半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 aWk1D.
*>,# 'C2
一. 半导体激光器的基本结构 _qp^ +
•1.半导体双异质结构 L 3J .Oh
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @x[Arx^?}
•3. 侧模控制(基侧模) [9H986 =
•4.横模控制 k.6gX < T
•5. 动态单模半导体激光器 cK e{ ]a
•6. 波长可调谐半导体激光器 %4I13|<A`
•7.长波长VCSEL的进展 GS qt:<Qs
•8.微腔激光器和光子晶体 ZQN% !2
•9.半导体激光器材料的选择 P/Zp3O H
5tUN'KEbN
二.半导体光波导 \ sc's7
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 * R_mvJlT
•2. 光限制因子和模式增益 f}ES8 Hh[
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 l|" SM6
•4. 半导体激光器镜面反射系数 48g`i
•5. DFB激光器的藕合模理论 4iC=+YU n
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 TO]7 %aB
•7. 等效折射率近似 l}& &f8n
•8. 数值模拟 *Hed^[sO
\Pt_5.bTs[
三.半导体中的光跃迁和增益 bKac?y~S_
•1. 费米分布函数及跃迁速率
SUaXm#9
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 yr[HuwU
•3.简约态密度及增益谱 }~+_|
•4.模式的自发辐射速率 Scz/2vNi`
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ?Vo/mtbY5X
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 k3VRa|Y")
•7.增益谱峰值的近似表达式 z$ b'y;k
+et )!2N
四. 速率方程和动态效应 Xd@ _:ds
•1．单模速率方程及基本物理量 9^2l<4^Z
•2．稳态输出 `CqF&b
•3. 共振频率和3dB带宽 v?<Tkw ^F
•4. 载流子输运效应对带宽影响 5hg
^K^ZZ
•5. 开启延迟时间 BW5! @D2
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 D]*<J"/]d
•7. 自发辐射引起的噪声 d45 mKla(V
•8. 相对强度噪声 t<H@c9{;*
•9. 模式线宽 5$<Ozkj(
•10. 多模速率方程 1Farix1YDq
0s o27k
五.半导体激光器的基本工艺和特性 @z< IsAE
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 WP ~]pduT
3.激光器寿命 %C =?Xhn v
4.激光器阈值电流的温度特性 `#y?:s ]e
uK5 C-
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！
