半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

发布:cyqdesign 2010-01-30 21:53 阅读:4172
半导体光谱光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 l^OflZC~  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 Wy*+8~@A  
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第一章 半导体的光学常数 -B9e&J {K  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系 K5|~iW'  
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 )XGz#C_P  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 /PeT4hW}  
1.4 半导体光学常数的实验测量 =*jFaj  
参考文献 #{{p4/:  
gBi3^GxjM?  
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 mJ=V <_  
2.1 半导体的带间跃迁过程 y(MB _B7j  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 xO Aq!,|V  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 zSQy  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 V-@4s}zX  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 DU$#tg}{  
参考文献 $Seh4  
N0-J=2  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 JO0o@M5H  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 @ci..::5  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 fn=A_ i  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 e\ cyiW0  
3.4 半导体的调制光谱 oKCy,Ot<  
3.5 激子吸收 r A(A$VR  
参考文献 ]W14'Z  
1(dKb  
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 !CcDA/0  
4.1 带内越和自由载流子吸收 MO0NNVVi%U  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 WV.hQX9P  
4.3 杂质吸收光谱 %" 7UYLX  
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 bTmhz  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 #` gu<xlW  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 L;u5  
参考答献 W h9L!5  
NRJp8G Z%U  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 3CjixXaA$  
5.1 引言 -5+Yz9pv[  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 cI@qt>&  
5.3 激子符合发光 T+&fUhSy  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 m2jts(stp  
5.5 非本征辐射复合发光过程 Z>bNU  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 A1-,b.Ni  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 xZ P SUEG  
参考答献 J ( d[05x0  
}7 +%k/  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 r8:"\%"f>  
6.1 引言 1Ub=RyB  
6.2 光电导现象的分类 Q|h$D~  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 #jg-q|nd  
6.4 光扩散效应 KFHZ3HZ:>  
6.5 光电磁效应 {+hABusq  
6.6 光伏效应 " WQ6[;&V  
6.7 光激发载流子的寿命 >pLJ ,Z  
6.8 非本征光电导 8+}rm6Y+  
6.9 热电子光电导 r^}0 qO,XM  
参考答献 %p )"_q!ge  
H Eq{TUTr  
第七章 半导体磁光效应 j67ppt  
7.1 回旋共振 p03I&d@w>  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 = NZgbl  
7.3 磁光效应的量子力学解释 V&:x+swt  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 qS @3:R  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 MWA,3I\.  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 %K|f,w=m  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 3`%E;?2  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用 /\-}-"dm  
参考文献 bKM*4M=k  
hZ*vk  
第八章 半导体的拉曼散射 n'V{  
8.1 概述 zhs @ YMY  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 JS^DyBXc  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 <hCO-r#  
8.4 半导体的二级拉曼散射 ,4t6Cq!  
8.5 半导体的共振拉曼散射 6CHb\k  
参考文献 |{kbc0*  
$Bz};@  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 1m"WrTen  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 rIcgf1v70  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 T^|k`  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱 eZ(ThA*2=t  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射 Dh2Cj-| ~  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 .(q'7Q Z/  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱 (Q=o 9o:b  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 4!!PrXE  
参考文献 iZy>V$Aq  
8bdO-LJ9  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 Jk>vn+q8P^  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 5s3QN{h8  
10.2 半导体量子线光谱 _-y1>{]H  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 2H.g!( Oza  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 Q&r. wV|  
参考文献 V/2NIh  
英汉对照主题索引 ,Kj>F2{  
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