半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3654
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 -Ac^#/[0  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 :}lE@Y,R   
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 eUl[gHP  
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shD$,! k  
 EpiagCS  
Preface xvii xg8<b  
CHAPTER 1 ZISR]xay  
The Crystal Structure of Solids +{s^"M2`  
1.0 Preview 1 2:]Sy4K{  
1.1 Semiconductor Materials 2 ny}?+&K  
1.2 Types of Solids 3 -`( :L[  
1.3 Space Lattices 4 @[^H*^1|g  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 [4gv_g  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 !vU[V,~  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices R .,w`<<  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ?FLjvmE9  
1.4 Atomic Bonding 15 Sdn] f4  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 :=/DF  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 `f (!i mN  
1.5.2 Impurities in Solids 18 @{bf]Oc  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 E^  rN)  
1.6.1 Growth from a Melt 20 R75sK(oS  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 4B |f}7%\  
1.7 Device Fabrication Techniques: XjV7Ew^7  
Oxidation 23 {*: C$"L  
1.8 Summary 25 giPyo"SD  
Problems 27 f"[C3o2P  
CHAPTER 2 (Lc%G~{  
Theory of Solids 31 cD 1p5U  
2.0 Preview 31 3[c54S+(U  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 %T&kK2d;  
2.1.1 Energy Quanta 32 Q5Wb)  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 G#csN&|,  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 g ,.iM8  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 Aoj X)_"z  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 p4/D%*G^`  
2.2.3 Periodic Table 40 /rquI y^  
2.3 Energy-Band Theory 41 J[^-k!9M  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 CkOd>Kn  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 \X(.%5xC  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 m$U2|5un&  
2.3.4 Effective Mass 49 {3l] /X3  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 8garRB{  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 S-im o  
2,4 Density of States Function 55 gG#M-2P  
2.5 Statistical Mechanics 57 DCHU=r  
2.5.1 Statistical Laws 57 \=w|Zeu{l  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function V%"aU}   
and the Fermi Energy 58 CrK}mbe  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 AH;h#dT  
2.6 Summary 64 _- { >e  
Problems 65 3t8VH`!mL{  
CHAPTER 3 .(! $j-B  
The Semiconductor in Equilibrium 70 .}^m8PP  
3.0 Preview 70 . 8k9yk  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 >1W)J3  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 Obbjl@]  
3.1.2 The no and Po Equations 74 d}Q;CF3 m:  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 gx3arVa  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 6L8wsz CW  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 $~_TE\F1  
3.2.1 Qualitative Description 83 ^W;\faG  
3.2.2 Ionization Energy 86 Lb(=:Z!{  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 @<h@d_8^k  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 ,XR1N$LN8_  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 f`T#=6C4|  
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关键词: 半导体器件
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