[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `((Y
c]:7  
+$$$  
一. 半导体激光器的基本结构 *[r!  
•1.半导体双异质结构 `+zWu55;  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -29gL_dk.  
•3. 侧模控制(基侧模) oEx\j+}@n  
•4.横模控制 Y 2
Q=rj  
•5. 动态单模半导体激光器 :Gu+m  
•6. 波长可调谐半导体激光器 >_c5r?]SG  
•7.长波长VCSEL的进展 "]m+z)lWd  
•8.微腔激光器和光子晶体
h)6GaJ=  
•9.半导体激光器材料的选择 n:0}utU4  

?;wpd';c  
二.半导体光波导 $`8Ar,Xz`  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 )mJf|W!Z#  
•2. 光限制因子和模式增益 WYIQE$SE
v  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3#vinz  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 UWZa|I~:J  
•5. DFB激光器的藕合模理论 <W`#gn0b6  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 &X|<@'933  
•7. 等效折射率近似 J0 k  
•8. 数值模拟 (faK+z,*6R  
rUlS'L;$"  
三.半导体中的光跃迁和增益 t4qej  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 L>!8YUz7p$  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 T"p(]@Ng  
•3.简约态密度及增益谱 zOHypazOTq  
•4.模式的自发辐射速率 `/"nTB  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Gy,u^lkk:  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 K.%U  
•7.增益谱峰值的近似表达式 2[B4f7  
F,GN[f-  
四. 速率方程和动态效应 &m {kHM  
•1．单模速率方程及基本物理量 V $|<  
•2．稳态输出 'JdkUhq1V  
•3. 共振频率和3dB带宽 x lsqj`=  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 3IR ^  
•5. 开启延迟时间 ="%W2  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Y7GF$}%UL  
•7. 自发辐射引起的噪声 &3v&i*DG,I  
•8. 相对强度噪声 -/x W  
•9. 模式线宽 ,;<RW]r-P  
•10. 多模速率方程 vLa#Y("  
au
p6?'G;  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 *9 Q^5;y  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 j'HkBW:L  
3.激光器寿命 Kzb`$CGK  
4.激光器阈值电流的温度特性 Sf/q2/r?6[  
1z*kc)=JF8  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~