《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
'|Qd0,Z 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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".gNeY6)x KYp[Gs 第1章 简介
<PX.l% 1.1 半导体器件
le.anJAr 1.2 半导体工艺技术
I?B,sl_w 总结
/0(%(2jIWl 参考史献
_6ZzuVv3/ 第1部分 半导体物理
jgG$'|s} 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
GMl"{Oxo& 2.1 半导体捌料
7'z(~3D 2.2 基本晶体
结构 E, GN| l 2.3 基本晶体生长技术
!NTH.U:g 2.4 共价健
0LdJZP 2.5 能带
OZf6/10O/ 2.6 本征载流子浓度
3A_G=WaED 2.7 施主与受主
K*1.'9/ 总结
oe9lF*$/ 参考文献
3f"C!l]Xu 习题
`{[RjM` 第3章 载流子输运现象
SrF x_n 3.1 载流子漂移
b]T@gJ4H= 3.2 载流子扩散
X3<K 1/< 3.3 产生与复合过程
nob0T5G 3.4 连续性方程斌
\Wr,<Y 3.5 热电子发射过程
=> qTNh*' 3.6 隧穿过程
Sm)u9 3.7 强电场效应
Xwt`(h[u 总结
4ZwKpQ6 参考文献
\|.7-X 习题
ziiwxx_ 第2部分 半导体器件
L_Q S0_1 第4章 p-n结
vy[C'a 4.1 基本工艺步骤
S( 4.2 热平衡状态
zyFUl% 4.3 耗尽区
/,2rjJ#b 4.4 耗尽层势垒电容
lj4o#^lC 4.5 电流-电压特性
1'JD = 4.6 电荷储存与暂态响应
Xh
F_] 4.7 结击穿
! \sMR 4.8 异质结
zU&L.+
总结
"u492^ 参考文献
|
&7S8Q 习题
BRzfic:e 第5章 双极型晶体管及相关器件
Z+4D.bA 5.1 晶体管的工作原理
o:~LF6A- 5.2 双极型晶体管的静态特性
^nNitF
5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
2: SO_O4C 5.4 异质结双极型晶体管
PX2c[CDE^ 5.5 可控砟器件及相关功率器件
uOd&XW 总结
l$XPIC~H 参考文献
Yf}xwpuLk 习题
A%XX5* 第6章 M0SFET及相关器件
/TV=$gB` 6.1 MOS二极管
IeP
WOpj3 6.2 MOSFET基本原理
02=ls V!U 6.3 MOSFET按比例缩小
69OF_/23 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
x#*QfE/E(@ 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
!q'
4D!I 6.6 MOS存储器结构
S\=1_LDx" 6.7 功率M05FET
AXPMnbUS 总结
h&;t.Gdf 参号文献
Gh\q^?} 习题
R[jEvyD>( 第7章 MEsFET及相关器件
"N5!mpD" 7.1 金属-半导体接触
Pw[g 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
Nd@~>&F 7.3 调制摻杂场效应晶体管
,|h)bg7. 总结
U*)m', 参考文献
F_H82BE+3 习题
3\:y8| 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
yZkyC'/ 8.1 基奉微波技术
+>\id~c( 8.2 隧道二极管
!mMpb/&&S 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
\ck+GW4& ……
fo0+dzazY 第9章 光电器件
6"f}O<M5H 第3部分 半导体工艺
r]Lc9dL 第10章 晶体长生外延
7.g[SBUOG 第11章
薄膜淀积
oCS2E =O& 第12章 图形曝光与刻蚀
eq4C+&O& 第13章 杂质掺杂
om h{0jA0 第14章 集成器件
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; 附表
bm% $86 索引
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