半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 =If% m9  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 vJ>A >RCB  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 S5d:?^PGg  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 y|q4d(P.  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 :SG9ygq'  

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第1章 真空技术
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1.1 真空的基本概念 8-cG[/|0  
1.1.1 真空的定义 "e g`3v  
1.1.2 真空度单位 !`\W8JT+  
1.1.3 真空区域划分 ^G=wRtS  
1.2 真空的获得
Ri4_zb  
1.3 真空度测量 !
^!<Xz;  
1.3.1 热传导真空计 QL}5vSl  
1.3.2 热阴极电离真空计 &d`Umm]  
1.3.3 冷阴极电离真空计 +,7dj:0S  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 !798%T  
参考文献 1O45M/5\o  
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第2章 蒸发技术 >OE.6)'Rm  
2.1 发展历史与简介 "$+naY{w  
2.2 蒸发的种类 MjE.pb  
2.2.1 电阻热蒸发 twt Bt L  
2.2.2 电子束蒸发 'LFHZ&-  
2.2.3 高频感应蒸发 66D<Up'K  
2.2.4 激光束蒸发 PTA;a0A  
2.2.5 反应蒸发 Y_>
z"T  
2.3 蒸发的应用实例 ogMLv}  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 R%aH{UhE`  
2.3.2 ITO薄膜 W)^:*z  
参考文献
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Q6,rY(b6  
第3章 溅射技术 3k;U#H  
3.1 溅射基本原理 OnH>g"  
3.2 溅射主要参数 C-qsyJgZy  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 h@Ea$1'e,  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 KU-z;}9s  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 cAyR)Y!I  
3.3 溅射装置及工艺 k(=\&T  
3.3.1 阴极溅射 jCW>=1:JGY  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 |C'w] QYm  
3.3.3 射频溅射 :m5& i&  
3.3.4 磁控溅射 vbqI$F[s  
3.3.5 反应溅射 ~0ZEnejy  
3.4 离子成膜技术 H; TmG<S  
3.4.1 离子镀成膜 cLr? B;FS  
3.4.2 离子束成膜 HCHP15otfe  
3.5 溅射技术的应用 VT3Zo%Xx  
3.5.1 溅射生长过程 #H O\I7m  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 M=yZ5~3  
参考文献 ?#}=!$p  
kSU5  }  
第4章 化学气相沉积 tyP-J4J  
4.1 概述 Vnh +2XiK  
4.2 硅化学气相沉积 )FWF T:P~  
4.2.1 CVD反应类型 Ez?vJDd  
4.2.2 CVD热力学分析 t8i"f L  
4.2.3 CVD动力学分析 [w=x0J&  
4.2.4 不同硅源的外延生长 HZ8 j[kO  
4.2.5 成核 [.6>%G1C  
4.2.6 掺杂 JsnavI6  
4.2.7 外延层质量 Z;%  
4.2.8 生长工艺 QIi*'21a+  
4.3 CVD技术的种类 ,Lv}Xku  
4.3.1 常压CVD (ZShhy8g  
4.3.2 低压CVD =#BeAsFfO  
4.3.3 超高真空CVD y{u6t 3  
4.4 能量增强CVD技术 + A0@#:B  
4.4.1 等离子增强CVD -
mY90]g  
4.4.2 光增强CVD 3;>(W  
4.5 卤素输运法 W3<O+S&  
4.5.1 氯化物法 u:HKmP;  
4.5.2 氢化物法 7IK<9i4O  
4.6 MOCVD技术 V2g$"W?3  
4.6.1 MOCVD简介 Vaha--QB  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ~;+i[Z&e  
4.6.3 MOCVD生长GaN `W]a @\EYA  
4.6.4 MOCVD生长ZnO .&sguAyG  
4.7 特色CVD技术 "b1_vA]03  
4.7.1 选择外延CVD技术 EHzZ9zH\  
4.7.2 原子层外延 `b\4h/~  
参考文献 IC}zgvcW  
M<ad>M  
第5章 脉冲激光沉积 I]k'0LG*^  
5.1 脉冲激光沉积概述 gKYn*  
5.2 PLD的基本原理 an5Ss@<4AA  
5.2.1 激光与靶的相互作用 @J
r  
5.2.2 烧蚀物的传输 8z/^Ql  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 N.64aL|1  
5.3 颗粒物的抑制 kk~{2  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用  fx;5j;  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 mceSUKI;L  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 SN]/~>/  
参考文献 _eO]awsA  
M j5C0P(  
第6章 分子束外延 Ys<wWfW  
6.1 引言 U!e4_JBR'  
6.2 分子束外延的原理和特点 ux=a9  
6.3 外延生长设备 PN.6BJvu  
6.4 分子束外延生长硅 3zl!x  
6.4.1 表面制备 61mQJHl.  
6.4.2 外延生长 w}YHCh  
6.4.3 掺杂 iEU(1?m2-  
6.4.4 外延膜的质量诊断 S;t~"87v*  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 3Y
Lnh@-  
6.5.1 MBE生长GaAs JQtH},Tr  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs plf<O5'  
6.5.3 MBE生长GaN VtKN{sSnu  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ?DRC! 9o^  
6.6.1 HgCdTe材料 t&&OhHK  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ':>B%k  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 *jJ62-o  
6.6.4 ZnSe、ZnTe c^bA]l^a  
6.6.5 ZnO薄膜 lp9<j1Wl  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Z ZiS$&NK8  
6.7.1 SiC：材料 w+MdQ@'5  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 @"~\[z5  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ]Yj>~k:K  
参考文献 {c J6Lq&  
%b*%'#iK  
第7章 液相外延 E$1^}RGT)  
7.1 液相外延生长的原理 gRFC n6Q  
7.1.1 液相外延基本概况 Ym6ec|9;  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 $bo^UYZ6  
7.2 液相外延生长方法和设备 =CVw0'yZ  
7.3 液相外延生长的特点 asF-mf;D  
7.4 液相外延的应用实例 1y@-  
7.4.1 硅材料 e7qT;  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 B@=Yj_s  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 lvN{R{7>  
7.4.4 SiC材料 h49Q2`  
参考文献 ;C
vGIp&y  
E??%)q  
第8章 湿化学制备方法 |4c==7.  
8.1 溶胶-凝胶技术 eeDhTw9  
J{Ay(  
第9章 半导体超晶格和量子阱 o2|(0uN'  
第10章 半导体器件制备技术 RasoOj$  
参考文献 l6WcnJ  

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