半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 *+#8mA(  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 s6
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 tIuCct-  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 }n>p4W"OM  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 >7QvK3S4%  

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第1章 真空技术 'ZDp5pCC;  
1.1 真空的基本概念 ,)vDeU  
1.1.1 真空的定义 $}!p+$  
1.1.2 真空度单位 =\H!GT  
1.1.3 真空区域划分 ;6>2"{N
W  
1.2 真空的获得 (pv+c,  
1.3 真空度测量 `)T13Xv  
1.3.1 热传导真空计 Utnr5^].2O  
1.3.2 热阴极电离真空计 ^c9t'V`IWQ  
1.3.3 冷阴极电离真空计 uM_wjP  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 K<>oa[B9  
参考文献 P\1L7%*lU  
.y!<t}  
第2章 蒸发技术 [OC5l>  
2.1 发展历史与简介 x|pg"v&[  
2.2 蒸发的种类 /`wvxKX  
2.2.1 电阻热蒸发 1H6<[iHW  
2.2.2 电子束蒸发 J  IUx  
2.2.3 高频感应蒸发 pKpUXfQu  
2.2.4 激光束蒸发 ,-8"R`UI8  
2.2.5 反应蒸发 n\*!CXc  
2.3 蒸发的应用实例 a
u: fw  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 `d5%.N  
2.3.2 ITO薄膜 (nf~x  
参考文献 H[,i{dD  
0i!uUF  
第3章 溅射技术 oX30VfT  
3.1 溅射基本原理 ,!#*GZ.ix  
3.2 溅射主要参数 2mVD_ s[`  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 QdF5Cwf4  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 vHry&#Pl+  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 pwL;A3$|  
3.3 溅射装置及工艺 WW4vn|0v  
3.3.1 阴极溅射 <m)$K  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 [q?<Qe  
3.3.3 射频溅射 K1 EynU I  
3.3.4 磁控溅射 )dbB=OZ  
3.3.5 反应溅射 l;R%= P?'F  
3.4 离子成膜技术 <D<4BnZ(  
3.4.1 离子镀成膜 ObVGV  
3.4.2 离子束成膜 KL1/^1  
3.5 溅射技术的应用 xS4w5i2  
3.5.1 溅射生长过程 E~Sb  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 \<JSkr[h!"  
参考文献 #@YPic"n7`  
)h"<\%LU  
第4章 化学气相沉积 vK|E>nL  
4.1 概述 _=_Px@<Q  
4.2 硅化学气相沉积 UO0
{):w>  
4.2.1 CVD反应类型 ]m g)Q:d,  
4.2.2 CVD热力学分析 5na~@-9p  
4.2.3 CVD动力学分析 H?<N.Dq  
4.2.4 不同硅源的外延生长 BLfTsNzmt  
4.2.5 成核 g
d%NkxmW  
4.2.6 掺杂 ?pr9f5  
4.2.7 外延层质量 ehzM)uK  
4.2.8 生长工艺 @$S+Ne[<  
4.3 CVD技术的种类 *6sl   
4.3.1 常压CVD i UCXAWP  
4.3.2 低压CVD {MtpkUN  
4.3.3 超高真空CVD [ey:e6,T9  
4.4 能量增强CVD技术 N60rgSzI  
4.4.1 等离子增强CVD s)noo  
4.4.2 光增强CVD 8ja$g,  
4.5 卤素输运法 sF!($k;!  
4.5.1 氯化物法 Sg&UagBj  
4.5.2 氢化物法 "?]{%-u  
4.6 MOCVD技术 ii[F]sR\  
4.6.1 MOCVD简介 -G}[AkmS  
4.6.2 MOCVD生长GaAs e-:yb^  
4.6.3 MOCVD生长GaN u$DHVRrF<  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 7mI:|G  
4.7 特色CVD技术 LPZF)@|`  
4.7.1 选择外延CVD技术 x2OaPlG,&V  
4.7.2 原子层外延 X iS1\*  
参考文献 JlH&??  
15%w 8u  
第5章 脉冲激光沉积 Dd'm U  
5.1 脉冲激光沉积概述 5's87Z;6  
5.2 PLD的基本原理 ykl .1(  
5.2.1 激光与靶的相互作用 _,p/l&<  
5.2.2 烧蚀物的传输 ^V?<K.F  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 }SX,^|eN  
5.3 颗粒物的抑制 (U&tt]|  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 *@Lp`thq  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 .Zn^Nw3  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 "fG8?
)d;  
参考文献 9!6f-K  
kE:nsXI )  
第6章 分子束外延 DK$X2B"cV  
6.1 引言 (\\eo  
6.2 分子束外延的原理和特点 kDEPs$^  
6.3 外延生长设备 I;e=0!9U  
6.4 分子束外延生长硅 6g|*`x{  
6.4.1 表面制备 W#^2#sjO  
6.4.2 外延生长 9{RB{<Se!  
6.4.3 掺杂 8K.R=  
6.4.4 外延膜的质量诊断 &+cEV6vb+  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 D&od?3}E  
6.5.1 MBE生长GaAs SG6kud\b  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs M$y+q ^  
6.5.3 MBE生长GaN (zgW%{V@  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 S]bmS6#  
6.6.1 HgCdTe材料 Cbg!:Cws  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ZIf  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 D ~st
M  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ;|pBFKx  
6.6.5 ZnO薄膜 @LS@cCC,a  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Z3#P,y9@  
6.7.1 SiC：材料 5>CEl2mSl  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 dYG,_ji  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 mtJ9nC  
参考文献 N/Z2hn/m  
B|R@5mjm  
第7章 液相外延 =T-&j60  
7.1 液相外延生长的原理 !F1M(zFD  
7.1.1 液相外延基本概况 T^Y([23  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ABQa 3{v  
7.2 液相外延生长方法和设备 GR +[UG  
7.3 液相外延生长的特点 -7*ET3NSI/  
7.4 液相外延的应用实例 {t0) q  
7.4.1 硅材料 1M}5>V{  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 V,mw[Hw  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ZX>AE3wk  
7.4.4 SiC材料 }@;ep&b*  
参考文献 6eT5ktf  
u -;_y='m  
第8章 湿化学制备方法 uEktQ_u[  
8.1 溶胶-凝胶技术 ,5|&A  
Fgp]l2*  
第9章 半导体超晶格和量子阱 A;*d}Xe&J  
第10章 半导体器件制备技术 R$
q; !  
参考文献 C"!gZ8*\!9  
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