半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3477
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 y#e<]5I  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 C6,W7M[c  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 =7U 8`]WA  
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TM$`J  
Preface xvii `LVX|l62  
CHAPTER 1 D,'@b+B[  
The Crystal Structure of Solids <}Rr C#uiA  
1.0 Preview 1 1He'\/#  
1.1 Semiconductor Materials 2 ehls:)F  
1.2 Types of Solids 3 -o0~xspF  
1.3 Space Lattices 4 imf_@_  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ;+]GyDgVq  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 }U7 ><I  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices ]]bL;vlw  
1.3.4 The Diamond Structure 13 .e%B'  
1.4 Atomic Bonding 15 dg42K`E  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 i6h , Aw3  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 gj Ue{cb5  
1.5.2 Impurities in Solids 18 }\!38{&  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 LP:C9 Ol\  
1.6.1 Growth from a Melt 20  &+Pcu5  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 'm+)n08[  
1.7 Device Fabrication Techniques: kculHIa\.  
Oxidation 23 Wtwh.\Jba  
1.8 Summary 25 cLe659&  
Problems 27 H?axlRmw3  
CHAPTER 2 lTpmoDa%  
Theory of Solids 31 slMWk;fmD}  
2.0 Preview 31 O hcPlr  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 ~ugK&0i[2  
2.1.1 Energy Quanta 32 Y r^C+Oyg  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 @[4Tdf  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 -kd_gbnr3  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 `$D2w|  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 p V^hZ.  
2.2.3 Periodic Table 40 r$~ f[cA  
2.3 Energy-Band Theory 41 v-@xO&<  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ,-*oc>  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 rTjV/~  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 G.a^nQ@e%  
2.3.4 Effective Mass 49 )/F1,&/N`e  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 niV=Ijt{5  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 7:t *&$  
2,4 Density of States Function 55 (s`yMUC+  
2.5 Statistical Mechanics 57 PO[ AP%;  
2.5.1 Statistical Laws 57 %maLo RJ  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function RWi~34r  
and the Fermi Energy 58 438+ zU  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Yg6 f  
2.6 Summary 64 EV 8}C=  
Problems 65 V{[vIt*  
CHAPTER 3 7u Q-:n  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ?qt>;o|Ue  
3.0 Preview 70 jnuovM!x~  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 6 2r%q^r`i  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 u@$C i/J*  
3.1.2 The no and Po Equations 74 {uRnZ/m  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 AtN=G"c>_  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82  %Ln7{w  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 =%YU~  
3.2.1 Qualitative Description 83 m4~Co*]w  
3.2.2 Ionization Energy 86 #eT{?_wM  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88  `Up Zk?k  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 $b/oiy!=|3  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 F$FCfP7  
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关键词: 半导体器件
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