[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 <l]P <N8^  
[2#5;')  
一. 半导体激光器的基本结构 r=P)iE
:  
•1.半导体双异质结构 \$YKw0K  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模)
;EbGW
&T  
•3. 侧模控制(基侧模) Ai
fc0P-H  
•4.横模控制 M*FUtu  
•5. 动态单模半导体激光器 P'f =r%  
•6. 波长可调谐半导体激光器 }S51yDVG_  
•7.长波长VCSEL的进展 n 1MZHa,  
•8.微腔激光器和光子晶体 O6Bs!0,  
•9.半导体激光器材料的选择 ~Q"3#4l  
E8gXa-hv  
二.半导体光波导 nmZz`P
9g  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 yQE|FbiA  
•2. 光限制因子和模式增益 j78WPG  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 8uq^Q4SU  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 "*W:  
•5. DFB激光器的藕合模理论 |D+"+w/
 
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 I|69|^  
•7. 等效折射率近似 u~n*P``{  
•8. 数值模拟 W1'F)5(?7  
a5=8zO#%g  
三.半导体中的光跃迁和增益 <WFA3  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 0+MNu8t  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 bA}9He1  
•3.简约态密度及增益谱 \J[m4tw^  
•4.模式的自发辐射速率 u(l[~r>8W;  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 d%_=r." Y  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 #\s*>Z  
•7.增益谱峰值的近似表达式 C'&)""3d  
VuA7rIF$66  
四. 速率方程和动态效应 MuXp*s3[  
•1．单模速率方程及基本物理量 i ,Cvnp6Lv  
•2．稳态输出 i!g}PbC[  
•3. 共振频率和3dB带宽 CXt9 5O?  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Qt`hUyL  
•5. 开启延迟时间 P^V,"B8t  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 nZZNx  
•7. 自发辐射引起的噪声 xIu#  
•8. 相对强度噪声 :T^!<W4  
•9. 模式线宽 !v/5G_pr  
•10. 多模速率方程 8G$ %DZ $  
\7rAQ[\#V  
五.半导体激光器的基本工艺和特性  8:=&=9%  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性  gGF]Dq  
3.激光器寿命 iUSP+iC,  
4.激光器阈值电流的温度特性 biAI*t  
ZrY#B8  
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