[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 hh:)"<[  
Z.<1,EKi=  
一. 半导体激光器的基本结构 T("Fh}  
•1.半导体双异质结构 QfwGf,0p  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) iCv &<C@  
•3. 侧模控制(基侧模) jX+L
I  
•4.横模控制 7Dm^49H  
•5. 动态单模半导体激光器 ~xvQ?c?-  
•6. 波长可调谐半导体激光器 kAy.o  
•7.长波长VCSEL的进展 1egryp  
•8.微腔激光器和光子晶体 X]y3~|K  
•9.半导体激光器材料的选择 m^]/ /j  
tQ2*kE  
二.半导体光波导 Z$WT ~V  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 `5GJ,*{z  
•2. 光限制因子和模式增益 xZ9y*Gv\=  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 xn}'!S2-b  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 mT-5Ok&TUe  
•5. DFB激光器的藕合模理论 6e~+@S  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟
D4
o?  
•7. 等效折射率近似 \DGm[/P  
•8. 数值模拟 zROyG  
cteHuRd  
三.半导体中的光跃迁和增益 % qAhETZ%  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 DB>>U>H-  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 vBM\W%T|d  
•3.简约态密度及增益谱 <w2Nh eM 3  
•4.模式的自发辐射速率 [$H8?J  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 jv_sRV  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 luC',QJB  
•7.增益谱峰值的近似表达式 d5zzQ]|L  
GD< Afni  
四. 速率方程和动态效应 CT"0"~~  
•1．单模速率方程及基本物理量 f#X`e'1  
•2．稳态输出 R^8Opf_UN  
•3. 共振频率和3dB带宽 Bpk%,*$*)  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 2d1'!B zDA  
•5. 开启延迟时间 KJpM?:  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ASu9c2s  
•7. 自发辐射引起的噪声 m+uh6IqN./  
•8. 相对强度噪声 Ho"FB|e  
•9. 模式线宽 IOmIkx&`GP  
•10. 多模速率方程 cwpDad[Kx  
KrbNo$0%  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 _=}Y lR  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 6xBP72L;%"  
3.激光器寿命 Wa[~)A  
4.激光器阈值电流的温度特性 %8 4<@f&n]  
1p8E!c{}j
 
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