hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) Ru);wzky  
a,fcR<  
严格的 OPC 和源优化 e\*(F3r  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 cnG>
EG  
可检测性 -`t9@1P> =  
印刷适性 MdTu722  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) AOTtAV_e  
T[cJ
  
双重图案 'Ir  
9p4SxMMO  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 4 .(5m\s!  
光刻冻结 光刻蚀刻 6hXh;-U  
侧壁间隔物 -7Kstc-  
晶圆形貌效应 =<ht@-1  
非平面光阻 Vk76cV D  
首次接触时的潜在特征 _C'VC#Sy  
3u;0,:X&  
相移掩模版 AthR|I|8  
#Ny+6XM  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 ("<4Ry.u  
相位缺陷 ?dCJv_w  
湿法蚀刻/双沟槽 W3R43>$  
无铬相光刻
GQE7P()  
衰减相移掩模版 scrss  
脱保护收缩的 NTD H87k1^}HV  
SEM 诱导收缩 5T'viG}%  
EUV 和 DUV 的随机效应 2B_+5  
PEB 扩散效应 -Gm}i8;  
表面抑制 'loko#6  
温度效应 J*^ i=y  
侧壁分析 N)K
N!!  
内外角偏差分析 )2:U]d%pk  
拉回 :"Rx$;a  
最高亏损 `vf]C'  
V.ae 5
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薄膜堆叠分析 m*KI'~#$%
 
&nY#GHB  
BARC 优化 +.*=Fn22  
多层镜反射率 =:H EF;!  
抵抗厚度效应