[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 dnwzf=+>e  
w_@{v wM$A  
一. 半导体激光器的基本结构 Ax~ i`  
•1.半导体双异质结构 z(^dwMw}  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "a'I^B/  
•3. 侧模控制(基侧模) SC2LY  
•4.横模控制 K8BlEF`  
•5. 动态单模半导体激光器 >!" Sr3,L  
•6. 波长可调谐半导体激光器 rDoMz3[w  
•7.长波长VCSEL的进展 4f8XO"k7t=  
•8.微腔激光器和光子晶体 <zvtQ^{]  
•9.半导体激光器材料的选择 e@Ev']  
noa+h<vGb  
二.半导体光波导 V?x&\<;,  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 <[}zw!z  
•2. 光限制因子和模式增益 4h--x~ @  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 md18q:AG)  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 F^!O\8PFd  
•5. DFB激光器的藕合模理论 AT3H
HQD  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ^z,B}Nz  
•7. 等效折射率近似 '@#(jY0_  
•8. 数值模拟 Y`-q[F?\y  
AU%Yr6  
三.半导体中的光跃迁和增益 ( )ldn?v  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 <^{(?*  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 =B;qy7?  
•3.简约态密度及增益谱 )y:))\>
 
•4.模式的自发辐射速率 ,f,+)C$  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 >rP[Xox'  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 4K`b?{){+a  
•7.增益谱峰值的近似表达式 `VGw5o  
 Q$`uZ  
四. 速率方程和动态效应 iRG6Cw2  
•1．单模速率方程及基本物理量 09Eg ti.  
•2．稳态输出 I D-I<Ev  
•3. 共振频率和3dB带宽 j^U"GprA  
•4. 载流子输运效应对带宽影响
^ .A  
•5. 开启延迟时间 p*YV*Arv  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 b{-|q6  
•7. 自发辐射引起的噪声 J n2QvUAZ&  
•8. 相对强度噪声 HEa7!h[a'  
•9. 模式线宽 wnXU=  
•10. 多模速率方程 ){,Mv:#+T  
Y@MxKKuj  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ?-`&YfF  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 A8S9HXL
 
3.激光器寿命 a;~< iB;3"  
4.激光器阈值电流的温度特性 b~)
2
`l  
l>s@&%;Mg  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~