hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) z2t;!]"'l  
i2b\` 805  
严格的 OPC 和源优化 Q"8)'dL'  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 'xZxX3  
可检测性 Bt,qG1>$-  
印刷适性 !_<.6ja  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) .}ZX~k&P  
9}X3Q!iFb  
双重图案 eFXxkWR)  
(o^V[zV  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 8+a/x#b-  
光刻冻结 光刻蚀刻
]Ke|wRQD  
侧壁间隔物 &.kg8|s{  
晶圆形貌效应 f&`v-kiAn=  
非平面光阻 {114 [  
首次接触时的潜在特征 m'k`p5[=h  
mUr@w*kq|p  
相移掩模版 eHv~?b5l  
bXq,iX  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 9YHSL[  
相位缺陷 EN.yU!N.4  
湿法蚀刻/双沟槽 UkNC|#l)  
无铬相光刻 H?40yu2m5  
衰减相移掩模版 hl}#bZ8]  
脱保护收缩的 NTD ?O4Dhu  
SEM 诱导收缩 i[3$Wi$  
EUV 和 DUV 的随机效应 %9mB4Fc6b)  
PEB 扩散效应 0x^$q? \A  
表面抑制 Vu`dEvL?  
温度效应 HT?`PG  
侧壁分析 3}g?d/^E3  
内外角偏差分析 y#AY+ >  
拉回 b,T=0W  
最高亏损 >jl"Yr#  
ieBW 0eMi  
薄膜堆叠分析 (~Zg\(5#  
"G6d'xkP  
BARC 优化 Zz?+,-$_*&  
多层镜反射率 =q xcM+OX1  
抵抗厚度效应