半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 pU`Q[HOs  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 KH2a 2  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Sjj&n S  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 WZ"x\K-;  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 {b+!0[  

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第1章 真空技术 a{69JY5  
1.1 真空的基本概念 CQzJ_aSJ(  
1.1.1 真空的定义
hMeE@Q0  
1.1.2 真空度单位 H`aqpa"C  
1.1.3 真空区域划分 ) <^9`  
1.2 真空的获得 SukRJvi  
1.3 真空度测量 _i6G)u&N  
1.3.1 热传导真空计 hq$:62NYg  
1.3.2 热阴极电离真空计 [ZOo%"M_Y  
1.3.3 冷阴极电离真空计 FrB}2  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 SS@#$t:  
参考文献 O\B_=KWDO  
~0t]`<y=  
第2章 蒸发技术 US0)^TKrj  
2.1 发展历史与简介 *w59BO&M4  
2.2 蒸发的种类 6 }qNH29  
2.2.1 电阻热蒸发 ^cDHyB=v4d  
2.2.2 电子束蒸发 Zz,E4+'Rm  
2.2.3 高频感应蒸发 qA#!3<  
2.2.4 激光束蒸发 *ukugg.  
2.2.5 反应蒸发 ]f-< s,@  
2.3 蒸发的应用实例 r2q
xi'  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ^zO%O653  
2.3.2 ITO薄膜 t!AHTtI  
参考文献 PDzVXLpC  
u==bLl=$  
第3章 溅射技术 b,$H!V*  
3.1 溅射基本原理 ?msx  
3.2 溅射主要参数 8@|+-)t  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 5L"{J5R}  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 [>oq~[e)?  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 |Ah26<&  
3.3 溅射装置及工艺 ;Pnz4Y4|eU  
3.3.1 阴极溅射 q[] "`?  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 }rxFX  
3.3.3 射频溅射 Q:
[d  
3.3.4 磁控溅射 b`PAOQ  
3.3.5 反应溅射 j^"Z^TEBT  
3.4 离子成膜技术 IO/2iSbW  
3.4.1 离子镀成膜 @]Aul9.h  
3.4.2 离子束成膜 {Fta4D_1N  
3.5 溅射技术的应用 LwZBM
#_g  
3.5.1 溅射生长过程 ,Si\ky7L  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ` Cdk b5  
参考文献 kb Fr  
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第4章 化学气相沉积 >w9fFm!Q  
4.1 概述
LL7a20  
4.2 硅化学气相沉积 ~Wm`SIV  
4.2.1 CVD反应类型 Xl.h&x0? 8  
4.2.2 CVD热力学分析 u7UqN  
4.2.3 CVD动力学分析 !O-q13\Y  
4.2.4 不同硅源的外延生长 A5Qzj]{ba  
4.2.5 成核 &G@(f=  
4.2.6 掺杂 :G?"BL5vP  
4.2.7 外延层质量 G0^WQQ4  
4.2.8 生长工艺 4~53%=+  
4.3 CVD技术的种类 
VTa?y  
4.3.1 常压CVD @`t)ly#N  
4.3.2 低压CVD FZ6.<wN  
4.3.3 超高真空CVD eOt T*  
4.4 能量增强CVD技术 K8$Hg:Ky-/  
4.4.1 等离子增强CVD xC9^x7%3O  
4.4.2 光增强CVD 8*;G\$+  
4.5 卤素输运法 6+_)(+c  
4.5.1 氯化物法 T?I&n[Y|  
4.5.2 氢化物法 U59uP 7n
 
4.6 MOCVD技术 p4\%*ovQt  
4.6.1 MOCVD简介 mR,p?[P  
4.6.2 MOCVD生长GaAs  (d |  
4.6.3 MOCVD生长GaN ;``*]tY$  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 4tz8^z[Kw  
4.7 特色CVD技术 =3?t%l;n  
4.7.1 选择外延CVD技术 4NMv7[r  
4.7.2 原子层外延 ^)m]j`}IGb  
参考文献 i DO`N!  
2T<QG>;)j  
第5章 脉冲激光沉积 !bFa\6]q  
5.1 脉冲激光沉积概述 g+hz>^Wg  
5.2 PLD的基本原理 c2Ua!p(c  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Z~F% K~(  
5.2.2 烧蚀物的传输 R|% 3JE0  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 $g$~TuA w  
5.3 颗粒物的抑制 4f~CG r  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 6|r` k75.  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 8XD9fB^  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 DKqFe5rw  
参考文献 N+rLbK*  
>V;JI;[  
第6章 分子束外延 xojy[c#  
6.1 引言 u|<Z};a  
6.2 分子束外延的原理和特点 NDgl
se  
6.3 外延生长设备 yHLclv  
6.4 分子束外延生长硅 Por
BB7iL  
6.4.1 表面制备 ])!|b2:s3  
6.4.2 外延生长 , d ?4"8_  
6.4.3 掺杂 `W e M
 
6.4.4 外延膜的质量诊断 lb2mWsg"  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 P1]ucu_y,  
6.5.1 MBE生长GaAs I&3L1rl3{*  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 81V,yq]  
6.5.3 MBE生长GaN t(VG#}  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 AGQCk*dm  
6.6.1 HgCdTe材料 fz31di9$  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 9-eYCg7C|  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 1 h|cr_  
6.6.4 ZnSe、ZnTe BoG/Hd.S  
6.6.5 ZnO薄膜 + 1\1Z@\M  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 n=MdbY/k(  
6.7.1 SiC：材料 B3@  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 :T"!6;  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 S;M'qw
N  
参考文献 .qi$X!0  
C(b"0>  
第7章 液相外延 Qzw~\KY:  
7.1 液相外延生长的原理 kEf}yTy  
7.1.1 液相外延基本概况 X ~%I(?OX  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 m>k j@^SQ  
7.2 液相外延生长方法和设备 IhwJYPL
F  
7.3 液相外延生长的特点 E D*=8s2  
7.4 液相外延的应用实例 8)ZWR3)+W  
7.4.1 硅材料 m<IPi <  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 \v44Vmfz  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 d*,% -Io  
7.4.4 SiC材料  g2L  
参考文献 K20n355uE  
3hab51J  
第8章 湿化学制备方法 !I-+wc{ss  
8.1 溶胶-凝胶技术 =xQ7:TB  
KGxF3xS*7  
第9章 半导体超晶格和量子阱 yGT"k,a  
第10章 半导体器件制备技术 N(vzxx^  
参考文献 9"52b9U  
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