半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 9YP*f  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 Dt.0YKF  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 F-_%>KJS  
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Preface xvii IUOxGJ|rO  
CHAPTER 1 p6`Pp"J_tr  
The Crystal Structure of Solids |#{-.r6Y]  
1.0 Preview 1 {jvOHu  
1.1 Semiconductor Materials 2 x&'o
]Y  
1.2 Types of Solids 3 /\na;GI$  
1.3 Space Lattices 4 led))qd@V-  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ujU=JlJ7dl  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 (=1)y'.  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices pD"YNlB^  
1.3.4 The Diamond Structure 13 / /'Tck  
1.4 Atomic Bonding 15 7_-w_"X  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 j`O7=-  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 !lAD q|$  
1.5.2 Impurities in Solids 18 gw"
~RV0  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 _5mc('  
1.6.1 Growth from a Melt 20 Z1M>-[j
)  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 $f#agq_  
1.7 Device Fabrication Techniques: >
&OUGu|  
Oxidation 23 *I0Tbc O  
1.8 Summary 25 PocYFhWQ`  
Problems 27 ~3gru>qI&  
CHAPTER 2 &-M]xo^  
Theory of Solids 31 \i!Son.<  
2.0 Preview 31
|g%mP1O  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 Zmf'{tT5  
2.1.1 Energy Quanta 32 EM@;3.IO  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 '0:i<`qv#g  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Ow3P-UzU3  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 7{f_fkbs  
2.2.2 The One-Electron Atom 37  B$^7h!  
2.2.3 Periodic Table 40 .-0%6] cFD  
2.3 Energy-Band Theory 41 k@V#HC{t  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 } VEq:^o.  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 piOXo=9H.  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 %K(0W8&  
2.3.4 Effective Mass 49 ?vgH"W~3>  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 9AHSs,.t  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 (DDyK[t+VX  
2,4 Density of States Function 55 3$VxRz)  
2.5 Statistical Mechanics 57 |9Yi
7.  
2.5.1 Statistical Laws 57  QV qK  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function (vc|7DX M  
and the Fermi Energy 58 e'2Y1h  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 PmR*}Aw  
2.6 Summary 64 1tB[_$s  
Problems 65 aE|OTm+@9;  
CHAPTER 3 vMla'5|l  
The Semiconductor in Equilibrium 70 Ue*C>F
 
3.0 Preview 70 |Ps% M|8~  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 $Z?\>K0i  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ar.AL
'  
3.1.2 The no and Po Equations 74 W2Luz;(U  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 ?m0IehI  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 5\F
z!  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 cCY/gEv  
3.2.1 Qualitative Description 83 4f^C\i+q  
3.2.2 Ionization Energy 86 K-eY|n  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 eKN$jlg  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 p'n4)I2#  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 I]nHbghcW  
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