[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 jUj<~:Q}3o  
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一. 半导体激光器的基本结构 "I;C;}
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•1.半导体双异质结构 CV$],BM  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) j4FeSGa  
•3. 侧模控制(基侧模) -K(fh#<6KO  
•4.横模控制 d;Hn#2C  
•5. 动态单模半导体激光器 &"_u}I&\  
•6. 波长可调谐半导体激光器 rOW-0B+N  
•7.长波长VCSEL的进展 JB</euyV  
•8.微腔激光器和光子晶体 dAP|:&y@  
•9.半导体激光器材料的选择 nqR?l4 DX  
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二.半导体光波导 -Z4{;I[Q@  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模  6,1b=2G  
•2. 光限制因子和模式增益 {^{p,9  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 NT%W;)6m9  
•4. 半导体激光器镜面反射系数  gB\T[RV  
•5. DFB激光器的藕合模理论 \&V0vN1  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 h:XzUxL\  
•7. 等效折射率近似 |5I'CNi\  
•8. 数值模拟 jO9ip  
/Y[~-Y+!,  
三.半导体中的光跃迁和增益 HQ9f,<  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 GZ!|}$8  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Zn:R PMk*  
•3.简约态密度及增益谱 kH*Pn'  
•4.模式的自发辐射速率 Jxf~&!zR  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8T;IZ(s  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Gy1xG.yM~  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ?!w^`D0}o  
{"*VU3%q  
四. 速率方程和动态效应 ,O1O8TwUB0  
•1．单模速率方程及基本物理量 F}J-gZl  
•2．稳态输出 Uu6L~iB  
•3. 共振频率和3dB带宽 LL!.c  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 va/m~k|i  
•5. 开启延迟时间 U]qav
,^[  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 \u`)kJ5o1  
•7. 自发辐射引起的噪声 LW#M@  
•8. 相对强度噪声 %v5R#14[n  
•9. 模式线宽 #LcrI  
•10. 多模速率方程 JGiKBm;  
y<W8Q<9  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Xog/O i  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,p{`pma  
3.激光器寿命 p\wJ
D1s  
4.激光器阈值电流的温度特性 \^+ILYO:$  
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