hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) [vcSt5R=  
/m+.5Qz9)@  
严格的 OPC 和源优化 tL S$D-  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 tQIz  
可检测性 Ny 7vId  
印刷适性 lBOxB/`  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) OBZ:C!  
o1rH@D6/-  
双重图案 cu"ge]},  
W^1)7
0<y  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 {tF)%>\#  
光刻冻结 光刻蚀刻 v'u}%FC  
侧壁间隔物 wWB^m@:4  
晶圆形貌效应 EdS7m,d  
非平面光阻 Z`{GjV3%wH  
首次接触时的潜在特征 Rj/y.g  
Hc-Ke1+  
相移掩模版 Cg%}=  
v^1n.l %E  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 %CG=mTP  
相位缺陷 `:EU
~4s\  
湿法蚀刻/双沟槽 E3h-?ugO'  
无铬相光刻 RRR=R]  
衰减相移掩模版 G'6f6i|<I@  
脱保护收缩的 NTD =}YaV@g<f  
SEM 诱导收缩 t3;QF  
EUV 和 DUV 的随机效应 ,\0>d}eh!  
PEB 扩散效应 (:ij'Zbz  
表面抑制 $3{I'r]  
温度效应 #^bn~  
侧壁分析 U#F(%b-LC  
内外角偏差分析 2)jf~!o)Z  
拉回 {@T<eb$d  
最高亏损 NLO&.Q]#  
cW\Y1=Gv|  
薄膜堆叠分析 3+WostOx  
S *K0OUq  
BARC 优化 9l:vVp7Uk  
多层镜反射率 H4g1@[{|0O  
抵抗厚度效应