《
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出
物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量
习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。
h.l.da1# 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。
yaWY>sB 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微
电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。
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3?L[ohKH?: DBLM0*B Preface xvii
%^nNt:N0 CHAPTER 1
f\.y z[ The Crystal Structure of Solids
bQwG"N 1.0 Preview 1
/;1O9HJa 1.1 Semiconductor Materials 2
}&2,!;"">3 1.2 Types of Solids 3
b0f6p>~q^ 1.3 Space Lattices 4
_G'A]O/BZD 1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
YG8)`XqC 1.3.2 Basic Crystal Structures 6
niW"o-} 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
|_-w{2K 1.3.4 The Diamond Structure 13
|JHNFs 1.4 Atomic Bonding 15
k_zn>aR$F 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
Z2H bAI8 1.5.1 Imperfections in Solids 17
U?5lqq 1.5.2 Impurities in Solids 18
v2p0EOS 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
-/0\_zq7 1.6.1 Growth from a Melt 20
M* Ej*# 1.6.2 Epitaxial Growth 22
m.! M#x2! 1.7 Device Fabrication Techniques:
1sonDBd0@; Oxidation 23
84WcaH 1.8 Summary 25
.QwB7+V4 Problems 27
g`fMHU7 CHAPTER 2
dGkw%3[ Theory of Solids 31
.P")S| 2.0 Preview 31
SBs! 52 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
sK&kp=zu 2.1.1 Energy Quanta 32
37Q8Yf_ 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
\@N~{72:k 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
Th*}U& 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
g;6/P2w 2.2.2 The One-Electron Atom 37
tY!l}:E[ 2.2.3 Periodic Table 40
'd&d"E[ 2.3 Energy-Band Theory 41
G +41D 2.3.1 Formation of Energy Bands 41
c_M[>#` 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
Hs:zfvD 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
|O oczYf 2.3.4 Effective Mass 49
x|dP-E41\ 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
(FaYagD 2.3.6 The k-Space Diagram 52
?CC.xE 2,4 Density of States Function 55
&ni#( 2.5 Statistical Mechanics 57
tgi%#8ZDpz 2.5.1 Statistical Laws 57
XBkaum4j 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
0j6b5<Gpc* and the Fermi Energy 58
f5b|,JJ 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
K@g
~ 2.6 Summary 64
2rf8)8': Problems 65
~ho,bwJM[T CHAPTER 3
8 sc2r The Semiconductor in Equilibrium 70
|)Dm.)/0) 3.0 Preview 70
k}&wy 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
D6&P9e_5 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
GA[D@Wy 3.1.2 The no and Po Equations 74
]y=U"g 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
Qj_)^3`e 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
izaqEz 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
V:J|shRo 3.2.1 Qualitative Description 83
#0uu19+} 3.2.2 Ionization Energy 86
X1a~l|$h 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
&oB*gGRw=7 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
U]vUa^nG 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
?QJx!'Y,p ……
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