半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 &Lbh?C  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。  OK(xG3T  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 DEW;0ic  
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Preface xvii #sE:xIR  
CHAPTER 1 Tm2+/qO,  
The Crystal Structure of Solids jN!VrRA  
1.0 Preview 1 a1shP};pK  
1.1 Semiconductor Materials 2 =\M6s  
1.2 Types of Solids 3 2^qJ'<2]M  
1.3 Space Lattices 4 ?u5jXJ0L  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 s_3a#I  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 n}C0gt-  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices /!sGO:  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ]*D~>q"#\  
1.4 Atomic Bonding 15 %I;uqf
 
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 >DAi
-`e  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 6]mAtA`Y  
1.5.2 Impurities in Solids 18 m95] z18T'  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 [OS&eK 8  
1.6.1 Growth from a Melt 20 &[ ,*  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 )6%a9&~H  
1.7 Device Fabrication Techniques: *;l[|  
Oxidation 23 E)|Bl>  
1.8 Summary 25 ikO9p|J
 
Problems 27 FH{p1_kZ=  
CHAPTER 2 ^a$L
9p(  
Theory of Solids 31 !$#5E1:\  
2.0 Preview 31 1@9M[_<n5  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 g1 =>u  
2.1.1 Energy Quanta 32 gGx<k3W^  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 cqT%6Si  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 t#%J=zF{  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 R+2~%|{d  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 ge1U1o  
2.2.3 Periodic Table 40 7`e<H8g  
2.3 Energy-Band Theory 41 WO6+r?0M2  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 5H,(\Xd  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 sXtt$HID=  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 D={$l'y9p  
2.3.4 Effective Mass 49 V{~~8b1E  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 I}m>t}QRI_  
2.3.6 The k-Space Diagram 52  t^}"8  
2,4 Density of States Function 55 *1T~ruNqa  
2.5 Statistical Mechanics 57 m>?|*a,  
2.5.1 Statistical Laws 57 tgHN\@yj  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function !)}D_9{  
and the Fermi Energy 58 4q(,uk&R[  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ?j
)#\s2  
2.6 Summary 64 =h|7bYLy  
Problems 65 n57mh5mixM  
CHAPTER 3 6/vMK<Fz9  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ad52a3deR  
3.0 Preview 70
j^e
Mi  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 3>=G-AH/$K  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ymT]ow6C  
3.1.2 The no and Po Equations 74 i8DY
C=r  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 )q/
brCq  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 &)|f|\yh"  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 s?fEorG  
3.2.1 Qualitative Description 83 ,mKUCG  
3.2.2 Ionization Energy 86 #qJ6iA6{  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 }.=@^-JBA5  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 @V+KL>Qw  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 PW
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