[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 m0t5oO  
[3>l^Q|#  
一. 半导体激光器的基本结构 /7De.O~H  
•1.半导体双异质结构 wh l)^D  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) #\"8sY,j  
•3. 侧模控制(基侧模) %@'9<i8o  
•4.横模控制 *YZ'Uy?  
•5. 动态单模半导体激光器 AMA:hQ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 |j&u2DM~#m  
•7.长波长VCSEL的进展 "ZEJL.Wy  
•8.微腔激光器和光子晶体 ',n;ag`c  
•9.半导体激光器材料的选择
k2sb#]-/}  
{dhuvB  
二.半导体光波导 0PE $n  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 9Xmb_@7b}  
•2. 光限制因子和模式增益 HdGAE1eU]}  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ]^Z7w`=%5  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 KYD,eVQ  
•5. DFB激光器的藕合模理论 p+
@Wh3  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 )/PvaL  
•7. 等效折射率近似 8X][TJG$  
•8. 数值模拟 8)&yjY  
lSC3m=4g  
三.半导体中的光跃迁和增益 E)o/C(g  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Mii-Q`.:  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ndT:,
"s  
•3.简约态密度及增益谱 s$YKdtR  
•4.模式的自发辐射速率 Qf0$Z.-  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 SE)_
5|k*  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [4]lAxrRF  
•7.增益谱峰值的近似表达式 {H#1wu^]O$  
2/sD#vC  
四. 速率方程和动态效应 9Gfm?.O5  
•1．单模速率方程及基本物理量 ,WR$xi.j  
•2．稳态输出 h`Vb#5ik  
•3. 共振频率和3dB带宽 @4^5C-  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 <.CO{L\e  
•5. 开启延迟时间 cEnkt=  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 YN_#x  
•7. 自发辐射引起的噪声 p<Wb^BE  
•8. 相对强度噪声 YR'?fr  
•9. 模式线宽 ,w,>pO'[  
•10. 多模速率方程 .FK[Y?ci#  
5Qd |R  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 BWFl8 !_X  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 >};,Byv!%  
3.激光器寿命 okoD26tK  
4.激光器阈值电流的温度特性 A9qCaq{  
4*&x% ~*  
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