半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 <11Tqb  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 luz%FY:  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 xV 1Z&l  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 W!4V:(T  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 /&!d  
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第1章 真空技术 WoWM  
1.1 真空的基本概念 ; # ?0#):-  
1.1.1 真空的定义 VU0tyj$  
1.1.2 真空度单位 zQj%ds:  
1.1.3 真空区域划分 at(p,+ %  
1.2 真空的获得 .gkPG'm[  
1.3 真空度测量 ]pP2c[;  
1.3.1 热传导真空计 Ho._&az9cT  
1.3.2 热阴极电离真空计 %W
T:RT_  
1.3.3 冷阴极电离真空计 5NvyK[w]  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 uj1E* 98m  
参考文献 v7OV;ea$  
\NQ)Po@z  
第2章 蒸发技术 2:5gMt  
2.1 发展历史与简介 +=H>s;B  
2.2 蒸发的种类 ^Er`{|o6u  
2.2.1 电阻热蒸发 1 l*(8!_  
2.2.2 电子束蒸发 tfKeo|DM"  
2.2.3 高频感应蒸发 &MQt2aL  
2.2.4 激光束蒸发 1o8"==
n%  
2.2.5 反应蒸发 UoS;!}l  
2.3 蒸发的应用实例 |>}0? '/]  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 <w2NJ~M^  
2.3.2 ITO薄膜 8\.1m9&r>o  
参考文献 (*WZsfk>/<  
@]"9EW 0  
第3章 溅射技术 )~mc1U`b  
3.1 溅射基本原理 JTB~nd>  
3.2 溅射主要参数 4Hpu EV8Q  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 b`|MK4M(  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 u,,WD  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 od's1'cR  
3.3 溅射装置及工艺 #!&R7/ KdD  
3.3.1 阴极溅射 yGG\[I;7  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 _xL&sy09t  
3.3.3 射频溅射 /FV6lR!0^  
3.3.4 磁控溅射 vrnj}f[h  
3.3.5 反应溅射 m'"VuH?^  
3.4 离子成膜技术 A-Pwi.$  
3.4.1 离子镀成膜 0t[mhmSU,  
3.4.2 离子束成膜 +U)|&1oa  
3.5 溅射技术的应用 fX$4TPy(h  
3.5.1 溅射生长过程 C(*@-Npf[  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 -LK(C`gB  
参考文献 o
4'4Hy  
S,9WMti4x  
第4章 化学气相沉积 h:;eh  
4.1 概述 8Y~T$Yj^  
4.2 硅化学气相沉积 UVmyOC[Y{  
4.2.1 CVD反应类型 skx=w<YO6]  
4.2.2 CVD热力学分析 -XIvj'u  
4.2.3 CVD动力学分析 ~)IJE+e>}  
4.2.4 不同硅源的外延生长 rkc%S5we  
4.2.5 成核 ?!j/wV_H  
4.2.6 掺杂 A'-YwbY  
4.2.7 外延层质量 UXB8sS*wQ?  
4.2.8 生长工艺 5 ^J8<s@_  
4.3 CVD技术的种类 +pViHOJu&V  
4.3.1 常压CVD /D]r

"-  
4.3.2 低压CVD ?F!J@Xn5  
4.3.3 超高真空CVD u,SZ-2K!7~  
4.4 能量增强CVD技术 Ul0<Zxv  
4.4.1 等离子增强CVD XTaWd0Y  
4.4.2 光增强CVD '<D}5u72  
4.5 卤素输运法 j?hyN@ns  
4.5.1 氯化物法 iSLf:  
4.5.2 氢化物法 7.rZ%1N  
4.6 MOCVD技术 HFWm}vA:  
4.6.1 MOCVD简介 KBH
KcFk  
4.6.2 MOCVD生长GaAs '?GZ"C2  
4.6.3 MOCVD生长GaN 9}$dwl(  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Prx s2 i 8  
4.7 特色CVD技术 A2_3zr
E  
4.7.1 选择外延CVD技术 S,v>*AF  
4.7.2 原子层外延 n(Op<  
参考文献 7:E#c"S q  
}eFUw  
第5章 脉冲激光沉积 (MiOrzT  
5.1 脉冲激光沉积概述 G/44gKl  
5.2 PLD的基本原理 Tm.w+@  
5.2.1 激光与靶的相互作用 WREGRy  
5.2.2 烧蚀物的传输 8vo7~6yy  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 0M2+?aKif  
5.3 颗粒物的抑制 bO%ck-om!  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Pm;*Jv%  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 bJ!f,a'/  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 <[l}^`IC^4  
参考文献 1Klu]J%  
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XP  
第6章 分子束外延 S%#Mu|  
6.1 引言 Eakjsk  
6.2 分子束外延的原理和特点 0%j;yzQ<  
6.3 外延生长设备 abP?D
j&  
6.4 分子束外延生长硅 48rYs}  
6.4.1 表面制备 ,.MG&O  
6.4.2 外延生长 vg1s5Yqk  
6.4.3 掺杂 )?y"NVc*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ^@"f%3  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 |ema-pRC  
6.5.1 MBE生长GaAs vJ}  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs iGNKf|8{  
6.5.3 MBE生长GaN vGp@YABM  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 58U[r)/  
6.6.1 HgCdTe材料 8k'em/M~  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 }kefr
T  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Ap18qp  
6.6.4 ZnSe、ZnTe {z ~ '  
6.6.5 ZnO薄膜 7
O :Gi*MA  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 )@M|YM1+  
6.7.1 SiC：材料 czi!q1<vg  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 [T|1Qq7  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ?KW?] o  
参考文献 hmk5 1  
f\w4F'^tj  
第7章 液相外延 T,@7giQg@  
7.1 液相外延生长的原理 >g=:01z9  
7.1.1 液相外延基本概况 $R36`wk  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 )+R3C%  
7.2 液相外延生长方法和设备 ( h,F{7  
7.3 液相外延生长的特点 wj~8KHan  
7.4 液相外延的应用实例 6 VDF@V$E  
7.4.1 硅材料 ]^%3Y  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 f89<o#bm7h  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Mt0|`=64  
7.4.4 SiC材料 |8ZAE%/d  
参考文献 u{G6xuPWf  
g;@PEZk1  
第8章 湿化学制备方法 wO NQlt  
8.1 溶胶-凝胶技术 >.>5%  
cn{l %6K  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Q"uu&JC  
第10章 半导体器件制备技术 B`Pi\1H6%  
参考文献 {.W%m  
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