半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 kLtm_
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一. 半导体激光器的基本结构 AU0pJB'
•1.半导体双异质结构 \jH^OXxb
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) )\ow/XPE
•3. 侧模控制(基侧模) > yk2
•4.横模控制 mO%F {'
•5. 动态单模半导体激光器 ;n`SF~CU
•6. 波长可调谐半导体激光器 %PW_v~sg
•7.长波长VCSEL的进展 x/7kcj!O
•8.微腔激光器和光子晶体 mhpaPin*JS
•9.半导体激光器材料的选择 ,aq0Q<}~lc
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二.半导体光波导 -!4Mmp"2@u
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 u]RI,3Z
•2. 光限制因子和模式增益 7.}Vvg#G
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 m?*}yM
•4. 半导体激光器镜面反射系数 kn9ul3c
•5. DFB激光器的藕合模理论 gn,D9d+
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 _3YZz$07
•7. 等效折射率近似 ))ArM-02
•8. 数值模拟 RKru
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三.半导体中的光跃迁和增益 Fp=O:]
•1. 费米分布函数及跃迁速率 0Ez(;4]3
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ZMa@/\pf1
•3.简约态密度及增益谱 >x'R7z23
•4.模式的自发辐射速率 }3HN$Fwo
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ' ?tx?t
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 (+aU ,EQ
•7.增益谱峰值的近似表达式 aq,Ab~V]
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四. 速率方程和动态效应 b}<?& @
•1.单模速率方程及基本物理量 !DU4iq_.
•2.稳态输出 2;2FyKF (
•3. 共振频率和3dB带宽 C6` Tck!
•4. 载流子输运效应对带宽影响 [8%R*}
•5. 开启延迟时间 :LrB9Cf$n
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r{g8CIwGQ
•7. 自发辐射引起的噪声 +PAb+E|,
•8. 相对强度噪声 "@ 1+l&
•9. 模式线宽 sx1w5rj.Y0
•10. 多模速率方程 @{V bu
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 FHOF6}if
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4>R)2g
3.激光器寿命 2-$O$&s.
4.激光器阈值电流的温度特性 *TyLB&<t
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