半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3561
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 [k,FJ5X  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 ueJ_F#y  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 .Dyxul  
u,S}4p&l  
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市场价:¥69.00 RjHKFB2  
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J#k.!]r,Y  
4g/Ly8  
Preface xvii G]>P!]  
CHAPTER 1 ]K>x:vMKH  
The Crystal Structure of Solids j2!^iGS}  
1.0 Preview 1 Z7?- c  
1.1 Semiconductor Materials 2 * p,2>[e  
1.2 Types of Solids 3 +JBYGYN&K  
1.3 Space Lattices 4 ! lm0zR  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 dO[pm0  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 }mQh^  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices v0~*?m4  
1.3.4 The Diamond Structure 13 _dw6 C2]P  
1.4 Atomic Bonding 15 [YQ` `  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 'ul~f$ V  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 @I0[B<,:G  
1.5.2 Impurities in Solids 18 E{Y)=tW[  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 %-, -:e  
1.6.1 Growth from a Melt 20 T#G (&0J5  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 <nT).S>+  
1.7 Device Fabrication Techniques: .Vb\f  
Oxidation 23 3ES3, uR  
1.8 Summary 25 gPM<LO`;i  
Problems 27 A/U,|  
CHAPTER 2 F$&{@hd  
Theory of Solids 31 dpcFS0  
2.0 Preview 31 6 g`Y~ii  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 %N-f9o8  
2.1.1 Energy Quanta 32 "( P-VX  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 hj-#pL-t  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 U6R~aRJ;  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 b!-F!Lq/+0  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 d+:pZ  
2.2.3 Periodic Table 40 SXfAw)-n  
2.3 Energy-Band Theory 41 El`f>o+EJ  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 )o@-h85";  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 VWR6/,N^_  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 /tGj`C&qtw  
2.3.4 Effective Mass 49 4^rO K  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 ~Uw<E:?v  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 N=P+b%%:Z  
2,4 Density of States Function 55 X$4 5<oz  
2.5 Statistical Mechanics 57 an9k2 F.)  
2.5.1 Statistical Laws 57 D%k]D/  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function jI9Kn41  
and the Fermi Energy 58 ir*T ,O 2J  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 atO/Tp  
2.6 Summary 64 }28,fb /  
Problems 65 *w;=o}`  
CHAPTER 3 l^ aUN  
The Semiconductor in Equilibrium 70 OCVF+D :  
3.0 Preview 70 /_G^d1T1?L  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 }TS4D={1  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 m;"i4!  
3.1.2 The no and Po Equations 74 d,9YrwbD  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 SXx2   
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 fhZD#D  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 1"Z61gXrz  
3.2.1 Qualitative Description 83 f}1R,N_fC  
3.2.2 Ionization Energy 86 V=,VOw4  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 {|~22UkF[V  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 _,JdL'[d  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 s*U~Q=Z  
…… 9"YOj_z  
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关键词: 半导体器件
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