[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *-fd$l.  
|xZu?)M4  
一. 半导体激光器的基本结构 LKI\(%ba#  
•1.半导体双异质结构 R=a4zVQ  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) e<{d{  
•3. 侧模控制(基侧模) b==jlYa=  
•4.横模控制 (x/:j*`K  
•5. 动态单模半导体激光器 -0q|AB<  
•6. 波长可调谐半导体激光器 3O4lGe#u  
•7.长波长VCSEL的进展 XZ8rM4 ]
 
•8.微腔激光器和光子晶体 Q[#8ErUY  
•9.半导体激光器材料的选择 S?`0,F  
7neJV  
二.半导体光波导 {Mb<onW  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 XP!m]\E&I  
•2. 光限制因子和模式增益 B_[I/ ?  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 \reVA$M[  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 u/|@iWK:  
•5. DFB激光器的藕合模理论 _IOUhMo  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 G Wa6F
X:/  
•7. 等效折射率近似 ;CS[Ja>e  
•8. 数值模拟 ~vpF|4Zn5  
6Hb a@Q1`  
三.半导体中的光跃迁和增益 aqk$4IG  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 KI#v<4C$P  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 b"#S92R+  
•3.简约态密度及增益谱 ;Qq_  
•4.模式的自发辐射速率 Go:(R {P  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 NL `  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 NTZ3Np`  
•7.增益谱峰值的近似表达式 i" u|119  
Bi;a~qE  
四. 速率方程和动态效应 uSI@Cjp  
•1．单模速率方程及基本物理量 t
 3N}):  
•2．稳态输出 (i(E~^O  
•3. 共振频率和3dB带宽 UMNNAX  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ;xw9#.d#D  
•5. 开启延迟时间 mT@Gf>}/A  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 D}}?{pe  
•7. 自发辐射引起的噪声 Z-ci[Zv  
•8. 相对强度噪声 =,ax"C?pR  
•9. 模式线宽 kk<%VKC  
•10. 多模速率方程 k0\a7$}F  
\VIY[6sn\M  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 W!.FnM5x  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 QaEiPn~  
3.激光器寿命 jCtk3No  
4.激光器阈值电流的温度特性 Bx}"X?%S  
+?3RC$jyw  
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