[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 hP=^JH  
FCC9Ht8U?  
一. 半导体激光器的基本结构 X}~5%B(  
•1.半导体双异质结构 Z'P>sV  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) %nTgrgS(=  
•3. 侧模控制(基侧模)
%Ts6M,Fpp  
•4.横模控制 R. sRH/6  
•5. 动态单模半导体激光器 ,cbCt  
•6. 波长可调谐半导体激光器 `CWI%V  
•7.长波长VCSEL的进展 vtvF)jlX  
•8.微腔激光器和光子晶体 H
h_Yd)  
•9.半导体激光器材料的选择 )jM' x&Vg  
1@&i ju5  
二.半导体光波导 @a08*"lbp  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 PdUlwT?8C  
•2. 光限制因子和模式增益 EJM6TI"  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7QXA*.' F  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 dM%#DN8l  
•5. DFB激光器的藕合模理论 4z^ ?3@:K  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 7oPLO(0L  
•7. 等效折射率近似 t% -"h|  
•8. 数值模拟 \`H"4r[?(  
1:7 uS.  
三.半导体中的光跃迁和增益 3ErW3Ac Ou  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 .AIlv^:|U  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 y4%u</  
•3.简约态密度及增益谱 AY{-Hf&  
•4.模式的自发辐射速率 Md~% e'  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 V Ae@P  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 cQ= "3M)~r  
•7.增益谱峰值的近似表达式 g"Eg=CU  
v8 Q/DJ~  
四. 速率方程和动态效应 {u3eel  
•1．单模速率方程及基本物理量 Mw=sW5Z  
•2．稳态输出 _0~WT  
•3. 共振频率和3dB带宽 X2X.&^  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 IO,ddVO  
•5. 开启延迟时间 {[r}&^K15  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 |'w_5?|4  
•7. 自发辐射引起的噪声 aq'dC=y  
•8. 相对强度噪声 hxIG0d!o  
•9. 模式线宽 vx:MLmZ.  
•10. 多模速率方程 X6+2~'*t  
pF)}<<C  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 jwm2ZJ
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1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 fs8nYgv|Q  
3.激光器寿命 ttazY#  
4.激光器阈值电流的温度特性 udRum7XW3  
9.<dS  
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