hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) 23B^g  
J4Q)`Y\~  
严格的 OPC 和源优化 ECmHy@(  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 a}[=_vb}K  
可检测性 lx A<iQi
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印刷适性 oo$WD6eCR  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) /iuUUCk  
>#"jfjDuR
 
双重图案 =jk-s*g  
($[r>)TG  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 }`+^|1  
光刻冻结 光刻蚀刻 &vJ(P!2f<  
侧壁间隔物 hJ$C%1;  
晶圆形貌效应 Q KcF1?  
非平面光阻 teQaHe#  
首次接触时的潜在特征 T@d_t  
Mc#O+'](f  
相移掩模版 tF;& x g  
@4 Os?_gJ\  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡

"tg\yem  
相位缺陷 ~u~[E  
湿法蚀刻/双沟槽 ei|*s+OZu  
无铬相光刻 ^2Fs)19R  
衰减相移掩模版 web8QzLLB  
脱保护收缩的 NTD '
q=NTP  
SEM 诱导收缩 #+k.b_LS  
EUV 和 DUV 的随机效应 @^XkU(m  
PEB 扩散效应 }]n>A  
表面抑制 m_r@t*  
温度效应 Up!ZCZ$RC  
侧壁分析 }jyS\drJ  
内外角偏差分析 uV/HNzC  
拉回 Yt O@n@1  
最高亏损 +,{Wcb  
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薄膜堆叠分析 %Zv(gI`A  
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BARC 优化 Jegx[*O>b  
多层镜反射率 K,L>
  
抵抗厚度效应