《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
pU`Q[HOs 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
KH2a 2 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
Sjj &n S 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
WZ"x\K-; 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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`;4zIBJ [Fr.ik 第1章 真空技术
a{69JY5 1.1 真空的基本概念
CQzJ_aSJ( 1.1.1 真空的定义
hMeE@Q0 1.1.2 真空度单位
H`aqpa"C 1.1.3 真空区域划分
) <^9` 1.2 真空的获得
SukRJvi 1.3 真空度测量
_i6G)u&N 1.3.1 热传导真空计
hq$:62NYg 1.3.2 热阴极电离真空计
[ZOo%"M_Y 1.3.3 冷阴极电离真空计
FrB}2 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
SS@#$t: 参考文献
O\B_=KWDO ~0t]`<y= 第2章 蒸发技术
US0)^TKrj 2.1 发展历史与简介
*w59BO&M4 2.2 蒸发的种类
6
}qNH29 2.2.1 电阻热蒸发
^cDHyB=v4d 2.2.2 电子束蒸发
Zz,E4+'Rm 2.2.3 高频感应蒸发
qA#!3< 2.2.4 激
光束蒸发
*ukugg. 2.2.5 反应蒸发
]f-< s,@ 2.3 蒸发的应用实例
r2qxi' 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
^zO%O653 2.3.2 ITO薄膜
t!AHTtI 参考文献
PDzVXLpC u==bLl=$ 第3章 溅射技术
b,$H!V* 3.1 溅射基本
原理 ?msx 3.2 溅射主要
参数 8@|+-)t 3.2.1 溅射闽和溅射产额
5L"{J5R} 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
[>oq~[e)? 3.2.3 溅射速率和淀积速率
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