半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 Q *]`t@q  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 8TZA T%4  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 T[h}A"yK;  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 K#UA M.  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 &]6K]sWJK{  
-ouJf}#R  
#IaBl?}r^  
市场价：￥36.00 N~5WA3xd  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) f=_?<I{  
v?D kDnta  
qH%L"J  
第1章 真空技术 SKSAriS~  
1.1 真空的基本概念 `s83rhs`!  
1.1.1 真空的定义 n5k^v$'  
1.1.2 真空度单位 z]l-?>Zbg  
1.1.3 真空区域划分 @@/'b'  
1.2 真空的获得 4zqE?$HM'  
1.3 真空度测量 +%}5{lu_e  
1.3.1 热传导真空计 O\?5#.   
1.3.2 热阴极电离真空计 ONN{4&7@<  
1.3.3 冷阴极电离真空计 3TiXYH
 
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 &lh_-@Xz  
参考文献 _c9 WWp?  
J4Z<Yt/  
第2章 蒸发技术 Rhv".epz  
2.1 发展历史与简介 j+13H
+dN  
2.2 蒸发的种类 M,\|V3s  
2.2.1 电阻热蒸发 oyN+pFVB:$  
2.2.2 电子束蒸发 lv\F+?]a  
2.2.3 高频感应蒸发 <Xs@ \  
2.2.4 激光束蒸发 [wy3Ld  
2.2.5 反应蒸发 ;h-G3>Il  
2.3 蒸发的应用实例 0J:U\S  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 <S8I"8{Mb  
2.3.2 ITO薄膜 fb0T/JTw  
参考文献 TFJ{fLG  
bm tJU3Rm  
第3章 溅射技术 -wtTq ph'  
3.1 溅射基本原理 C`)^~C_]`3  
3.2 溅射主要参数 cB|Cy{%
 
3.2.1 溅射闽和溅射产额 G{:af:5Fo  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 C*{15!d:G  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 D)*_{   
3.3 溅射装置及工艺 h2/dhp  
3.3.1 阴极溅射 Ng."+&  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 J"D&q  
3.3.3 射频溅射 \}u7T[R=`  
3.3.4 磁控溅射 3d#9Wyxs  
3.3.5 反应溅射 PK-}Ldj  
3.4 离子成膜技术 c;b[u:>~-  
3.4.1 离子镀成膜 e<L 9k}c  
3.4.2 离子束成膜 |%:qhs,  
3.5 溅射技术的应用 S& ,Ju%  
3.5.1 溅射生长过程 Gh$y#0qr  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 3Y1TQ;i,wQ  
参考文献  u]1-h6  
$LxG>db  
第4章 化学气相沉积 PtRj9TT  
4.1 概述 1F3QI|  
4.2 硅化学气相沉积 xS H6n  
4.2.1 CVD反应类型 W;OYO  
4.2.2 CVD热力学分析 5S|}:~7T  
4.2.3 CVD动力学分析 , `[Z`SUk`  
4.2.4 不同硅源的外延生长 I*+LJy;j
 
4.2.5 成核 H
;TOPtt2  
4.2.6 掺杂 .`p<hA)%[C  
4.2.7 外延层质量 2rR@2Vsw2  
4.2.8 生长工艺 RR~sEUCo{  
4.3 CVD技术的种类 ;Xfd1   
4.3.1 常压CVD 0,1L e$)6  
4.3.2 低压CVD fXF=F,!t  
4.3.3 超高真空CVD _ bXVg3oDt  
4.4 能量增强CVD技术 E !Oz|q  
4.4.1 等离子增强CVD #|{BGVp  
4.4.2 光增强CVD &#vk4C_8m  
4.5 卤素输运法 3ZW/$KP/  
4.5.1 氯化物法 'uP'P#  
4.5.2 氢化物法 j{Yt70Wv  
4.6 MOCVD技术 NSMjr_  
4.6.1 MOCVD简介 {dy` %It  
4.6.2 MOCVD生长GaAs "%.|n|  
4.6.3 MOCVD生长GaN fB;&n  
4.6.4 MOCVD生长ZnO d{iu+=NXz  
4.7 特色CVD技术 f"ZqA'KB#  
4.7.1 选择外延CVD技术 R\9>2*w  
4.7.2 原子层外延 CU#L *kz  
参考文献 ~4
MtDf  
(B>yaM#5  
第5章 脉冲激光沉积 $n=W2WJ6f  
5.1 脉冲激光沉积概述 V
r&el  
5.2 PLD的基本原理 h"Vp
Qhi  
5.2.1 激光与靶的相互作用 T=eT^?v  
5.2.2 烧蚀物的传输 S 0R8'Y  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 mC*W2#1pF  
5.3 颗粒物的抑制 %K&+~CJE  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 M(;y~|e  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 Kf:2%_DB  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 lF;ziF  
参考文献 tl{]gz  
yM(_P0  
第6章 分子束外延 ;x!,g5q"q  
6.1 引言 l1-4n*fU  
6.2 分子束外延的原理和特点 Ap F*a$),  
6.3 外延生长设备
O tXw/  
6.4 分子束外延生长硅 im_w+h%^  
6.4.1 表面制备 '+)6#/*  
6.4.2 外延生长 NDB*BmG  
6.4.3 掺杂 3n.+_jQ>s  
6.4.4 外延膜的质量诊断 v?Z'[l  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 2k.S[?)  
6.5.1 MBE生长GaAs D 7Gd
%  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs +l2e[P+qA  
6.5.3 MBE生长GaN lEO?kn.:z  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 ;el]LnV!O  
6.6.1 HgCdTe材料 iyA*JCD  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ~hS .\h  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 w"fCI13  
6.6.4 ZnSe、ZnTe [=XZza.z  
6.6.5 ZnO薄膜 u~#%P&3_W  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 pj!k|F9  
6.7.1 SiC：材料 + 6x"trC  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 IT8B~I\OY  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 2LCc  
参考文献 _Ct}%-,4  
QD
IsC  
第7章 液相外延 
/-DKV~  
7.1 液相外延生长的原理 O"@?U  
7.1.1 液相外延基本概况 .LX?VD  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 B*9  
7.2 液相外延生长方法和设备 aj&\CJ  
7.3 液相外延生长的特点 K&j'c  
7.4 液相外延的应用实例 ,$HHa
oog  
7.4.1 硅材料 UqD5 A~w  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 1t0bUf;(M  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 re7!p(W?,  
7.4.4 SiC材料 V[#6yMU@  
参考文献 Vil@?Y"  
EwTS!gL  
第8章 湿化学制备方法 cNdu.c[@  
8.1 溶胶-凝胶技术  ]a78tTi  
a^@+%?X  
第9章 半导体超晶格和量子阱 eA`]KalH  
第10章 半导体器件制备技术 ]MC/t5vCu  
参考文献 V%i<;C  
TAXd,z N  
市场价：￥36.00 60~v t04  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) uEBQo
P2