hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) eAh~`  
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p?Q=  
严格的 OPC 和源优化 =&RpW7]  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 S"ZH5O(  
可检测性 YIv!\`^ \  
印刷适性 0b%"=J2/p.  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) G.Z:00x  
p R=FH#  
双重图案 vt@5Hb)  
"c8 -xG  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 P` Hxj> {  
光刻冻结 光刻蚀刻 ?ACflU_k  
侧壁间隔物 64Gd^.Z  
晶圆形貌效应 Atc<xp  
非平面光阻 I8;xuutc  
首次接触时的潜在特征 h/E+r:2]  
o!W 71  
相移掩模版 0Q?XU.v  
`yYoVu*  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 @X@?jj&  
相位缺陷 F!DDlYUz.  
湿法蚀刻/双沟槽 xj8yQ Y1  
无铬相光刻 u~WBu|  
衰减相移掩模版 t*Hr(|.  
脱保护收缩的 NTD &[u%ZL  
SEM 诱导收缩 ]X y2km]  
EUV 和 DUV 的随机效应 %M8m 8 )  
PEB 扩散效应 H9}z0VI  
表面抑制 `}t<5_  
温度效应 {~J'J$hn8  
侧壁分析 to-DXT.  
内外角偏差分析 YJdM6   
拉回  -D*,*L  
最高亏损 g\_J  
WzD=Ol  
薄膜堆叠分析 nn[OC=cDN  
i\~@2  
BARC 优化 MIa#\tJj  
多层镜反射率 X{cFqW7  
抵抗厚度效应