常用芯片分析方法

FIB X光probe；RIE；EMMI；decap；IV >(.Y%$9"E  
1.OM 显微镜观测，外观分析 \L`x![$~q  
2.C-SAM（超声波扫描显微镜） _dmG#_1  
（1）材料内部的晶格结构，杂质颗粒，夹杂物，沉淀物， ]2 $T 6  
（2） 内部裂纹。 （3）分层缺陷。（4）空洞，气泡，空隙等。 G*jq5_6  
3. X－Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性，PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接，开路、短路或不正常连接的缺陷，封装中的锡球完整性。（这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段） n{&;@mgI  
4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪（材料结构分析/缺陷观察，元素组成常规微区分析，精确测量元器件尺寸） b*/Mco 9O  
5.取die，开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除，使被检样品内部结构暴露。 `zB bB^\`W  
6. EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测（这三者属于常用漏电流路径分析手段，寻找发热点，LC要借助探针台，示波器）  1'F!C  
7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定，以方便后续实验进行 ]Qa|9G,b  
8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层，使被检样品下层金属暴露，如需去除金属层观察下层结构，可利用研磨机进行研磨去层。 vVrM[0*c  
9. FIB做一些电路修改，切点观察 eTay/i<-  
10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。 sZEa8  
11. ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试（有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试，有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验）这些已经提到了多数常用手段。 \9uK^oS  
除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段，原子力显微镜AFM ，二次离子质谱 SIMS，飞行时间质谱TOF － SIMS ，透射电镜TEM ， 场发射电镜，场发射扫描俄歇探针， X 光电子能谱XPS ，L-I-V测试系统，能量损失 X 光微区分析系统等很多手段，不过这些项目不是很常用。 B|,d  
1 -C~C]&  
国软检测，智能产品检测实验室于2015年底实施建设，共360多平方米。拥有20多套智能产品专用检测仪器与工具。目前有专业检测人员10余名，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑的全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。