SEM（扫描电子显微镜）

HNMBXXf,B  
SEM扫描电子显微镜目前已经广泛应用于分析样品表面形貌，且先进的FE-SEM(场发射扫描电镜)可轻易达到30万倍的放大倍数。 ?Aw3lH#:  
SEM的高能聚焦电子束扫描样品表面时，被激发的区域会产生二次电子。这些二次电子被收集起来转化为电信号，最终以图像的形式呈现出样品表面形貌。 kzi|$Gs<  
配备了EDX的SEM还可以进行元素成份分析，适用于确定材料组成成份、污染物鉴定以及分析样品表面元素的相对浓度。双束聚焦离子束系统融合了FIB和SEM，在进行高精度切割的同时又可以进行SEM成像，是一种非常强大的分析工具。

优势	局限
6~@5X}^<0   - 优良的空间分辨率 /qXzOd   - 可以与FIB和EDX整合在同一个系统中 EfKntrom[   - 易于操作且分析快速	OX3Xy7   - 样品需要适合放入高真空中 ? s4oDi|:   - 导电性弱的样品容易在样品表面产生荷电效应

X6kaL3L}  
TQ-KkH}y  
fIkT"?  
铜纳米孪晶分析 OjATSmZ@@  
JqEb;NiP)5  
XhA4:t  
主要特点: D|TR!  
26PD[af64O  

• 专利的TriBETM技术具有二个BSE探测器，位于镜筒内部的In-Beam BSE探测器接受高角背散射电子和样品室的BSE探测器用于探测大角度范围的背散射电子。二者结合，可以提供各种不同衬度的图像。
• 专利的TriSETM技术具有二个SE探测器，位于镜筒内部的In-Beam SE探测器用于超高分辨成像。In-Chamber SE探测器能提供最佳的形貌衬度。
• 电子束减速技术(BDT)包括了电子束减速模式（BDM），以及在这个模式下可同步获取二次电子和背散射电子信号的高质量的透镜内探头。在电子束减速模式下，通过加在样品台上的负偏压使得电子束在作用到样品表面前降低能量。最低的着陆电压可以降低到50eV。低电压成像可以有效减少在观察不导电样品成像时出现的放电效应，也有利于对那些电子束敏感样品和未喷镀处理的样品的观察。在这个模式下，可以达到对于表面形貌及成分衬度分析的极限分辨率。
• 新的肖特基场发射电子枪能使电子束流高达400nA并能实现电子束能量的快速改变，可以满足EDX,EBSD,阴极荧光等分析的需要。

})7K S?  

分析能力	应用领域
|j# ^@R   - 能量色散X射线能谱（EDS/EDX），Oxford Instruments X-MaxN 硅漂移检测器（SDD），80mm2探测器尺寸。	-0DZ::   - 材料科学  MAIA3 在低电压下有着很好的分辨率，对纳米材料的表征有着极大的优势。尤其适合各种敏感材料和不导电材料（如陶瓷，聚合物，玻璃，纤维等）。 {AgBwBCE   - 半导体，光电和太阳能电池    MAIA3  能被高效地应用于半导体工业的失效分析中（集成电路，半导体超薄切片检测，太阳能电池，纳米传感器等）。 vJThU$s-   - 光刻  MAIA3  非常适合在高能电子束下很容易受到损伤的光刻胶的成像。 e~ BJvZ}Q   - 生命科学 MAIA3 低电压下拥有超高分辨率，能不需要镀导电膜进行样品在原始状态下的观察。

7LdzZS0OM  
)_Iz>)  
'!@A}&]  
I>hmbBlDv  
r?$&Z^  
^U{P3%uZ  
t= *Jg/$  
iAHZ0Du  
uMpl#N p