《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
19)fN-0Z 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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JpVV0x/Q/_ O.7Q*^_ 第1章 简介
iz'#K?PF_ 1.1 半导体器件
z7+y{-{Z 1.2 半导体工艺技术
SB#YV
总结
ei 1(A 参考史献
gi::?ET/. 第1部分 半导体物理
],ow@} 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
ebk{p< 2.1 半导体捌料
4l! ^"=rh 2.2 基本晶体
结构 i2or/(u` 2.3 基本晶体生长技术
WNkAI9B 2.4 共价健
3}::"X 2.5 能带
tAD{{GW9 2.6 本征载流子浓度
zh5{t0E}C 2.7 施主与受主
F(E3U'G 总结
w$J0/eX{A 参考文献
|CME:;{T 习题
|RqCw7 第3章 载流子输运现象
'T54k 3.1 载流子漂移
]A}'jP 3.2 载流子扩散
w7Nb+/,sg 3.3 产生与复合过程
846j<fE 3.4 连续性方程斌
pm<zw- 3.5 热电子发射过程
$KL5Z#K 3.6 隧穿过程
XcJ'w 3.7 强电场效应
,RFcR[ak 总结
[3`T/Wm 参考文献
1nh2()QI[ 习题
tN|sHgs 第2部分 半导体器件
G!~[+B 第4章 p-n结
\LB =_W$ 4.1 基本工艺步骤
H27J kZ& 4.2 热平衡状态
x1)G!i 4.3 耗尽区
ZOl
=zn 4.4 耗尽层势垒电容
q_Td!?2? 4.5 电流-电压特性
=~YmM<L 4.6 电荷储存与暂态响应
E?|"?R,,, 4.7 结击穿
ehO@3%z30c 4.8 异质结
0*^)n&O 总结
t5h]]TOz 参考文献
j3QpY9A 习题
7*5$=z4,1 第5章 双极型晶体管及相关器件
1
O+4A[cr 5.1 晶体管的工作原理
>8;Co]::kx 5.2 双极型晶体管的静态特性
X#mm
Z;P 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
}zVPdBRfm 5.4 异质结双极型晶体管
zECdj'/ 5.5 可控砟器件及相关功率器件
Xz5 aTJ& 总结
CQfrAk4mu 参考文献
{HeIY2 习题
gkS#=bv9e@ 第6章 M0SFET及相关器件
*a Y`[,4#$ 6.1 MOS二极管
P[PBoRd2 6.2 MOSFET基本原理
lp5`Kw\ 6.3 MOSFET按比例缩小
!Y_"q^5GG' 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
D/hQ{T 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
E)|_7x<u 6.6 MOS存储器结构
pYV$sDlD 6.7 功率M05FET
JsOPI] 总结
yEUF K 参号文献
UM%[UyYQ 习题
{O*<1v9< 第7章 MEsFET及相关器件
p~M1}mE 7.1 金属-半导体接触
=tl[?6 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
MP, l*wVd 7.3 调制摻杂场效应晶体管
Iw~3y{\ 总结
VY8p[` 参考文献
Ky`rf}cI> 习题
W?{:HV 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
|E-0P=h 8.1 基奉微波技术
/E(H`;DG 8.2 隧道二极管
y|b|_eE?{ 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
S4kGy}{+i ……
W;*rSK|(Sc 第9章 光电器件
J=>?D@K 第3部分 半导体工艺
QOIi/flK 第10章 晶体长生外延
Okca6=2" 第11章
薄膜淀积
aR.1&3fE 第12章 图形曝光与刻蚀
*!UY;InanX 第13章 杂质掺杂
w3:WvA5jt 第14章 集成器件
!mK[kXo 附表
hNUAwTH6 索引
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