hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Bw;isMx7  
x<I[?GT=  
严格的 OPC 和源优化 SY Bp-o  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 }[leUYi`  
可检测性 U*+-#  
印刷适性 7c\W&ZEmb-  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) ((gI OTV  
.6MG#N  
双重图案 tQ@7cjq8bA  
X>$Wf
3  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 g#(+:^3'  
光刻冻结 光刻蚀刻 D2VYw<tEA  
侧壁间隔物 5&%M L  
晶圆形貌效应 xY?p(>(  
非平面光阻 zWo  
首次接触时的潜在特征 IhzY7U)}T  
e(wc [bv  
相移掩模版 +788aK,{#  
YC;@^  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 u>;aQtK~  
相位缺陷 q25p3  
湿法蚀刻/双沟槽 ,q%X`F rc  
无铬相光刻 ;40Z/#FI  
衰减相移掩模版 zwUC L  
脱保护收缩的 NTD g5U,   
SEM 诱导收缩
8^EWD3N`  
EUV 和 DUV 的随机效应 y9mV6.r  
PEB 扩散效应 AyQ5jkIE^{  
表面抑制 u$tst_y-  
温度效应 uKzx >\}?1  
侧壁分析 > 3x^jh  
内外角偏差分析 x#E M)Thq  
拉回 QeF:s|[  
最高亏损 r1F5'?NZ(0  
G1it 3^*$  
薄膜堆叠分析 UG44 oKB  
gGE{r}$  
BARC 优化 . AA# G  
多层镜反射率 P'iX?+*  
抵抗厚度效应