hyperlith光刻软件

极紫外光刻 (EUV) ~k"+5b
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严格的 OPC 和源优化 Qb536RpcTY  
嵌入式多层镜面缺陷任意缺陷几何形状 @DN/]P  
可检测性 MmF&jd-=  
印刷适性 /bo}I-<2  
离轴阴影效应、HV 偏差（包括非常量散射系数）吸收器堆栈分析（EM-Stack）吸收器轮廓（侧壁和拐角圆化吸收体缺陷EUV 的 OPC（小面积）多层镜面结构 (PSM) >)>f~>  
;Afz`Se1@  
双重图案 honh'j  
+|A`~\@N  
光刻蚀刻 光刻蚀刻 b1&tk~D  
光刻冻结 光刻蚀刻 -n
g1RA>
 
侧壁间隔物 iRQ!J1SGcG  
晶圆形貌效应 l_I)d7  
非平面光阻 d"wA"*8~y  
首次接触时的潜在特征 M0V<Ay\%O  
t{md&k4  
相移掩模版 f ,F X# _4  
Vk2$b{VdF  
交替 PSM：移位和不移位开场之间的强度不平衡 I2[U#4n  
相位缺陷 <c+.%ka  
湿法蚀刻/双沟槽 ?Ga8.0Z~KT  
无铬相光刻 X/5m}-6d]  
衰减相移掩模版 C6!F6Stn]g  
脱保护收缩的 NTD oC0ndp~+&  
SEM 诱导收缩 X\^V{v^-  
EUV 和 DUV 的随机效应
W06aj ~7Z  
PEB 扩散效应 _CwTe=K}  
表面抑制 -3Kh >b)  
温度效应 WAu
>p3
 
侧壁分析 c-w #`  
内外角偏差分析 t7=D$ua  
拉回 'zyw-1  
最高亏损 GVY7`k"km  
fG0?"x@>  
薄膜堆叠分析 zsL@0]e&  
-/f$s1  
BARC 优化 fdl.3~.C  
多层镜反射率 6VW*8~~Xy  
抵抗厚度效应