微电子中英文对照词典(一)

发布:探针台 2020-02-14 12:13 阅读:3736
;wD)hNLAvR  
电子中英文对照词典 E\$W_Lmr  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 DTs;{c  
eDB;cN  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 i6N',&jFU  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 2?i7 UvV  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 GKCroyor  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V <-0]i_4sK  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi @ .KGfNu  
Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV A)KZa"EX  
f =w^M{W.w  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { B-ESFATc  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 xLn%hxm?,  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C 9>$p  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l 3M=  
Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. We z 5N  
N        ir\Ql7R H']+L~j  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 LHmZxi?  
*I.BD8e 0(btA~'*  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N JN6B~ZNf  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 @|)Z"m7  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 H:\k}*w  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 Ct|A:/z(  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 4/)k)gLI  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA J-4:H gx  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 jq-_4}w?C  
Background doping 本底掺杂 y3ikWnx  
Backward 反向 O1kl70,`R  
Backward bias 反向偏置 4V \di=  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ )_NO4`ejs/  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 BPHW}F]X  
1P+O3R[ E!AE4B1bd  
-%dCw6aX+  
u-C)v*#L  
g '3H_wd  
4`R(?  
TB^$1C  
u8s!u M@ZI\  
I =rK+eG#,  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 hpJ-r  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 &VcV$8k  
)Va6}-AT        d =I~mKn  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 i 3SHg\~Z  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 <^uBoKB/f  
dA)tT @6_!b <Ok3FE.K  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M b_):MQ1{  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 dq[xwRU1  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m I`p;F!s  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] )F2OT<]m,  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu !Rt>xD  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 H7j0K~U0  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 !? gKqx'T$  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns ?F;8Pa/  
B PiYxk+N  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 ofv)SCjd  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O = 9]~ yt  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n k@:%:Sj 2  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 O0y_Lm\  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ "-J -k=  
g}[2v"S i7>tU=  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 xZv#Es%#  
3Y8Jy4U7L7L *=c1d o%F  
:08,JL{  
nj53G67y  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 "FKOaQ%IH  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o #YOA`m,'  
n%{_x0012_\        l Z)aUt Srf  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 4_cqT/  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H >oe]$r  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai IobD3:D8W  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 Y.r+wc]  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 C 6AUNRpl  
n;[ \;"=QmRD%:  
(*)hD(C5  
^]-6u:J!  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 ,nB5/Lx  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 Per1IcN  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 & 9 ?\b7  
2}+F;R4y#S 3jC_AO%T  
.h4 \Y A  
w G<yBI0  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 #?9;uy<j.q  
Y z_x0016_`%{        L  !=P1%  
EJNU761  
%F4%H|G  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 P(z++A&  
_x0012_O| OH(waKq2I  
.=jay{  
pD#rnp>WWt  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ d4c8~L H-  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 ;x@~A^<el  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ u^qT2Ss0  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 V /V9B2.$  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 ,>mrPtxN  
dx\/l.b xx%j.zDI]  
g k{SAvKx=  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 ~AT'[(6  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j *6DB0X_-}  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's FE|JHh$  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 "mvt>X  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J cP_.&!T  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 l&Q`wR5e  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 ;F%fS#@%L \Et3|Iv  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 r:ptQo`1-  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB #Kex vP&*  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 ~g ZLY ls  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig V/I<g  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV iVq'r4S  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 9H`XeQ.  
Compensated impurities 补偿杂质 *]/zc1Q4M  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w G^4hd i3@  
b GM f `A,>  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 MXNFlP  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) V7fq4O^:  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w U7}yi$WT  
Complementary error function 余误差函数 /zVOK4BqN+  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z P%&0]FCx  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 qwgPk9l  
,N YvyNHW&  
P ;LSANr&  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ co|aC!7  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm 9} M?P  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 }"%?et(  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 lbl?k5  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ 9BBmw(M}  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 Eq9x2  
g        F~ n%Xt9G peuZ&yK+"  
D'\ EPM-df!=  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 k(7&N0V%zz  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 ^sEYOX\  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 >T3-  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 x '>9d  
9b3BS"tz;|'qgc n QZwC  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z >kDQkhZ  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r VfC<WVYiZ  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 Z|j>gq  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率  zC@o  
N"{ &LZn FR  
jaMjZp;{(  
aPfO$b:  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 zFw s:_ i  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ sF?TmBQ*  
} l1X 4n g]\ituS  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 YPK(be_|I  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 QP8Ei~  
5yU'{&X? A_ N;   
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge Eog0TQ+*  
Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) '(yAfL 9}  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn a85$K$b>  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z (\hx` Yh=>  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R \lf;P?M^  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 Ou!2 [oe@M  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 |w1Bq  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 T?soJ]A  
}c`"_L  
`maKN\;  
%x{kc3PnO  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 o_Z5@F  
@6QFF%}$Y K'Tm_"[u  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y ](9Xvy  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs &5spTMw8  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w }{qZ[/JwqN  
Delay 延迟 Density 密度 [.'|_l  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 2"kLdD  
\DI_x0012_x N~d?WD\^  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ ?U5{Wa85D  
b )oDHeU<&  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ B^Nf #XN(  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 B=yqW  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS F2dHH^  
-t!x_x0019_E rEnQYz  
p iJ 9T}pT{~V  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 *:YiimOY"  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 ~xfP:[u  
_x0012_B0SKT%E !M]uL&:  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片(复数dice) Diode 二极管 1i"WDu*h3  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 D>@I+4{p  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 +0%w ;'9z  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 Av$^  
m )zUU  
i]y<|W)Q3  
:q7Wy&ow  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y |vwVghC  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N axRV:w;E<  
yY.F*j_x0007_x` /k6MzFoid  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 VT%NO'0  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 TJpD{p}  
OwUhdiG  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc dvx#q5f_S  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 vNY{j7l/W  
        p =Z3F1Cq?  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 y$F'(b| )  
:R*j$KYX0L$Z ^q vbqfh  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 E7 Ul;d  
8^2J tr3! d_  
d>&,9c%  
=:,g  
|j1br,i9a b8VTo lJ  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 He/8=$c%  
Displacement 位移 Dislocation 位错 o&zJ=k[4  
N1S{suic  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju %2/EaaR  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{  E`0?  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 9:[  9v  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. 2K6qY)/_  
$ZN@ qQ/^@3tXL  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT n;Q7X>-f8`  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh /cdC'g  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 R)( T^V`{  
_x0019_h V)-+Fd,=  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 7P5)Z-K[  
T i} Z1f8/?`W  
Dynamics 动态 #n #}s  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t n;C :0  
Dynamic impedance 动态阻抗 + Apag{Z]^B  
k P~L)x+ LTCb@L{^i  
bMu+TgAT,  
北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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