半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 lc1?V
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《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 >zcR ?PPs  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 I^|6gaP|6  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii F FHk0
!3  
CHAPTER 1 u,AZMjlF  
The Crystal Structure of Solids [1{#a
{4  
1.0 Preview 1
ZL[~[  
1.1 Semiconductor Materials 2 9x;CJhX
 
1.2 Types of Solids 3 ^q``f%Xt  
1.3 Space Lattices 4 0<f\bY02  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 <Stfqa6FJ  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 _  dFZR  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices [/_M!&zz2  
1.3.4 The Diamond Structure 13 V,t&jgG*  
1.4 Atomic Bonding 15 / J 3  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 5Y
<O  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 Fw,'a  
1.5.2 Impurities in Solids 18 i'Vrx(y3  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 }{"a}zOl  
1.6.1 Growth from a Melt 20 
]pUf[^4  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 /C)mx#h]  
1.7 Device Fabrication Techniques: xXG-yh  
Oxidation 23 S!
!
i  
1.8 Summary 25 ap|7./yg  
Problems 27 Y r3h=XY  
CHAPTER 2 W vh3Y,|3  
Theory of Solids 31 Gvg)@VNr  
2.0 Preview 31 EB8=*B8  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 c_$9z>$  
2.1.1 Energy Quanta 32 AgKG>%0  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34  d+FS  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 >E*j4gg  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 R.n:W;^`  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 V%
k #M  
2.2.3 Periodic Table 40 uJ:'<dJ  
2.3 Energy-Band Theory 41 y&8' V\  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 j2GO ZKy  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 D0T0Km/"  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 3GMRH;/w  
2.3.4 Effective Mass 49 1rs`|iX5  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 1&{]jG{#  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 9+'
QH  
2,4 Density of States Function 55 E]G#"EV!Y  
2.5 Statistical Mechanics 57 E]zTd$v6  
2.5.1 Statistical Laws 57 FPM@%U  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function l| 1O9I0Gd  
and the Fermi Energy 58 z[xi  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 QwaCaYoh  
2.6 Summary 64 _T[=7cn  
Problems 65 $nR1AOm}.B  
CHAPTER 3 U@#YKv  
The Semiconductor in Equilibrium 70 eK_Q>;k5A  
3.0 Preview 70 !Jh/M^  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 kpc3l[.A  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 }e}J6[wP  
3.1.2 The no and Po Equations 74 5nq0#0Oc  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 hh\\api  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 H>8B$fi)$  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 =,Yi" E  
3.2.1 Qualitative Description 83 +T}:GBwD7  
3.2.2 Ionization Energy 86 L2"fO  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 !>$tRW?gH~  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 |7@[+  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 *=]hc@  
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