hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) A+Je?3/.  
9|>y[i  
严格的 OPC 和源优化 6"?#s/fk  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 b N>Ar  
可检测性 z&GGa`T"  
印刷适性 Ca"i<[8  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) k]& I(VQ"  
*X|%H-Q:H`  
双重图案 /%?bO-  
ZMyd+C_P2  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 t?uw^nV3E  
光刻冻结 光刻蚀刻 ~U?vB((j!  
侧壁间隔物 t@cBuV`9c  
晶圆形貌效应 ?1]B(V9nBq  
非平面光阻 3kJSz-_M  
首次接触时的潜在特征 _["97>q  
`n|k+
tsC  
相移掩模版 `~=Is.V[  
l%2B4d9"v  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 JLyFkV/  
相位缺陷 8r\xQr'8h  
湿法蚀刻/双沟槽 Eh_[8:dK  
无铬相光刻 #@5 jOi  
衰减相移掩模版 ~ C_2D?  
脱保护收缩的 NTD Git2Cet  
SEM 诱导收缩 GEb)nHQq  
EUV 和 DUV 的随机效应 ^n]?!BdU  
PEB 扩散效应 QQ,w:OjA0  
表面抑制 <* PjG}Z.  
温度效应 e8]mdU{)  
侧壁分析 10/3-)+  
内外角偏差分析 0j/i):@  
拉回 T?5F0WKi  
最高亏损 YX2j;Y?  
BT{({3  
薄膜堆叠分析 v:j4#pEWD  
inGH'nl_  
BARC 优化 2gjA>ET`N  
多层镜反射率 gD fVY%[Z  
抵抗厚度效应