半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3718
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 lH fZw})d  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 a=S &r1s>  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 SX3'|'-  
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市场价:¥69.00 Y A.&ap  
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X[z;P!U  
Preface xvii B'/U#>/  
CHAPTER 1 P0N/bp2Uy  
The Crystal Structure of Solids KFM[caKeJO  
1.0 Preview 1 r#-  
1.1 Semiconductor Materials 2 'afW'w@  
1.2 Types of Solids 3 xvGYd,dlK  
1.3 Space Lattices 4 (>`_N%_  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 \Z*:l(  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 Ff<cY%t  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices bR`5g  
1.3.4 The Diamond Structure 13 L03I:IJ  
1.4 Atomic Bonding 15 `&;#A*C0  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 q NGR6i  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 kHg|!  
1.5.2 Impurities in Solids 18 EeaJUK]z9  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 z$<=8ox8e  
1.6.1 Growth from a Melt 20 ]36SF5<0r  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 mQj#\<*  
1.7 Device Fabrication Techniques: #y\O+\4e  
Oxidation 23 ;Q ZG<  
1.8 Summary 25 r*HSi.'21  
Problems 27 ,~L*N*ML  
CHAPTER 2 =i~ = |K!  
Theory of Solids 31 -J]?M  
2.0 Preview 31 W83d$4\d  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 DLwlA !z  
2.1.1 Energy Quanta 32 t!D'ZLw  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 F"Dr(V  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 Ust +g4  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 +;,{`*W+N  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 e.\>GwM  
2.2.3 Periodic Table 40 h]zok}$  
2.3 Energy-Band Theory 41 <h(AJX7wsD  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 Fd8nR9A  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 /OKp(u;)z  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 >A )Sl'  
2.3.4 Effective Mass 49 hu-]SGb6  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 MpKXC   
2.3.6 The k-Space Diagram 52 /{R ^J#  
2,4 Density of States Function 55 8] LF{Obz[  
2.5 Statistical Mechanics 57 )~M@2;@L  
2.5.1 Statistical Laws 57 f}dlQkZ(  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function [w](x  
and the Fermi Energy 58 ( w4XqVT  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 /}u:N:HA%  
2.6 Summary 64 \]Y<d  
Problems 65 o. $ 48h(  
CHAPTER 3 \m`IgP*  
The Semiconductor in Equilibrium 70 TT/=0^"  
3.0 Preview 70 J rK{MhO  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ,):aU  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 !19T=p/:$  
3.1.2 The no and Po Equations 74 Gn7\4,C  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 W3l[a^1d  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 ln<[CgV8  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 4=MVn  
3.2.1 Qualitative Description 83 Ov" wcJ  
3.2.2 Ionization Energy 86 Wz^;:6F  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 QeY+imM  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 `LH9@Z{  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 6l|L/Z_6  
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关键词: 半导体器件
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