[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 /9_#U#vhY  
]l[2hy= cV  
一. 半导体激光器的基本结构 ]XUSqai  
•1.半导体双异质结构 |zpx)8Q  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) m r4b  
•3. 侧模控制(基侧模) #DUh(:E'`  
•4.横模控制 c7qwNs*f  
•5. 动态单模半导体激光器 [5Y<7DS
 
•6. 波长可调谐半导体激光器 8=Q VN_  
•7.长波长VCSEL的进展 f&yQhe6q  
•8.微腔激光器和光子晶体 Km*<Kfcz  
•9.半导体激光器材料的选择 hZN<Yd8:  
kon=il<@  
二.半导体光波导 ;+`uER  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 0x5xLg;Q  
•2. 光限制因子和模式增益 KzVTkDn,  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 `o si"o9  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 HmV />9  
•5. DFB激光器的藕合模理论 El6bD% \G  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 GZ8:e3ri  
•7. 等效折射率近似 Y&~M7TYb  
•8. 数值模拟 M<[?g5=#  
U)[ty@zyF  
三.半导体中的光跃迁和增益 6[?}6gQ  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 1V%'.l9  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Y8ehmz|g]J  
•3.简约态密度及增益谱 p4>,Fwy2  
•4.模式的自发辐射速率 iP "EA8  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Hr }k5'  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 n )K6i7]xk  
•7.增益谱峰值的近似表达式 #D)x}#V\  
>n!ni(  
四. 速率方程和动态效应 .Z%G@X*  
•1．单模速率方程及基本物理量 1r571B*O  
•2．稳态输出 HXks_ix )  
•3. 共振频率和3dB带宽 2c:f<>r0y  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 G;]:$J  
•5. 开启延迟时间 ;[6&0!N\  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 _e'Y3:  
•7. 自发辐射引起的噪声 E _iO@  
•8. 相对强度噪声 OD+5q(!"a  
•9. 模式线宽 AS;.sjgk  
•10. 多模速率方程 >o[|"oLO  
oJY[{-qW  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 o^ h(#%O  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 X~RH^VYv  
3.激光器寿命 EOVZGZF  
4.激光器阈值电流的温度特性 r4eUZ .8R  
}<[Db}?9  
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