半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 Ep4Hqx $  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 ?`Y\)'}  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 J!*/a'Cv  

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Preface xvii }Y17*zp%  
CHAPTER 1 TV}}dw  
The Crystal Structure of Solids 35*\_9/#  
1.0 Preview 1 'snYu!`z  
1.1 Semiconductor Materials 2 uGl| pJ\y=  
1.2 Types of Solids 3 ,[nm_^R*\  
1.3 Space Lattices 4 STA4 p6  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 {+g[l5CR[  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ro[Y-o5Q0  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices KZBrE$@%5  
1.3.4 The Diamond Structure 13 g+C!kaC)  
1.4 Atomic Bonding 15 OW(&s,|6x  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ~/tKMS6T  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 i$KpDXP\  
1.5.2 Impurities in Solids 18 sF+=KH  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 =N|kn<h4  
1.6.1 Growth from a Melt 20 &wetzC)  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 oAZh~~tp  
1.7 Device Fabrication Techniques: ?oiKVL"7  
Oxidation 23 2n`Lg4=  
1.8 Summary 25 Sb:T*N0gS  
Problems 27 0X(]7b&~R  
CHAPTER 2 ^aRgMuU  
Theory of Solids 31 7CB#YP?E  
2.0 Preview 31 8)\M:s~7&  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 `4CWE_k  
2.1.1 Energy Quanta 32 dy>|cj  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 C+MSVc  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 )DUL)S  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 fH8!YQG8$  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 Gr(|Ra.  
2.2.3 Periodic Table 40 uC]Z8&+obb  
2.3 Energy-Band Theory 41 g9my=gY  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ELh3^  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 4o9$bv  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 &4$oudn  
2.3.4 Effective Mass 49 W%!@QY;E(  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 }o9Aa0$*$  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 tO.$+4a  
2,4 Density of States Function 55 <V_7|)'/A  
2.5 Statistical Mechanics 57 w9#R'  
2.5.1 Statistical Laws 57 u:`y]  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function \T-~JQVj  
and the Fermi Energy 58 J%dJw}  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 S9Yt1qb  
2.6 Summary 64 px9>:t[P  
Problems 65 j:1uP^.  
CHAPTER 3 | D.C!/69  
The Semiconductor in Equilibrium 70 n!N\zx8  
3.0 Preview 70 ;~sr$6  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 wh~sZ  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 N)43
};e  
3.1.2 The no and Po Equations 74 w
y4q[$.4v  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 5su.+4z\  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 ibF#$&!  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 CJqc\I~  
3.2.1 Qualitative Description 83 :LV.G0)#  
3.2.2 Ionization Energy 86 ^@}#me@  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ~r`Wr`]_z  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 BGjb`U#%3  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 cINHH !v  
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