[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 eu?DSad  
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一. 半导体激光器的基本结构 5m rkw  
•1.半导体双异质结构 jxDA+7  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6i*LP(n  
•3. 侧模控制(基侧模) QQX7p!~E  
•4.横模控制 3qwSm<  
•5. 动态单模半导体激光器 Rc`zt7hbJ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 $WZHkV  
•7.长波长VCSEL的进展 5OHF=wh  
•8.微腔激光器和光子晶体 $R/@%U)-o  
•9.半导体激光器材料的选择 C)+%9Edg  
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二.半导体光波导 DVjsz  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 wXUgxa  
•2. 光限制因子和模式增益 hbTJXP~~?  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3b1%^@,ACy  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 3>buZ6vh  
•5. DFB激光器的藕合模理论 G'6f6i|<I@  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ug9]^p/)^  
•7. 等效折射率近似 t3;QF  
•8. 数值模拟 ^ &VN=Y6z  
Eilo;-El  
三.半导体中的光跃迁和增益 j9$kaEf  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 (KdP^.7  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 3("E5lI(g:  
•3.简约态密度及增益谱 e><,WM,e
 
•4.模式的自发辐射速率 MHAWnH8  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 %jj\w>  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 jI,?*n<  
•7.增益谱峰值的近似表达式 +&8'@v$  
7N[Cs$_]  
四. 速率方程和动态效应 Y .\<P*iO  
•1．单模速率方程及基本物理量 \Gz 79VW  
•2．稳态输出 ? ]hS^&  
•3. 共振频率和3dB带宽 gYvT'7

2  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ]d50J@W c  
•5. 开启延迟时间 xs$-^FnD  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 3Vb/Mn!k  
•7. 自发辐射引起的噪声 ak]H|D" 9  
•8. 相对强度噪声 NUGiDJ+[  
•9. 模式线宽 p$@l,4@{  
•10. 多模速率方程 A,! YXl[  
*Au[{sR  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 F48W8'un  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 a #Pr)H  
3.激光器寿命 m[6c{$A/w  
4.激光器阈值电流的温度特性 DO9_o9'  
RWINdJZ  
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