hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 0Xw>_#Y/xS  
C;K+ITlJ  
严格的 OPC 和源优化 PnInsf%;  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 -]Su+/3(,  
可检测性 ~;H,cPvrEg  
印刷适性 czpu^BT;;T  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) *<y9.\zY<  
2,`X@N`\  
双重图案 u)I\R\N  
f!R7v|jP  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 5N%d Les  
光刻冻结 光刻蚀刻 oy5K* }  
侧壁间隔物 4g8o~JI:v  
晶圆形貌效应 b @0=&4  
非平面光阻 /.CS6W^z  
首次接触时的潜在特征 ;nQ=! .#Q  
LjE3|+pJ  
相移掩模版 ;CF:cH*  
1Q!^*D  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 xH{-UQ3R  
相位缺陷 -Yh(bS l  
湿法蚀刻/双沟槽 uax0%~O\  
无铬相光刻 Z_4%Oi  
衰减相移掩模版 9N)I\lcY  
脱保护收缩的 NTD N{Z+
 
SEM 诱导收缩 UhL1Y NF_  
EUV 和 DUV 的随机效应 tP*Kt'4W  
PEB 扩散效应 GdNhEv  
表面抑制 dVj2x-R)  
温度效应 T1.U (::  
侧壁分析
3~Fag1Hp  
内外角偏差分析 5$'[R;r  
拉回 b~:)d>s8wY  
最高亏损 qve'Gm)  
.24z+|j  
薄膜堆叠分析 ;hO6 p  
BlU&=;#r5>  
BARC 优化 !E?+1WDS0  
多层镜反射率 nb=mY&q}~  
抵抗厚度效应