[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ]XX9.Xh=-  
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一. 半导体激光器的基本结构 "A\.`*6  
•1.半导体双异质结构 IoUQ~JviA  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "o"ujQ
(v  
•3. 侧模控制(基侧模) rz/^_dV  
•4.横模控制 a|aRUxa0"  
•5. 动态单模半导体激光器 R1$O)A}k  
•6. 波长可调谐半导体激光器 F-K=Otj  
•7.长波长VCSEL的进展 022nn-~  
•8.微腔激光器和光子晶体 l-|hvv5g  
•9.半导体激光器材料的选择 [>+}2-#  
m?LnO5Vs  
二.半导体光波导 $v|/*1S  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 L%4[,Rsw  
•2. 光限制因子和模式增益 N$#518  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 %tx~CD  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 R1.No_`PHq  
•5. DFB激光器的藕合模理论 pbg[\UJyd  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 /B>p.%M[&  
•7. 等效折射率近似 (Uk1Rt*h  
•8. 数值模拟 !=%E&e]  
UG)J4ZX  
三.半导体中的光跃迁和增益 |.kYomJ   
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ki/xo^Y2<  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 YbS$D  
•3.简约态密度及增益谱 2de[ yz  
•4.模式的自发辐射速率 #'"zyidu  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 GJlkEWs  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 BN!N_r  
•7.增益谱峰值的近似表达式 }9Yd[`  
eK]g FXk  
四. 速率方程和动态效应 gcLwQ-  
•1．单模速率方程及基本物理量 Twscc"mK  
•2．稳态输出 77y_?di^I  
•3. 共振频率和3dB带宽 :=J~t@  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 -mD<8v[F  
•5. 开启延迟时间 CE :x;!}cd  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Yt^<^l77D  
•7. 自发辐射引起的噪声 'n'83d)z  
•8. 相对强度噪声 v=n'#:k  
•9. 模式线宽 b-sbRR  
•10. 多模速率方程 v9Kx`{1L  
OC)~psQK  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 OGmOk>_  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 <hG=0Zcr  
3.激光器寿命 UdBP2lGd  
4.激光器阈值电流的温度特性 \SB~rz"A  
w&6c`az8  
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