《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
Q 9<_:3 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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Y{tuaBzD as!j 0j% S]/+n> 第1章 简介
ITlkw~'G 1.1 半导体器件
S\!E;p 1.2 半导体工艺技术
Pv.@Y30 总结
j)qh>y) 参考史献
M[_I16s 第1部分 半导体物理
V/}8+Xq 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
AI; =k 2.1 半导体捌料
ZS_f',kE 2.2 基本晶体
结构 Uk\U*\. 2.3 基本晶体生长技术
8:fiO|~% 2.4 共价健
SH|$Dg 2.5 能带
UOOme)\> 2.6 本征载流子浓度
zAUfd[g 2.7 施主与受主
c%.&F 总结
oH"N>@ Vl 参考文献
{2@96o2} 习题
\9QOrjiw 第3章 载流子输运现象
*$D-6}Oay 3.1 载流子漂移
=
g}yA=. 3.2 载流子扩散
=>*N W9c 3.3 产生与复合过程
L9oZ7 o 3.4 连续性方程斌
$8r:&Iw 3.5 热电子发射过程
3k^jR1 3.6 隧穿过程
?9TogW>W 3.7 强电场效应
64fG,b 总结
-m/4\D 参考文献
K^\9R 习题
sc60:IxgI 第2部分 半导体器件
Dm#k-y 第4章 p-n结
"QS7?=>*F 4.1 基本工艺步骤
E: k?*l 4.2 热平衡状态
F9W5x=EK\ 4.3 耗尽区
4PQWdPv; 4.4 耗尽层势垒电容
R0}% 4.5 电流-电压特性
sf0U(XYQ^ 4.6 电荷储存与暂态响应
J]B5w{??b 4.7 结击穿
sN2l[Ous 4.8 异质结
{+Yo&F}n 总结
h[T3WE 参考文献
{AUEVt 习题
H
#_Z6J 第5章 双极型晶体管及相关器件
,-)1)R\. 5.1 晶体管的工作原理
mX^RSg9 E} 5.2 双极型晶体管的静态特性
@jKB!z9{ 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
?f..N,s 5.4 异质结双极型晶体管
+E4_^ 5.5 可控砟器件及相关功率器件
K<GCP2 总结
I]X<L2 参考文献
Sdp1h0E}7= 习题
6-"&jbvm 第6章 M0SFET及相关器件
46~ug5gV 6.1 MOS二极管
I2'?~Lt 6.2 MOSFET基本原理
9 lv2 6.3 MOSFET按比例缩小
if>] )g2lr 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
0i"OG( , 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
fp0Va!T(V 6.6 MOS存储器结构
.Ko`DH~!,C 6.7 功率M05FET
hM}2++V 总结
uk,f}Xc 参号文献
M_K&x-H0 习题
G<'S 第7章 MEsFET及相关器件
7f>n`nq? 7.1 金属-半导体接触
>pKI' 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
D$HxPfDZ 7.3 调制摻杂场效应晶体管
kWFR(J&R 总结
z61
o6mb 参考文献
?t-2oLE 习题
|4vk@0L 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
5 *_#" 8.1 基奉微波技术
'mF}+v^ 8.2 隧道二极管
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Jt2S 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
^^#A9AM ……
JFfx9%Fq 第9章 光电器件
\B)<<[ $ 第3部分 半导体工艺
UWI5/R 第10章 晶体长生外延
b11C3TyQT 第11章
薄膜淀积
?=/l@ d 第12章 图形曝光与刻蚀
i+}M#Y-O 第13章 杂质掺杂
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6*=Si}V 第14章 集成器件
''G@n* 附表
aC*J=_9o# 索引
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