半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 c{4R*|^  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 N,|r1u9X#  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Ag6uR(uI  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 IT&i,`cJ~F  

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第1章 真空技术 &h(g$-l?[  
1.1 真空的基本概念 50Ad,mn<  
1.1.1 真空的定义 LS6ry,D"7  
1.1.2 真空度单位 JO}?.4B  
1.1.3 真空区域划分  +>#e=nH  
1.2 真空的获得 jCQho-1QN  
1.3 真空度测量 _-TOeP8#94  
1.3.1 热传导真空计 L$hc,  
1.3.2 热阴极电离真空计 h[Mdr  
1.3.3 冷阴极电离真空计 DxfMqH[vs  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 7Ud'd<  
参考文献 ]]/lC  
}p{;^B  
第2章 蒸发技术 4swKjN &  
2.1 发展历史与简介 W>$BF[x!{  
2.2 蒸发的种类 sOQcx\dK  
2.2.1 电阻热蒸发 RH~sbnZ)F  
2.2.2 电子束蒸发 [%~^kq=|  
2.2.3 高频感应蒸发 O9e.
=l  
2.2.4 激光束蒸发 @woC8X  
2.2.5 反应蒸发 OL9]*G?F  
2.3 蒸发的应用实例 gn.Ol/6D  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 MD4\QNUa)*  
2.3.2 ITO薄膜 @\PpA9ebg%  
参考文献 !tBeuemN%  
4>k I^  
第3章 溅射技术 2d~LNy  
3.1 溅射基本原理 )&z4_l8`=  
3.2 溅射主要参数 Azn:_4O  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 tBv3~Of.  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 KIIym9%  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ^IgS  
3.3 溅射装置及工艺 B1+ZFQo  
3.3.1 阴极溅射 Lzz)n%y5  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 \u8,!) 4i  
3.3.3 射频溅射 l
5HWZs^  
3.3.4 磁控溅射 _[JkJwPTx  
3.3.5 反应溅射 T.2ZBG~|[  
3.4 离子成膜技术 9[sG1eP!  
3.4.1 离子镀成膜 S+pP!YX  
3.4.2 离子束成膜 }{mG/(LX8  
3.5 溅射技术的应用 7}o6_i  
3.5.1 溅射生长过程 x~Agm_Tu+'  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 _.=`>%,  
参考文献 `j:M)2:*y  
ph#efY`a:  
第4章 化学气相沉积 cAibB&`~  
4.1 概述 Cya5*U0=  
4.2 硅化学气相沉积 <soj&f+  
4.2.1 CVD反应类型 6l[G1KkV  
4.2.2 CVD热力学分析 r{Z[xWIX  
4.2.3 CVD动力学分析 [Auc*@  
4.2.4 不同硅源的外延生长 c
_mq  
4.2.5 成核 I+~bCcgPi  
4.2.6 掺杂 AsAFUuI  
4.2.7 外延层质量 H/`G  
4.2.8 生长工艺 1MV
@5j  
4.3 CVD技术的种类 
J 8q  
4.3.1 常压CVD agW9Go_F[  
4.3.2 低压CVD `#U ]iwW!  
4.3.3 超高真空CVD 8nsZ+,@+[  
4.4 能量增强CVD技术 phS>T  
4.4.1 等离子增强CVD ! ]\2A.b[  
4.4.2 光增强CVD ^]7,1dH}M  
4.5 卤素输运法 (Y)!"_|  
4.5.1 氯化物法 gD1+]am  
4.5.2 氢化物法 ~v\hIm3=m  
4.6 MOCVD技术 48k7/w\  
4.6.1 MOCVD简介 RpAiU  
4.6.2 MOCVD生长GaAs EZ{/]gCK  
4.6.3 MOCVD生长GaN /Zx8nx'{V  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 8 ?" Ze(  
4.7 特色CVD技术 '%ebcL  
4.7.1 选择外延CVD技术 pI5_Hg  
4.7.2 原子层外延 X(b1/lzA  
参考文献 6}STp_x  
8sWr\&!  
第5章 脉冲激光沉积 |K)p]i+  
5.1 脉冲激光沉积概述 u?Z <n:  
5.2 PLD的基本原理 m r2S!  
5.2.1 激光与靶的相互作用 _ .!aBy%xf  
5.2.2 烧蚀物的传输 Oj-r;Tt_G}  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 }1F6?do3&  
5.3 颗粒物的抑制 5}7ISNP;f  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ,02w@we5  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 hk.yR1Y|  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 /4-}k  
参考文献 yXrd2?Rq@  
B5 &YL  
第6章 分子束外延 }+_9"YQ:  
6.1 引言 +0dT^Jkqg  
6.2 分子束外延的原理和特点 (:l(_-O  
6.3 外延生长设备 *.3y2m,bZ  
6.4 分子束外延生长硅 :t%)5:@A  
6.4.1 表面制备 "4RQ`.SR  
6.4.2 外延生长 tJz^DXqAc  
6.4.3 掺杂 [n!x&f8Xh  
6.4.4 外延膜的质量诊断 sNf +lga0  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 AygvJeM_W  
6.5.1 MBE生长GaAs *73AAA5LKa  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs kJ__:rS(T_  
6.5.3 MBE生长GaN *V-
ds8AQ  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 `yx56  
6.6.1 HgCdTe材料 ?eVj8 $BQo  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 /vy?L\`)#  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 )\"I*Jwir  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 8UYJye8  
6.6.5 ZnO薄膜 4a?r` '  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 s_v}=C^  
6.7.1 SiC：材料 s|E%~j[9  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 @ce3%`c_  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 9GE]<v,_[  
参考文献 pW7kj&a_.  
`^zQ$au'u  
第7章 液相外延 5)8.  
7.1 液相外延生长的原理 W%WC(/hor  
7.1.1 液相外延基本概况 6$DG.p
 
7.1.2 硅液相外延生长的原理 aTX]+tBoe  
7.2 液相外延生长方法和设备 G_0)oC@Jl:  
7.3 液相外延生长的特点 Uqr
{,-]5v  
7.4 液相外延的应用实例 d _uFY:  
7.4.1 硅材料 rX:1_q`xA  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ff[
C'  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 YY\Rua/nG  
7.4.4 SiC材料 9[Y*k^.!  
参考文献 cT I,1U  
(]}XLMi,|!  
第8章 湿化学制备方法 =:
;YTi
e  
8.1 溶胶-凝胶技术 T*8_FR<  
&62`Wr0C  
第9章 半导体超晶格和量子阱 [C2kK *JZ  
第10章 半导体器件制备技术 7Y)s#FJ  
参考文献 {vjqy&?y  
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