[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ?yjg\S?L  
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一. 半导体激光器的基本结构 U _A'/p^D  
•1.半导体双异质结构 1Dhe! n#  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) xFThs,w  
•3. 侧模控制(基侧模) z a_0-G%C2  
•4.横模控制 eHs38X  
•5. 动态单模半导体激光器 +2eri_p  
•6. 波长可调谐半导体激光器 NrXIaN  
•7.长波长VCSEL的进展 \ILNx^$EL  
•8.微腔激光器和光子晶体 '&,p>aM  
•9.半导体激光器材料的选择 Da8gOZ  
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二.半导体光波导 6la'\l#  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 yFmy  
•2. 光限制因子和模式增益 qyVARy  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 )7+z/y+[n  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 2(~Zl\  
•5. DFB激光器的藕合模理论 H{N},B  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 -R]~kGa6m<  
•7. 等效折射率近似 H? z~V-8  
•8. 数值模拟 FCwE/ 2,  
k=9+"4:  
三.半导体中的光跃迁和增益 WFk%nO/  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 0nD?X+u  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 -?1R l:rM  
•3.简约态密度及增益谱 ST[TKL<]  
•4.模式的自发辐射速率 dwUDhQt3Q  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 gXs9qY%=  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1fIx@  
•7.增益谱峰值的近似表达式 "HqmS  
Q=DMfJ"  
四. 速率方程和动态效应 RR+kjK?  
•1．单模速率方程及基本物理量 z3L=K9)  
•2．稳态输出 Pn9;&`t  
•3. 共振频率和3dB带宽 D~i5E9s5  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 H$
WD7/?j  
•5. 开启延迟时间 2-
Q5l*  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 W(Sni[c{  
•7. 自发辐射引起的噪声 jz=
V*p}6  
•8. 相对强度噪声 LdO
me[C1  
•9. 模式线宽 Vfk"}k/do  
•10. 多模速率方程 C_q2bI  
q&9]4j  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 SKNHLE}  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ?#&[1.= u  
3.激光器寿命 4 Cd5-I  
4.激光器阈值电流的温度特性 `~VL&o1>  
3[_WTwX0  
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