半导体术语解释 (八)

发布:探针台 2020-01-09 11:44 阅读:3313
244) Uniformity  均匀性 TGDrTyI?y  
      (最大值-最小值)/2*平均值),有两种均匀性:一种是一片Wafer的均匀性(within wafer),测得五个点,然后得到最大值最小值和平均值,再安公式计算。另一种是Wafe之间的均匀性(wafer to wafer),同样测得最大值和最小值和平均值再计算均匀性。 >q&X#E<w  
245) USG (Undoped SiO2) |1%eo.  
即没有搀杂的二氧化硅,LPCVD制得,一般沉积在BPSG下面,以防止BPSG中的P元素渗透到Si表面,影响组件的特性。 EQ [K  
246) Up Time  使用率 x1`4hB  
  表示机台可以run货的时间,包含run货的时间及机台lost时间,即除down机时间 B%n|%g6K|h  
247) Vacuum真空 imc1rY!~'  
       真空系针对大气而言,一特定空间内的部份气体被排出,其压力小于1大气压。 xp*Wf#BF  
        表示真空的单位相当多,在大气的情况下,通称为l大气压,也可表示为760torr760mmHg14.7psi Bv xLbl}  
         真空技术中,将真空依压力大小分为4个区域:  MFyi#nq  
         1.粗略真空(Rough Vacuum) : 760~1 torr 7u`:e,'  
2.中度真空(Medium Vacuum):   1~10-3 torr y$8S+N?>  
         3.高真空 (High Vacuum) : l0-3~10-7torr hsAk7KC  
4.超高真空(Ultra-High Vacuum): 10-7torr以下 )vD:  
        在不同真空,气体流动的型式与热导性等均有所差异,简略而言,在粗略真空,气体的流动称为黏滞流(Viscous Flow)。其气体分子间碰撞频繁,且运动具有方向性;在高真空或超高真空范围,气体流动称为分子流(Molecular Flow),其气体分子间碰撞较少,且少于气体与管壁碰撞的次数,气体分子运动为随意方向,不受抽气方向影响。在热导性方面,中度真空的压力范围其与压力成正比关系﹒粗略真空与高真空区域,则无此关系。 Z~AgZM R  
248) Vacuum Pump真空泵 qDS~|<Y5  
凡能将特定空间内的气体去除,以减低气体分子数目,造成某种程度的真空状态的机件,统称为真空邦浦。 6o.Dgt/f  
         目前生产机台所使用的真空泵,可分为抽气式的有:旋片泵(ROTARY PUMP),洛兹泵(ROOTS PUMP),活塞泵(PISTON PUMP),扩散泵(DIFFUSION PUMP)。及储气式的有:冷冻泵(CRYO PUMP),离子泵 (ION PUMP) H krhd   
249) Viscosity黏度 NOSL b];  
"黏度"一词专用于液体,意指当液体接受切应力时(指作用力方向与液体表面不垂直),液体就会产生形变,所以便定义"黏度"来表示示体产生形变程度的大小。 .4J7 ^l  
黏度是可以调整的,因为液体受切应力而形变是巨观形为的表现,所以在液体完全相溶前提下,可以加入不同黏度的溶剂来调整黏度。 LGh#  
250) Vacuum System  真空系统 zI= 9  
  压力小于1标准大气压的系统。真空系统由以下部分组成:PumpValvePipeGaugeChamber MX"M2>"pT  
251) Valve   3Yf~5csY  
  控制气流开关和气体流量的组件。Valve主要有以下种类:气动阀(常开或常闭)、手动 Y )68  
阀、电磁阀 $sFqMy  
252) Vapor Phase  气相 LEg ?/!LIT  
  相是一种单一均匀的成分的状态。气相是一种单一均匀的成分的气体状态 *X!+wK-+  
253) Vapor Phase Deposition  气相沉积 6!@p$ pm)a  
  一种薄膜沉积的方法,在气态下气体反应产物或蒸发物淀积在基体表面的薄膜技术。气相沉积可分为物理气相沉积和化学气相沉积。物理气相沉积又分为蒸镀和溅渡。化学气相沉积又分为APCVDLPCVDPECVD SaOOD-u  
254) Very Large Scale Integration  超大规模集成电路 KK?R|1VK9  
255) Via /b]+RXvxj  
      金属与金属之间的通道  p ~pl|  
p4uN+D `.U  
256) VLF Vertical Laminar Flow垂直层流 kl|m @Nxp  
        在流体的流动状态中,可分为层流 (Laminar Flow)及紊流(Turbulent Flow) 两种。界定值。 W 'PW;.,  
  一般流体流速较快者其流线 (streamiline)分子易受干扰,且雷诺数大易形成紊流,(雷诺数,   P N(<=v&E  
         惯性力/粘滞力)
)}J}d)  
iU|X/>k?  
在无尘室芯片制造场所内,其气流为稳定的层流,如此可将人员、机台等所产生的微尘带 FwV5{-(  
        离。若为紊流,则微尘将滞流不去。因此在无尘室内机台的布置及人员的动作都以 V#+M lN  
p'kB1)~|  
257) Void 孔洞 #Cb~-2:+7  
  是一种材料缺陷,会影响材料的致密性,从而影响强度。 [5PQrf~Mo  
/~{ fPS  
258) Wafer  硅片 m'KEN<)s  
  硅晶圆材料(Wafer)是半导体晶圆厂(Fab)内用来生产硅芯片的材料,依面积大小而有三寸、四寸、五寸、六寸、八寸、十二寸(直径)等规格之分。一根八寸硅晶棒重量约一百二十公斤,切割成一片片的八寸晶圆后,送至八寸晶圆厂内制造芯片电路(Die),这些芯片电路再经封装测试等程序,便成为市面上一颗颗的IC。但因硅晶棒所切割出的晶圆片中,品质较好 者,称为生产晶圆(Prime Wafer),更高级者称为磊晶圆(Epi-Wafer),上述晶圆几乎都集中在硅晶圆棒的「中间」一段,头、尾两端所切割出的晶圆,出现瑕疵的比例较高,大多用做非生产用途,称为测试晶圆(共有Test WaferDummy WaferMonitor Wafer等不等名称), 一片测试晶圆的售价大约是生产晶圆的五成至六成。 .7HEI;4  
*|,ye5"  
259) Wafer Transfer System硅片传送系统 K_Kz8qV.?  
       用以实现硅片传送的系统。如硅片的进出炉系统、硅片在cassetteboatcassettechamber间的传送系统等等。 h^f?rWD:nz  
260) WELL/Tank井区 })?KpYk  
       WELL即井区。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶体),常作两型(NP)相接的方式,即CMOS技术。此时为区分这两种不同型的MOSFET,就须先扩散两个不同型的区域于IC中。此种区域即称为WELL区。 3 jghV?I{T  
261) Wet Oxidation  湿式氧化 # ';b>J  
  一种热氧化的方式,其反应机理为: **]=!W  
2H2+O2=2H2O CpU y~  
2H2O+Si=SiO2+2H2 C_ W%]8u  
温度:875---1100 gWl49'S>+  
特点: 生长速率快,但所生成SiO2的质量不好适用于Field oxide          :m0 pm@  
262) Work Function  功函数 i'`>YX  
       功函数:让电子脱离金属原子的临界能量 +;a\ gF^  
如果一个能量为EF的金属价电子要脱离金属原子而成为自由电子,它至少获得W-EF的能量,这个能量就是我们所说的功函数。 ${tBu#$-d  
/BrbP7  
263) Yield  良率 |H%,>r`9S  
      即合格率,合格的产品占总产品的比例。 CtHsi8m  
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