半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 =$]uoA
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一. 半导体激光器的基本结构 m 9/}~Y#k
•1.半导体双异质结构 Nm |!#(L
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ki85!k=Q2
•3. 侧模控制(基侧模) ~8lwe*lNV
•4.横模控制 <:?r:fQX
•5. 动态单模半导体激光器 #5V9o KM
•6. 波长可调谐半导体激光器 ?M[ A7?
•7.长波长VCSEL的进展 =jN *P?
•8.微腔激光器和光子晶体 'nF2aD%A
•9.半导体激光器材料的选择 ~ R(%D-k
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二.半导体光波导 fl\ly `_
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 z<yU-m2h
•2. 光限制因子和模式增益 R) c'#St
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ~Q\3pI. |
•4. 半导体激光器镜面反射系数 @HOBRRm`
•5. DFB激光器的藕合模理论 )kP5u`v
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 3`k;a1Z#O'
•7. 等效折射率近似 V3"=w&2]K
•8. 数值模拟 %mZ {4<7
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三.半导体中的光跃迁和增益 e d< n9R
•1. 费米分布函数及跃迁速率 JYTP
2
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 x@*SEa
•3.简约态密度及增益谱 d+'p@!W_
•4.模式的自发辐射速率 0zi~p>*nJC
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 l(02W
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 +(h\fm7*-
•7.增益谱峰值的近似表达式 5F~'gLH/F-
7x @A%2 J
四. 速率方程和动态效应 o#skR4lwe
•1．单模速率方程及基本物理量 7k rUKYVo
•2．稳态输出 h@[R6G|
•3. 共振频率和3dB带宽 jrS[f
•4. 载流子输运效应对带宽影响 wYmM"60
•5. 开启延迟时间 ?O8ViB?2
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Cvf[/C+
•7. 自发辐射引起的噪声 PS[+~>%
•8. 相对强度噪声 t]YC"% [S
•9. 模式线宽 49v coHlf
•10. 多模速率方程 -q*i_r:,
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 |cR;{Z8?_
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 F F|F U<
3.激光器寿命 *m#Za<_Gv
4.激光器阈值电流的温度特性 w'm;82V:P-
8p: j&F
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