hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 5nhc|E)C  
"E><:_,\  
严格的 OPC 和源优化 IIW6;jS  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 v8<MAq  
可检测性 9kkYD  
印刷适性 wW1E 'Vy{  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) c20'{kH  
<XfCQq/  
双重图案 X[XSf=  
*Y2d!9F}Sa  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 SAa hkX  
光刻冻结 光刻蚀刻 _DAAD,'<a  
侧壁间隔物 =}12S:Qhj  
晶圆形貌效应 r|bvpZV  
非平面光阻 +QqEUf<U*,  
首次接触时的潜在特征 (S@H'G"  
Dyx3N5?C  
相移掩模版 CDz-IQi  
^<@9ph  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 |VC/(A  
相位缺陷 x{B%TM-Ey  
湿法蚀刻/双沟槽 fYU-pdWPT  
无铬相光刻 &UW
Sf  
衰减相移掩模版 Tk'YpL#U  
脱保护收缩的 NTD *+E9@r=HF  
SEM 诱导收缩 k($N_XlE  
EUV 和 DUV 的随机效应 /}]Irj
4m  
PEB 扩散效应 LZ@4,Uj  
表面抑制 @nJ#kd[  
温度效应 RyGce' q  
侧壁分析 Mb I';Mq  
内外角偏差分析 %rz.>4i)(  
拉回 YdI|xu>0A^  
最高亏损 !50Fue^JM  
S> f8j?n  
薄膜堆叠分析 *lN>RWbM%  
%h ?c  
BARC 优化 j
HOE%  
多层镜反射率 07T"alXf:A  
抵抗厚度效应