[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 &=w|vB)(p  
~ =.CTm]vf  
一. 半导体激光器的基本结构 sBjXE>_#)  
•1.半导体双异质结构 SGf9U^ds  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) fPQ|e"?  
•3. 侧模控制(基侧模) #x)}29%e#  
•4.横模控制 Jt=>-Spj  
•5. 动态单模半导体激光器 UxqWnHH.`  
•6. 波长可调谐半导体激光器 +V
Ob  
•7.长波长VCSEL的进展 &9P<qU^N)  
•8.微腔激光器和光子晶体 /$`;r2LG  
•9.半导体激光器材料的选择 SMO*({/  
TA;,>f*  
二.半导体光波导 j%xBo:
 
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 9k`~x1Y)  
•2. 光限制因子和模式增益 qx%jAs+~  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ]P3[.$z  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 <Jwo?[a  
•5. DFB激光器的藕合模理论 ^, wnp@
 
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 yYX :
huw  
•7. 等效折射率近似 K-@bwB7~s  
•8. 数值模拟 TzF0/T!  
{hd-w4"115  
三.半导体中的光跃迁和增益 VO-784I  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 M&e8zS  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 
P9yw&A  
•3.简约态密度及增益谱 qJ Gm8^b-  
•4.模式的自发辐射速率 .<w)Bmh  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 dXZP[K#  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 cjY@Ot*i$  
•7.增益谱峰值的近似表达式 )%#?3X^sI  
;&mxqY8`'  
四. 速率方程和动态效应 O5MDGg   
•1．单模速率方程及基本物理量 j+0.=#{??  
•2．稳态输出 jtLnj@,  
•3. 共振频率和3dB带宽 yBe(^ n  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 @_O3&ZK  
•5. 开启延迟时间 J|?[.h7tO  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 5"2@NL  
•7. 自发辐射引起的噪声 LDX y}hm)  
•8. 相对强度噪声 y:9?P~  
•9. 模式线宽 )52#:27F  
•10. 多模速率方程 gMay  
ua:9`+Dff  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 {X]9^=O"  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Sj1r s#@1  
3.激光器寿命 ^0eO\wc?O  
4.激光器阈值电流的温度特性 sD2Qm  
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