《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
wa-_O< 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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nN(D7wk GN~[xXJU 第1章 简介
WrIL]kJw^ 1.1 半导体器件
hIE%-gZ/ 1.2 半导体工艺技术
KoxGxHz^Y3 总结
yhJA;&}> 参考史献
"4Wp>B 第1部分 半导体物理
7g4M/?H}K 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
C7XS6Nqu 2.1 半导体捌料
{GG~E54&B 2.2 基本晶体
结构 $Hl+iF4j< 2.3 基本晶体生长技术
mTI\,x%<OC 2.4 共价健
Sm*Jysy` 2.5 能带
1DI"LIL 2.6 本征载流子浓度
/:
\V wH 2.7 施主与受主
Mo?t[]L 总结
B~'VDOG$Z 参考文献
buxI-wv 习题
<?=mLOo= 第3章 载流子输运现象
r=iMo7q 3.1 载流子漂移
O[5_9W
4 3.2 载流子扩散
GtAJ#[5w 3.3 产生与复合过程
yccuTQvz 3.4 连续性方程斌
6S&=OK^ 3.5 热电子发射过程
K@$L~G 3.6 隧穿过程
` + n 3.7 强电场效应
7B:ZdDj 总结
8R??J>h5\ 参考文献
Ndug9j\2 习题
cA (e"N 第2部分 半导体器件
[Q.4]K2 第4章 p-n结
F`ZIc7(.{ 4.1 基本工艺步骤
HIWmh4o/. 4.2 热平衡状态
kS\. 4.3 耗尽区
=|WV^0=S'% 4.4 耗尽层势垒电容
Fv7%TK{oe 4.5 电流-电压特性
#ejw@bd 4.6 电荷储存与暂态响应
Kt!IyIa;Ht 4.7 结击穿
gw~em 4.8 异质结
33,JUQ2u 总结
!7"K>m< 参考文献
l_j<aCY?| 习题
&T|&D[@ 第5章 双极型晶体管及相关器件
R6WgA@Z|r 5.1 晶体管的工作原理
>kDdWgRQ 5.2 双极型晶体管的静态特性
:(?hLH.W[ 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
w;SH>Ax: 5.4 异质结双极型晶体管
L/iVs`qF 5.5 可控砟器件及相关功率器件
kvgs $ 总结
V^$rH< 参考文献
S'-`\%@7 习题
uZiY<(X 第6章 M0SFET及相关器件
F#}1{$)%
/ 6.1 MOS二极管
t+4Y3*WeGF 6.2 MOSFET基本原理
+^&v5[$R 6.3 MOSFET按比例缩小
U3j~}H.D1 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
c]>&6-;rf 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
>2Qqa;nx| 6.6 MOS存储器结构
ID)gq_k[8, 6.7 功率M05FET
:kiO 总结
~ Dp:j*H 参号文献
4{pemqS* 习题
dj'8x48H2W 第7章 MEsFET及相关器件
`2(R}zUHN 7.1 金属-半导体接触
WO(&<(? 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
}jY[| >z 7.3 调制摻杂场效应晶体管
+S5_J&~ 总结
#L IsL 参考文献
)x:j5{>( 习题
gy,TT<1) 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
`7qp\vYL 8.1 基奉微波技术
n40MP5RxY 8.2 隧道二极管
t|U2ws# 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
i(f;'fb* ……
`jQ}^wEgu 第9章 光电器件
{|J2clL 第3部分 半导体工艺
v.LUK 第10章 晶体长生外延
F/od,w9_ 第11章
薄膜淀积
~!d)J 第12章 图形曝光与刻蚀
c.{&~ 第13章 杂质掺杂
?6YUb; 第14章 集成器件
vB YT)S 附表
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