半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 jPZpJ:  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 i*!2n1c[  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 -g|ji.  
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Preface xvii {c*5 )x!  
CHAPTER 1 gA@Zx%0j  
The Crystal Structure of Solids g+<[1;[-  
1.0 Preview 1 a1_o  
1.1 Semiconductor Materials 2 :rjfAe=s  
1.2 Types of Solids 3 yq^Ma  
1.3 Space Lattices 4 R*S:/s  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 _)~VKA]""  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 Y}<%~z#.4  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices &"hEKIqL  
1.3.4 The Diamond Structure 13 1v,R<1)&  
1.4 Atomic Bonding 15 #reW)P>  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ?N!kYTR%}
 
1.5.1 Imperfections in Solids 17 "VU/Ucb7  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ~(GNY5  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 QgQ$>  
1.6.1 Growth from a Melt 20 UEfY'%x  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 urCTP.F  
1.7 Device Fabrication Techniques: 4i+%~X@p  
Oxidation 23 d2-oy5cEB  
1.8 Summary 25 >s0![coz  
Problems 27 qc\D=3#Yp  
CHAPTER 2 G'(rjH>q  
Theory of Solids 31 WY!4^<|w"  
2.0 Preview 31 t*)mX2R,  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 6DgdS5GhT_  
2.1.1 Energy Quanta 32 (+/d*4  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 n+YUG  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 SO[ u4b_"h  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 RgQs`aI  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 X;l/D}
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2.2.3 Periodic Table 40 PiCGZybCA  
2.3 Energy-Band Theory 41 -V[x q  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 af9KtX+  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 !@N?0@$/  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 FOMJRq  
2.3.4 Effective Mass 49 c-n/E. E  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 cY kb3(  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 %b4tyX:N0  
2,4 Density of States Function 55 J|%bRLX@>  
2.5 Statistical Mechanics 57 BzO,(bd!PI  
2.5.1 Statistical Laws 57 : T7(sf*!*  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function fmc\Li  
and the Fermi Energy 58 N2duhI6  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Vp|?R65S*  
2.6 Summary 64 %9Z0\ a)[  
Problems 65 K5BL4N  
CHAPTER 3 y)CvlI  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ~T-uk  
3.0 Preview 70 A>2_I)  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Gsb^gd  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 UOl*wvy  
3.1.2 The no and Po Equations 74 ~!8j,Bqs+z  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 1 ptyiy  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 [(5.?  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 cBZEyy&  
3.2.1 Qualitative Description 83 y1Z>{SDiq  
3.2.2 Ionization Energy 86 {+E]c:{  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Ef28  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 g,]m8%GHE  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 PoPR34]^J  
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