hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) ~<0!sE&y  
p{:r4!*L  
严格的 OPC 和源优化 \-c8/=  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 \Yv<TzJ9  
可检测性  )]2yTG[  
印刷适性 H!dUQ  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) {b@rQCre7  
&lYKi3}x  
双重图案 f[)_=T+  
lu@#
)  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 UXB[3SP  
光刻冻结 光刻蚀刻 7pNTCZY|  
侧壁间隔物 ]y6`9p  
晶圆形貌效应 `~( P  
非平面光阻 3Lwl~h!  
首次接触时的潜在特征 P=&Je?  
an3HKfv  
相移掩模版 /p') u3  
]?F05!$*  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 1QRE-ndc  
相位缺陷 4ei .-  
湿法蚀刻/双沟槽 YgaJ*%\  
无铬相光刻 5=Bj?xb$'  
衰减相移掩模版 Ms?V1  
脱保护收缩的 NTD 4'rWy~` V  
SEM 诱导收缩 >p!d(J?  
EUV 和 DUV 的随机效应 =S@$"_&  
PEB 扩散效应 8QYG"CA6/  
表面抑制 H<`[,t  
温度效应 _u}v(!PI  
侧壁分析 $X5~9s1Wl  
内外角偏差分析  L}AR{  
拉回 0c1}?$f[?%  
最高亏损 t; n6Q0  
'O`jV0aa'  
薄膜堆叠分析 HH6b{f@^  
f7X#cs)a  
BARC 优化 BmrP]3W?  
多层镜反射率 0[D5]mcv  
抵抗厚度效应