切点分析线路修改FIB

主要用途 lyCW=nc  
:Q+5,v-c  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 _= #zc4U  
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t6c<kIQ:-O  
性能参数 o;b0m;~   
)Qm[[pnj  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV uS&|"*pR  
}FF W|f  
                - 离子束：500V~30kV B= keBO](@  
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b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV 8+mH:
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 s95vK7I  
              - 离子束：2.5nm/30kV ]4+s$rG  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 UN"(5a8.  
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应用范围 (h']a!  
q.Nweu!jQ  
1.定点切割 .^)UO  
n6F/Ac:  
2.穿透式电子显微镜试片 R~bC,`Bh  
"QoQ4r<|  
3.IC线路修补和布局验证 [nxE)D  
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4.制程上异常观察分析 {f9{8-W<u  
.s/fhk,  
5.晶相特性观察分析 wPbkUVO  
X5YiFLH>y\  
6.故障位置定位用被动电压反差分析