半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ]ru
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ~tqDh(  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 >~\CiV4^  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 pv
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 vkW]?::Cfd  
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第1章 真空技术 )[5.*g@  
1.1 真空的基本概念 F6-U{+KU$!  
1.1.1 真空的定义 q@Sj$  
1.1.2 真空度单位 z229:L6"  
1.1.3 真空区域划分 hB-<GGcO <  
1.2 真空的获得 9E]7Etfw  
1.3 真空度测量 s F3M= uz  
1.3.1 热传导真空计 4AuJ1Z  
1.3.2 热阴极电离真空计 GsC4ty  
1.3.3 冷阴极电离真空计 +zSdP2s  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 @8V~&yqq  
参考文献 3Uni{Z]Q)  
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第2章 蒸发技术 ftbOvG/ I  
2.1 发展历史与简介 K"9V8x3Wg  
2.2 蒸发的种类 1TL~I-G&n  
2.2.1 电阻热蒸发 <^wqN!/  
2.2.2 电子束蒸发 RTvzS]  
2.2.3 高频感应蒸发 y7Y g$)sL  
2.2.4 激光束蒸发 '@eH)wh@m)  
2.2.5 反应蒸发 !gFUC<4bu  
2.3 蒸发的应用实例 KZ/2#`  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ?\![W5uuXG  
2.3.2 ITO薄膜 ]LZ,>v  
参考文献 %Dm:|><V$b  
)>rHM6-W  
第3章 溅射技术 kK$*,]iCp  
3.1 溅射基本原理 L=5
Fvm  
3.2 溅射主要参数 V2_I=]p_  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ajALca4  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 Zywx.@!  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 \o{rw0w0  
3.3 溅射装置及工艺 6T{SRN{  
3.3.1 阴极溅射 UvM_~qo  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 (TFo]c  
3.3.3 射频溅射 5mB'\xGO2  
3.3.4 磁控溅射 z+6%Ya&
ls  
3.3.5 反应溅射 TGu]6NzyZ  
3.4 离子成膜技术 2K$#U|Qi  
3.4.1 离子镀成膜  0@dN$e  
3.4.2 离子束成膜 `d.4L.],  
3.5 溅射技术的应用 sn.&|)?Fi  
3.5.1 溅射生长过程 xl;0&/7e  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 keL!;q|r-)  
参考文献 Ld3!2g2y7&  
6pY<,7t0  
第4章 化学气相沉积 >PMLjXK  
4.1 概述 (w{C*iB  
4.2 硅化学气相沉积 <.B^\X$  
4.2.1 CVD反应类型 YUsMq3^&  
4.2.2 CVD热力学分析 7T}r]C.  
4.2.3 CVD动力学分析 j9/Ev]im|F  
4.2.4 不同硅源的外延生长 = ~^  
4.2.5 成核 DX%D8atrr  
4.2.6 掺杂 \cRe,(?O  
4.2.7 外延层质量 hz~jyH.h_  
4.2.8 生长工艺 LX_{39?<{  
4.3 CVD技术的种类 bjYaJtn  
4.3.1 常压CVD 2%(RB4+  
4.3.2 低压CVD =Frbhh57  
4.3.3 超高真空CVD o:"^@3  
4.4 能量增强CVD技术 u.Z,HsEOb  
4.4.1 等离子增强CVD wx%TQ!  
4.4.2 光增强CVD bem-T`>'  
4.5 卤素输运法 hCKx%&[^7  
4.5.1 氯化物法 hX
x
.  
4.5.2 氢化物法 Ar VNynQ  
4.6 MOCVD技术 {f<\`  
4.6.1 MOCVD简介 Ps_q\R  
4.6.2 MOCVD生长GaAs h1 (MvEt  
4.6.3 MOCVD生长GaN OlF5~VAbfb  
4.6.4 MOCVD生长ZnO C^hCT  
4.7 特色CVD技术 -S,xR5  
4.7.1 选择外延CVD技术 WbP*kV{  
4.7.2 原子层外延 s55t>t,g6  
参考文献 '{(/C?T  
:[ AP^  
第5章 脉冲激光沉积 Ee?+IZ H7|  
5.1 脉冲激光沉积概述 dn)pVti_  
5.2 PLD的基本原理 ?Ok@1  
5.2.1 激光与靶的相互作用 =ap6IVR  
5.2.2 烧蚀物的传输 --9Z  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 wu2C!gyBo  
5.3 颗粒物的抑制 'N?t=A  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 3Ta<7tEM  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 f8'$Mn,  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 /K@{(=n  
参考文献 oz- k_9%
 
(ATCP#lF  
第6章 分子束外延 QP?Deltp  
6.1 引言 j |tu|Q  
6.2 分子束外延的原理和特点 Lv{xwHnE  
6.3 外延生长设备 ,$qqHSd1M  
6.4 分子束外延生长硅 j$8i!C  
6.4.1 表面制备
f;"6I  
6.4.2 外延生长 _%$(D"^j  
6.4.3 掺杂 VF<C#I  
6.4.4 外延膜的质量诊断 a|v}L,  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 r\-25F<e5  
6.5.1 MBE生长GaAs 7JNy;$]/  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 6Q6l?!|W4  
6.5.3 MBE生长GaN KtFxG6a  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 9IRvbE~2  
6.6.1 HgCdTe材料 96.z\[0VZ  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 X0.-q%5  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 3koXM_4_{)  
6.6.4 ZnSe、ZnTe *!gj$GK@%  
6.6.5 ZnO薄膜 l<
y9ue=  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 ;5.o;|w?!  
6.7.1 SiC：材料 b:iZ.I  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 P;dp>jL  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Q&9%XF uM  
参考文献 iC{~~W6  
P"g Y|}|  
第7章 液相外延 ]%y~cq  
7.1 液相外延生长的原理 ;Q]j"1c  
7.1.1 液相外延基本概况 -|DSfI#j  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 B~u_zZE  
7.2 液相外延生长方法和设备 L8~nx}UP5
 
7.3 液相外延生长的特点
yO6 _Gq{  
7.4 液相外延的应用实例 v^lR]9;  
7.4.1 硅材料 Vd{h|=J  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 p]zYj >e  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 ; YaR|)B  
7.4.4 SiC材料 Iy}r'#N  
参考文献 r $du-U  
q-.e9eoc\  
第8章 湿化学制备方法 6rnehv!p  
8.1 溶胶-凝胶技术 IKK<D'6  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 p.2>
-L  
第10章 半导体器件制备技术 LaE;{jY  
参考文献 Hr$oT=x[  
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