《
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出
物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量
习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。
[k,FJ5X 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。
ueJ_F#y 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微
电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。
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J#k.!]r,Y 4g/Ly8 Preface xvii
G]>P!] CHAPTER 1
]K>x:vMKH The Crystal Structure of Solids
j2!^iGS} 1.0 Preview 1
Z7?-c 1.1 Semiconductor Materials 2
* p,2>[e 1.2 Types of Solids 3
+JBYGYN&K 1.3 Space Lattices 4
! lm0zR
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
dO[pm0 1.3.2 Basic Crystal Structures 6
}mQh^ 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
v0~*?m4 1.3.4 The Diamond Structure 13
_dw6 C2]P 1.4 Atomic Bonding 15
[YQ` ` 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
'ul~f$
V 1.5.1 Imperfections in Solids 17
@I0[B<,:G 1.5.2 Impurities in Solids 18
E{Y)=tW[ 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
%-, -:e 1.6.1 Growth from a Melt 20
T#G
(&0J5 1.6.2 Epitaxial Growth 22
<nT).S>+ 1.7 Device Fabrication Techniques:
.Vb\f Oxidation 23
3ES3,uR 1.8 Summary 25
gPM<LO`;i Problems 27
A/U, | CHAPTER 2
F$&{@hd Theory of Solids 31
dpcFS0 2.0 Preview 31
6
g`Y~ii 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
%N-f9o8 2.1.1 Energy Quanta 32
"( P-VX 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
hj-#pL-t 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
U6R~aRJ; 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
b!-F!Lq/+0 2.2.2 The One-Electron Atom 37
d+:pZ 2.2.3 Periodic Table 40
SXf Aw)-n 2.3 Energy-Band Theory 41
El`f>o+EJ 2.3.1 Formation of Energy Bands 41
)o@-h85"; 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
VWR6/,N^_ 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
/tGj`C&qtw 2.3.4 Effective Mass 49
4^rO K 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
~Uw<E:?v 2.3.6 The k-Space Diagram 52
N=P+b%%:Z 2,4 Density of States Function 55
X$4 5<oz 2.5 Statistical Mechanics 57
an9k2F.) 2.5.1 Statistical Laws 57
D%k]D/ 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
jI9Kn41 and the Fermi Energy 58
ir*T,O
2J 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
atO/Tp 2.6 Summary 64
}28,fb
/ Problems 65
*w;=o}` CHAPTER 3
l^ aUN The Semiconductor in Equilibrium 70
OCVF+D : 3.0 Preview 70
/_G^d1T1?L 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
}TS4D={1 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
m;"i4! 3.1.2 The no and Po Equations 74
d,9YrwbD 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
SXx2 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
fhZD[m#D 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
1"Z61gXrz 3.2.1 Qualitative Description 83
f}1R,N_fC 3.2.2 Ionization Energy 86
V=,VOw4 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
{|~22UkF[V 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
_,JdL'[d 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
s*U~Q=Z
……
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