半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3599
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 h.l.da1#  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 yaWY>sB  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 gNA!)}m\  
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市场价:¥69.00 UK*v\TMv  
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DBLM0*B  
Preface xvii %^nNt:N0  
CHAPTER 1 f\.y z[  
The Crystal Structure of Solids bQwG"N  
1.0 Preview 1 /;1O9HJa  
1.1 Semiconductor Materials 2 }&2,!;"">3  
1.2 Types of Solids 3 b0f6p>~q^  
1.3 Space Lattices 4 _G'A]O/BZD  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 YG8)`X qC  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 niW"o-}  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices |_-w{2K  
1.3.4 The Diamond Structure 13 |JHNFs  
1.4 Atomic Bonding 15 k_zn>aR$F  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Z2H bAI8  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 U?5lqq  
1.5.2 Impurities in Solids 18 v2p0EOS  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 -/0\_zq7  
1.6.1 Growth from a Melt 20 M*Ej*#  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 m.! M#x2!  
1.7 Device Fabrication Techniques: 1sonDBd0@;  
Oxidation 23 84WcaH  
1.8 Summary 25 .QwB7+V4  
Problems 27 g`fMHU7  
CHAPTER 2 dGkw%3[  
Theory of Solids 31  .P")S|  
2.0 Preview 31 SBs!52  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 sK&kp=zu  
2.1.1 Energy Quanta 32 37Q8Yf_  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 \@N~{72:k  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Th*}U&  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 g;6/P2w  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 tY!l}:E[  
2.2.3 Periodic Table 40 'd&d"E[  
2.3 Energy-Band Theory 41  G +41D  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 c_M[>#`  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 Hs:zfvD  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 |O oczYf  
2.3.4 Effective Mass 49 x|dP-E41\  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50  (FaYagD  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 ?CC.xE  
2,4 Density of States Function 55 &ni#(   
2.5 Statistical Mechanics 57 tgi%#8ZDpz  
2.5.1 Statistical Laws 57 XBkaum4j  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 0j6b5<Gpc*  
and the Fermi Energy 58 f5b|,JJ  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 K@g ~  
2.6 Summary 64 2 rf8)8':  
Problems 65 ~ho,bwJM[T  
CHAPTER 3 8sc2r  
The Semiconductor in Equilibrium 70 |)Dm.)/0)  
3.0 Preview 70 k} &wy  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 D6&P9e_5  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 GA[D@Wy  
3.1.2 The no and Po Equations 74 ]y=U"g  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Qj_)^3`e  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 izaqEz  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 V:J|shRo  
3.2.1 Qualitative Description 83 #0uu19+}  
3.2.2 Ionization Energy 86 X1a~l|$h  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 &oB*gGRw=7  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 U]vUa^nG  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ?QJx!'Y,p  
…… jdu6P+_8n  
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关键词: 半导体器件
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