hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) ]_xGVwem  
`ViNSr):J  
严格的 OPC 和源优化 ZGvNEjff  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 qc"/T16M]  
可检测性 !)3Su=*R  
印刷适性  #X_M  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) B&j+fi  
k8>^dZub  
双重图案 :2gO) 'cD  
-7VV5W  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 ~'\u:Imuo  
光刻冻结 光刻蚀刻 boB{Y7gO4  
侧壁间隔物 G"sc;nT  
晶圆形貌效应 ]J]p:Y>NL  
非平面光阻 LB+=?Mz V  
首次接触时的潜在特征 1/J*ki+?  
6x8|v7cMH  
相移掩模版 t^;Fq{>  
v!C+W$,T  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 l Nto9  
相位缺陷 T5+b{qA  
湿法蚀刻/双沟槽 ^P`'qfZ  
无铬相光刻 ?y@pRe$2  
衰减相移掩模版 ZWEzL$VWi  
脱保护收缩的 NTD Oip..f0  
SEM 诱导收缩 >G7U7R}R  
EUV 和 DUV 的随机效应 {0{$.L  
PEB 扩散效应 v]S8!wU  
表面抑制 .;6bMP[YA  
温度效应 q8]k]:r  
侧壁分析 3_/d=ZI\  
内外角偏差分析 YHAg4eb8  
拉回 UeQ%(f  
最高亏损 Vk T3_f  
+q%goG8  
薄膜堆叠分析 K#m o+n5-;  
a8$pc>2E  
BARC 优化 DL{a8t1L  
多层镜反射率 1D]wW%us  
抵抗厚度效应