[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 DV!) n 6  
,zY!EHpx  
一. 半导体激光器的基本结构 <sq@[\l}a  
•1.半导体双异质结构 -KG3_kE  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) :X;AmLf`2u  
•3. 侧模控制(基侧模) |);-{=.OdQ  
•4.横模控制 p6'wg#15  
•5. 动态单模半导体激光器 p%6j2;D  
•6. 波长可调谐半导体激光器 Q.G6y,KR  
•7.长波长VCSEL的进展 sS|N.2*  
•8.微腔激光器和光子晶体 I*^3 Z  
•9.半导体激光器材料的选择 *T'>-nm]  
L'Fy\K\  
二.半导体光波导 g+98G8R  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 =K2mR}n\;  
•2. 光限制因子和模式增益 ) Pdl[+a  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 X6dv+&=?  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 p KF>_\   
•5. DFB激光器的藕合模理论 /n SmGAO  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 e.|_=Gd2/  
•7. 等效折射率近似 }6Uw4D61  
•8. 数值模拟 Q0j$u[x6s  
Q+\?gU]  
三.半导体中的光跃迁和增益 p}'uCT ga  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 g.d%z  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 -a[]#v9  
•3.简约态密度及增益谱 IJAWG  
•4.模式的自发辐射速率 R2af>R  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 fscAG\>8  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 @*gm\sU4  
•7.增益谱峰值的近似表达式 a9GLFA8Vq  
Z)zWfv}  
四. 速率方程和动态效应 %?3\gFvBo  
•1．单模速率方程及基本物理量 N}3$1=@Y  
•2．稳态输出 |E)Es!dr  
•3. 共振频率和3dB带宽 tzhkdG  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ^c{,QS{  
•5. 开启延迟时间
xED`8PCfu  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 zW_V)UNe  
•7. 自发辐射引起的噪声 {g>k-.  
•8. 相对强度噪声 {<HL}m@kQ  
•9. 模式线宽 ,HxsU,xiG  
•10. 多模速率方程 #w4=kWJ[  
l ^*GqP5  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 DVNGV   
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 =;/4j'1}9  
3.激光器寿命 n#G I& U  
4.激光器阈值电流的温度特性 2>3g
C_^go  
Xp=Y<`dX  
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