[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 jD&}}:Dj  
a(Gk~vD;"  
一. 半导体激光器的基本结构 o'x_g^ Y  
•1.半导体双异质结构 9`nP
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•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ]pM5?^<~  
•3. 侧模控制(基侧模) >#${.+y  
•4.横模控制 2:smt)f  
•5. 动态单模半导体激光器 !Szgph"ul  
•6. 波长可调谐半导体激光器 x9XGCr  
•7.长波长VCSEL的进展 ~Mg8C9B?%3  
•8.微腔激光器和光子晶体 )w}*PL  
•9.半导体激光器材料的选择 puf;"c6e'  
=y,yQO  
二.半导体光波导 4wM$5  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 [T$$od[.  
•2. 光限制因子和模式增益 S2{ ?W  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 EkfGw/WDw  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 _umO)]Si  
•5. DFB激光器的藕合模理论 1xFhhncf  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 P:zEx]Y%  
•7. 等效折射率近似 .R<s<]  
•8. 数值模拟 PBPJ/puW  
rRA_'t;uK  
三.半导体中的光跃迁和增益 !0d9<SVC  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 skmDsZzw  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 1*x5/b  
•3.简约态密度及增益谱 2Wc;hJ.1  
•4.模式的自发辐射速率 `*uuB;  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ~gzpX,{n  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 nKZRq&~^E  
•7.增益谱峰值的近似表达式 D@YM}HXuj  
^<5^9]x  
四. 速率方程和动态效应 FZ}C;yUPD  
•1．单模速率方程及基本物理量 $fU/9jTa  
•2．稳态输出 R- ?0k:  
•3. 共振频率和3dB带宽 J^<j=a|D  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ;4O;74`Zh  
•5. 开启延迟时间 `rOe5Zp$  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 c_DB^M!h  
•7. 自发辐射引起的噪声 W4] 0qp`\  
•8. 相对强度噪声 Y GcY2p<  
•9. 模式线宽 Ff1M~MhG  
•10. 多模速率方程 cbg3bi  
c,u$tnE)  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 w4&v( m  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,2:L{8_L  
3.激光器寿命 XTn{1[.O  
4.激光器阈值电流的温度特性 ,_X,V!  
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