[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 MaQ`7U5 |e  
XWNDpL`j5  
一. 半导体激光器的基本结构 G'0]m-)dw  
•1.半导体双异质结构 &&er7_Q  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) v dR6y  
•3. 侧模控制(基侧模) QZ^P2==x  
•4.横模控制

)7TuV"  
•5. 动态单模半导体激光器 pG0Ca](  
•6. 波长可调谐半导体激光器 Gp5[H}8
K  
•7.长波长VCSEL的进展 SXx;-Ws  
•8.微腔激光器和光子晶体 6}S1um4 F  
•9.半导体激光器材料的选择 ITf, )?|]Y  
|*[#Iii'  
二.半导体光波导 cBz_L"5vr[  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 _7qGo7bpN  
•2. 光限制因子和模式增益 <QZ X""  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 'awZ-$#  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 vhot-rBN  
•5. DFB激光器的藕合模理论 W\l"_^d*  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 NP< {WL#  
•7. 等效折射率近似 :HTV8;yc  
•8. 数值模拟 ! :XMP*g  
T3#KuiwU9  
三.半导体中的光跃迁和增益 Y[WL}:"93  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 zy!mP  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 c"x-_Uk  
•3.简约态密度及增益谱 %}x$YDO  
•4.模式的自发辐射速率 cJ#|mzup  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 B9(e"cMm  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 PShluhY  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Al1BnFB  
wS%aN@ay3  
四. 速率方程和动态效应 QGI_aU  
•1．单模速率方程及基本物理量 NP?hoqeKs  
•2．稳态输出 lhRo+X#G  
•3. 共振频率和3dB带宽 i!+Wv-  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 #k*P/I~  
•5. 开启延迟时间 %tC3@S  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 i!k5P".o^  
•7. 自发辐射引起的噪声 01;  
•8. 相对强度噪声 \~bx%VWW4  
•9. 模式线宽 Pe<}kS m4  
•10. 多模速率方程 G"&yE.E5  
j\9v1O
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 oM4Q_An  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Jkq?wpYp  
3.激光器寿命 u^NZsuak  
4.激光器阈值电流的温度特性 t3b64J[A{  
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