半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 +,TRfP Fb  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 I {S;L  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 &
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 j^j1  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 !*
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第1章 真空技术 B4c]}r+  
1.1 真空的基本概念 q1$N>;&  
1.1.1 真空的定义 c?f4Q,%|  
1.1.2 真空度单位 =r?hgGWe  
1.1.3 真空区域划分 ??
-[eB.  
1.2 真空的获得 ld|5TN1  
1.3 真空度测量 G\/zkrxmv  
1.3.1 热传导真空计 o]J{{M'E  
1.3.2 热阴极电离真空计 <Dl*l{zba  
1.3.3 冷阴极电离真空计 V%7WUq  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ~9,,~db  
参考文献 6"LcJ%o  
=1FRFZI!j  
第2章 蒸发技术 b(eNmu  
2.1 发展历史与简介 {NmWQyEv  
2.2 蒸发的种类 U8s2|G;K  
2.2.1 电阻热蒸发 $B2J T9  
2.2.2 电子束蒸发 fIx+ILs  
2.2.3 高频感应蒸发 9N#_(uwt  
2.2.4 激光束蒸发 >\-hO&%_  
2.2.5 反应蒸发 |B?m,U$A!  
2.3 蒸发的应用实例 )#0O>F~  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 p,5i)nEFj  
2.3.2 ITO薄膜 v+W&9>  
参考文献 *.ll<p+(-  
lLX4Gq1  
第3章 溅射技术 .KB^3pOpx  
3.1 溅射基本原理 /kZebNf6H  
3.2 溅射主要参数 (Z+.45{-  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 #`qx<y*S  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 .9/hHCp  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ^]>O;iB?  
3.3 溅射装置及工艺 {g'(~ qv  
3.3.1 阴极溅射 WrnrF
z  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 YquI$PV _  
3.3.3 射频溅射 [SjqOTon{  
3.3.4 磁控溅射 ttaM.  
3.3.5 反应溅射
I13y6= d  
3.4 离子成膜技术 %^)fm
u  
3.4.1 离子镀成膜 2prU  
3.4.2 离子束成膜
@+&LYy72  
3.5 溅射技术的应用 P>y@kPi  
3.5.1 溅射生长过程 m<<+  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Q
GMV}y  
参考文献 euK5pA>L  
bbDZ#DK"  
第4章 化学气相沉积 uP`Z12&  
4.1 概述 E+j/Cu  
4.2 硅化学气相沉积 ^rB8? kt  
4.2.1 CVD反应类型 6iry6wcHm  
4.2.2 CVD热力学分析 w1FcB$  
4.2.3 CVD动力学分析 =Pyj%4Rs  
4.2.4 不同硅源的外延生长 w49t9~  
4.2.5 成核 Yj<a" Gr4[  
4.2.6 掺杂 :tc@2/>!O  
4.2.7 外延层质量 ]vB$~3||  
4.2.8 生长工艺 XnH05LQ  
4.3 CVD技术的种类 y B81f  
4.3.1 常压CVD :p1u(hflS  
4.3.2 低压CVD %HhBt5w  
4.3.3 超高真空CVD ,5P0S0*{  
4.4 能量增强CVD技术 s-NX 
o  
4.4.1 等离子增强CVD #JqB ;'\  
4.4.2 光增强CVD <jBF[v9*m(  
4.5 卤素输运法 cRC6 s8  
4.5.1 氯化物法 v1#otrf  
4.5.2 氢化物法 I:-Wy"i  
4.6 MOCVD技术 DcS+_>a\{l  
4.6.1 MOCVD简介 ]]HNd7Vh  
4.6.2 MOCVD生长GaAs Ex.yU{|c  
4.6.3 MOCVD生长GaN =?5]()'*n  
4.6.4 MOCVD生长ZnO nd`1m[7MNu  
4.7 特色CVD技术 4XL^D~V  
4.7.1 选择外延CVD技术 p .%]Q*8  
4.7.2 原子层外延 3RUy,s  
参考文献 b3P+H r  
Q*GN`07@?d  
第5章 脉冲激光沉积 H
kg2P,2  
5.1 脉冲激光沉积概述 iR HQ:Y!  
5.2 PLD的基本原理 3h]g}&k  
5.2.1 激光与靶的相互作用 7:e{;iG  
5.2.2 烧蚀物的传输 xPdG*OcX!  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 `T1  
5.3 颗粒物的抑制 .S EdY:  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 XjBW9a  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 gZV
c 5u<  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 n5|fHk^s  
参考文献 hy9\57_#  
#j;^\rSv-  
第6章 分子束外延 BqEI(c6  
6.1 引言 _OYasJUMG  
6.2 分子束外延的原理和特点 m1b?J3  
6.3 外延生长设备 ??5Q)Erm1  
6.4 分子束外延生长硅 g%o(+d  
6.4.1 表面制备 mb1FWy=3  
6.4.2 外延生长 y4yhF8E>;U  
6.4.3 掺杂 )',R[|<  
6.4.4 外延膜的质量诊断 _9ao?:  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 z>xmRs   
6.5.1 MBE生长GaAs pR
<`H'  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs rV.}PtcF
Y  
6.5.3 MBE生长GaN Z<oaK  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 aNsBcov3O  
6.6.1 HgCdTe材料 $yP*jO4i  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 xl{=Y< ;  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ^+ml5m  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Y!xF;a  
6.6.5 ZnO薄膜 LPXi+zj  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ZT*ydln  
6.7.1 SiC：材料 =<C:d  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 P-[-pi@  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 v4<nI;Ux  
参考文献 v@sIHb  
 OHN_  
第7章 液相外延 SZ7:u895E  
7.1 液相外延生长的原理 H.P_]3f  
7.1.1 液相外延基本概况 a9e>iU  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 t mntp
 
7.2 液相外延生长方法和设备 2F
[ q
).  
7.3 液相外延生长的特点 E#RDqL*J  
7.4 液相外延的应用实例 sQ3[<  
7.4.1 硅材料 %jJG>T  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Xxj- 6i  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 lM`2sy  
7.4.4 SiC材料 /A\8 mL8  
参考文献 Ha#=(9.  
+ /G2fhE  
第8章 湿化学制备方法 AD>e?u  
8.1 溶胶-凝胶技术 TvoyZW\?w  
&$BjV{,/zc  
第9章 半导体超晶格和量子阱 !vi>U|rh  
第10章 半导体器件制备技术 _~m5^Q&  
参考文献 _oL?*ks  
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