半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 eYBo*  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 aG;6^$H~  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 XbdoTriE  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 pZp|F  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 w#g0nV"X6  

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第1章 真空技术  c'?4*O  
1.1 真空的基本概念 4Z>hP]7  
1.1.1 真空的定义 &WAO.*:y  
1.1.2 真空度单位 E;\XZ<E  
1.1.3 真空区域划分 B MU@J  
1.2 真空的获得 0mo^I==J1  
1.3 真空度测量 k.? aq  
1.3.1 热传导真空计 HVaWv].  
1.3.2 热阴极电离真空计 |$@/ Z+  
1.3.3 冷阴极电离真空计 '(A)^K>+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 px5~D(N  
参考文献 aCzdYv\}&  
c\~H_ ~F  
第2章 蒸发技术 }LQ*vD-Jj  
2.1 发展历史与简介 4qo4g+  
2.2 蒸发的种类 B$qmXA)ze  
2.2.1 电阻热蒸发 Q#P=t83  
2.2.2 电子束蒸发 %\PnsnJ9Q  
2.2.3 高频感应蒸发 (
x,w/1  
2.2.4 激光束蒸发 Gb+cT  
2.2.5 反应蒸发 GczGW4\P'  
2.3 蒸发的应用实例 Ai\"w0  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 2Cn^<(F^4I  
2.3.2 ITO薄膜 JG&`l{c9  
参考文献 yO.3~H)c  
(.\GI D+i  
第3章 溅射技术 B;tU+36nM  
3.1 溅射基本原理 Vr/UbgucJ  
3.2 溅射主要参数 3nv7Uz  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 p%e!&:!  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 iJ_`ZM.w  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 }T%;G /W  
3.3 溅射装置及工艺 -e7|DXj  
3.3.1 阴极溅射 7 y}b (q=  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 /9dV!u!;  
3.3.3 射频溅射 $@d`Kz;  
3.3.4 磁控溅射 cC w,b]  
3.3.5 反应溅射 *9)7.}uY  
3.4 离子成膜技术 AH`D&V  
3.4.1 离子镀成膜 ;hR!j!3}  
3.4.2 离子束成膜 l=*^FK]L`  
3.5 溅射技术的应用 K;;Q*NN-  
3.5.1 溅射生长过程 m&o}qzC'y  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 0z{S@  
参考文献 *9e T#dH  
UN_f2  
第4章 化学气相沉积 =BJ/ZM  
4.1 概述 Ls#
pe  
4.2 硅化学气相沉积 1;r^QAK&  
4.2.1 CVD反应类型 K[)N/Q  
4.2.2 CVD热力学分析 K0 .f4o  
4.2.3 CVD动力学分析 B'6^E#9  
4.2.4 不同硅源的外延生长 awuUaE  
4.2.5 成核 NWPL18*C  
4.2.6 掺杂 Nk=F.fp|/  
4.2.7 外延层质量 _H^Ij  
4.2.8 生长工艺 H4 Y7p  
4.3 CVD技术的种类 m>2b %GTh  
4.3.1 常压CVD D4'"GaCv  
4.3.2 低压CVD (WiA  
4.3.3 超高真空CVD "{;]T  
4.4 能量增强CVD技术 g.aNITjP  
4.4.1 等离子增强CVD OqUEj 0X  
4.4.2 光增强CVD ~jAOGo/&6  
4.5 卤素输运法 XP5q4BM  
4.5.1 氯化物法 0K7]<\)  
4.5.2 氢化物法 At%g^  
4.6 MOCVD技术 'dM &~LSQ  
4.6.1 MOCVD简介 k\_>/)g  
4.6.2 MOCVD生长GaAs G;615p1  
4.6.3 MOCVD生长GaN 6"WR}S0o  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ` _()R`=  
4.7 特色CVD技术 VBR@f<2L  
4.7.1 选择外延CVD技术 nk9hQRP? 8  
4.7.2 原子层外延 >`= '~y8  
参考文献 o1"U'y-9V  
AC,$(E  
第5章 脉冲激光沉积 >=^g%K$L6J  
5.1 脉冲激光沉积概述 #O]F5JB  
5.2 PLD的基本原理 &J^@TgqL^  
5.2.1 激光与靶的相互作用 H7G*Vg  
5.2.2 烧蚀物的传输 =%Gecj  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 cRz7.9-<  
5.3 颗粒物的抑制 {@g3AG%  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Tz58@VYV  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 3O%[k<S\VO  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 CU6rw+Vax  
参考文献 t)g1ICt  
z_!P0`  
第6章 分子束外延 (Z.K3  
6.1 引言 "m})~va  
6.2 分子束外延的原理和特点 TJ7on
.;  
6.3 外延生长设备 Svn|vH  
6.4 分子束外延生长硅 ?yddr`?W  
6.4.1 表面制备 2j-|.l c  
6.4.2 外延生长 aGNt?)8WPZ  
6.4.3 掺杂 h+zJ"\  
6.4.4 外延膜的质量诊断 R|{AIa{}  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 `y0ZFh1>X  
6.5.1 MBE生长GaAs /7|u2!#Ui  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 8gJ"7,}-'  
6.5.3 MBE生长GaN ~FH''}3:3
 
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 kJy<vb~   
6.6.1 HgCdTe材料 X1:|   
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 Rb<aCX  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 =Xm [  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 2uS&A \  
6.6.5 ZnO薄膜 ;z#D%#Ztq  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 xBG&ZM4"^f  
6.7.1 SiC：材料 f'Wc_L)  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 56u'XMB?  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 FOB9CsMe  
参考文献 W>dS@;E  
9/D+6hJ]:  
第7章 液相外延 y&lj+j  
7.1 液相外延生长的原理 P^v`
5v  
7.1.1 液相外延基本概况 =Z2U  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 6 )0$UW  
7.2 液相外延生长方法和设备 IyOujdKa  
7.3 液相外延生长的特点 QYVT"$=  
7.4 液相外延的应用实例 ZNFn^iuQ  
7.4.1 硅材料 ~yt+xWV  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 j!&g:{ e  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 o?$D09j;;  
7.4.4 SiC材料 tA
P~  
参考文献 $&n!j'C:  
M=26@ n  
第8章 湿化学制备方法 oQ8W0`bZa  
8.1 溶胶-凝胶技术 n0@e%=H)I  
0Vh|UJ'&7  
第9章 半导体超晶格和量子阱 .cQwjL  
第10章 半导体器件制备技术 76} N/C  
参考文献 VZb0x)w  
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