半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 5RvE ),  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 PWZd<  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 5[g\.yi2_]  
tu Y+n2  
S.4+tf7+  
市场价：¥69.00 hf]m'5pb  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) [zBi*%5O  
H0#=oJr$)W  
T\n6^@.
>  
Preface xvii r88De=*  
CHAPTER 1 g0bYO!gCr  
The Crystal Structure of Solids =/_uk{  
1.0 Preview 1 (M"rpG>L  
1.1 Semiconductor Materials 2 qC{JsX`~  
1.2 Types of Solids 3 CvmIDRP
*  
1.3 Space Lattices 4 SOq:!Qt
  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 $%q=tn'EX  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 %0}^M1  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices );%H;X+x  
1.3.4 The Diamond Structure 13 SF&2a(~s  
1.4 Atomic Bonding 15 * eC[74Kng  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 bq9w@O  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 s:7/\h  
1.5.2 Impurities in Solids 18 uf90  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 ?!&%-R6*  
1.6.1 Growth from a Melt 20 t+}
w
Tis  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 ZaU8eg7  
1.7 Device Fabrication Techniques: *s*Y uY%y  
Oxidation 23 ,bXZ<RY$  
1.8 Summary 25 F^'$%XKV  
Problems 27 i? ~-%  
CHAPTER 2 VK]U*V1  
Theory of Solids 31 \OA{&G.  
2.0 Preview 31 l>}f{az-T  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 nV7Vc;  
2.1.1 Energy Quanta 32 _ Lb"
yug  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 #'q7 x  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 VJqk0w+
 
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 hp)^s7H  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 _%- +"3Ll  
2.2.3 Periodic Table 40 N"G aQ  
2.3 Energy-Band Theory 41 {?eUAB<  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 IGcq*mR=  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 q:/df]Ntt  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 dv>n38&mDQ  
2.3.4 Effective Mass 49 UMR?q0J  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 }a||@unr  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 +q}t%K5  
2,4 Density of States Function 55 @wgd 3BU  
2.5 Statistical Mechanics 57 PQkw)D<n]_  
2.5.1 Statistical Laws 57 bsF_.S*k@  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function (
tX3?[ii  
and the Fermi Energy 58 Ha`N  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Y@0'0  
2.6 Summary 64 C)z4Cn9#  
Problems 65 ? +L,  
CHAPTER 3 iyl i/3|  
The Semiconductor in Equilibrium 70 B={_}
f  
3.0 Preview 70 Q!;syJBb.  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 b&+zAt.  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 Dz: +. @k  
3.1.2 The no and Po Equations 74 3

NgXM  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 t\K (zE  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 p0bWzIH  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 Bzrnmz5S  
3.2.1 Qualitative Description 83 0cq@lT6  
3.2.2 Ionization Energy 86 k0e}`#t  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 t1adS:)s  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 VTu#)I7A^@  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ,2nu*+6Y/  
…… #y83tNev  
市场价：¥69.00 ^ ~Eh+  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) {h@\C|nF