hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) K&Q0]r?  
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严格的 OPC 和源优化 n_] OYG>U  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 Xg"Mjmr  
可检测性 |@)ij c4i  
印刷适性 naB[0I& N  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) X_|} b[b  
}W%}_UT  
双重图案 s*}d`"YvH  
 })w5`?Y  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 Ix5yQgnB}j  
光刻冻结 光刻蚀刻 ?Z7C0u#wd  
侧壁间隔物 d}415 XA  
晶圆形貌效应 55|$Imnf  
非平面光阻 2Z..~1r  
首次接触时的潜在特征 MN)<Tr2f  
X}bgRzj  
相移掩模版 ck<4_?1]  
Z#W`0G>'  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 Bp6Evi  
相位缺陷 WCWBvw4&"{  
湿法蚀刻/双沟槽 XJOo.Y  
无铬相光刻 ]X _&  
衰减相移掩模版 p|bpE F=U  
脱保护收缩的 NTD p-/x Md
 
SEM 诱导收缩 86} rz  
EUV 和 DUV 的随机效应 \S2'3SDd/  
PEB 扩散效应 T +4!g|Y  
表面抑制 @o^sp|k !  
温度效应 If#7SF)n'  
侧壁分析 I2l'y8)d  
内外角偏差分析 {5z?5i ?D  
拉回 q{JD]A:  
最高亏损 \1B*iW  
da^9Fb  
薄膜堆叠分析 F;NZJEy  
YvHn~gNPhs  
BARC 优化 SO&;]YO  
多层镜反射率 NAocmbfNz  
抵抗厚度效应