半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3498
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 .9J^\%JD  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 JW>k8QjyN  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 jSI1tW8  
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o,7|=.-b  
X=QX9Ux?^  
Preface xvii Rhc:szDU  
CHAPTER 1 ,r B(WKU  
The Crystal Structure of Solids !>48`o ^  
1.0 Preview 1 i}m'#b  
1.1 Semiconductor Materials 2 +hRy{Ps/  
1.2 Types of Solids 3 ex>7f%\  
1.3 Space Lattices 4 T+Yv5l  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ~XR ('}5D  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 $}/tlA&e  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices qiz(k:\o  
1.3.4 The Diamond Structure 13 zO)3MC7l*  
1.4 Atomic Bonding 15 y$HV;%G{26  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ~0gHh  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 <#:ey^q<  
1.5.2 Impurities in Solids 18 DqBiBH[%h  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 :.f m LL  
1.6.1 Growth from a Melt 20 8Nf%<nUv  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 Sa$-Yf  
1.7 Device Fabrication Techniques:  r(c8P6_  
Oxidation 23 32,Y 3!%  
1.8 Summary 25 l>jNBxB|/A  
Problems 27 QpMi+q Y  
CHAPTER 2 t\\`#gc9~i  
Theory of Solids 31 .OSFLY#[?  
2.0 Preview 31 Z {*<G x  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 r/mKuGa]  
2.1.1 Energy Quanta 32 6^"Spf]  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 xU;;@9X  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 OOj }CZ6  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 Dt*/tVF  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 I=9sTR)  
2.2.3 Periodic Table 40 UB|}+WA3  
2.3 Energy-Band Theory 41 di]TS9&9  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 L+2<J,   
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 7 y'2  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 ?=0BU}  
2.3.4 Effective Mass 49 5}"9)LT@@w  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 % (x9~"  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 F>s5<pKAX  
2,4 Density of States Function 55 jq12,R2+)  
2.5 Statistical Mechanics 57 v<t r1cUT  
2.5.1 Statistical Laws 57  <]h?_)  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ^ah9:}Ll  
and the Fermi Energy 58 58o'Q  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ])NQzgS  
2.6 Summary 64 q2~@z-q)b  
Problems 65 xy[aZr  
CHAPTER 3 *32hIiCm  
The Semiconductor in Equilibrium 70 m>ApN@n  
3.0 Preview 70 Iju9#b6  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 swLrp 74  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 yw+LT,AQ.  
3.1.2 The no and Po Equations 74 TnQ"c)ta  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 T43Jgk,  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 k?;B1D8-n  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 B 42t  
3.2.1 Qualitative Description 83 @PAT|6  
3.2.2 Ionization Energy 86 _%:$sAj  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ^n&_JQIXb  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 5v,_ Hgh  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 sA!$}W  
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关键词: 半导体器件
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