[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 8AT;9wZqt  
?`Qw=8]`  
一. 半导体激光器的基本结构 s;X"E=  
•1.半导体双异质结构 FGu:8`c9  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模)
ej>8$^y  
•3. 侧模控制(基侧模) CE-ySIa  
•4.横模控制 y7dnXO!g9-  
•5. 动态单模半导体激光器 ibex:W^  
•6. 波长可调谐半导体激光器 mf6?8!O}>  
•7.长波长VCSEL的进展 bKj#HHy\I  
•8.微腔激光器和光子晶体 XP *pYN  
•9.半导体激光器材料的选择 /E$"\m
d  
mm\Jf  
二.半导体光波导 aM5zYj`pW  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ChF:N0w? p  
•2. 光限制因子和模式增益 S{{D G  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 v5i
[jM8  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 _aL:XKM  
•5. DFB激光器的藕合模理论 F=yrqRS=  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 F.ryeOJ  
•7. 等效折射率近似 #ebT$hf30  
•8. 数值模拟 AJ`b-$Q  
lb5Y$ZC  
三.半导体中的光跃迁和增益 e4u$+  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 q3JoU/Sf  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 1uz9zhG><  
•3.简约态密度及增益谱 kX."|]  
•4.模式的自发辐射速率 JYOyz+wNd  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 n^'ip{  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 rBa <s  
•7.增益谱峰值的近似表达式 p{xO+Nx1a  
]Gm,sp.x  
四. 速率方程和动态效应 I \zM\^S>]  
•1．单模速率方程及基本物理量 z"bgtlfb8  
•2．稳态输出 [tym~ZZ]_m  
•3. 共振频率和3dB带宽 j!GJ$yd=-6  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 hc2[,Hju{O  
•5. 开启延迟时间 v' .:?9  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 96T.xT>&  
•7. 自发辐射引起的噪声 ~?m';  
•8. 相对强度噪声 %/b?T]{  
•9. 模式线宽 [5,aBf)X  
•10. 多模速率方程 5_ -YF~  
7'Y 3T[  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 n(l!T 7  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 BusD}9
QqB  
3.激光器寿命 VlRN  
4.激光器阈值电流的温度特性 SdBv?`u|g  
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