hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 9
l|*E  
S\GxLW@x  
严格的 OPC 和源优化 J/,m'wH  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 FF7?|V!Q  
可检测性 S)'&+HamI  
印刷适性 L)S V?FBx  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) K(?p]wh  
\.GA"_y  
双重图案 "ub0}p4V  
x^cJ~e2  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 bweAmSs  
光刻冻结 光刻蚀刻 e? |4O<@  
侧壁间隔物 Z^%HDB9^  
晶圆形貌效应 TN08,:k  
非平面光阻 "5Z5x%3I  
首次接触时的潜在特征 4af^SZ)l  
v`Ja Bn  
相移掩模版 _Kh8 <$h  
Cy)QS
{YX  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 NSR][h_  
相位缺陷 'z=d&K  
湿法蚀刻/双沟槽 E}#&2n8Y  
无铬相光刻 \J;]g\&I"  
衰减相移掩模版 m%.[|sZ3EM  
脱保护收缩的 NTD d69dC*>  
SEM 诱导收缩 mgodvX  
EUV 和 DUV 的随机效应 64<*\
z_  
PEB 扩散效应 9T1-{s R  
表面抑制 )wdd"*hv  
温度效应 =rkW325O  
侧壁分析 F[)tg#}@G  
内外角偏差分析 T&:~=  
拉回 rd=+[:7L  
最高亏损 0xaK"\Q  
PIoBKCJ  
薄膜堆叠分析 |eJR
3o  
\>{;,f  
BARC 优化 0< }BSv  
多层镜反射率 ()n2 KT  
抵抗厚度效应