微电子中英文对照词典(一)

发布:探针台 2020-02-14 12:13 阅读:3781
4.^T~n G  
电子中英文对照词典 8|^&~Rl4  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 YC')vv3o(  
Np%Q-T\  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 ;0Q" [[J  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 ^RO<r}B u  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 NyT%S?@y<  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V 1YQYZ^11  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi IT{c:jo1{`  
Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV v? OUd^  
f I;-Y2*  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { Wy}^5]R0E  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 kDDC@A $  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C Rk7F;2  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l ^lt2,x   
Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. ^ghYi|kQq  
N        ir\Ql7R }dpTR9j=  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 Hy1$Kvub  
*I.BD8e ge(,>xB  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N 8lzoiA_9  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 ;N?(R\* 8  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 tcT =a@  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 EQ ee5}  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 3]GMQA{L)  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA 8["%e#%`$  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 ?&-1(&  
Background doping 本底掺杂 i%[gNh  
Backward 反向 / Ws>;0  
Backward bias 反向偏置 4V |Q%P4S"B?  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ ah hl  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 (Hj[9[=  
1P+O3R[ sYBmL]Hr  
,}&TZkN{-  
?tL'  X  
g !u@P\8M}  
D\b$$z]q  
nH&z4-1Y?  
u8s!u ~abyjM  
I `_)H aF>/  
wBand 能带 Band gap 能带间隙 ,|s*g'u  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 %jy$4qAf%  
)Va6}-AT        d in/~' u  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 #Zw:&' QB  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 4NW!{Vw ,  
dA)tT @6_!b xi(1H1KN5B  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M Fz';H  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 ^;<d<V}*  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m 'I&0$<  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] /0H}-i  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu J)Y`G4l2@  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 \.}T_,I  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 /uX*FZ  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns YB7n}r23  
B c>K]$;}  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 PVp>L*|BZ;  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O F0p=|W  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n 'z5jnI  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 Lm~<BBp.  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ 0S$k;q  
g}[2v"S pQBn8H|Y  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 UjQz   
3Y8Jy4U7L7L M%`CzCL u  
Z8ea)_ {#  
JkWhYP}  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 &&9 |;0 <  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o Hvm}@3F|  
n%{_x0012_\        l V^ n6~O  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 .)b<cH~%  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H v,ZYh w  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai Pd~=:4  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 P.XT1)qo*  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 Pgr2 S I  
n;[ ]|tg`*l!>  
ih".y3  
xyL)'C  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 JE-*o"&  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 qx5`lm~L  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 NplyvjQN;  
2}+F;R4y#S ")No t$8  
S[3"?$3S  
 Fb(@i  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 g,._3.D  
Y z_x0016_`%{        L \,G9'c 'u  
hz4?ku  
#j~FlY5  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 =WT$\KYGv  
_x0012_O| c EYHB1*cT  
y<Q"]H.CkQ  
bwXeEA@{  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ ][S q^5`  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 tJ6@Ot  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ HKrENk  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 ^7spXfSAd  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 <3{MS],<<  
dx\/l.b jXE:aWQht  
g T06(Q[)  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 Mqd'XU0L  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j C12UZE;  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's Sk|e#{  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 (NvjX})eh  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J `xBoNQai  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 =Nt HV4=b  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 ;F%fS#@%L %42a>piev  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 o4kLgY !Q  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB "V>}-G&  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 #-;W|ib%z  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig nv:Qd\UM  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV eT".psRiC  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 GP%V(HhN  
Compensated impurities 补偿杂质 =o##z5j K  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w 4]U=Y>\Sr  
b F<I*?${[  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 n>ui'}L  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) d^}p#7mB\  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w ]#]Z]9w  
Complementary error function 余误差函数 $os]$5(  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z !vgY3S0?rq  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 DU%E883  
,N *<xu3){:c  
P  8${n}}  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ =PRQ3/?5  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm {}YA7M:L  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 [Y](Y3/.N  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 lr>NG,N  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ ] ]U)wg  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 -O *_+8f  
g        F~ n%Xt9G 9!_,A d;3  
D'\ S1|u@d'  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 2PlhnUQ7  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 ;_bRq:!j;  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 +\T8`iCFB  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 G]ek-[-  
9b3BS"tz;|'qgc I8gNg Z  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z q%4X1 W  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r h vYRAQR:  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 uBRlvNJ  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 ev$:7}h=  
N"{ E5^\]`9P  
OvX&5Q5  
MI `qzC*%  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 h< r(:.%!}  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ %P0  
} l1X 0 %~~IT}U  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 ?sk>Mzr  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 \}jA1oy  
5yU'{&X? aoey 5hts  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge s:tX3X  
Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) X9Ch(nWX  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn zTa5 N  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z vS8& ,wJ!  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R r%=-maPL[  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 _2jL]mB  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 `> %QCc\  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级  cHvm  
@ual+=L  
'OA*aQ=K  
Yg8* )u0  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 mWv$eR  
@6QFF%}$Y %hSQ\T<8[o  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y sE[`x^1'8  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs $+Ze"E  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w *tUOTA 3L  
Delay 延迟 Density 密度 f'=u`*(b7  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 JVIFpN"`  
\DI_x0012_x 60~;UBm5O  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ r:bJU1P1$s  
b 3mHzOs\jU  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ s\;/U|P_  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 }:2##<"\t  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS relt7sK  
-t!x_x0019_E 8ao-]QoMZ  
p iJ 5_;-Qw  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 QCb D^  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 u!K1K3T6k  
_x0012_B0SKT%E H{Ewj_L  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片(复数dice) Diode 二极管 >/A]C$?3  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 M.Yp'Av  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 !h.hJt  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 PLkS-B  
T`E0_ZU;  
+4:eb)e  
G[>NP#P  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y O^cC+@l!4  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N ?y? 9;;  
yY.F*j_x0007_x` yh E%X  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉 ?0; 2ct  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 ?h[HC"V/2  
a^%)6E.[,  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc <iky~iE  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 ]VjvG};  
        p 5mZ2CDV  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 o-=|}u]mz  
:R*j$KYX0L$Z /0/ouA>+  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 @:?[R&`  
8^2J KA?}o^-F  
T_D3WHp  
r]!#v{#.  
|j1br,i9a *:n7B\.  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 c-k3<|H`  
Displacement 位移 Dislocation 位错 y^C5_w(^jZ  
]AYP\\Xi  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju 1'o[9-  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ 5REFz  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 t1w]L  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS. o-@01_j  
$ZN@ IB;yL/T  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT }[akj8U  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh @*y4uI6&  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 |#_p0yPy  
_x0019_h I,hw0e  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 M#gxi N  
T i} _z#" BN  
Dynamics 动态 <G}Lc  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t tY;<S}[@7w  
Dynamic impedance 动态阻抗 + _3aE]\O[  
k P~L)x+ ~LuGfPO^  
Kzrd<h]`)  
北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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