《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
SCn)j:gH; 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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($UUgjv F %<O~eXY 第1章 简介
f*xv#G 1.1 半导体器件
dqgr98 1.2 半导体工艺技术
L|b[6[XTHL 总结
5}5oj37x 参考史献
5L7nEia' 第1部分 半导体物理
N<KsQsy= 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
TZg1,Z 2.1 半导体捌料
5V/]7>b1 2.2 基本晶体
结构 b
o_`P3 2.3 基本晶体生长技术
;/ |tU
o$ 2.4 共价健
]70ZerQ~L 2.5 能带
+l]>(k.2 2.6 本征载流子浓度
G~_D'o<r 2.7 施主与受主
.>}Z3jUrf 总结
,@M<O!%Cs 参考文献
NCo!n$O1~ 习题
O^ &m 第3章 载流子输运现象
W|sU[dxZ 3.1 载流子漂移
nHZhP4W 3.2 载流子扩散
[P }mDX 3.3 产生与复合过程
LU@1Gol 3.4 连续性方程斌
x",ktE>9 3.5 热电子发射过程
])?h~
3.6 隧穿过程
2r+nr 3.7 强电场效应
7@k3-?q 总结
/Ah'KN|EN 参考文献
im)r4={
9 习题
v:w^$]4 第2部分 半导体器件
s%~Nx3, 第4章 p-n结
*.D{d0A 4.1 基本工艺步骤
>@-.rkd( 4.2 热平衡状态
c7WOcy@M 4.3 耗尽区
]F;1 l3I- 4.4 耗尽层势垒电容
<y7Hy&&y- 4.5 电流-电压特性
/t2H%#v{ 4.6 电荷储存与暂态响应
qwn EVjf 4.7 结击穿
3Q7PY46 4.8 异质结
*M>~$h7 总结
FlrY Xau 参考文献
1>2
/1> 习题
KilN`?EJ 第5章 双极型晶体管及相关器件
C58B(Ndo 5.1 晶体管的工作原理
uFlf#t
= 5.2 双极型晶体管的静态特性
yB{1&S5C 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
8A-*MU`+ 5.4 异质结双极型晶体管
gt~u/Z% 5.5 可控砟器件及相关功率器件
~[BGKqh 总结
Mdp'u$^! 参考文献
pY%KI 习题
zx+}>(U\U 第6章 M0SFET及相关器件
J?4dafkw 6.1 MOS二极管
:ee vc7 6.2 MOSFET基本原理
(b"q(:5oX 6.3 MOSFET按比例缩小
]ZI@?H?
O 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
i`iR7UmHeR 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
3e\IRF xzb 6.6 MOS存储器结构
mW,b#'hy 6.7 功率M05FET
I@#IXH?6 总结
DC_k0VBn 参号文献
I'2I'x\M 习题
7lwFxP5QT 第7章 MEsFET及相关器件
<w?k<%( 4 7.1 金属-半导体接触
!g#y$ 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
0]nveC$ 7.3 调制摻杂场效应晶体管
Ahr 总结
#hXvGon$? 参考文献
=&FaMR2 习题
lWP]}Uy=5~ 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
FNo.#Z5+b 8.1 基奉微波技术
m6gMVon 8.2 隧道二极管
'cc{sjG 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
O]!o|w( ……
{yd(n_PqY 第9章 光电器件
rA8{Q.L 第3部分 半导体工艺
kcMg`pJ4< 第10章 晶体长生外延
9}a&:QTHR 第11章
薄膜淀积
G%K&f1q% 第12章 图形曝光与刻蚀
LIyb+rH#yg 第13章 杂质掺杂
>CHb;*U 第14章 集成器件
{)Shc;Qh 附表
7>AMzNj 索引
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