hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) jNW/Biy4u  
1_z~<d @?;  
严格的 OPC 和源优化 yS@xyW /  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状
qnnP*15`  
可检测性 .p-T >  
印刷适性 fU'[lZ  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) [#/@v/`  
DpQ:U5j  
双重图案 A<{&?_U  
W+#Zmvo  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 d*Kg_He-  
光刻冻结 光刻蚀刻 wg|/-q-  
侧壁间隔物 K(Ak+&[  
晶圆形貌效应 n(jrK9]  
非平面光阻 ;%4N@Z  
首次接触时的潜在特征 Sxcp [g;  
k9iB-=X?4s  
相移掩模版 t8t+wi!  
9~}.f1z  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 n4 J*04K  
相位缺陷 Fy^MI*}BZ  
湿法蚀刻/双沟槽 =7-@&S=?s  
无铬相光刻 YT)@&HaF  
衰减相移掩模版 lNB<_SO  
脱保护收缩的 NTD |%fM*F^7/  
SEM 诱导收缩 DTCOhUIV  
EUV 和 DUV 的随机效应 <[tU.nh  
PEB 扩散效应 -qJO6OM  
表面抑制 {Zf 9} !qF  
温度效应 ihopQb+k^m  
侧壁分析 |\SwZTr  
内外角偏差分析 _[S<Cb*1  
拉回 DQ= /J
r~  
最高亏损 I5w>*F  
L*1yK*  
薄膜堆叠分析 7aeyddpM  
n<Z1i)  
BARC 优化 O8 5)^  
多层镜反射率 '~[JV>5  
抵抗厚度效应