hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Ey77]\  
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Vsj Q  
严格的 OPC 和源优化 &t+  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 iAX\F`  
可检测性 dF{3~0+,  
印刷适性 v2dCkn /  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) l[O!_bH  
!<!sB)  
双重图案 \fphM6([RK  
^A
^,/3  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 I72UkmK`  
光刻冻结 光刻蚀刻 #dDsI]E)  
侧壁间隔物 *J!oV0#1  
晶圆形貌效应 <R7*
00  
非平面光阻 5#.uA_Fov  
首次接触时的潜在特征 Q/6T?
{\U7  
UAT46  
相移掩模版 =z]&E 78Y  
GdavCwJ  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ,9q=2V[GP  
相位缺陷 f- pt8  
湿法蚀刻/双沟槽 N:!XtYA<  
无铬相光刻 ]<q{0.  
衰减相移掩模版 @5H1Ni5/o@  
脱保护收缩的 NTD Z&=K+P  
SEM 诱导收缩 YNbs*i&  
EUV 和 DUV 的随机效应 WIXzxI<)  
PEB 扩散效应 kwdmw_  
表面抑制 >U^AIaW  
温度效应 {nT !|S)$  
侧壁分析 l/yLSGjM  
内外角偏差分析 p8
BAan3  
拉回 D5)qmu  
最高亏损 ?L#C'Lz2+  
6)P~3C'  
薄膜堆叠分析 #6_?7 (X  
)$yqJ6y5  
BARC 优化 /a6\G.C5  
多层镜反射率 .9> er  
抵抗厚度效应