微电子中英文对照词典(一)

发布:探针台 2020-02-14 12:13 阅读:3788
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电子中英文对照词典 rU\[SrIhz  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 x0+glQrNN  
d,F5:w&  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 _j ;3-m  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 NoDZ5Z  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 *Xr$/N  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V rY}B-6qJn  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi tk?UX7F  
Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV >P(`MSc  
f N}Vn;29  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { < oI8-f  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 H{zPft  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C $k0H9_  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l HD-Erop  
Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. AtHS@p  
N        ir\Ql7R 3LK%1+)4  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 =uV,bG5V1  
*I.BD8e AR B7>"  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N 'gTmH[be  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 5cTY;@@  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 ^ eh /HnJs  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 @.$MzPQQI  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 fE25(wCz7  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA K0fv( !r{  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 bhg}-dto  
Background doping 本底掺杂 =>LZm+P  
Backward 反向 ]0 ~qi@  
Backward bias 反向偏置 4V JF9Hfs/jS  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @  *4yN3y  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 &8?`<   
1P+O3R[ XAD3Z?  
/1.rz{wpb  
OyVm(%Z   
g P Jo  
kC$I2[t!  
Ft-6m%  
u8s!u C0m\SNR  
I TOT PzB  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 .Q\\dESn"  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 '2v f|CX  
)Va6}-AT        d 3H8Al  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 fl uGf  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 u''BP.Y S  
dA)tT @6_!b n0fRu`SNV  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M %z)EO9vtr  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 36A;!1  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m a$}6:E  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] o)I/P<  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu |]ucHV  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 Yj8&  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 x_:hii?6V  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns a%J /0'(d  
B >oY^Gx  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 }$aNOf%:  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O z8iENECwj  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n CeW7Ym  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 K H}t:m+h  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ *m&&1W_  
g}[2v"S n;OHH{E{  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 ?5~!i9pY  
3Y8Jy4U7L7L z,+m[x=/N  
>\bPZf)tJ)  
x# 8IZ  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 `d`&R.'  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o C*pLq5s  
n%{_x0012_\        l Oz>io\P94  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 shK&2Noan  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H `|,tCM&-  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai #313 (PWH  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 #W5Yw>$  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 SLh~_ 5  
n;[ 3yMt1 fy  
Pd],}/ZG-  
eT\p-4b  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 .tp=T  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 #pa\ 2d|  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 bZ1 0v;  
2}+F;R4y#S -W^2*w   
Q)dT(Td9~  
C->[$HcRa  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 M6x;BjrV  
Y z_x0016_`%{        L OfLM  
4#@0T"T~M  
h7RD `k:mF  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 hDb HSZ  
_x0012_O| ^Kum%<[i  
=U_ @zDD@V  
d<?X3&J  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ x`3. Wu\  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 nOr"K;C  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ qAvvXs=5  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 2dyxKK!\a  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 %Fm`Y .l  
dx\/l.b hhj ,rcsi  
g v/(__xN`B  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 i*b4uHna  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j +}Auk|>Dc  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's y|LXDq4Wj  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 J ZNyC!u  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J b@F_7P%  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 ^ CX,nj_(  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 ;F%fS#@%L E =  ^-Z  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 "mG!L$  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB yOM -;h  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 qG*_w RF  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig WT1q15U(=  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV '9Qd.q7s|b  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 GMyoSe%1/  
Compensated impurities 补偿杂质 ur`}v|ZY  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w %pM :{Z  
b H8x:D3C0  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 >sB=\  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) &a~L_`\'  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w n *Q4G}p  
Complementary error function 余误差函数 xQZ MCd  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z B##C{^5A`  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态  !zF4 G,W  
,N Dt (:u,%  
P O]4W|WI3  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ fCs\Q  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm }.w#X   
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 JO]`LF]  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 Sk!v,gx  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ aB7d(  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 Zu)i+GeG  
g        F~ n%Xt9G )m oo?Q  
D'\ +q 4W0  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 ~4}*Dhsh  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 U3(L.8(sA  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 deHY8x5uI  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 a  [0N,t  
9b3BS"tz;|'qgc H@Kl  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z Y+}OClS  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r B6^w{eXN  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 R4[. n@  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 F<H`8*q9  
N"{ ZY~zpC_  
&8IWDx.7}  
=]2 b8  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 zlC^  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ WXRHG)nvL  
} l1X Y*h`),  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 j&o/X7I=  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 }39M_4a&  
5yU'{&X? ghE?8&@ iq  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge }7f 1(#{7  
Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) )1X' W  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn Q-H =wJ4R  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z <VauJB*R  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R ^F;Z%5P=  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 0e[ tKn(  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 l{B< "+8  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 6i*p +S?U"  
!nZI? z;  
/zDSlj<c  
38zR\@'j]4  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 /It.>1~2@  
@6QFF%}$Y B h.6:9{  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y s /k  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs #! K~_DL  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w f@,hO5h(_|  
Delay 延迟 Density 密度 A3<P li  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 kV]%Q3t  
\DI_x0012_x ba8-XA_~U  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ 6c;?`C  
b XACEt~y  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ }(f,~?CP]  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 &</ @0  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS #lLn='4  
-t!x_x0019_E &?uzJx~  
p iJ ?45K%;.9Q  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 7,&3=R <  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 q]wn:%rX  
_x0012_B0SKT%E T`(;;%  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片(复数dice) Diode 二极管 0t/z "  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 @EH4N%fH  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 ZJ{+_ax0K  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 U:T5o]P<  
4 G68WBT  
AQ_#uxI'oa  
]#WX|0''^  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y ^.><t+tM  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N s$3eJ|  
yY.F*j_x0007_x` 55jY` b .  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 $`+~QR!h  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 Td=] tVM  
 ]pucv!  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc Vq;{+j(  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁  nd*!`P  
        p [W7\c;Do  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 O#89M%  
:R*j$KYX0L$Z E l8.D3  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 .k?hb]2N  
8^2J V~%WKQ  
z|4@nqqX  
ybuSqFy`$  
|j1br,i9a mc[_> [m  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 75BOiX  
Displacement 位移 Dislocation 位错 i}&mz~  
hdNZ":1s  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju u/c~PxC  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ 4UX]S\X  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 p Z|nn  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. ]|\>O5eeu  
$ZN@ D} <o<Dk  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT  TVEF+t  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh dpOL1rrE  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 t$kf'An}/  
_x0019_h myo~Qqt?  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 j]] ziz,E  
T i} ~bm2_/RL  
Dynamics 动态 ^`PSlT3<F  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t }A&Xxh!Fwo  
Dynamic impedance 动态阻抗 + &>^Ympr  
k P~L)x+ 7^ Q$pT>  
e+=G-u5}-  
北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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