半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 sbV_h;<  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 B";Dj~y  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 }K
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 /Mw0<#  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Gk)6ljL  

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第1章 真空技术 20)8e!jP  
1.1 真空的基本概念 G4"[ynlWV  
1.1.1 真空的定义 a'7RzN ,]  
1.1.2 真空度单位 Jy0(g T  
1.1.3 真空区域划分 {QIdeB[  
1.2 真空的获得 LP}j0)n  
1.3 真空度测量 r,ep{ p  
1.3.1 热传导真空计 _j]vR  
1.3.2 热阴极电离真空计 da$ErN'{  
1.3.3 冷阴极电离真空计 }QJ6"s  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 /+f3jy:d  
参考文献 1P/4,D@  
$wqi^q*)  
第2章 蒸发技术 t8Giv89{  
2.1 发展历史与简介 0;" >.  
2.2 蒸发的种类 K}Lu1:~  
2.2.1 电阻热蒸发 }1YQ?:@  
2.2.2 电子束蒸发 @&2#kO~=  
2.2.3 高频感应蒸发 NJ(H$tB@  
2.2.4 激光束蒸发 ]Waa7)}DM  
2.2.5 反应蒸发 zC!Pb{IaH  
2.3 蒸发的应用实例 }?Tz=hP  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 zmU>  
2.3.2 ITO薄膜 `YK#m4gc  
参考文献 s5oU  
K[9{]$(Z  
第3章 溅射技术 Kk/cI6`W  
3.1 溅射基本原理 bYy7Ul6]  
3.2 溅射主要参数 Pol c
.  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 }z_7?dn/  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 @;{iCVW  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 3@mW/l>X  
3.3 溅射装置及工艺 j6BFh=?D  
3.3.1 阴极溅射 jn>RE   
3.3.2 三极溅射和四极溅射 rq^VOK
|L  
3.3.3 射频溅射 Q}]RB$ZS  
3.3.4 磁控溅射 ]]|vQA^  
3.3.5 反应溅射 {(^%2dk83C  
3.4 离子成膜技术 ?yAjxoE~?  
3.4.1 离子镀成膜 <*DP G\6Ma  
3.4.2 离子束成膜 6g'+1%O  
3.5 溅射技术的应用 G":u::hR  
3.5.1 溅射生长过程 O+o_{t\R  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 C8 "FTH'  
参考文献  
X&.LX  
41\V;yib  
第4章 化学气相沉积 N"2P]Zr  
4.1 概述 ,%,.c^-  
4.2 硅化学气相沉积 7)y +QU]  
4.2.1 CVD反应类型 [2nP
r^  
4.2.2 CVD热力学分析 ;Y`k-R:E6A  
4.2.3 CVD动力学分析 :tBZu%N/N  
4.2.4 不同硅源的外延生长 CL"q"  
4.2.5 成核 i UW.$1l  
4.2.6 掺杂 JAI;7  
4.2.7 外延层质量 D,, x<JG|  
4.2.8 生长工艺 _u8d`7$*%  
4.3 CVD技术的种类 ]nQ(|$rW  
4.3.1 常压CVD 
C9E@$4*  
4.3.2 低压CVD A@JZK+WB}  
4.3.3 超高真空CVD 6#1:2ZHKG  
4.4 能量增强CVD技术 H?j!f$sw  
4.4.1 等离子增强CVD pc/]t^]p  
4.4.2 光增强CVD .l~g`
._  
4.5 卤素输运法 (Kaunp5_`  
4.5.1 氯化物法 W&Kjh|[1QZ  
4.5.2 氢化物法 5gY9D!;:0D  
4.6 MOCVD技术 VHTr;(]hk  
4.6.1 MOCVD简介 \k*h& :$  
4.6.2 MOCVD生长GaAs -gb'DN1BG  
4.6.3 MOCVD生长GaN ;>B06v  
4.6.4 MOCVD生长ZnO T'e p&tNY  
4.7 特色CVD技术 5tl uS  
4.7.1 选择外延CVD技术 } OAH/BW  
4.7.2 原子层外延 ?$AWY\  
参考文献  iU a `<  
K!_''Fg  
第5章 脉冲激光沉积 =E' .T0v  
5.1 脉冲激光沉积概述 *p7_rY  
5.2 PLD的基本原理 y7Sj^muBY  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ^_pJEX  
5.2.2 烧蚀物的传输 S*?x|&a  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 =CjN=FM  
5.3 颗粒物的抑制 QLe<).S1B2  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Shb"Jc_i
 
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 {]dH+J7  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 gPg2Ve0Qy  
参考文献 Z;nUS,?om  
+a((,wAN2  
第6章 分子束外延 b#E!wMClS  
6.1 引言 {aq}Q|?/  
6.2 分子束外延的原理和特点 MuQ'L=iJ  
6.3 外延生长设备 'K|tgsvgme  
6.4 分子束外延生长硅 V-TWC@Y"  
6.4.1 表面制备 SjB#"A5  
6.4.2 外延生长 eFdN"8EW  
6.4.3 掺杂 "=\@ a=  
6.4.4 外延膜的质量诊断 7H5t!yk|9  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ?br4 wl  
6.5.1 MBE生长GaAs R SqO$~  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs zV"oB9\9O  
6.5.3 MBE生长GaN x$Tf IFy  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 'ai!6[|SD  
6.6.1 HgCdTe材料 om}jQJ]KH  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ~6-6aYhe  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 _4#&!b6  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Tx\g5rk  
6.6.5 ZnO薄膜 E5F0C]hq  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 f6zS_y9gn  
6.7.1 SiC：材料 Z* L{;  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 JypXQC}~  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 m5rJY/  
参考文献 H.8Vm[W  
1I -LGe[Q  
第7章 液相外延 .WT^L2l%  
7.1 液相外延生长的原理 Kk_h&by?  
7.1.1 液相外延基本概况 zS+_6s  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 8'6$t@oT9w  
7.2 液相外延生长方法和设备 "ZLujpZcG  
7.3 液相外延生长的特点 dT*8I0\+  
7.4 液相外延的应用实例 OGq
sQ  
7.4.1 硅材料 2>!?EIE7  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 9 ?~Y  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 =j{r95)|u  
7.4.4 SiC材料 /)E'%/"A  
参考文献 j1
{\nP/  
s.7s:Q`  
第8章 湿化学制备方法 ,t=12R]>  
8.1 溶胶-凝胶技术 pRLs*/Bw  
n%YG)5;  
第9章 半导体超晶格和量子阱 hpV
u   
第10章 半导体器件制备技术 ^#A[cY2eM  
参考文献 hfuGCD6F`  
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