[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ~ X]"P4 u  
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一. 半导体激光器的基本结构 7)8rc(58  
•1.半导体双异质结构 y0&V$uv/  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 3IU$  
•3. 侧模控制(基侧模) 0btmao-  
•4.横模控制 oSu|Yn  
•5. 动态单模半导体激光器 a!^-~pH:  
•6. 波长可调谐半导体激光器 NR;S3-Iq(  
•7.长波长VCSEL的进展 WRLu3nBx  
•8.微腔激光器和光子晶体 '$kS
]U  
•9.半导体激光器材料的选择 0f=N3)  
C~ }Wo5  
二.半导体光波导 bY"eC i{K  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 T|BY00Sz`  
•2. 光限制因子和模式增益 IJ #v"! D  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 5Re`D|8
 
•4. 半导体激光器镜面反射系数 72s$  
•5. DFB激光器的藕合模理论 bAy5/G!_R  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 T_oW)G  
•7. 等效折射率近似 35@Ibe~  
•8. 数值模拟 c~0VNuN  
m|#(gX|F  
三.半导体中的光跃迁和增益 *xZQG9`kt  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 <Hr@~<@~  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 qN`]*baS  
•3.简约态密度及增益谱 H~_^w.P  
•4.模式的自发辐射速率 zM8/s96h  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 @WDqP/4  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 P :7l#/x_  
•7.增益谱峰值的近似表达式 S{"6PXzb  
0\_R|i_`>  
四. 速率方程和动态效应 e~2*>5\:  
•1．单模速率方程及基本物理量 .U(SkZ`6  
•2．稳态输出 =DF@kR[CH"  
•3. 共振频率和3dB带宽 AVevYbucB  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 2)I'5
?I  
•5. 开启延迟时间 7zP  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 U*qK*"k  
•7. 自发辐射引起的噪声 M;RnH##W  
•8. 相对强度噪声 Bu>yRL=*  
•9. 模式线宽 "]\":T  
•10. 多模速率方程 8w@W8(3B  
=|{,5="  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 =VX<eV  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 lA^Kh  
3.激光器寿命 HU'`kimWb  
4.激光器阈值电流的温度特性 1Sc~Vb|>  
]BS{,sI  
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