光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 L.]$6Q0  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 c$wsH25KH8  
光学特征 w
u"&|dt  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） si4don  
l  超大接受角度范围（+/-20°） X*,Kb(3   
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） inlk++Og  
l  高损伤阈值 #[#KL/i)$  
l  可精确控制相位延迟 A{B/lX)  

jF[ 1za   光学头规格
7mm1P9Z   型号	|a{Q0:   材料	1,5E`J   频率	相位延迟范围		)*c>|7 G   通光孔径
			lDmtQk-SN   1/4 波长	9M"].~iNE   1/2波长
S.!UPkWH   I/FS50	O0>A+o[1F   Fused Silica	zS]8V?`   50 kHz	t20PP4FWM   170nm - 2μm	_j_x1.l   170nm-1μm	CkswJ:z)sc   16mm
LSQz"Ll l   I/FS20	-X+H2G   Fused Silica	gl&5l1&   20 kHz	Ma|qHg   170nm - 2μm	>hH0Q5aL   170nm-1μm	Y?534l)j   22mm
F]O$(7*   I/CF50	$4MrP$4TI   Calcium Fluoride	FYS/##r   50kHz	/k"`7`!   130nm - 2μm	:R.&`4=X   130nm-1μm	81*M= ?   16mm
dJ?XPo"Cm=   II/FS20A	^uJU}v:   Fused Silica	7Ol}EPf#   20kHz	OIl#DV.   170nm - 2μm	Tlj:%yK2   170nm-1μm	E\m5%bK\B   56mm
KgN)JD>   II/FS20B	LK"  bC   Fused Silica	<)*2LBF@]   20kHz	'Peni1_   1.6μm- 2.6μm	Dup;e&9g   800nm-2.5μm	@E.k/G!~Nb   56mm
~:km]?lz0   II/FS42A	,#W   Fused Silica	m ?HZ;   42kHz	U:F/iXz   170nm- 2μm	#0 6-:   170nm- 1μm	m*X[ Jtr   27mm
.WQ<jZt>   II/FS42B	:fk2]{KTL   Fused Silica	n41@iK2l   42kHz	6dAEM;$_Z   1.6μm- 2.6μm	?X?&~3iD%   800nm-2.5μm	r6'UUu   27mm
/=uMk]h   II/FS47A	Z>)][pL   Fused Silica	p$7#}s   47kHz	3?E8\^N\n   170nm-2μm	{K#NB_*To   170nm-1μm	:R):b   24mm
[Pe#kzLX   II/FS47B	rwIeqV{:   Fused Silica	+jC*'7p@   47kHz	L}#0I+Ml7   1.6μm-2.6μm	kj5Q\ vr)   800nm-2.5μm	C6_@\&OA   24mm
#G axZ   II/FS84	v&FF|)$   Fused Silica	NrDi   84kHz	p (FlR?= S   800nm-2.5μm	p1c3Q$>i   400nm-2.5μm	FZiW|G   13mm
c.\O/N    II/IS42B	|_u8mV   Fused Silica	l:]Nn%U(>   42kHz	^% Q|s#w.   1.6μm-3.5μm	~tB;@ e   800nm-2.5μm	AGA`fRVx   27mm
<ktzT&A   II/IS84	Fyyg`J   Fused Silica	/9yaW7w   84kHz	a:YI"*S   800nm-3.5μm	n3MWs);5   400nm-1.8μm	#sKWd   27mm
Kt>X3m,   II/CF57	mmw^{MK!   Calcium Fluoride	1G~S|,8p   57kHz	52zGJ I*   2μm - 8.5μm	-G &_^"=R   1μm - 5.5μm	W&:[r/8wA   23mm
PZ8U6K'   II/ZS37	RnfXN)+P   Zinc Selenide	rg(lCL&:S   37kHz	2Ha5yaTL   2μm - 18μm	OEr:xK2T   1μm - 9μm	H]<]^Zmjy   19mm
,G^[o,hS   II/ZS50	xa( m5P   Zinc Selenide	64Gi8|P   50 kHz	V's:>;   2μm - 18μm	yj@tV2   1μm - 10μm	T)7TyE|"2g   14mm
V% HS\<$h   II/SI40	151tXSzLT   Silicon	F)$K   40kHz	'UM!*fk7C   FIR - THz	+?RGta'%k   FIR - THz	|P6EO22p   36mm
Mu_i$j$vvP   II/SI50	47 u@4"M   Silicon	]Gc3Ea;4   50 kHz	?3sT"r_d@   FIR - THz	$7 I]`Jt   FIR - THz	Ni[4OR$-O   29mm

"C%!8`K{a*  
如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司