《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
sbV_h;< 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
B";Dj~y 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
}KV)F,` 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
/Mw0<# 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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/re0"!0y Zrq\:KxX 第1章 真空技术
20 )8e!jP 1.1 真空的基本概念
G4"[ynlWV 1.1.1 真空的定义
a'7RzN ,] 1.1.2 真空度单位
Jy0(g T 1.1.3 真空区域划分
{QIdeB[ 1.2 真空的获得
LP}j0)n 1.3 真空度测量
r,ep{
p 1.3.1 热传导真空计
_j]vR 1.3.2 热阴极电离真空计
da$ErN'{ 1.3.3 冷阴极电离真空计
}QJ6"s
1.4 真空度对薄膜工艺的影响
/+f3jy:d 参考文献
1P/4,D@ $wqi^q*) 第2章 蒸发技术
t8Giv89{ 2.1 发展历史与简介
0;" >. 2.2 蒸发的种类
K}Lu1:~ 2.2.1 电阻热蒸发
}1YQ?:@ 2.2.2 电子束蒸发
@&2#kO~= 2.2.3 高频感应蒸发
NJ(H$tB@ 2.2.4 激
光束蒸发
]Waa7)}DM 2.2.5 反应蒸发
zC!Pb{IaH 2.3 蒸发的应用实例
}?Tz=hP 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
zmU> 2.3.2 ITO薄膜
`YK#m4gc 参考文献
s5oU K[9{]$(Z 第3章 溅射技术
Kk/cI6`W 3.1 溅射基本
原理 bYy7Ul6] 3.2 溅射主要
参数 Pol
c. 3.2.1 溅射闽和溅射产额
}z_7?dn/ 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
@;{iCVW 3.2.3 溅射速率和淀积速率
3@mW/l>X 3.3 溅射装置及工艺
j6BFh=?D 3.3.1 阴极溅射
jn>RE 3.3.2 三极溅射和四极溅射
rq^VOK|L 3.3.3 射频溅射
Q}]RB$ZS 3.3.4 磁控溅射
]]|vQA^ 3.3.5 反应溅射
{(^%2dk83C 3.4 离子成膜技术
?yAjxoE~? 3.4.1 离子镀成膜
<*DP G\6Ma 3.4.2 离子束成膜
6g'+1%O 3.5 溅射技术的应用
G":u::hR 3.5.1 溅射生长过程
O+o_{t\R 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
C8
"FTH' 参考文献
X&.LX 41\V;yib 第4章 化学气相沉积
N"2P]Zr 4.1 概述
,%,.c^- 4.2 硅化学气相沉积
7)y
+QU] 4.2.1 CVD反应类型
[2nPr^ 4.2.2 CVD热力学分析
;Y`k-R:E6A 4.2.3 CVD动力学分析
:tBZu%N/N 4.2.4 不同硅源的外延生长
CL"q" 4.2.5 成核
i
UW.$1l 4.2.6 掺杂
JAI ;7 4.2.7 外延层质量
D,,
x<JG| 4.2.8 生长工艺
_u8d`7$*% 4.3 CVD技术的种类
]nQ(|$rW
4.3.1 常压CVD
C9E@$4* 4.3.2 低压CVD
A@JZK+WB} 4.3.3 超高真空CVD
6#1:2ZHKG 4.4 能量增强CVD技术
H?j!f$sw 4.4.1 等离子增强CVD
pc/]t^]p 4.4.2 光增强CVD
.l~g`._ 4.5 卤素输运法
(Kaunp5_` 4.5.1 氯化物法
W&Kjh|[1QZ 4.5.2 氢化物法
5gY9D!;:0D 4.6 MOCVD技术
VHTr;(]hk 4.6.1 MOCVD简介
\k*h& :$ 4.6.2 MOCVD生长GaAs
-gb'DN1BG 4.6.3 MOCVD生长GaN
;>B06v 4.6.4 MOCVD生长ZnO
T'e
p&tNY 4.7 特色CVD技术
5tl uS 4.7.1 选择外延CVD技术
}
OAH/BW 4.7.2 原子层外延
?$AWY\ 参考文献
iU
a `< K!_''Fg 第5章 脉冲激光沉积
=E'
.T0v 5.1 脉冲激光沉积概述
*p7_rY 5.2 PLD的基本原理
y7Sj^muBY 5.2.1 激光与靶的相互作用
^_pJEX 5.2.2 烧蚀物的传输
S*?x|&a 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
=CjN=FM 5.3 颗粒物的抑制
QLe<).S1B2 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
Shb"Jc_i 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
{]dH+J7 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
gPg2Ve0Qy 参考文献
Z;nUS,?om +a((,wAN2 第6章 分子束外延
b#E!wMClS 6.1 引言
{aq}Q|?/ 6.2 分子束外延的原理和特点
MuQ'L=i J 6.3 外延生长设备
'K|tgsvgme 6.4 分子束外延生长硅
V-TWC@Y" 6.4.1 表面制备
SjB#"A5 6.4.2 外延生长
eFdN"8EW 6.4.3 掺杂
"=\@
a= 6.4.4 外延膜的质量诊断
7H5t!yk|9 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 ?br 4 wl 6.5.1 MBE生长GaAs
R
SqO$~ 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
zV"oB9\9O 6.5.3 MBE生长GaN
x$Tf IFy 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
'ai!6[|SD 6.6.1 HgCdTe材料
om}jQJ]KH 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
~6-6aYhe 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
_4#&!b6 6.6.4 ZnSe、ZnTe
Tx\g5rk 6.6.5 ZnO薄膜
E5F0C]hq 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
f6zS_y9gn 6.7.1 SiC:材料
Z* L{; 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
JypXQC}~ 6.7.3 生长有机半导体薄膜
m5rJY/ 参考文献
H.8Vm[W 1I -LGe[Q 第7章 液相外延
.WT^L2l% 7.1 液相外延生长的原理
Kk_h&by? 7.1.1 液相外延基本概况
zS+_6s 7.1.2 硅液相外延生长的原理
8'6$t@oT9w 7.2 液相外延生长方法和设备
"ZLujpZcG 7.3 液相外延生长的特点
d T*8I0\+ 7.4 液相外延的应用实例
OGqsQ 7.4.1 硅材料
2>!?EIE7 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
9 ?~Y 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
=j{r95)|u 7.4.4 SiC材料
/)E'%/"A 参考文献
j1{\nP/ s.7s:Q` 第8章 湿化学制备方法
,t=12R]> 8.1 溶胶-凝胶技术
pRLs*/Bw n%YG)5; 第9章 半导体超晶格和量子阱
hpVu
第10章 半导体器件制备技术
^#A[cY2eM 参考文献
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