《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
bnlL-]]9z 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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F?UL0Q|u v /F\7_ 第1章 简介
W?@ ;(k 1.1 半导体器件
j1BYSfX' 1.2 半导体工艺技术
zmdOL9"a
总结
+G?3j ,a\ 参考史献
.N%$I6w 第1部分 半导体物理
cJt#8P
第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
r@_;L> 2.1 半导体捌料
G^+0</Q 2.2 基本晶体
结构 L9x,G! 2.3 基本晶体生长技术
`q F:rQ 2.4 共价健
(F
@IUbnl 2.5 能带
V@$B>HeK 2.6 本征载流子浓度
}Iu 6]?|' 2.7 施主与受主
=/zQJzN 总结
I} j!
! 参考文献
&R 0BuFL8 习题
aUd633 第3章 载流子输运现象
Ngg (<ZN 3.1 载流子漂移
z8gp<5= 3.2 载流子扩散
WhkE&7Gk 3.3 产生与复合过程
o<x2,uT 3.4 连续性方程斌
f5'+F-`N 3.5 热电子发射过程
NWTsL OIm 3.6 隧穿过程
tf>?; 3.7 强电场效应
aa$+( 总结
]Fa VKC~3 参考文献
`LNRl'Zm 习题
}APf^Ry 第2部分 半导体器件
Rrs z{a
第4章 p-n结
d=q2Or 4.1 基本工艺步骤
+|^rz#X 4.2 热平衡状态
6}[W%S]8 4.3 耗尽区
?:UDK? 4.4 耗尽层势垒电容
ETYw 4.5 电流-电压特性
H=B8'N 4.6 电荷储存与暂态响应
;hRo}
+\l 4.7 结击穿
1,Y-_e) 4.8 异质结
L>cTI2NB. 总结
ZVeY`o(uE 参考文献
ZU/6#pb 习题
PE3l2kr 第5章 双极型晶体管及相关器件
>i=mw5`D] 5.1 晶体管的工作原理
D (yRI 5.2 双极型晶体管的静态特性
f\1)BZ'I 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
xqIt?v2c 5.4 异质结双极型晶体管
{D$#m 5.5 可控砟器件及相关功率器件
zxXm9zrLo 总结
-$t#AYKz 参考文献
=p$1v{L8 习题
)fv0H&g 第6章 M0SFET及相关器件
1H%LUA 6.1 MOS二极管
Fj|C+;Q. 6.2 MOSFET基本原理
7)z^*;x 6.3 MOSFET按比例缩小
EZao\,t 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
jeC3}BL} 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
CsXIq.9 6.6 MOS存储器结构
W$
M4# 6.7 功率M05FET
h8Kri}z; M 总结
,LX] 参号文献
_z~|*7@ 习题
tyNT1F{ 第7章 MEsFET及相关器件
GVe[)R 7.1 金属-半导体接触
o[0Cv* 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
Fd9ypZs 7.3 调制摻杂场效应晶体管
YrFB~z.V 总结
WM~@/J 参考文献
89@gYA"Su 习题
)mS
Aog< 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
_5y3<H<? 8.1 基奉微波技术
*?+E?AGe 8.2 隧道二极管
{+!m]-s 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
w>J|416 ……
H9F\<5n]-l 第9章 光电器件
5_9mA4gs@ 第3部分 半导体工艺
+\2{{~_z 第10章 晶体长生外延
iO~3rWQ 第11章
薄膜淀积
FY@ErA7~ 第12章 图形曝光与刻蚀
3a_~18W 第13章 杂质掺杂
{ owK~ 第14章 集成器件
O'*KNJX 附表
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