《
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出
物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量
习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。
gKs/T'PW 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。
Bsu=^z 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微
电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。
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}* B qi7E> 1IF'>* PK2Rj% Preface xvii
@O<@f8- CHAPTER 1
zhA',p@K?_ The Crystal Structure of Solids
p-i.ITRS 1.0 Preview 1
YM`:L 1.1 Semiconductor Materials 2
ph8Jn+|E 1.2 Types of Solids 3
-l P ) 1.3 Space Lattices 4
'?`@7Eol 1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
){:q;E]^fB 1.3.2 Basic Crystal Structures 6
l6S19Kv 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
u>t|X}JH 1.3.4 The Diamond Structure 13
%<=w [*i 1.4 Atomic Bonding 15
C"U[ b% 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
PQU3s$ 1.5.1 Imperfections in Solids 17
DYT@BiW{ 1.5.2 Impurities in Solids 18
o%/-5- 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
%0+h 1.6.1 Growth from a Melt 20
0\EpH[m}- 1.6.2 Epitaxial Growth 22
+#-kIaU 1.7 Device Fabrication Techniques:
`'[7~ Ew[ Oxidation 23
*w'q 1.8 Summary 25
)p/=u@8_f Problems 27
P|e:+G 7 CHAPTER 2
f!M[awj% Theory of Solids 31
pB g|n=^ 2.0 Preview 31
)KaLSL> 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
RV0>-@/x 2.1.1 Energy Quanta 32
7x[LF ^o 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
v+!y;N;Q
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
]k::J>84 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
.6O52E 2.2.2 The One-Electron Atom 37
zz(!t eBC 2.2.3 Periodic Table 40
:rz9M@7 2.3 Energy-Band Theory 41
}
*
?n?' 2.3.1 Formation of Energy Bands 41
lgkl? 0! 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
laUu"cS 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
=_$XP 2.3.4 Effective Mass 49
=~GE?}.o 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
rxs~y{Xi 2.3.6 The k-Space Diagram 52
QHHW(InG< 2,4 Density of States Function 55
ZQ,fm`y\ 2.5 Statistical Mechanics 57
e-[>( n/[ 2.5.1 Statistical Laws 57
LJRg>8 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
YMc8Q\*B and the Fermi Energy 58
~`*1*;Q<H| 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
u @{E{ 2.6 Summary 64
W]@gQ(Ef Problems 65
<^,o$b CHAPTER 3
zY7*[!c2 The Semiconductor in Equilibrium 70
pP|,7c5 3.0 Preview 70
kZV^F*7 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
Ys"|</;dbj 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
"C_T]%'Wm 3.1.2 The no and Po Equations 74
|A ;o0pL 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
Zu\p;!e 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
nc3sty1` 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
|ZvNH ~! 3.2.1 Qualitative Description 83
RL?u n}Qa 3.2.2 Ionization Energy 86
(H&@u9K?a? 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
hnp`s%e, 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
zq,iLoY[R 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
38[)[{G)Hv ……
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