离子刻蚀RIE干法刻蚀

主要用途 |du@iA]dP  
g\&[;v i  
器件表面图形的刻蚀。 e{8z1t20:  
}fnp}L  
性能参数 Vu '/o[nF>  
U'zW; Lt  
a)可实现各向异性刻蚀，工艺稳定，重复性好； iph>"b$D
 
naCPSsei  
b)射频功率源：600瓦，频率13.56MHz； `m?%{ \  
IbC(/i#%`  
c)刻蚀时间可调范围：10s-1800s Ed,`1+
 
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d) SCE5|3j  
配置3路MFC L+Yn}"gIs  
!s#25}9zX5  
tWQ_.,ld  
应用范围 LziEF-_  
VTySKY+  
对Si、 Poly-Si、 SiO2、 Si3N4、 PI、 Ti、 Ta、 Mo等物质进行各项异性刻蚀后的观察。