半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ^k J>4  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 A_8Xhem${  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 m3#rU%Wj  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 UpTVLx^c  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 i1dE.f;  

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第1章 真空技术 6L<Y   
1.1 真空的基本概念 u_HCXpP!Q  
1.1.1 真空的定义 ]A=yj@o$xN  
1.1.2 真空度单位 w%1-_;.aU6  
1.1.3 真空区域划分
O\J{4EB@.  
1.2 真空的获得 N?EeT}m_  
1.3 真空度测量 d%Ls'[Y^_0  
1.3.1 热传导真空计 3p1U,B}  
1.3.2 热阴极电离真空计 <EKTFHJ!  
1.3.3 冷阴极电离真空计 1SF8D`3  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 p!o-+@ava  
参考文献 z[Ah9tM%  
prEI9/d"  
第2章 蒸发技术 ;RK;kdZ  
2.1 发展历史与简介 #HDP ha  
2.2 蒸发的种类 w2H^q
3*  
2.2.1 电阻热蒸发 9^+E$V1@  
2.2.2 电子束蒸发 ;#bDz}|\AN  
2.2.3 高频感应蒸发 XEBeoOX/  
2.2.4 激光束蒸发 G\z5Ue*  
2.2.5 反应蒸发 dOT7;@  
2.3 蒸发的应用实例 4_P6P  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 w2SN=X~#  
2.3.2 ITO薄膜 T' =6_?7K4  
参考文献 r]0>A&,  
RkZyqt @+  
第3章 溅射技术 4L bll%[9  
3.1 溅射基本原理 4V&(w,zl  
3.2 溅射主要参数 Ot+Z}Z-  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 '':MhRb  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ZaYUf  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 .~C%:bDnX7  
3.3 溅射装置及工艺 MTip4L W9  
3.3.1 阴极溅射 @#=yC.s  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 Kzx` E>,z'  
3.3.3 射频溅射 eI9#JM|2  
3.3.4 磁控溅射 7,s5Gd-  
3.3.5 反应溅射 IISdC(5  
3.4 离子成膜技术 Ft^X[5G4L  
3.4.1 离子镀成膜 Vx{   
3.4.2 离子束成膜 99tUw'w  
3.5 溅射技术的应用 WMa`!Q  
3.5.1 溅射生长过程 J4x|Afp  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 T/FZn{I  
参考文献 VAo`R9^D#  
lc3N i<3v  
第4章 化学气相沉积 OZ33w-X<  
4.1 概述 dT0>\9ZNr  
4.2 硅化学气相沉积 {FX]1:  
4.2.1 CVD反应类型 erKi*GssZ  
4.2.2 CVD热力学分析 u#y#(1 =  
4.2.3 CVD动力学分析 gF
d*\Dk  
4.2.4 不同硅源的外延生长 8|(],NyEJ  
4.2.5 成核 i;atYltEJ2  
4.2.6 掺杂 CZE!@1"<{  
4.2.7 外延层质量 D |=L)\  
4.2.8 生长工艺 UfIr"bU6  
4.3 CVD技术的种类 gA`QV''/:  
4.3.1 常压CVD T^F83Py<  
4.3.2 低压CVD ol K+|nR  
4.3.3 超高真空CVD -u7NBtgUh  
4.4 能量增强CVD技术 {V pko  
4.4.1 等离子增强CVD (I`lv=R"j  
4.4.2 光增强CVD PCHKH  
4.5 卤素输运法 -&Q+x,.%  
4.5.1 氯化物法 IT7],pM  
4.5.2 氢化物法 F9Af{*Jw?x  
4.6 MOCVD技术 'N^*,  
4.6.1 MOCVD简介 ~<-mxOe  
4.6.2 MOCVD生长GaAs Qea"49R  
4.6.3 MOCVD生长GaN {\vVzy,t7  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 3IJ0 P.x!o  
4.7 特色CVD技术 E%(s=YhW  
4.7.1 选择外延CVD技术 3yw$<lm  
4.7.2 原子层外延 oaZdvu@y  
参考文献 Y9gw ('\w  
;l1.jQh  
第5章 脉冲激光沉积 9]{va"pe7  
5.1 脉冲激光沉积概述 4l{$dtKbI  
5.2 PLD的基本原理 ak-agH  
5.2.1 激光与靶的相互作用 B`t/21J  
5.2.2 烧蚀物的传输 <W>A }}q  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 &CcW(-  
5.3 颗粒物的抑制 [V>s]c<4`o  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ;aj;(Z.p)  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 )t@9!V  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 *u:,@io7'G  
参考文献 G"m?2$^-A  
OR*JWW[]  
第6章 分子束外延 g$jTP#%b  
6.1 引言 f,F1k9-1!  
6.2 分子束外延的原理和特点 )0/*j]Kf  
6.3 外延生长设备 K a& 2>F  
6.4 分子束外延生长硅 ]jY^*o[  
6.4.1 表面制备 -EE'xh-zD  
6.4.2 外延生长 w@&z0ODJ  
6.4.3 掺杂 Y9|!=T%  
6.4.4 外延膜的质量诊断 i39ZBs@  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 o&&`_"18  
6.5.1 MBE生长GaAs Yku6\/^  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs [\#ANA"  
6.5.3 MBE生长GaN .drY  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 w/O'&],x  
6.6.1 HgCdTe材料 %8D>aS U  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 39hep8+  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 h]L.6G|hEN  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 8nu!5 3  
6.6.5 ZnO薄膜 %\(-<aT  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 [qW%H,_  
6.7.1 SiC：材料 vBOY[>=  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 J4"A6`O  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Y
,GlAr s4  
参考文献 "?F[]8F.b  
l^}u S|c(  
第7章 液相外延 X'<RqvDc5  
7.1 液相外延生长的原理 l`N4P  
7.1.1 液相外延基本概况 <" nWGF4d  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 Sir1>YEm  
7.2 液相外延生长方法和设备 fv#ov+B  
7.3 液相外延生长的特点 ;4ybkOD  
7.4 液相外延的应用实例 ['Lo8 [  
7.4.1 硅材料 k}F7Jw#.  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ]Q ]y*  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 p<(a);<L  
7.4.4 SiC材料 2I}+AW!!=  
参考文献 (*P`  
D4@?>ek6U  
第8章 湿化学制备方法 LdH1sHy*d`  
8.1 溶胶-凝胶技术 Jw@X5-(Cp  
:e=7=|@7  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ULxQyY;32  
第10章 半导体器件制备技术 K<:%ofB"S  
参考文献 f.uuXK  
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