微电子中英文对照词典（一）

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微电子中英文对照词典 .}ohnnJB0  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 L45&O *%  
WaWT 5|A  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 ]WN{8   
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 zN].W\("\  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 dLD"Cx  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V ?Y )
Qy,  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi Lr)h>j6\  
Activation energy 激活能 Active region 有源（放大）区 love.2icMV `C=!8q  
f aC]~   
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { IL3,dad'^  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 .{7?Y;_(  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C ;ZjQy,H%  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l H\8i9RI  
Amorphous 无定形的，非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. g.DgJX&i  
N        ir\Ql7R CEYHD?9k8  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 GPP~*+n  
*I.BD8e 85"DS-+e  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N s=q\BmG  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 q5lRc=.b[  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 5tP0dQYd
 
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 5y=X?hF~)  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 !\y_ik  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA &_" 3~:N8k  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 F!pUfF,&  
Background doping 本底掺杂 &^9f)xb  
Backward 反向 o"Ef>5N  
Backward bias 反向偏置 4V Lrq+0dI 65  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ *}
ay  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 m\1*/6oV  
1P+O3R[ ]a_;*Xq8d  
l-t:7`=|  
"~]9}KM}3W  
g zG [-n.  
`*}#Bks!  
of+$TKQNpN  
u8s!u <+_OgF1G  
I T%P0M*  
wBand 能带 Band gap 能带间隙
5 Nl>4d`  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 (y~da~  
)Va6}-AT        d 4yRT!k}o  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 ]d$)G4X1  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 Q=e?G300#L  
dA)tT @6_!b WpTC,~-  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M iY
;)R|6  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 yaR|d3ef?4  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m /^#} \<;  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] {y<_S]0  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu Yo7ctwzdH;  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 f$2lq4P{  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 mXhr: e  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns t$\]
6RU  
B s<<vHzm  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 Ij=hmTl{P  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O 3D<P [.bS  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n (6 0,0|s  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 rB=1*.}FLc  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ AqN(htGvx  
g}[2v"S jS R:ltd  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区  .':SD{  
3Y8Jy4U7L7L rzqCQZHL5  
N66jFRA;x  
v+
Mt
/8  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 +pf 7  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o ge[\%  
n%{_x0012_\        l kx'6FkZPIr  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 $Q47>/CUc^  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H [;|g2\  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai i&_sb
Q^  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 nH[@EL  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 YjHGdacs  
n;[ .Ta$@sPh}  
jRgv 8n
  
1 #EmZ{*  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 =q6yb@  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 {`J7>K  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷（的） Channel 沟道 xss D2*l  
2}+F;R4y#S T \0e8"iZ  
4<lZ;M"  
=3 -G  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 U6M4}q(N]  
Y z_x0016_`%{        L 4[Oy3.-c  
`^_.E:f  
&,e@pvc3  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 Nb B`6@r  
_x0012_O| DVpqm6$Q  
0D.YO<PU  
N:&^ql4  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ !sR`]0  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 Q>sq:R+'  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ t3bN PK^  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 eRv3ZHH  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 6'qs=Ql  
dx\/l.b Cu/w><h)  
g  Rl6E  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 ,Zs-<e"  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j (a)d7y.oo  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's CZbp}:|  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 ?]sj!7   
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J Dk[[f<H_{  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 vk[Km[(U'  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 半;F%fS#@%L RJd55+h  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 hg\$>W~2  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB >nTGvLOq  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 u1>|
2D  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig zeR!Y yt!  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV B-eYWt8s  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 O<o_MZN  
Compensated impurities 补偿杂质 {){i ONd  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w seq S*^7  
b W%Ky#!\-  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 !@*Ac$J>$  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) pT[C[h:  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w 4'_uN$${$  
Complementary error function 余误差函数 f+gyJ#R`  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z jQ7RH/?_  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 .\1XR  
,N ^
*Rrx  
P ea7v:#O[S  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ Ym!Ia&n  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm lfWxdi  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 ^#"!uCq]gM  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 T_I"Tsv  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ >Wy@J]Y#  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 \_BaV
0<  
g        F~ n%Xt9G L! Q&?xP  
D'\ +KD~/}C%-  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 )e{~x u  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 @gs Kb*,  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 59ro-nA9v  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 X"'}1o  
9b3BS"tz;|'qgc 9Y*6AaKE6  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z w9z((\5  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r [Ma&=2h  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 ^$yr-p%-  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 \!s0VEE  
N"{ \Fc"Q@.u  
J}<k`af  
9-)oA+$  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 %'EOFv]  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ eK3J9;X  
} l1X '<8ew
U  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 0}HKmEM  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 spn1Ji  
5yU'{&X? b~v  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge 9j9A'Y9(  
Czochralski technique 切克劳斯基技术（Cz法直拉晶体J） 3Jk;+<  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn P
Z
H]9[H  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z ,/JrQWgD  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R `EV[uj&1S  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 7
uxy<#Ar  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 P1H`NOC  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 $NJi]g|<3  
R-hqaEB  
J&Le*R'  
7c<2oTN'  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 1<fEz  
@6QFF%}$Y I)DLnnQQ  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y 'J]V"Z)  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs )SUT+x(DU  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w ^vo^W:   
Delay 延迟 Density 密度 8pt;''  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 [#uX{!q'  
\DI_x0012_x {"'W!WTb  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ hRGK W  
b Q_LPLmM  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ AUxLch+"5K  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 3}n=od=  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS +<@7x16  
-t!x_x0019_E ~D<o}ItRF  
p iJ ,Ea.ts>  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 "YHe]R>3s  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 -4Y}Y59\  
_x0012_B0SKT%E \wO)w@"  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片（复数dice） Diode 二极管 5GT,:0  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 56&s'  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 D OPOzh  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 )!p=0&z@{  
=F8uuYX%m  
(/Z~0hA[Q  
az
0( 54M  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y "uqa~R{  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N 6+m
)   
yY.F*j_x0007_x` #y}@FG  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 M ~.w:~Jm  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 y.w/7iw:  
M_$pqVm  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc ~>xn9vb=  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 rm(<?w%'?  
        p ?i)-K?4Sb  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 [$9sr=3:  
:R*j$KYX0L$Z $*8c0.{U  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 lb`P9mbr+  
8^2J sVaWg?=qs'  
(!DH'2I[  
^fXNeBj  
|j1br,i9a v?n`kw  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 |PDuvv!.f  
Displacement 位移 Dislocation 位错 DTn=WGm)  
^=E4~
22q  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju [WX+/pm7>  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ NQ@ EZoJ  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 ^*%p]r  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. w&`gx6?-na  
$ZN@ z=BX-)  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT Rb\=\  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh 1\kOjF)l  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 zZki9P   
_x0019_h SECL(@0(^  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package （DIP） 双列直插式封装 {foF[M  
T i} ~ E>D0o  
Dynamics 动态 a5L#c
=  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t REnRpp$  
Dynamic impedance 动态阻抗 + ~e,  
k P~L)x+ g4RkkoZ>)  
S)@R4{=e"V  
北京芯片半导体实验室：北软检测芯片失效分析实验室，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。