hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) [(rT,31cW  
?bH&F  
严格的 OPC 和源优化 wr-/R"fX  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 [`4  
可检测性 rLpfybu  
印刷适性 SIridZ*%  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) 77b^d9! ~  
ZO#f)>s2  
双重图案 !7hjA=0  
-k8<LR3  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 'w z6Zt  
光刻冻结 光刻蚀刻 BICG@  
侧壁间隔物 %;eD.If}  
晶圆形貌效应 omMOA  
非平面光阻 2rV]n  
首次接触时的潜在特征 D 0 O^=v|  
_1,hO?TK  
相移掩模版 ;p+[R+ )  
bQ3txuha  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 FMi:2.E  
相位缺陷 C<Z{G%Qm  
湿法蚀刻/双沟槽 lHUd<kEC  
无铬相光刻 bEKhU\@=J  
衰减相移掩模版 @tvz9N  
脱保护收缩的 NTD /rIyW?& f  
SEM 诱导收缩 re~T,PPM  
EUV 和 DUV 的随机效应 s(Bcw`'#  
PEB 扩散效应 b} 0G~oLP  
表面抑制 -|GKtZ]}  
温度效应 ZXIw^!8@/  
侧壁分析 GoLK 95"]  
内外角偏差分析 FS)"MDs  
拉回 (^NYC$ZxM=  
最高亏损 xG(xG%J  
Qhq' %LR  
薄膜堆叠分析 rJ)j./c  
F[v:&fle  
BARC 优化 d9&   
多层镜反射率 u4h0s1iI  
抵抗厚度效应