$}   56mm
edbzg#wy   II/FS42A	a N_M   Fused Silica	V>z8*28S.   42kHz	q?JP\_o:   170nm- 2μm	A.(Z0,S-i   170nm- 1μm	0~"{z>s '   27mm
(?oK+,v?L   II/FS42B	OCF=)#}qd   Fused Silica	2}hEBw68   42kHz	f`vB$r>   1.6μm- 2.6μm	4R}2H>VV%   800nm-2.5μm	(LQ*U3J]_   27mm
UDGVq S!,E   II/FS47A	4fp}` U   Fused Silica	l8jm7@.E   47kHz	&@nI(PXv   170nm-2μm	W!htCwnkF   170nm-1μm	Br;1kQ%eC   24mm
".~,( *   II/FS47B	b$%W<D   Fused Silica	X8y&|uH   47kHz	1@;Dn'   1.6μm-2.6μm	<08)G7   800nm-2.5μm	X`#vH8   24mm
qN[U|3k   II/FS84	#8rLB(   Fused Silica	qgDd^0   84kHz	UJ n3sZ<}   800nm-2.5μm	RQ!kVM@   400nm-2.5μm	3Vs8"BFjz   13mm
h 5<46!P   II/IS42B	bRfac/:}   Fused Silica	UM3}7|   42kHz	?7*.S Lt   1.6μm-3.5μm	/*i[MB   800nm-2.5μm	=YOq0   27mm
PFu{OJg&   II/IS84	Ja"?Pb   Fused Silica	)pbsvR_   84kHz	f;x0Ho5C2   800nm-3.5μm	mA@FJK_   400nm-1.8μm	#Ipi3   27mm
`zwXfY,%   II/CF57	`1{Y9JdQ   Calcium Fluoride	E{k$4   57kHz	_ VKBzOH   2μm - 8.5μm	[0qe ?aI   1μm - 5.5μm	TkBHlTa"=   23mm
_Dr9 w&;<   II/ZS37	u5;;s@{Ye4   Zinc Selenide	;G.5.q[A   37kHz	|Bz1u|uc   2μm - 18μm	,)@njC?J   1μm - 9μm	w;W# 'pE   19mm
kOdXbw9v   II/ZS50	1-0tG+   Zinc Selenide	!K*(# [   50 kHz	hK+6S3-Ez   2μm - 18μm	q=(% ]BK   1μm - 10μm	:e/*5ix   14mm
fG 9 ;7KG   II/SI40	4PjC[A*   Silicon	i'V("   40kHz	E@,m+   FIR - THz	2[j(C   FIR - THz	e`n+U-)z   36mm
GXC,p(vbE   II/SI50	v|\3FEu@   Silicon	~-R%m   50 kHz	Co>e<be%S   FIR - THz	~=va<% { U   FIR - THz	}`cf3'rdk   29mm

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