hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Ol{)U;,`  
3xp%o5K  
严格的 OPC 和源优化 x)THeH@  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 <,HdX,5  
可检测性 ^qS[2Dy  
印刷适性 psgXJe$  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) e@NS=U` <  
FL/@e$AK
 
双重图案 bn~=d@'  
E`u=$~K  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 .!l#z|/x  
光刻冻结 光刻蚀刻 2Z\6xb|u  
侧壁间隔物 |9~{&<^X  
晶圆形貌效应 zw7=:<z=  
非平面光阻 ;]KGRT  
首次接触时的潜在特征 D(@#Gd\Z@  
'fy1'^VPAV  
相移掩模版 #-f7hg*  
$X WJxQRUv  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 b@/z^k{%  
相位缺陷 ;ZFn~!V  
湿法蚀刻/双沟槽 RUlM""@b  
无铬相光刻 |A8xy#  
衰减相移掩模版 _F;(#D  
脱保护收缩的 NTD 2|qE|3&{'  
SEM 诱导收缩 Y3mATw 3Wh  
EUV 和 DUV 的随机效应 z,X ^;  
PEB 扩散效应 8ooj)  
表面抑制 CLdLOu"  
温度效应 b U-C
d  
侧壁分析 [JO'ta  
内外角偏差分析 O<)"kj 7  
拉回 x5c pv  
最高亏损 M$FQoRwH  
4 "@BbVYR  
薄膜堆叠分析 NMJ230?  
v,KH2 (N  
BARC 优化 vaxNF%^~yN  
多层镜反射率 zq8z#FN  
抵抗厚度效应