[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Bh$hgf.C  
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一. 半导体激光器的基本结构 WW82=2rJ9  
•1.半导体双异质结构 /{Ksi+
q  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) pt.0%3  
•3. 侧模控制(基侧模) DP**pf%j  
•4.横模控制 ;S5*n:d  
•5. 动态单模半导体激光器 j3jf:7 /\  
•6. 波长可调谐半导体激光器 :=WiT_M  
•7.长波长VCSEL的进展 l&2A]5C  
•8.微腔激光器和光子晶体 :c3}J<Z  
•9.半导体激光器材料的选择  F* "  
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uEfCM  
二.半导体光波导 S'm&Ll2
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•1. 平板波导的模式，TE和TM模 G&$+8r  
•2. 光限制因子和模式增益 Q/&H3N  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Y^$^B,  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ZLw7-H6Fh  
•5. DFB激光器的藕合模理论 1CK}XLdr  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 # le<R  
•7. 等效折射率近似 .|`JS?L[  
•8. 数值模拟 D{g6M>,\  
,{P*ZK3u  
三.半导体中的光跃迁和增益 4UD<g+|  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 x LR 2H>B}  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 \o3)\ e]o  
•3.简约态密度及增益谱 3`[f<XaL  
•4.模式的自发辐射速率 ZlD\)6 dZ  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ={,\6a|]:  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 _ #]uk&5a  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Q`k=VSUk  
YCZl1ry:V=  
四. 速率方程和动态效应 6p`AdDV  
•1．单模速率方程及基本物理量 D#|+PG7  
•2．稳态输出 Lt>"R! "x  
•3. 共振频率和3dB带宽 ):HjpJvF  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 KPO?eeT.WZ  
•5. 开启延迟时间 .U|irDO  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Wm>[5h%>  
•7. 自发辐射引起的噪声 F|p&v7
T  
•8. 相对强度噪声 ]G.ttfC  
•9. 模式线宽 }pOL[$L  
•10. 多模速率方程 ?u.&BP  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 l
",JN.w  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 fa7Z=:aG  
3.激光器寿命 [@d$XC]Qz  
4.激光器阈值电流的温度特性 a9S0glbwf  
Pf&\2_H3s9  
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