半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 =NY55t.  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 N2HD=[*cr  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ~4=*kJ#7  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ;a>u7
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 m44a HBwId  

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第1章 真空技术 j%y{d(Q4  
1.1 真空的基本概念 ZB)R4  
1.1.1 真空的定义 K,! V _  
1.1.2 真空度单位 U/kQwrM  
1.1.3 真空区域划分 u;t~ z  
1.2 真空的获得 JN9>nC!Zy_  
1.3 真空度测量 8TAJ#Lm  
1.3.1 热传导真空计 li\=mH,Wr  
1.3.2 热阴极电离真空计 #O;JV}y  
1.3.3 冷阴极电离真空计 \5!7zPc  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 o<3$|`S&  
参考文献 6YNL4HE?  
a,S;JF)v  
第2章 蒸发技术 M.s'~S7y  
2.1 发展历史与简介 q!'p   
2.2 蒸发的种类 ihwJBN>(  
2.2.1 电阻热蒸发 9`N5$;NzY  
2.2.2 电子束蒸发 dTK0lgkUE  
2.2.3 高频感应蒸发 &*7KQd  
2.2.4 激光束蒸发 z
#o''  
2.2.5 反应蒸发 :EQ{7Op`  
2.3 蒸发的应用实例 -j]k^  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 MA:5'n  
2.3.2 ITO薄膜 P$k*!j_W  
参考文献 D@68_sn  
,I5SAd|dX  
第3章 溅射技术 lTq"j?#E]m  
3.1 溅射基本原理 300w\9fn&  
3.2 溅射主要参数 J@$~q}iG  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ;XawEG7" U  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度  HrsG^x  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 r#4/~a5i~  
3.3 溅射装置及工艺 UWKgf? _  
3.3.1 阴极溅射 rq8 d}wj  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 C[ mTVxd  
3.3.3 射频溅射 PgK7CG7G  
3.3.4 磁控溅射 _7;:*'>a4  
3.3.5 反应溅射 jmkOu
5@  
3.4 离子成膜技术 '-RacNY  
3.4.1 离子镀成膜 RhHm[aN  
3.4.2 离子束成膜 9ZJ 8QH  
3.5 溅射技术的应用 %Rn*oV  
3.5.1 溅射生长过程 / }$n_N\!)  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 }H\I[5*  
参考文献 ]n|Jc_Y  
<R@,wzK  
第4章 化学气相沉积 9ET1Er{4  
4.1 概述 ,oA<xP-*  
4.2 硅化学气相沉积 LO{Axf%  
4.2.1 CVD反应类型 4_=2|2Wz[  
4.2.2 CVD热力学分析 s<FBr,  
4.2.3 CVD动力学分析 MHK|\Z&e7  
4.2.4 不同硅源的外延生长 0Z8"f_GK  
4.2.5 成核 pzz*>Y  
4.2.6 掺杂 _/I">/ivlM  
4.2.7 外延层质量 ]c7X~y  
4.2.8 生长工艺 _&#{cCo:  
4.3 CVD技术的种类 qt~=47<d  
4.3.1 常压CVD HTOr  
4.3.2 低压CVD qy3@> 1G  
4.3.3 超高真空CVD pqfX}x  
4.4 能量增强CVD技术 Ck Nl;g l  
4.4.1 等离子增强CVD yk`qF'4]  
4.4.2 光增强CVD ]oB
~8d  
4.5 卤素输运法 )?$[iu7 s  
4.5.1 氯化物法 r!2U#rz  
4.5.2 氢化物法 z~ C8JY:  
4.6 MOCVD技术 \c:$eF  
4.6.1 MOCVD简介 "ntP928  
4.6.2 MOCVD生长GaAs Jo\P,-\(  
4.6.3 MOCVD生长GaN y'K2#Y~1e  
4.6.4 MOCVD生长ZnO $0 olqt:  
4.7 特色CVD技术 K"0IWA  
4.7.1 选择外延CVD技术 (jc& F
k  
4.7.2 原子层外延 {p84fR1P  
参考文献 Ku75YFO,5  
4a-JC"  
第5章 脉冲激光沉积 I x%>aee  
5.1 脉冲激光沉积概述 :u14_^  
5.2 PLD的基本原理 L"m^LyU  
5.2.1 激光与靶的相互作用  }~/b%^  
5.2.2 烧蚀物的传输 X/,)KTo7  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 f82%nT  
5.3 颗粒物的抑制 eThaH0  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Tnp P'  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 Qn!mS[l  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 lT|Gkm<G  
参考文献 c1yRy|  
J-v1"7[2GC  
第6章 分子束外延 )XN_|zCk  
6.1 引言 !ZYPz}&N_  
6.2 分子束外延的原理和特点 =&bI-  
6.3 外延生长设备 S(zp_  
6.4 分子束外延生长硅 }5;4'l8  
6.4.1 表面制备 6:ettdj  
6.4.2 外延生长 DiFYVR<@  
6.4.3 掺杂 V*giF`gq  
6.4.4 外延膜的质量诊断 0[MYQl`  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 [7Lr"  
6.5.1 MBE生长GaAs QqA=QTZ}  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs (~GQncqa  
6.5.3 MBE生长GaN lG7PM^Eb
 
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 cFUD$mp  
6.6.1 HgCdTe材料  w4U,7%V  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 9TW[;P2> )  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 LhJ
UoX  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 3p0v  
6.6.5 ZnO薄膜 xb,XI/
 
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 yLnQ9BXB&  
6.7.1 SiC：材料 -s3`mc}*  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 }L\;W:0  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 {R}F4k  
参考文献 P.Z:`P)  
hNN>Pd~;  
第7章 液相外延 YOl$sgg}  
7.1 液相外延生长的原理 ?jmP]MM  
7.1.1 液相外延基本概况 \^!;r9z=A  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 lPy|>&Yc  
7.2 液相外延生长方法和设备 H;/do-W[  
7.3 液相外延生长的特点 +A| Bc~2!  
7.4 液相外延的应用实例 mUBy*
.  
7.4.1 硅材料 Er;/zxg9p  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Vrt$/ d  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 e"E8BU  
7.4.4 SiC材料 )?F&`+  
参考文献 !eW1d0n'+f  
dli(ckr  
第8章 湿化学制备方法  %?ElC  
8.1 溶胶-凝胶技术 'ygKP6M  
Q{[@n  
第9章 半导体超晶格和量子阱 b] 5weS-<  
第10章 半导体器件制备技术 daE.y_9y  
参考文献 Y^fw37b  
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