[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 +#2)kg 9_  
G8nrdN-9  
一. 半导体激光器的基本结构 UiH!Dl}<  
•1.半导体双异质结构 > _ <'D  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) NQfYxB1Yr:  
•3. 侧模控制(基侧模) sIy  
•4.横模控制 (a@?s$LG  
•5. 动态单模半导体激光器 aTd D`h  
•6. 波长可调谐半导体激光器 O~!T3APGU  
•7.长波长VCSEL的进展 {`(>O"_[Q  
•8.微腔激光器和光子晶体 'fx UV<K&  
•9.半导体激光器材料的选择 `0ZZ/] !L  
mMSh2B  
二.半导体光波导 Xd<t5{bD!  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 V8WFQdXc  
•2. 光限制因子和模式增益 .~>?*}  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 +x=)/;:  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Df4+^B,1  
•5. DFB激光器的藕合模理论 'OkGReKt  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 =^&%9X  
•7. 等效折射率近似 ]0c+/ \b&  
•8. 数值模拟 08s_v=cF  
eg/<[ A:  
三.半导体中的光跃迁和增益 J@_ctGv  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 
]5Qy  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 [kV;[c}  
•3.简约态密度及增益谱 ht=P\E  
•4.模式的自发辐射速率 E<E3&;qD  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 J-xS:Ha'l  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ehNzDr\s  
•7.增益谱峰值的近似表达式 X(A.X:"  
(xl\J/  
四. 速率方程和动态效应 lDc-W =X=  
•1．单模速率方程及基本物理量 /PzcvN  
•2．稳态输出 @{hd{>K*  
•3. 共振频率和3dB带宽 dY7'OAUyVl  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 JL=U,Mr6  
•5. 开启延迟时间 fu[K".  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 %" D%:  
•7. 自发辐射引起的噪声 *
\}}Bv+9  
•8. 相对强度噪声 j.e0;! (L}  
•9. 模式线宽 >Dw~POMy  
•10. 多模速率方程 = ?D(g  
oA] KE"T  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 h4|i%,f  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 t.
T UmJ  
3.激光器寿命 \Ig68dFf%  
4.激光器阈值电流的温度特性 !RB)_7  
b[9&l|y^  
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