半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 *)T7D
N8  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 "2 qivJ  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 70A* !v  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 kI^Pu  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Ye\&_w"  
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第1章 真空技术 WHR6
/H
 
1.1 真空的基本概念 LHusy;<E[  
1.1.1 真空的定义 B|kIiL63 D  
1.1.2 真空度单位 ^%RIz!}  
1.1.3 真空区域划分 )#Id=c  
1.2 真空的获得 eq4Yc*|9  
1.3 真空度测量 d?jzh1  
1.3.1 热传导真空计 `6Yk-5  
1.3.2 热阴极电离真空计 z#srgyLt  
1.3.3 冷阴极电离真空计 _sqV@ J  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 iRI7x)^0"z  
参考文献 4^K<RSYs  
+Y440Tz  
第2章 蒸发技术 gYa (-o  
2.1 发展历史与简介 ~J1UzUxX2  
2.2 蒸发的种类 4u]
>$?X1_  
2.2.1 电阻热蒸发 >^adxXw.o  
2.2.2 电子束蒸发 0?,%B?A8O  
2.2.3 高频感应蒸发 KiMEd373-  
2.2.4 激光束蒸发 6z1>(Za7>  
2.2.5 反应蒸发 +`~kt4W  
2.3 蒸发的应用实例 O.'\GM  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 [_3L  
2.3.2 ITO薄膜 T@on ue7  
参考文献 :cE~\BS&  
B&z~}lL  
第3章 溅射技术 lm(k[]@  
3.1 溅射基本原理 Eh.NJI(  
3.2 溅射主要参数 z5IdYF?  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 w7Vl,pN,  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 hdy
N  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 j%Z%_{6Ds*  
3.3 溅射装置及工艺 !WQS.&
 
3.3.1 阴极溅射 8i?:aN[.1b  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 +IbQVU~/  
3.3.3 射频溅射 mI3 \n  
3.3.4 磁控溅射 7\Wq:<JL  
3.3.5 反应溅射 sEEyN3 N  
3.4 离子成膜技术 yxL(mt8  
3.4.1 离子镀成膜 3W"l}.&ZJ"  
3.4.2 离子束成膜 *ta?7uSiT  
3.5 溅射技术的应用 P~ODd(  
3.5.1 溅射生长过程 S2"HE`  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 @LR:^>&*  
参考文献 $g]'$PB  
g+/m:(7[s|  
第4章 化学气相沉积 6%fF6  
4.1 概述 FKk.BA957h  
4.2 硅化学气相沉积 ~Jx0#+z9V  
4.2.1 CVD反应类型 4Y4QR[>IU3  
4.2.2 CVD热力学分析 iCh,7I,m  
4.2.3 CVD动力学分析 @hj5j;NHK  
4.2.4 不同硅源的外延生长 '(yjq<  
4.2.5 成核 J(=io_\bO  
4.2.6 掺杂 NmZowh$M  
4.2.7 外延层质量 Gq9pJ  
4.2.8 生长工艺 geSH3I   
4.3 CVD技术的种类 +|TFxaVz  
4.3.1 常压CVD PuGc{kt  
4.3.2 低压CVD >):^Zs  
4.3.3 超高真空CVD 2H2Yxe7?-  
4.4 能量增强CVD技术 pn-`QB:{h  
4.4.1 等离子增强CVD qfl#ki`,  
4.4.2 光增强CVD 5 p! rZ  
4.5 卤素输运法 [mA\,ny9  
4.5.1 氯化物法 y8CH=U[  
4.5.2 氢化物法 "vN~7%  
4.6 MOCVD技术 p1B~F  
4.6.1 MOCVD简介 MtKM#@  
4.6.2 MOCVD生长GaAs D:vX/mf;7  
4.6.3 MOCVD生长GaN C`r{B.t`GT  
4.6.4 MOCVD生长ZnO TjLW<D(i>  
4.7 特色CVD技术 Y>Tok|PV  
4.7.1 选择外延CVD技术 U6yZKK  
4.7.2 原子层外延 ="__*J#nze  
参考文献 "6 \
_/l  
Eu1t*>ZL  
第5章 脉冲激光沉积 GLE"[!s]f  
5.1 脉冲激光沉积概述 F%^)oQT+c  
5.2 PLD的基本原理 iFkXt<_A  
5.2.1 激光与靶的相互作用 V"DilV$v  
5.2.2 烧蚀物的传输 Uy
5G,!  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 9@yi UX  
5.3 颗粒物的抑制 kP,^c{
 
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 IJ#+"(?7,u  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 v2;'F  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 qM8"* dL  
参考文献 SVJt= M  
RgTrj  
第6章 分子束外延 q>Kzl/~c.P  
6.1 引言 t?;\'  
6.2 分子束外延的原理和特点 gvu1  
6.3 外延生长设备 '4]_~?&x  
6.4 分子束外延生长硅 )0N^rw kW  
6.4.1 表面制备 zyPc<\HoK  
6.4.2 外延生长 \zx$]|AQ  
6.4.3 掺杂 ds;c\x  
6.4.4 外延膜的质量诊断 g8L{xwx<  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 c01i!XS  
6.5.1 MBE生长GaAs y`8bx94jB  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs w$4*/D
}Y  
6.5.3 MBE生长GaN hG8<@  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 EUjA-L(  
6.6.1 HgCdTe材料 ?{rpzrc!*  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 wjc&S'[  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 gOLN7K-)  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Vh'
H =J  
6.6.5 ZnO薄膜 W|4h;[w  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Q]hl+C$d"/  
6.7.1 SiC：材料 GiS:Nq`$(  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 2pmqP-pKd  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 20?@t.aMp  
参考文献 U\GuCw  
nR`)kORc  
第7章 液相外延 pX?/=T@ Bw  
7.1 液相外延生长的原理 ?'RB
'o~  
7.1.1 液相外延基本概况 HvLx  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 xZ(ryE%  
7.2 液相外延生长方法和设备 )];Bo.QA  
7.3 液相外延生长的特点 CRs@x` 5ue  
7.4 液相外延的应用实例 FW)VyVFmk  
7.4.1 硅材料 p-XO4Pc6  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Z~1uyr(  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 K7c[bhi_w  
7.4.4 SiC材料 -OXC;y  
参考文献 M2pFXU?]  
2KtK.2;7  
第8章 湿化学制备方法 PnZC I!Mw  
8.1 溶胶-凝胶技术 W[<ZI>mf  
,)M/mG?,  
第9章 半导体超晶格和量子阱 %00cC~}4  
第10章 半导体器件制备技术 )=
pa*  
参考文献 bCqTubbx!t  
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