《
半导体光谱和
光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和
光电子效应、
激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视
物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
"h QV9 [2\ 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。
M9h<}mh\
|x*{fXdMhr {WIY8B'c 市场价:¥88.00
VPdwSW[eM 优惠价:¥74.40 为您节省:13.60元 (85折)
hyM'x*
aX:#'eDB *O!T!J 第一章 半导体的光学常数
bx;yHIRb 1.1 半导体的光学常数及其相互关系
Al=(sHc' 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
~v^%ze 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换
jC#`PA3m= 1.4 半导体光学常数的实验测量
`Fz\wPd 参考文献
x GwTk C{DlcZ< 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
te4F"SEf 2.1 半导体的带间跃迁过程
oo;;y,`8py 2.2 带间跃迁的量子力学理论
kboizJp 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
.MzOLv 2.4 间接跃迁的量子力学处理
wwo(n$!\ 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程
~6\& y 参考文献
?e"Wu+q~L B{[f}h.n 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程
>0kmRVd 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
@gH(/pFX 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应
(zjz]@qJ 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
F\o;t: 3.4 半导体的调制光谱
XulaPq 3.5 激子吸收
X!HDj< 参考文献
@47[vhE tZdwy> ; 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程
m(8jSGV 4.1 带内越和自由载流子吸收
eo>/ 4.2 自由载流子吸收的量子理论
TP{>O%b 4.3 杂质吸收光谱
R)sp 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
MMd0O X)P 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱
YtV |e|aD 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收
#;5[('&[ 参考答献
XRClBTKF ZMdM_i? 第五章 半导体的发光光谱和辐射复合
=Jsg{vI 5.1 引言
BM|-GErE 5.2 导带-价带辐射复合跃迁
NFrNm'v 5.3 激子符合发光
N$N;Sw 5.4 束缚激子辐射复合发光光谱
Y1$ #KC 5.5 非本征辐射复合发光过程
t-.2+6"\ 5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体
激光器 9(QU2QY 5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用
9
Q0#We* 参考答献
~AEqfIx*^& WF+bN#YJ 第六章 半导体的光电导和其他相关效应
S^3g]5YX 6.1 引言
t}5'(9 6.2 光电导现象的分类
f}L>&^I) 6.3 带间激发情况下的光电导输运方程
/Ki0+(4 6.4 光扩散效应
B, QC-Tn 6.5 光电磁效应
v< 65(I> 6.6 光伏效应
-&q