半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3521
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 gKs/T'PW  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Bsu=^z  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 yS uLt@X  
o9T@uWh+  
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市场价:¥69.00 y800(z  
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1IF'>*  
PK 2Rj%  
Preface xvii @O<@f8-  
CHAPTER 1 zhA',p@K?_  
The Crystal Structure of Solids p-i.ITRS  
1.0 Preview 1 YM`:L  
1.1 Semiconductor Materials 2 ph8Jn+|E  
1.2 Types of Solids 3 -lP )  
1.3 Space Lattices 4 '?`@7Eol  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ){:q;E]^fB  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 l6 S19Kv  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices u>t|X}JH  
1.3.4 The Diamond Structure 13 %<=w[*i  
1.4 Atomic Bonding 15 C"U[ b%  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 PQU3s$  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 DYT@BiW{  
1.5.2 Impurities in Solids 18 o%/-5-  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 %0+h  
1.6.1 Growth from a Melt 20 0\EpH[m}-  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 +#-kIaU  
1.7 Device Fabrication Techniques: `'[7~Ew[  
Oxidation 23 *w'q  
1.8 Summary 25 )p/=u@8_f  
Problems 27 P|e:+G7  
CHAPTER 2 f!M[awj%  
Theory of Solids 31 pBg|n=^  
2.0 Preview 31 )KaLSL>  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 RV0>-@/x  
2.1.1 Energy Quanta 32 7x[LF ^o  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 v+!y;N;Q  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 ]k ::J>84  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36  .6O52E  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 zz(!t eBC  
2.2.3 Periodic Table 40 :rz9M@7  
2.3 Energy-Band Theory 41 } * ?n?'  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 lgkl? 0!  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 laUu"cS  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 =_$XP   
2.3.4 Effective Mass 49 =~GE?}.o  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 rxs~y{ Xi  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 QHHW(InG<  
2,4 Density of States Function 55 ZQ,fm`y\  
2.5 Statistical Mechanics 57 e-[>( n/[  
2.5.1 Statistical Laws 57 LJRg>8  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function YMc8Q\*B  
and the Fermi Energy 58 ~`*1*;Q<H|  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 u @{E{  
2.6 Summary 64 W]@gQ (Ef  
Problems 65 <^,o$b  
CHAPTER 3 zY7*[!c2  
The Semiconductor in Equilibrium 70 pP|,7c5  
3.0 Preview 70 kZV^F*7  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Ys"|</;dbj  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 "C_T]%'Wm  
3.1.2 The no and Po Equations 74 |A ;o0pL  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Zu\p;!e  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 nc3sty1`  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 |ZvNH ~!  
3.2.1 Qualitative Description 83 RL?u n}Qa  
3.2.2 Ionization Energy 86 (H&@u9K?a?  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 hnp`s%e,  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 zq,iLoY[R  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 38[)[{G)Hv  
…… nkCecwzr-  
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关键词: 半导体器件
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