hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) cPx~|,)l  
5S\][;u  
严格的 OPC 和源优化 T`g?)
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嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 B15O,sL&W  
可检测性 -yl4tW  
印刷适性 8)W?la8'p  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) oBRm\8 2|  
P^b:?%  
双重图案 t*Vao  
ycrh5*g  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ?v"K1C1.  
光刻冻结 光刻蚀刻 *X=@yB*aK  
侧壁间隔物 } T/}0W]0  
晶圆形貌效应 'z +$3\5L  
非平面光阻 lTV@b&  
首次接触时的潜在特征 I3G*+6V  
7cUR.PI#Q  
相移掩模版 sd]54&3A
 
c YM CfP  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 5w,lw  
相位缺陷 ,#E3,bu6_4  
湿法蚀刻/双沟槽 bl" (<TM  
无铬相光刻 $ ]W[y=  
衰减相移掩模版 `qf\3JT\  
脱保护收缩的 NTD lruF96C/Y  
SEM 诱导收缩 Vq3]7l  
EUV 和 DUV 的随机效应 KFTf~!|  
PEB 扩散效应 `7QvwXsH]  
表面抑制 }[>RxHd  
温度效应 X+dR<GN+YX  
侧壁分析 ]5} -y3  
内外角偏差分析 Em~7D]Y  
拉回 t4f (Y,v  
最高亏损 i7S>
RB  
ig{A[7qN  
薄膜堆叠分析 6CcB-@n4  
K/f>f;c  
BARC 优化 ?(5o@Xq  
多层镜反射率 qZ8|B  
抵抗厚度效应