[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 qnWM  %k  
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一. 半导体激光器的基本结构 GRkN0|ovfj  
•1.半导体双异质结构 /BQqg08@L  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Is<XMR|{  
•3. 侧模控制(基侧模) UA2KY}pz5  
•4.横模控制 -\;0gnf{J  
•5. 动态单模半导体激光器 ]$9y7Bhj.  
•6. 波长可调谐半导体激光器 n=F rv*"Z  
•7.长波长VCSEL的进展 @|wU @by{  
•8.微腔激光器和光子晶体 kN{$-v=K  
•9.半导体激光器材料的选择 |mHf7gCX  
8Q)|8xpYS  
二.半导体光波导 `aG_m/7|  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 fsw[R0B  
•2. 光限制因子和模式增益 p'%S{v@5((  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 i\b^}m8c.N  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 WG\ _eRj  
•5. DFB激光器的藕合模理论 ">3t+A  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 }79jyS-e  
•7. 等效折射率近似 e`LkCy[_  
•8. 数值模拟 o 7tUv"Rs  
WSxoGly  
三.半导体中的光跃迁和增益 L*,
h=#x(  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 =7H\llL4BC  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :3D6OBkB  
•3.简约态密度及增益谱 V]+y*b.60  
•4.模式的自发辐射速率 8IxIW0  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 z~~pH9=c2  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~|O;Sdo=  
•7.增益谱峰值的近似表达式 8OV=;aM?{  
jIrfJ*z  
四. 速率方程和动态效应 bfZt<-  
•1．单模速率方程及基本物理量 A[7H-1-  
•2．稳态输出 !m9hL>5vR  
•3. 共振频率和3dB带宽 Bt,'g*Cs  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 &S66M2  
•5. 开启延迟时间 AzZhIhWl">  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 5Ww,vSCV)  
•7. 自发辐射引起的噪声 4K7ved)  
•8. 相对强度噪声 )[ZXPD  
•9. 模式线宽 1y1:<t  
•10. 多模速率方程 x7<l*WQ  
_D?/$D7u#%  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 lZ[J1:%  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 7.ein:M|CB  
3.激光器寿命 x4wTQ$*1  
4.激光器阈值电流的温度特性 r*$f^T!|  
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