半导体术语解释 (三)

发布:探针台 2020-01-09 11:21 阅读:4226
77) Evaporation 蒸镀 E RMh% C  
       将我们的蒸镀源放在坩埚里加热,当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时,原本处于固态的蒸镀源的蒸发能力将特别强,利用这些被蒸发出来的蒸镀源原子,我们在其上方不远处的芯片表面上,进行薄膜沉积。我们将这种方法叫蒸镀 $x2<D :  
0cS.|\ZTA  
3}T&|@*  
78) Exposure曝光 Viw{<VH=  
          其意表略同于照相机底片的感光 75v*&-  
          在基集成电路的制造过程中,定义出精细的光阻图形为其中重要的步骤,以运用最广的5X Stepper为例,其方式为以对紫外线敏感的光阻膜作为类似照相机底片,光罩上则有我们所设计的各种图形,以特殊波长光线(G-LINE 436NM)照射光罩后,经过缩小镜片(Reduction Lens)光罩上的图形则呈5倍缩小后,精确地定义在底片上(芯片上的光阻膜) {u5)zVYC,U  
           经过显影后,即可将照到光(正光阻)的光阻显掉,而得到我们想要的各种精细图形,以作为蚀刻或离子植入用。 Nv ew^c)x  
因光阻对于某特定波长的光线特别敏感,故在黄光室中,找将一切照明光源过滤成黄色,以避免泛白光源中含有对光阻有感光能力的波长成份在,这一点各相关人员应特别注意,否则会发生光线污染现象,而扰乱精细的光阻图形。 q&W#nWBV  
79) Extraction Electrode 萃取电极 mV4} -  
hi ]+D= S  
80) Fab 晶圆厂 };KmMpBn  
        Fabrication"装配""制造"之意,与Manufacture意思一样。半导体制造程序,其步骤繁多,且制程复杂,需要有非常精密的设备和细心的作业,才能达到无缺点的品质。FABFabrication的缩写,指的是"工厂"之意。我们常称FAB"晶圆区",例如:进去"FAB"之前须穿上防尘衣。 rB7(&(n>^  
81) Faraday Cup 法拉第杯 <Jvr mm[  
是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置。 >5N}ZIN  
82) Field Oxide 场氧化层 )1i)I?m  
      Field直译的意思是。如运动场,足球场和武道场等的场都叫做Field。它的涵义就是一个有专门用途的区域。 /y-P) 3_  
     IC内部结构中,有一区域是隔离电场的地方,通常介于两个MOS晶体管之间,称为场区。场区之上大部份会长一层厚的氧化层 'x18F#g  
                 \Lc]6?,R  
83) Filament 灯丝 :c.i Z  
在离子植入机的离子源反应室里用来产生电子以解离气体用。通常采用钨、钽及钼等高温金属。利用直流电的加热,使灯丝表面释放出所谓热离化电子 yT,UM^'  
84) Filtration过滤 +,KuYa{lu  
        用过滤器(FILTER,为一半透明膜折迭而成)将液体或气体中的杂质给过滤掉,此称为Filtration(过滤)故IC制造业对洁净度的要求是非常的严,故各种使用的液体或气体(包括大气)必须借着过滤以达到洁净的要求。 >AfJxdd1  
待过滤的液体及气体能经过过滤器且成功地将杂质挡下,必须借着一个pump制造压差来完成,如何选择一组恰当的过滤器及PUMP是首要的课题。 {6AJ>}3  
85) Fixed Oxide Charge 固定氧化层电荷 K:{Q~+   
      位于离Si-SiO2接口30Å的氧化层内,通常为正电荷。与氧化条件、退火条件及硅表面方 n/ 8fv~zU  
向有关。 Gs9jX/ #  
86) Foundry客户委托加工 +HcH]D;  
       客户委托加工主要是接受客户委托,生产客户自有权利的产品,也就是客户提供光罩,由联华来生产制造,在将成品出售给客户,只收取代工费用,这种纯粹代工,不涉及销售的方式在国际间较通常的称呼就叫硅代工(Silicon Foundry)。 D0-e,)G}V,  
87) Four Point Probe四点测针 0b|!S/*A3  
         是量测芯片片阻值(Sheet Resistance)Rs的仪器
3 (<!pA  
k+i=0 P0mf  
       其原理如下:  K A<  
上图ABCD四针,AD间通以电流IBC两针量取电压差(ΔV),则   Gm%[@7-  
  Rs = KΔV/ I ^:q(ksssY  
   K是比例常数,和机台及针尖距离有关 ILpB:g  
88) FTIR傅氏转换红外线光谱分析仪 !bY{T#i)k  
FTIR乃利用红外线光谱经傅利叶转换进而分析杂质浓度的光谱分析仪器。 jc?Hip'  
     己发展成熟,可 Routine应用者,计有: f9 rToH  
          a. BPSG/PSG的含磷、含硼量预测。 Y#m0/1-  
          b. 芯片的含氧、含碳量预测 b9vKux  
          c. 磊晶的厚度量测 C6Mb(&  
          发展中需进一步Setup者有:  z/ i3  
          a. 氮化硅中氢含量预测 fvx0]of  
          b. 复晶硅中含氧量预测 b6i0_fOO  
          c. 光阻特性分析 }I;W  
          FTIR为一极便利的分析仪器,STD的建立为整个量测的重点,由于其中多利用光学原理,芯片状况( i.e.晶背处理状况)对量测结果影响至巨 +X&B'  
89) Gas Cabinet 气体储柜 qd.b&i  
       储存气体钢瓶的柜子,一般是处于负压状态,防止气体泄露到外部。  O{4m-;  
90) Gate 闸极 l5MxJ>?4%B  
91) Gate Valve闸阀 q@\D5F% >  
         用来控制气体压力的控制装置。 }FK6o 6  
通常闸阀开启愈大,气体于反应室内呈现的压力较低,反之,开启愈小,压力较高。 f+1]#"9i|  
92) Gate Oxide 闸极氧化层 UO&S6M]v7  
93) GOI Gate Oxide Integrity)闸极氧化层完整性 7~65@&P>  
半导体组件中,闸极氧化层的完整与否,关系着电容上电荷的存放能力,故需设计一适当流程,其主要目的在测闸极氧化层的崩溃电压 (breakdown voltage)、有效氧化层厚度等,以模拟闸极氧化层的品质及可信赖度,通常即以此崩溃电压值表示GOI的优劣程度 IFE C_F>  
94) Gettering 吸附 4*54"[9Hr#  
           Gate OxideMOSFET(金氧半场效晶体管)中,相当重要的闸极之下的氧化层。此氧化层厚度较薄,且品质要求也较严格 -{w&ya4X  
       "Gettering"--系于半导休制程中,由于可能受到晶格缺陷"(Crystal Defect) 或金属类杂质污染等的影响,造成组件接口之间可能有漏电流 (Junction Leakage)存在,而影响组件特性;如何将这些晶格缺陷、金属杂质摒除解决的种种技术上做法,就叫做 "Gettering"(吸附),吸附一般又可分"内部的吸附°Intrinsic Gettering。及"外部的吸附"Extrinsic Gettering khIh<-s!  
前者系在下线制造之前先利用特殊高温步让谋晶圆表面的「晶格缺陷或含氧量」尽量降低。 kSJWQ  
后者系利用外在方法如:晶背伤言、磷化物(POCL3)预置ETC将晶圆表面的缺陷及杂质等尽量吸附到晶圆背面。二者均可有效改善上述问题。 _A,m@BCz  
95) Grain Size颗粒大小 h8h4)>:  
         直译为颗粒大小。一种晶体材料形成后,从微观的角度来看,材料都是一大堆颗粒累迭在一起而成。这些颗粒有大有小,尺寸不一。而且材料的特性也会因为颗粒大小而变化,故常要注意其大小变化 |hpm|eZG"h  
96) GRR Study Gauge Repeatability and Reproducibility量测仪器重复性与再现 Qj=l OhM  
  性的研究 hsl8@=_ B  
zso.?`85  
         将量测仪器的重复性一仪器本身的变异,再现性--操作人本身的变异,用统计的方法算出,以判断量测仪器是否符合制程参数控制的需要 55;xAsG  
}Orc;_)r  
97) HEPA高效率过滤器 1S=I(n?E  
         HEPA (High  Efficiency Particulate Air Filter) Clean Room内用以滤去微粒的装置,一般以玻璃维制成,可将0.1μm0.3μm以上的微粒滤去99.97﹪,压力损失约   12.5mm-H2O。层流台能保持Class 100以下的洁净度,即靠HEPA达成。目前除层流台使用  HEPA外,其它如烤箱、旋转机,为了达到控制Particle的效果﹒也都装有HEPA的设计。 Y,8M[UIK  
98) H2SO4硫酸 qvt~wJf<  
        Sulfuric Acid 硫酸 H"-p^liw  
         目前最广泛使用的工业化学品。强力腐蚀性,浓稠,油状液体,依纯度不同,由无色至暗棕色,与水以各种不同比例互溶。甚具活性。 x,>=X` T  
         溶解大部份的金属。浓硫酸具氧化,脱水,磺化大部分的有机化合物,常常引起焦黑。比重1.84,沸点315℃。与水混合时,须格外小心,由于放热引起爆炸性的溅泼,永远是将酸加到水中,而非加水至酸中。不小心被溅到,用大量水冲洗。 uwIZzz  
         目前在在线,主要用于SO清洗及光阻去除 c)lK{DC  
99) H3PO4磷酸 Zj}, VB*T  
   Phosphoric Acid 磷酸 A$ S9 `  
    无色无味起泡液体或透明晶形固体。依温度,浓度而定。在20 5075﹪强度为易流动液体,85﹪为似糖浆,100%酸为晶体。比重1.834,熔点42.35℃。在213﹪失去Y2H2O,形成焦磷酸。 E:i3 /Ep?  
   溶于水,乙醇,腐蚀铁及合金。对皮肤,眼睛有剌激性,不小心被溅到,可用水冲洗。 sFGXW  
   目前磷酸用于SI3N4的去除,浓度是85﹪,沸点156℃,SI3N4 SIO2的蚀刻比约为30:1 9<Bf5d   
100) HCl氯化氢(盐酸) v/^2K,[0>  
   Hydrochloric Acid盐酸。 R~tv?hP  
    无色或淡黄色,发烟,剌激性液体。氯化氢的水溶液。盐酸是一种强烈酸性及高腐蚀性酸。市面出售的"浓或发烟酸含有氯化氢38%,比重1.19 >g F  
    氯化氢溶解在水中有各种不同的浓度。可溶于水,酒精,苯,不可燃。用途广泛。可用于食品加工,金属的酸洗与清洁,工业酸化,一般的清洗,实验试药。 fkx 9I m4  
    不小心被溅到,用大量水冲洗。目前在线,主要用于RCA清洗 <oR Nd3d  
101) Hillocks 小凸起 H,uOshR  
金属溅镀后为使金属与硅基(Si-Substrate) 有良好的欧姆式接触需先经融合过程。在融合过程中因铝与硅的热膨胀系数不同,(铝将会膨胀较快),而造成部份的铝无法向外扩张只得向上膨胀造成小山丘状的凸起物Hillock O" z=+79q  
102) HNO3硝酸 J|I|3h<T  
        Nitric Acid硝酸 ~gV|_G  
         透明,无色或微黄色,发烟,易吸湿的腐蚀性液体,能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮,为强氧化剂,可与水混合,沸点78℃,比重1.504 SKYS6b  
         对皮肤有腐蚀性,为强氧化剂,与有机物接触有起火危险。 Fc nR}TE  
  清洗炉管用。 xi.;`Q^#  
103) Hot electron热电子: 3)T5}_  
以加强型NMOS为例,当MOS管的通道长度变短,通道内的横向电场将增加,这使通道内的电子因电场加速所获得的能量上升,尤其是在通道与漏极相接的附近,电子的能量很高。 因为这些电子的能量比其它尚处在在热平衡状态的电子要高,所以称为热电子。所以漏极附近的电子便有机会被这些热电子撞击而提升至导带,而产生许多的电子-电洞。 9(H8MUF0{  
104) Hot Electron Effect热电子效应 lh5k@\X  
       VLSI的时代 Short Channel Device势在必行,而目前一般 Circuit应用上又未打算更改Supply Voltage;如此一来,Vg = Vds  = 5V情况下,将造成Impact Ionization(撞击游离化)现象发生于Drain 邻近区域。伴随而生的Electron-Hole pairs(电子电洞对),绝大部份经由Drain (Electrons) or Sub. (Holes)导流掉。 但基于统计观点,总会有少部份Electronsi. e. Hot-Electrons)所具Energy,足以克服Si-SiO2 Barrier Height (能障),而射入SiO2 且深陷(Trap)其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结,而形成Interface TrapSi-SiO2界面。不论遵循上述二者之任一,均将导致NMOS Performance的退化(Degradation)现象。 ."h;H^5  
105) HPMhydrochloric acid hydrogen peroxidemixture XL"e<P;t  
HCl+H2O2+DI Water混合液体的简称,常用来去除移动金属离子。 i=SX_#b^  
106) HF |g7E*1Ie  
Hydrofluoric Acid 氢氟酸,常用来去除氧化层的清洗制程。 Ru sa &#[  
107) IC (Integrated Circuit )集成电路 =,(Ba'  
        集成电路是一九五八年由美国的德卅仪器公司所发明的。它是将一个完整的电子电路处理在一块小小的硅芯片上,然后再以金属联机与外在引线相接,外加陶瓷或塑料包装的装置,由于它能将原本需要许多零件的电子电路集中缩小,因此被称为集成电路。它具备优于传统电子电路的三个特性:体积小、价廉、可靠。 7#<|``]zNf  
  依照其集积化的程度可区分为小型(SSI)、中型(MSI)、大型(LSI)、超大型(VLSI)集成电路 MLp5Y\8*  
108) Implant离子植入 xxedezNko  
        离子注入:将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术,掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定,掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定 "PlM{ZI\  
Ø 掺杂的均匀性好 n'R 8nn6^  
Ø 温度低:小于600 CwT52+Jb  
Ø 可以精确控制杂质分布 FS']3uJ/  
Ø 可以注入各种各样的元素 ?C4a,%  
Ø 横向扩展比扩散要小得多。 "cti(0F-d  
Ø 可以对化合物半导体进行掺杂 'r'uR5jR  
109) Inter-Layer Dielectrics 内层介电材料 *Fq Nzly  
简称ILD,指第一层金属层与Si底材之间的介电层,我们常用的是BPSG. qC]D9 A  
110) Impurity杂质 m6JIq}CMb  
纯粹的硅是金刚石结构,在室温下不易导电。(如图一)。 45_zO#  
这时如加入一些B11 As75取代硅的位置,就会产生"电洞"载子",加以偏压后就可轻易导电。加入的东西即称为杂质。(图二,图三) .&L#%C  
图一 矿石结构 sSvQatwS  
   Si    Si %5uuB4P&|$  
                |    | 8T1`TGSFC  
         Si — Si — Si rb9 x||  
                | /.}&yRR  
                  Si ^^)Pv#[3  
1 iE  
图二 电洞 [y'jz~9c  
        Si    Si RJGf@am&  
            Ο    | :yO)g]KF  
      Si — B11 — Si 8XTVpf4  
             | :k JSu{p  
            Si =n$,Vv4A  
*%g*Np_P  
图三 E|ZY2&J`4  
            Si    Si *BSL=8G{  
             |    | `< VoZ/v  
      Si — As75 — Si mWO=(}Fb\  
             | • \24neD4cM@  
            Si     載子 CjIkRa@!x  
111) Intrinsic Stress 内应力 |~'{ [?a*  
      材质的缺陷与施加与物体的外力,是两个构成物体受应力的主要来源,前者就称为内应(Intrinsic Stress),后者则称为外应力(Extrinsic Stress, Intrinsic Stress是薄膜产生龟裂的主要原因,它又分为拉伸应力(Tensile Stress)和挤压应力(Compressive Stress)两种。 :p OX,  
112) Ion Implanter 离子植入机 ZfMJU  
113) Ion Source 离子源 -V<i4X<|,+  
       离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分,主要由Arc Chamber ,Filament组成,杂质气 Z\NC+{7k]  
体或固体通入Arc Chamber,由Filament产生的电子进行解离而产生离子。 ^k t#[N  
114) IPA 异丙醇 ex&&7$CXc  
       Isopropyl Alcohol的简称,在半导体制造中,用来作为清洗溶剂,常用来擦拭机台操 wF$8#=  
作面板等,也作为SOG等化学液体的溶剂。 4VD'<`R[  
115) Isotropic Etching等向性蚀刻 ,K8PumM_  
        在蚀刻反应中,除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图),此种蚀刻即称之为等向性蚀刻,一般化学湿蚀刻多发生此种现象。 ]'DtuT?Z  
         干式蚀刻,其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic),即可得到较陡的图形(见右图) s[8<@I*u  
_av%`bb&z9  
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