半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 :4gLjzL
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一. 半导体激光器的基本结构 "=/ f$Xf
•1.半导体双异质结构 &opd2
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) R(Kk{c:-@
•3. 侧模控制(基侧模) 5ExDB6Bx@y
•4.横模控制 SQ*k =4*r
•5. 动态单模半导体激光器 Q]/Uq~m C
•6. 波长可调谐半导体激光器 V5F%_,No
•7.长波长VCSEL的进展 8;14Q7,S
•8.微腔激光器和光子晶体 =ONHKF[UJ
•9.半导体激光器材料的选择 PQN@JaD
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二.半导体光波导 <S75($
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 !k3e\v|
•2. 光限制因子和模式增益 M$4[)6Y
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7JJ/D4uT
•4. 半导体激光器镜面反射系数 &fa5laJb
•5. DFB激光器的藕合模理论 J(4"S o_
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 $j}OB6^I
•7. 等效折射率近似 j^tW
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•8. 数值模拟 C)'q
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三.半导体中的光跃迁和增益 7{@l%jx][
•1. 费米分布函数及跃迁速率 uDw.|B2ui
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 1NQbl+w#I
•3.简约态密度及增益谱 4(6b(]G'#
•4.模式的自发辐射速率 zmj"fN{\
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 NA3\
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 k3?rp`V1
•7.增益谱峰值的近似表达式 tGA :[SP
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四. 速率方程和动态效应 qy)_wM
•1.单模速率方程及基本物理量 qyC=(v
•2.稳态输出 D8&`R
•3. 共振频率和3dB带宽 #U8rO;$
•4. 载流子输运效应对带宽影响 <f CKUc
•5. 开启延迟时间 J^R=dT!
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 0Wa}<]:^
•7. 自发辐射引起的噪声 d8-A*W[
•8. 相对强度噪声 98=wnWX6$
•9. 模式线宽 H~ZV*[A`
•10. 多模速率方程 akw,P$i
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 }_=eT]
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 )i+2X5B`S
3.激光器寿命 ljl^ GFo
4.激光器阈值电流的温度特性 3(C\.oRc
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