[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 5$<Ozkj(  
"H3DmsB  
一. 半导体激光器的基本结构 h%+6y  
•1.半导体双异质结构 WP ~]pduT  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) %C=?Xhnv  
•3. 侧模控制(基侧模) `#y?:s]e  
•4.横模控制 r~Vb*~U"  
•5. 动态单模半导体激光器 mgI7zJX  
•6. 波长可调谐半导体激光器 7Ug^aA  
•7.长波长VCSEL的进展 z3C@0v=u>  
•8.微腔激光器和光子晶体 >O/1Lpl.3  
•9.半导体激光器材料的选择 Nny#}k Bt  
V4tObZP3Ff  
二.半导体光波导 WOR H4h9  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 c7f11N!v>b  
•2. 光限制因子和模式增益 i+4!nf{K  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 BaXf=RsZ  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 g$9EI\a  
•5. DFB激光器的藕合模理论 c]>LL(R-7)  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 I*OJPFZ^4  
•7. 等效折射率近似 <NlL,  
•8. 数值模拟 O0=}:HM  
iVAAGZ>am  
三.半导体中的光跃迁和增益 344E4F"ph  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 zOsk'ZE&  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 j=y{ey7Fd  
•3.简约态密度及增益谱 ;^9y#muk  
•4.模式的自发辐射速率 {qbxiL-  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0;SRmj@W  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~xakz BE  
•7.增益谱峰值的近似表达式 E.%_i8s  
-_+,HyJP  
四. 速率方程和动态效应 T.GB*  
•1．单模速率方程及基本物理量 =,
G^GMi'  
•2．稳态输出 -YJ4-]Z  
•3. 共振频率和3dB带宽 ?CO..l  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 JH`oa1b  
•5. 开启延迟时间 Z;[f,Oj  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 1vUW$)?X  
•7. 自发辐射引起的噪声 P{%R*hb]  
•8. 相对强度噪声 9ELRn@5.  
•9. 模式线宽 <MzXTy3\  
•10. 多模速率方程 ZxU3)`O  
6 TSC7jO  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 5rlZ'>I.  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 b|E1>TkY  
3.激光器寿命 2{I+H'w8:  
4.激光器阈值电流的温度特性 .g52p+Z#  
cd:VFjT  
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