微电子中英文对照词典(一)

发布:探针台 2020-02-14 12:13 阅读:3742
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电子中英文对照词典 90<a'<\|  
Abrupt junction 突变结 Accelerated testing 加速实验 e<u~v0rDl  
w);Bet  
{o a'@2|tN5Qi)PAcceptor 受主 Acceptor atom 受主原子 +f^|Yi  
.^Y.oN2T*mAccumulation 积累、堆积 Accumulating contact 积累接触 FPE6H:'  
:N"F3Z,W[Accumulation region 积累区 Accumulation layer 积累层 e]:(.Wb- 9  
Xaz\SpR ha(g)s半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAActive region 有源区 Active component 有源元 n_x0007_Z,|8QFi,C/l,V ;t.)A3 PL  
Active device 有源器件 Activation 激活 z,Ac_x0019_]&Wi -7I %^u  
Activation energy 激活能 Active region 有源(放大)区 love.2icMV KC<K*UHPAH  
f $O;a~/T  
Admittance 导纳 Allowed band 允带 8`+? J5i_x001D_|        { xWWVU}fd1  
Alloy-junction device合金结器件 Aluminum(Aluminium) 铝 =| r% lx  
6X}H}-Y"B0Plove.2ic.cnAluminum – oxide 铝氧化物 Aluminum passivation 铝钝化 e9C 7$L*nf  
Ambipolar 双极的 Ambient temperature 环境温度 5I/P v$y&b-l e:QH3|'y  
Amorphous 无定形的,非晶体的 Amplifier 功放 扩音器 放大器 love. '?mky,:HT  
N        ir\Ql7R [F27i#'I]  
Analogue(Analog) comparator 模拟比较器 Angstrom 埃 7<5=fYb r  
*I.BD8e BUBtK-n~"3  
Sli#qAnneal 退火 Anisotropic 各向异性的 love.2ic.cn*MDlz-V2C}7oM N ZzT"u1,&  
Anode 阳极 Arsenic (AS) 砷 (. $e@k=  
"["^Dk3d@#|x3c%iAuger 俄歇 Auger process 俄歇过程 ~^g*cA t}  
;|!\N)q_x0019_Yz半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAAvalanche 雪崩 Avalanche breakdown 雪崩击穿 ]6WP;.[  
\v)T'f CAvalanche excitation雪崩激发 j  W -K  
9^;wP_x0010__O$B半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FA J@q!N;eh|  
v"]-l_/n3Qlove.2ic.cnBackground carrier 本底载流子 j'SGZnsy*  
Background doping 本底掺杂 Ee$F]NA  
Backward 反向 A(JgAV1{  
Backward bias 反向偏置 4V WsmP]i^Q  
s'X_x0016_X.zwX#kFm @ Gkdxw uRw  
Ballasting resistor 整流电阻 Ball bond 球形键合 OK:YnSk"  
1P+O3R[ *W4~.peoE  
~ #P` 7G  
&:=[\Ws R  
g )EsFy6K:  
^%33&<mB}  
2 3A)^j  
u8s!u wqt/0,\  
I |f[:mO   
wBand 能带 Band gap 能带间隙 2&<&q J  
-HqERTQrBarrier 势垒 Barrier layer 势垒层 - SCFWc  
)Va6}-AT        d DPlmrN9@=  
A$F*bBarrier width 势垒宽度 Base 基极 Rdy-6  
(G_x0010_z9g(Y*W j;hBase contact 基区接触 Base stretching 基区扩展效应 XpP}(A@G  
dA)tT @6_!b Qy'-3GB  
]'NE.f8NBase transit time 基区渡越时间 Base transport efficiency基区输运系数 Dg8@3M idZ]d6  
Base-width modulation基区宽度调制 Basis vector 基矢 )KN]"<jB  
7y0Y LUML T0I半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FABias 偏置 Bilateraltch 双向开关 _x001D_{ q)}rq%t.m l`EKL2n  
Binary code 二进制代码Binary compound semiconductor 二元化合物半导体 "\_x0010_]8@4r_x001D_] r 4+%9)  
Bipolar 双极性的 Bipolar Junction Transistor (BJT)双极晶体管 "a_x0016_Bu;y3R)N_x0010_DVu xcXnd"YYE  
Bloch 布洛赫 Blocking band 阻挡能带 k= .pcDX  
ri#l6Ud^/__x0019_m'{Blocking contact 阻挡接触 Body - centered 体心立方 8wzQr2:  
!qm9n_x0012_|@Body-centred cubic structure 体立心结构 Boltzmann 波尔兹曼 .k[I/z*ns R lmeZy4.  
B NKu*kL}W=  
Bond 键、键合 Bonding electron 价电子 yxy~N\ 0  
7Sr%WOvQ_x0007_{0^%B8nlove.2ic.cnBonding pad 键合点 Bootstrap circuit 自举电路 &O 5G WC  
Bootstrapped emitter follower 自举射极跟随器Boron 硼 [_x0016_pn,_h#M&?$v:n I oC}0C7  
Borosilicate glass 硼硅玻璃 Boundary condition 边界条件 XCE<].w  
T8S8@_x0019_@_x001D_Ep B7alove.2ic.cnBound electron 束缚电子 Breadboard 模拟板、实验板 DBreak down 击穿 Break over 转折 "I[ m/1;os5+8  
g}[2v"S }H9V$~}@-  
Brillouin 布里渊 Brillouin zone 布里渊区 I !g+K  
3Y8Jy4U7L7L MZ <BCRB  
+C`zI~8  
6w $pL(  
^1[CBuilt-in 内建的 Build-in electric field 内建电场 e\H1IR3  
\Z&s,T/ilove.2ic.cnBulk 体/体内 Bulk absorption 体吸收 %I'V_x0007_o Qr*7bE(a  
n%{_x0012_\        l ^$J.l+<hy  
Bulk generation 体产生 Bulk recombination 体复合 kBJx`tjtp  
_x0012_MRP6Mw&Lz+G `Burn - in 老化 Burn out 烧毁 _x0012_f*Df8YBuried channel 埋沟 Buried diffusion region 隐埋扩散区 Can 外壳 Capacitance 电容 -R(dF_x001D_xD;H 2@$`xPg  
Capture cross section 俘获截面 Capture carrier 俘获载流子 半导体技术天地~-[`]Q*S(M'h3ai 3rVWehCv  
Carrier 载流子、载波 Carry bit 进位位 _{0IX  
g_x001D_Zh_x0012_Zp#B_x0007_PjCarry-in bit 进位输入 Carry-out bit 进位输出 k(3FT%p  
n;[ \t']Lf  
{s~t>Rp+  
+dF/$+t  
rS%[_x0007_j_4mCascade 级联 Case 管壳 IM&l%6[).  
8D-_        R'K't_x0019_VCathode 阴极 Center 中心 (&-!l2  
9]aw.bH'RX_x001D_~Ceramic 陶瓷(的) Channel 沟道 U:O&FE  
2}+F;R4y#S %&S :W%qm?  
fk?(mxx"  
B-EDVMu  
ebChannel breakdown 沟道击穿 Channel current 沟道电流 {t QZqqdn@  
Y z_x0016_`%{        L qZDP-  
ev%}\^Vl[  
">"B  
g1F a:h半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAChannel doping 沟道掺杂 Channel shortening 沟道缩短 jL9to6 Hmr  
_x0012_O| 9|1J pb  
w2o5+G=  
 B/ACU  
P        _!o#e{2|Channel width 沟道宽度 Characteristic impedance 特征阻抗 半导体技术天地[S \ ~<Sb:I zld  
Charge 电荷、充电 Charge-compensation effects 电荷补偿效应 _t;Mi/\P  
8S9a-_W W5hQ7N)C.[ R7~#7qKQB  
Hlove.2ic.cnCharge conservation 电荷守恒 Charge neutrality condition 电中性条件 Qwu~ {tf+'  
TU?/xP_x0019_T#ZyCharge drive/exchange/sharing/transfer/storage 电荷驱动/交换/共享/转移/存储 h(3ko An  
dx\/l.b G7d)X^q!xS  
g %L eZd}v  
        S`        LJE0GKChemmical etching 化学腐蚀法 Chemically-Polish 化学抛光 I 7s}{pG  
_x0016_J2HgL6klove.2ic.cnChemmically-Mechanically Polish (CMP) 化学机械抛光 Chip 芯片 2H!uTb(?        Ek'j 4Q n5Mr@<  
Chip yield 芯片成品率 Clamped 箝位 love.2ic.cn4O_0P_x0010_fN's LKe ~  
Clamping diode 箝位二极管 Cleavage plane 解理面 =hDFpb,mr  
:I4}#V0m_w,yi半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAClock rate 时钟频率 Clock generator 时钟发生器 love.2ic.cn)am9?NC5J S|v")6  
Clock flip-flop 时钟触发器 Close-packed structure 密堆积结构 s2Hx ?~  
Close-loop gain 闭环增益 Collector 集电极 ;F%fS#@%L p}O[A`  
Collision 碰撞 Compensated OP-AMP 补偿运放 a  C<  
$tA Bmi,ztCommon-base/collector/emitter connection 共基极/集电极/发射极连接 半导r,chip,ic,process,layout,package,FA"Qm-}2A_x001D_b#V_x0012_NB 2C_/T8  
Common-gate/drain/source connection 共栅/漏/源连接 %:hU:+G E  
_jv(Z#]!Alove.2ic.cnCommon-mode gain 共模增益 Common-mode input 共模输入 J9|&p8^"S&ig 'r_NA!R  
Common-mode rejection ratio (CMRR) 共模抑制比 Cus)xV iP^o]4[c  
Compatibility 兼容性 Compensation 补偿 h!h<!xaclW  
Compensated impurities 补偿杂质 m*Q*{M_e  
Compensated semiconductor 补偿半导体 &w Fy-N U  
b Y<EdFzle  
Complementary Darlington circuit 互补达林顿电路 <\C/;  
X5\]X.e&xn:sO半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAComplementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor(CMOS) QpC,komLJ  
'X:{U-s9R8x~_x0007_G~互补金属氧化物半导体场效应晶体管 w x;p7n 2_  
Complementary error function 余误差函数 QvjOOc@k~n  
zN_!c;k ke)hkeComputer-aided design (CAD)/test(CAT)/manufacture(CAM) 计算机辅助设计/ 测试 /制造Compound Semiconductor 化合物半导体 Conductance 电导 +_H6Nsc9z {m2lVzK  
Conduction band (edge) 导带(底) Conduction level/state 导带态 F1UTj "<e  
,N l&4+v.zr  
P ?wQaM3 |^:  
zY3x&G4oConductor 导体 Conductivity 电导率       \ Vv3{jn6%  
Configuration 组态 Conlomb 库仑 -X j4\u3iq4Cm hAv.rjhw_  
Conpled Configuration Devices 结构组态 Constants 物理常数 K\a=bA}DG  
lT`QZJ#ZConstant energy surface 等能面 Constant-source diffusion恒定源扩散 /agX! E4s  
}aj GYContact 接触 Contamination 治污AH        ?[ 6e.?L  
Continuity equation 连续性方程 Contact hole 接触孔 {#X]D~;s+  
g        F~ n%Xt9G 22gk1'~dO  
D'\ FqpUw<]6s  
p)@%TContact potential 接触电势 Continuity condition 连续性条件 1hnw+T<<W  
L0W_J_x0010_t_x001D_^半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAContra doping 反掺杂 Controlled 受控的 uy^vQ/  
0M6SaPu}Converter 转换器 Conveyer 传输器 {3{cU#\QA  
Z'Dq$~^S9W}O-cY2HCopper interconnection system 铜互连系统Couping 耦合 3A>Bnb  
9b3BS"tz;|'qgc KaGG4?=V  
A        KCovalent 共阶的 Crossover 跨交 'bc!f#[(z ,Kw]V %xOb  
Critical 临界的 Crossunder 穿交 r,a#}_x0007_EJ%n;|7j5r vsL)E:0  
Crucible坩埚 Crystal defect/face/orientation/lattice 晶体缺陷/晶面/晶向/晶格 6 (@U+`  
*_3ztd*X;dxZulove.2ic.cnCurrent density 电流密度 Curvature 曲率 4OOH 3O  
N"{ 7xr@$-U  
mz kv/  
JTn\NSa  
?_x0019_b/?r0UCut off 截止 Current drift/dirve/sharing 电流漂移/驱动/共享 ollk {N  
*w$li;lC2xlove.2ic.cn grU\2k+{ X[{tD#  
} l1X oPPxja g\  
Current Sense 电流取样 Curvature 弯曲 C_~hX G  
&JG Zc_x0007_IW        gCustom integrated circuit 定制集成电路 Cylindrical 柱面的 v Ol<  
5yU'{&X? ExDv7St1(k  
p$P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FACzochralshicrystal 直立单晶 7Bv!hy;C_x001D_X'Ge ~$\9T.tre2  
Czochralski technique 切克劳斯基技术(Cz法直拉晶体J) 1>"[b8a/  
"p:q_x0019_@2T_x0019_y"}+a'Klove.2ic.cn tUPdq0%t[  
$k?WA        c]MDangling bonds 悬挂键 Dark current 暗电流 "D_x0007_ii\2^J[Z m5/d=k0l  
Dead time 空载时间 Debye length 德拜长度 Dt`U2R D#I^;Xg0h  
De.broglie 德布洛意 Decderate 减速 =T0;F0@#4  
W'p(N_x0019_d7X Y,gDecibel (dB) 分贝 Decode 译码 E"l/r4*f@  
r ay-sf/H(C半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeep acceptor level 深受主能级 Deep donor level 深施主能级 eXdE?j  
[~[)C]-=  
f,_EPh>  
8UahoNrSt  
K Fh:w#Z ubDeep impurity level 深度杂质能级 Deep trap 深陷阱 5RysN=czA  
@6QFF%}$Y fd<a%nSD  
G_x0016_?(j'kDefeat 缺陷 半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FAt3XD_x001D_ae)K.a4Y yK3b^  
Degenerate semiconductor 简并半导体 Degeneracy 简并度 e_x0016_H        i n$|#y_x0019_u        qs Jiv%Opo/|  
Degradation 退化 Degree Celsius(centigrade) /Kelvin 摄氏/开氏温度 7z]0}rF\6I_x0019_w :4V8Iz 71  
Delay 延迟 Density 密度 <HC5YA)4  
A:h3V_x0016_P;V_x0007_qv0XDensity of states 态密度 Depletion 耗尽 S);SfNh%CL  
\DI_x0012_x AsOkOS3  
e_x0016_EW{_x001D_L2b7\d{ &=-ZNWNo  
b 7i$)iNW  
Depletion approximation 耗尽近似 Depletion contact 耗尽接触 }t.G.^)GVA_x0012_[ #!i&  
Depletion depth 耗尽深度 Depletion effect 耗尽效应 X*^^W_LH.  
3Q~$K$d \sZDepletion layer 耗尽层 Depletion MOS 耗尽MOS g$N/pg2>cT  
-t!x_x0019_E knsTy0]  
p iJ jrKRXS  
B.YsDepletion region 耗尽区 Deposited film 淀积薄膜 t(R Jc  
+lA{ Ag_x0019_Z1?P半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADeposition process 淀积工艺 Design rules 设计规则 T|o ]8z  
_x0012_B0SKT%E oXxY$x*R1  
O*\h,k半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADie 芯片(复数dice) Diode 二极管 ~7$4w# of0  
3X8?j#{,wNH%^Dielectric 介电的 Dielectric isolation 介质隔离 ip`oL_c  
7w G8@t)f_x0007_[/D_x001D_M*Rlove.2ic.cnDifference-mode input 差模输入 Differential amplifier 差分放大器 9 Y-y?Y  
Y#ah,b_x0007_]HuKd%A_x0007_ZDifferential capacitance 微分电容 Diffused junction 扩散结 \pVmSac,  
Ww[Xqmg  
ruKm_j#J  
P~H?[ ;  
m6Z*^M:XR p2rUDiffusion 扩散 Diffusion coefficient 扩散系数 iG9z9y        v_x001D_F9_"Y 1ab_^P  
Diffusion constant 扩散常数 Diffusivity 扩散率 love.2ic.cn$@7K(V0t$N !)1gGXRY  
yY.F*j_x0007_x` iW # |N^  
Diffusion capacitance/barrier/current/furnace 扩散电容/势垒/电流/炉  4.7 PL  
-?2n1H6Xt [半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADigital circuit 数字电路 Dipole domain 偶极畴 t6+c"=P#  
KS3>c7  
e&R6UWc\8?Dipole layer 偶极层 Direct-coupling 直接耦合 半导体技术天地[ocess,layout,package,FA)R5K%~_x0010_wj)MEc |K(2_Wp  
Direct-gap semiconductor 直接带隙半导体 Direct transition 直接跃迁 b5u8j  
        p nsM=n}$5x  
Discharge 放电 Discrete component 分立元件 6Kbc:wlR  
:R*j$KYX0L$Z xRI7_8Jpyn  
3s2jl_x001D_F*X8g_x0019_D;?DDissipation 耗散 Distribution 分布 ;Eer  
8^2J XjRk1 ~  
=sYUzYm  
?DwI>< W  
|j1br,i9a g"dq;H  
k_x0016_rDistributed capacitance 分布电容 Distributed model 分布模型 XB.xIApmy  
Displacement 位移 Dislocation 位错 1LK`    
0'3f^Ajf  
^*w#\_x0016_r,t5W v半导体技术天地[Semiconductor Technology World]芯片设计版图工艺制程封装测试wafer,chip,ic,process,layout,package,FADomain 畴 Donor 施主 wPz_x0019_M_x0019_Ju 5p}ri,Y<  
Donor exhaustion 施主耗尽 Dopant 掺杂剂 love.2ic.cn~3s Il_x0019_I0_9C!`_x0019_{ v/m} {&K  
Doped semiconductor 掺杂半导体 Doping concentration 掺杂浓度 w1&\heSQ  
_x0012_N&Q_x0010_F)x_x0012_R2a dDouble-diffusive MOS(DMOS)双扩散MOS.  l:i&l?>_  
$ZN@ QH d^?H*  
B/FG3}!B)X6~Drift 漂移 Drift field 漂移电场 ,layout,package,FA_x0010_mm$o%g7D4|,CNT ]VCVV!G_=n  
Drift mobility 迁移率 Dry etching 干法腐蚀 s,\#Qta nh nc2=S^Fqu  
Dry/wet oxidation 干/湿法氧化 Dose 剂量 R[ #vFQ  
_x0019_h l+vD`aJ3  
n!z+v6v.Yd_x001D_Ru8UDuty cycle 工作周期 Dual-in-line package (DIP) 双列直插式封装 aob+_9o  
T i} N*w6D:  
Dynamics 动态 MP3Vo|}3  
Dynamic characteristics 动态属性 e5b_x0007_P_x0010_T;}*l~_x0012_`_x001D_p%|#t kF@Z4MB}yr  
Dynamic impedance 动态阻抗 + =<;C5kSD  
k P~L)x+ z]%c6ty  
k Xg&}n7  
北京芯片半导体实验室:北软检测芯片失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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