半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

发布:cyqdesign 2010-01-30 21:53 阅读:4285
半导体光谱光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 1I%u)[;>  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 ).KA0-  
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第一章 半导体的光学常数 xvl$,\iqE  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系 joY7Vk!<o  
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 (3n "a'  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 :FAPH8]  
1.4 半导体光学常数的实验测量 CX]1I|T5  
参考文献 ?L<B]!9HZt  
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第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 =Jm[1Mgt  
2.1 半导体的带间跃迁过程 t:10  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 sq$v6x sl  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 5dj" UxH  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 FWbp;v{  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 ,`t+X=#  
参考文献 F`g(vD >  
U[wx){[|  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 o[>d"Kp  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 wR%Ta-  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 um,f!ho-U  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 cC~RW71  
3.4 半导体的调制光谱 B4.: 9Od3  
3.5 激子吸收 4aO/^Hl  
参考文献 +byOThuE  
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第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 O`Tz^Q /D  
4.1 带内越和自由载流子吸收 gPd K%"B@  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 AE rPd)yk0  
4.3 杂质吸收光谱 P j   
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 -[=~!Qr:  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 v@qP &4Sp  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 c}(H*VY2n  
参考答献 I=dG(?#7%  
xF8r+{_J)  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 I}PI  
5.1 引言 )] @h}K}  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 >9H^r\  
5.3 激子符合发光 i$NlS}W  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 }$_@yt<{W@  
5.5 非本征辐射复合发光过程 Z"8lW+r *  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 ,@ '^3u  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 9nR\7!_  
参考答献 TUfj\d,  
ZJ3g,dc  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 A-!e$yz>  
6.1 引言 7ws<' d7/  
6.2 光电导现象的分类 #8Bh5L!SJ1  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 ~nA k-toJ  
6.4 光扩散效应 *2h%dT:,%  
6.5 光电磁效应 httywa^  
6.6 光伏效应 }Ulxt:}   
6.7 光激发载流子的寿命 :8`A  
6.8 非本征光电导 e a=E/HR-  
6.9 热电子光电导 0:V /z3?  
参考答献 W %*#rcdq  
}a;xs};X;  
第七章 半导体磁光效应 @f-:C+(Nsg  
7.1 回旋共振 5m1J&TZ0  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 nQc,^A)I  
7.3 磁光效应的量子力学解释 D7hTn@I  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 ]y@A=nR  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 z$J m1l  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 AYn65Ly  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 C5~~$7k0  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用 WFF?VBT'^  
参考文献 COw"6czX/  
1Dr&BXvf]8  
第八章 半导体的拉曼散射 .8YxEnXw)(  
8.1 概述 AQ)gj$ m3  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 =gj?!d`  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 A4"TJZBg}  
8.4 半导体的二级拉曼散射 d6MWgg  
8.5 半导体的共振拉曼散射 k!Yc_ZB:*l  
参考文献 FOF@@C~aH  
72, m c  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 W1REF9i){  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 S)U*1t7[  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 c,@Vz 7c  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱  {b!{~q  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射  ;+~5XLk  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 s[8. l35|  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱  I0mp[6  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 |S!R Q-CF  
参考文献 o898pg  
j:%,lcF  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 %RD\Sb4YV  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 k{2Gq1S{  
10.2 半导体量子线光谱 *H/>96  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 vm@V5oH  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 %6[,a  
参考文献 E^)FnXe5  
英汉对照主题索引 mOJdx-q?r  
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