FIB线路修补

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线路修补是IC设计业不可或缺且越来越重要的一项服务。迅速的回货速度与高的施工良率是解决客户IC设计实验问题的关键。 unFRfec{  
技术原理 GmB&TDm  
FIB是利用金属镓(Ga, 原子序31)作为离子源。利用加在Extractor的负电场将镓原子由针尖端牵引出，形成镓离子束。离子束透过电透镜聚焦，经过一连串变化孔径 (Automatic Variable Aperture, AVA)可决定离子束的大小。最后离子束再经过第二次聚焦至试片表面。因为镓原子位于周期表中间的位置，使用它来撞击其它元素原子所造成的移除效果远远大于电子。因此，可以利用离子束对试片表面进行特定图案的加工。一般SB-FIB可以提供材料切割、沉积金属、蚀刻金属和选择性蚀刻氧化层等功能，达到电路修补的需求。藉由气体辅助蚀刻系统的帮助，不但可以提高不同材料的蚀刻选择比与蚀刻速率，并可直接进行特定材料的沉积。目前SB-FIB机台的辅助蚀刻气体可应用于提高聚合物、金属(Al & Cu)与氧化物的蚀刻率。而辅助沉积气体的种类则有铂 (Pt)，钨 (W) 与氧化矽 (TEOS)。 X9Ch(nWX  
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SB-FIB如果结合场发射式电子显微镜(即Dual Beam FIB, DB-FIB)即可进行即时横截面观测。有业界最新FIB系统，可以满足客户做产品故障分析的多元需求，再搭配具有专业技术与经验丰富的人员，提供您准确、精确、效率、有效的产品故障快速分析服务。 sQ}|Lu9hZ  
分析应用 * 1;4&/93o  
虽然FIB与扫描式电子显微镜(SEM)和穿透式电子显微镜(TEM)被发明的时期相同，在1950年代以前，FIB都被使用在研究开发相关的领域，直到1993年才开始被使用在IC商品的失效分析应用上，尤其在科技工业上被大量应用在特定缺陷样品位置的定点切割，用以提供SEM和TEM的样品制备…等。此外SB-FIB配合气体辅助蚀刻系统，更广泛的应用在半导体积体电路的线路修补，节省大量产品侦错和缩短更改光罩的时间。 &gp&i?%X9b  
有多种FIB机台(SB/DB)可提供选择，协助我们的客户享受更有效率及有效的服务。为提供最好的服务品质及多样化的服务项目，每年持续投资购买许多最新的仪器设备，服务内容包含IC线路修补的金属层切割，拉线和探针垫层(Probing Pad)的制作，无铅制程中锡须的精密切割，锡铅焊点可靠性失效横截面故障分析，完整的铜制程横截面结构观察，以及提供许多更先进的IC制程技术的分析服务。 V;%ug'j  
定点切割 (Precision Cutting) N\PdX$  
穿透式电子显微镜试片制作 (TEM Sample Preparation) t%Jk3W/f  
IC线路修补和布局验证 (IC Circuit Editing and Verification) &+#5gii1i  
制程上异常观察分析 (Abnormal Process Analysis) -hXKCb4YU  
晶相特性观察分析 (Ion Channeling Contrast for Grain Morphology Observation) T<B}Z11R  
GDS自动导航线路定位 (Auto-Navigation to Designated Failure Address) \\k=N(n  
故障位置定位用被动电压反差分析 (Passive Voltage Contrast Analysis for Fault Isolation)