[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `p^M\!h*O  
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一. 半导体激光器的基本结构 y i@61XI  
•1.半导体双异质结构 <6apv(2a  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &P ;6P4x  
•3. 侧模控制(基侧模) >5 5/@+^  
•4.横模控制 GW $iK@  
•5. 动态单模半导体激光器 k5xirB_  
•6. 波长可调谐半导体激光器 g1J]z<&  
•7.长波长VCSEL的进展 YgWnPp  
•8.微腔激光器和光子晶体 '`o+#\,b^%  
•9.半导体激光器材料的选择 >Ft jrEB  
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二.半导体光波导 DTIy/  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 _F3vC#  
•2. 光限制因子和模式增益 \+Cp<Hv+  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 56':U29.]  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 @pkozE-  
•5. DFB激光器的藕合模理论 'ZDa*9nkF  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 r?V|9B`$p  
•7. 等效折射率近似 Vr0RdO  
•8. 数值模拟 v5$zz w  
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三.半导体中的光跃迁和增益 !E7/:t4  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 |R[m&uOib  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 w|5}V6WD  
•3.简约态密度及增益谱 TOuFFR  
•4.模式的自发辐射速率 ohh 1DsB  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 MoFZ  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /cjf 1Dc  
•7.增益谱峰值的近似表达式 X>wQYIi  
Ql V:8:H$  
四. 速率方程和动态效应 Y|lMa?\E  
•1．单模速率方程及基本物理量 LQQhn{[D  
•2．稳态输出 XnG!
T$  
•3. 共振频率和3dB带宽 n+i}>3'A  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Q%>,5(_V]  
•5. 开启延迟时间 yi%B5KF~Al  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 )t.q[O`  
•7. 自发辐射引起的噪声 >3Y&jsh<  
•8. 相对强度噪声 %Mu dc  
•9. 模式线宽 <St`"H  
•10. 多模速率方程 4i19HD_  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 C'$U1%: j  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 JEd/j zR(  
3.激光器寿命 G dooy~cn  
4.激光器阈值电流的温度特性 bBQp:P?E  
Fq3;7Cq=hD  
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