半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 9)W &yi  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 g<;::'6  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 )kI**mI}  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 :8oJG8WH  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 1d FuoX  
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第1章 真空技术 6uo;4}0  
1.1 真空的基本概念 yCN_vrH>  
1.1.1 真空的定义 3Y2~HuM  
1.1.2 真空度单位 }kr?+)wB  
1.1.3 真空区域划分 /<8y>  
1.2 真空的获得 &5R|{',(Y  
1.3 真空度测量 :(X3?%  
1.3.1 热传导真空计 uz{RV_IX7  
1.3.2 热阴极电离真空计
1VM2CgRa  
1.3.3 冷阴极电离真空计 {LF4_9 =  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 io+V4m  
参考文献 Lm2!<<<  
$+7uB-KsU  
第2章 蒸发技术 /o m++DxV  
2.1 发展历史与简介 J* !_O#  
2.2 蒸发的种类 /)[-5n{  
2.2.1 电阻热蒸发 pj_W^,*/  
2.2.2 电子束蒸发 vyS>3
(NZ  
2.2.3 高频感应蒸发 
#~p;s>  
2.2.4 激光束蒸发 r(Sh  
2.2.5 反应蒸发 PxYK)n9&  
2.3 蒸发的应用实例 B-g-T>8  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 @95p[  
2.3.2 ITO薄膜 @7}XBg[pI  
参考文献 ou0TKE9 _  
TDw~sxtv&  
第3章 溅射技术 >V8!OaY5n  
3.1 溅射基本原理 A$p&<#  
3.2 溅射主要参数 q25p3  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ,q%X`F rc  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ;40Z/#FI  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 zwUC L  
3.3 溅射装置及工艺 ZC2aIJ  
3.3.1 阴极溅射 t,LK92?  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 qJF'KHyU{l  
3.3.3 射频溅射 R:n|1]*f3X  
3.3.4 磁控溅射 yW?
-Z[  
3.3.5 反应溅射 ^0"^  
3.4 离子成膜技术 iZk4KX  
3.4.1 离子镀成膜 >3&  
3.4.2 离子束成膜 x .@O]}UH  
3.5 溅射技术的应用 xJ<RQCW$  
3.5.1 溅射生长过程 cA
N8'S(s1  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 l\0PwD  
参考文献 .@x.   
@F8NN\  
第4章 化学气相沉积 #}fvjJ{  
4.1 概述 )'jGf;du  
4.2 硅化学气相沉积 cFie;k  
4.2.1 CVD反应类型 ,eTdQI;   
4.2.2 CVD热力学分析 `yq) y>_  
4.2.3 CVD动力学分析 @[joM*U  
4.2.4 不同硅源的外延生长 NI"Zocp  
4.2.5 成核 xj33g6S  
4.2.6 掺杂 M &-p  
4.2.7 外延层质量
=oXlJ[)h  
4.2.8 生长工艺 8oUR/___  
4.3 CVD技术的种类 u gRyUny  
4.3.1 常压CVD B (eXWWT_  
4.3.2 低压CVD :*g$@T   
4.3.3 超高真空CVD +)h# !/  
4.4 能量增强CVD技术 1\Bh-tzB  
4.4.1 等离子增强CVD 7V^j9TC  
4.4.2 光增强CVD O<wH+k[  
4.5 卤素输运法 !!A(A^s  
4.5.1 氯化物法 6Jy%4]wK  
4.5.2 氢化物法 ;~ Xjk  
4.6 MOCVD技术 ?lqqu#;8  
4.6.1 MOCVD简介 O:+y/c  
4.6.2 MOCVD生长GaAs "r;cH53  
4.6.3 MOCVD生长GaN %;]/Z%!  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ^x*J4jl  
4.7 特色CVD技术 .z$UNB(!M  
4.7.1 选择外延CVD技术 _`C|K>:  
4.7.2 原子层外延 K~]Xx~F  
参考文献 StR)O))I  
*kf%?T.  
第5章 脉冲激光沉积
G,6`:l  
5.1 脉冲激光沉积概述 PRYm1Y  
5.2 PLD的基本原理 P\[K)N/1  
5.2.1 激光与靶的相互作用 902A,*qq  
5.2.2 烧蚀物的传输 Ts, U T L  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 VwBw!,%Ab  
5.3 颗粒物的抑制 oT:wGBW  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ?N+pWdi  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 'M?pg$ta_V  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 8DD1wK\U~  
参考文献 ?st}rJ_  
Y$^vA[]c>  
第6章 分子束外延 A$~H`W<yxB  
6.1 引言 _;BNWH  
6.2 分子束外延的原理和特点 = ?/6hB=7<  
6.3 外延生长设备 \4G9fR4  
6.4 分子束外延生长硅 aFnyhu&W'  
6.4.1 表面制备 ho#<?rh_  
6.4.2 外延生长 bA6^RIf?  
6.4.3 掺杂 taVK&ohWx  
6.4.4 外延膜的质量诊断 |J-tU)|1vl  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Ss{5'SF)$c  
6.5.1 MBE生长GaAs bQ?Vh@j(M  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs d]_].D$  
6.5.3 MBE生长GaN w4^$@GtN  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 yWN'va1+$  
6.6.1 HgCdTe材料 ~s?y[yy6i  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 L`:V]p  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 /a$Zzs&xs  
6.6.4 ZnSe、ZnTe &RS)U72  
6.6.5 ZnO薄膜 <|3F('Q"  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 0|hOoO]?q&  
6.7.1 SiC：材料 fP;I{AiN~  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 lS2`#l>  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Efd@\m:~>
 
参考文献 t=fAG,k5  
dn%'bt
 
第7章 液相外延 h^."wv  
7.1 液相外延生长的原理 RY,L'GtO  
7.1.1 液相外延基本概况 +Z9ua%,3%  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 T/%k1Hsa4H  
7.2 液相外延生长方法和设备 m,4'@jg0  
7.3 液相外延生长的特点 M.$=tuUL  
7.4 液相外延的应用实例 \WUCm.w6\%  
7.4.1 硅材料 {j[*:l0Ui  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 #5{lOeN  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ldKLTO*&  
7.4.4 SiC材料 21?>re
zJ  
参考文献 2fm6G).m  
-&y&
b-  
第8章 湿化学制备方法 H!y-o'Z  
8.1 溶胶-凝胶技术 % 5!Y#$:{o  
Q."rE"}<  
第9章 半导体超晶格和量子阱 )Ps<u-V  
第10章 半导体器件制备技术 =*?XZA)c  
参考文献 o}D7 $6  
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