《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
Rhzcm`" 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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]t-B-(D 08z?i 第1章 简介
~}Z'/zCZf 1.1 半导体器件
7
V=%&+ 1.2 半导体工艺技术
`aL4YH-v 总结
MC_i"P6a 参考史献
LIh71Vg/cc 第1部分 半导体物理
l(3\ekU! 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
V4. }wz_Y 2.1 半导体捌料
"b0!h6$!H 2.2 基本晶体
结构 ui&^ m, 2.3 基本晶体生长技术
n ==+NL 2.4 共价健
oF.H?lG7` 2.5 能带
U=N]XwjVK< 2.6 本征载流子浓度
l j %k/u 2.7 施主与受主
4EFP*7X 总结
!}J19]\ 参考文献
wV"C ,*V 习题
7jPn6uz>w 第3章 载流子输运现象
l)qGG$7$ 3.1 载流子漂移
GD<pqm`vVY 3.2 载流子扩散
pbNW
l/|4 3.3 产生与复合过程
zfA"xD 3.4 连续性方程斌
g?9%_&/})A 3.5 热电子发射过程
7VA6J-T 3.6 隧穿过程
2KSt4oa 3.7 强电场效应
Y#fiJ 总结
eQsoZQA1 参考文献
z1LY|8$G 习题
]*\<k 第2部分 半导体器件
:snn-e0l 第4章 p-n结
g&L $5 4.1 基本工艺步骤
"yPKdwP 4.2 热平衡状态
1#jvr_ ga 4.3 耗尽区
TmdRB8N 4.4 耗尽层势垒电容
M5l*D'GE] 4.5 电流-电压特性
vA#?\j2 4.6 电荷储存与暂态响应
N0fXO 4.7 结击穿
)q'~<QxI\ 4.8 异质结
;aUI3n% 总结
UdX aC= Q 参考文献
;/ao3Q 习题
WyJXT. 第5章 双极型晶体管及相关器件
i
,g<y 5.1 晶体管的工作原理
0= -D 5.2 双极型晶体管的静态特性
}$1Aw%p^ 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
?p!+s96 5.4 异质结双极型晶体管
*,p16"Q; 5.5 可控砟器件及相关功率器件
;@I}eZ,f$ 总结
ZUUfn~ORc 参考文献
QLAyX*%B 习题
M^~ 第6章 M0SFET及相关器件
T(6B, 6.1 MOS二极管
P%xz"l i 6.2 MOSFET基本原理
^1NtvQe@Y\ 6.3 MOSFET按比例缩小
IP+1 :M 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
pI{s
)|" 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
d^jIsE ` 6.6 MOS存储器结构
1Qgd^o:d 6.7 功率M05FET
1~ZKpvu 总结
POvpaPAZ< 参号文献
s\i.pd:Q 习题
QtsyMm 第7章 MEsFET及相关器件
R7!^ M 7.1 金属-半导体接触
"6%vVi6 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
O5p]E7/e 7.3 调制摻杂场效应晶体管
A[m4do 总结
=m=utd8 参考文献
>SZ9,K4Gs 习题
G0eJ<*|_ 3 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
1eDc:!^SD 8.1 基奉微波技术
Q{Lsr, 8.2 隧道二极管
5-pz/%, 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
O[fgn;@| ……
DeTZl+qm1E 第9章 光电器件
GQ8r5V4: 第3部分 半导体工艺
.o5r;KD 第10章 晶体长生外延
0\y@etb:mf 第11章
薄膜淀积
<U$A_]*w 第12章 图形曝光与刻蚀
U"v}br-kb 第13章 杂质掺杂
s(I7}oRWsL 第14章 集成器件
v#`Wf}G 附表
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$% 索引
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