hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 9T1G/0k-  
fm*Hk57  
严格的 OPC 和源优化 S@#L!sT`u  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 =jN]ckn  
可检测性 {;zPW!G  
印刷适性 8\9EDgT  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) j$^]WRt  
W#[!8d35$  
双重图案 2~<0<^j/]  
(G VGoh&  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 p1nA7;B-m  
光刻冻结 光刻蚀刻 hA8 zXk/'8  
侧壁间隔物 [;I8ZVE  
晶圆形貌效应 -ZB"Yg$l  
非平面光阻 d#\n)eGr  
首次接触时的潜在特征 7'S]  
~-+Zu<  
相移掩模版 X3[!xMij  
~#CCRUhM  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 wO#+8js  
相位缺陷 hqPn~Tq  
湿法蚀刻/双沟槽 lu_Gr=#O  
无铬相光刻 '}u31V"SS  
衰减相移掩模版 pA'A<|)K0  
脱保护收缩的 NTD F?=u:
 
SEM 诱导收缩 0pF
HE>  
EUV 和 DUV 的随机效应 3_$eQ`AAA  
PEB 扩散效应 z"3c+?2  
表面抑制 P `"7m-  
温度效应 8;8}Oq  
侧壁分析 |BW,pT  
内外角偏差分析 9K|lU:,  
拉回 *-_Npu6  
最高亏损 &}O!l'  
.K
N]a"]  
薄膜堆叠分析 }El_.@'T &  
{P&^Erx  
BARC 优化 Zi)b<tM q  
多层镜反射率 &pm{7nH  
抵抗厚度效应