[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 clG@]<a`_  
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一. 半导体激光器的基本结构 J>l?HK  
•1.半导体双异质结构 +m9ouF  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) (> W\Nf  
•3. 侧模控制(基侧模) C@`rg ILc  
•4.横模控制 LZ34x: ,C  
•5. 动态单模半导体激光器 zmU@ k  
•6. 波长可调谐半导体激光器 =cpUc]~  
•7.长波长VCSEL的进展 }u9#S  
•8.微腔激光器和光子晶体 "(r%`.l=I  
•9.半导体激光器材料的选择 d-3.7nJ:  
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二.半导体光波导 T;G<62`
.h  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Q,K$)bM  
•2. 光限制因子和模式增益 l`uI K.  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 #M
%K82"  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 .TMLg(2hgv  
•5. DFB激光器的藕合模理论 i;rcgd  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 7u{V1_n1  
•7. 等效折射率近似 y8_$YA/g  
•8. 数值模拟 t"zi'9$t  
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三.半导体中的光跃迁和增益 AsD$M*It  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 5(gWK{R)*  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 z&cM8w:  
•3.简约态密度及增益谱 lEg
jv,  
•4.模式的自发辐射速率 t~7OtPF  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0kSM$D_  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Q^;:
Kl.b  
•7.增益谱峰值的近似表达式 IyI0|&r2A  
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9#F#F<  
四. 速率方程和动态效应 O\CnKNk,  
•1．单模速率方程及基本物理量 2eHVl.C5  
•2．稳态输出 "~=-Q#xO  
•3. 共振频率和3dB带宽 ,z<1:
st]<  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 /IN#1I!K  
•5. 开启延迟时间 NVg
hkd  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 J5(0J7C  
•7. 自发辐射引起的噪声 76bMy4re  
•8. 相对强度噪声 dB6['z)2  
•9. 模式线宽 \-pqqSy  
•10. 多模速率方程 /vq$/  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 x3g4r_  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 YA@MLZm  
3.激光器寿命 NT0n[o^  
4.激光器阈值电流的温度特性 re_nb)4g  
obE8iG@H  
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