半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 ~(Ih~/5\^  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 k)<~nc-  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 > Z.TM=qj  

图片:daolun.jpg

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ovo?lE-a0  
Preface xvii 1FXzAc(c!  
CHAPTER 1 sWojQ-8}  
The Crystal Structure of Solids Ivd[U`=Q  
1.0 Preview 1 U|y;b+n`  
1.1 Semiconductor Materials 2 Ba\wq:  
1.2 Types of Solids 3 ;f\R$u-  
1.3 Space Lattices 4 Up1$xLSl  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 jL>I5f  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 q\z=z$VR  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices =/!{<^0  
1.3.4 The Diamond Structure 13 0pZ.; /<{  
1.4 Atomic Bonding 15 !h`cXY~w  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 +Y.uZJ6+  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 &y+PSa%n  
1.5.2 Impurities in Solids 18 \$$b",2 h  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 zBrWm_R5T  
1.6.1 Growth from a Melt 20 Wf+Cc?/4  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 vV&AG1_Mv  
1.7 Device Fabrication Techniques: rSc,\upz  
Oxidation 23 toYg$IV  
1.8 Summary 25 /4wm}g9  
Problems 27 mBD!:V'  
CHAPTER 2 EP*["fx  
Theory of Solids 31 8KGv?^M 6W  
2.0 Preview 31 1o5Y9#7  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 {W:)oh>  
2.1.1 Energy Quanta 32 yv#c=v|  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 ;#6<bV  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 99+/W*C  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 9L)&n.t1  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 0.{oA`5N  
2.2.3 Periodic Table 40 yEw"8u'  
2.3 Energy-Band Theory 41 M~g~LhsF  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 y9re17{ X  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 R>YMGUH~w  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 "k_n+cH%  
2.3.4 Effective Mass 49 ixI5Xd<  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 )2<B$p  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 A aF5`  
2,4 Density of States Function 55 Zc' >}X[G  
2.5 Statistical Mechanics 57 BF1O|Q|d6  
2.5.1 Statistical Laws 57 lJz?QI1  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function T$N08aju#  
and the Fermi Energy 58 8ZDqqz^C0  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 -<}>YtB Q  
2.6 Summary 64 .xc/2:m9  
Problems 65 7&;jje[ <g  
CHAPTER 3 ~XT a=
 
The Semiconductor in Equilibrium 70 z"P,=M6De  
3.0 Preview 70 z7us*8X{  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 lo]B5_en  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 65e Wu=T  
3.1.2 The no and Po Equations 74 >I66R;  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 [Yahxw}  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 g]PLW3  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 $M3A+6["H  
3.2.1 Qualitative Description 83 w]5f3CIm  
3.2.2 Ionization Energy 86 39a]B`y  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 by:xD25  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 R82Zr@_  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 :+dWJNY:  
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