半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Nkk+*(Z
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一. 半导体激光器的基本结构 X7)B)r}AG
•1.半导体双异质结构 Yi|Nd ;
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) N. 0~4H
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•3. 侧模控制(基侧模) .s3y^1C
•4.横模控制 W;.L N<bx
•5. 动态单模半导体激光器 3/CKy##r%]
•6. 波长可调谐半导体激光器 ]fU0;jzX
•7.长波长VCSEL的进展 Gp1?drF6
•8.微腔激光器和光子晶体 7Dz-xM_?
•9.半导体激光器材料的选择 P5Pb2|\*
Q'Y7PG9m~
二.半导体光波导 <a& $D
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 X>Y>1fI.
•2. 光限制因子和模式增益 2Gn26L 5
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }IV=qW,
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Y".4."NX
•5. DFB激光器的藕合模理论 k}e~xbh-y
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ;<BMgO}N
•7. 等效折射率近似 *;~i\M9_
•8. 数值模拟 l ' Uj"9r,
y2> AbrJ
三.半导体中的光跃迁和增益 R(GL{Dh}L
•1. 费米分布函数及跃迁速率 5:SS2>~g
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 l
!JTM
•3.简约态密度及增益谱 Pq3|O
Z
•4.模式的自发辐射速率 o= C 'u
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ' -rRD\"q
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 U;FJSy
•7.增益谱峰值的近似表达式 %kV #UzL
N " zm
四. 速率方程和动态效应 )Vpt.4IBd
•1．单模速率方程及基本物理量 ;~n^/D2.
•2．稳态输出 1raq; ^e9
•3. 共振频率和3dB带宽 _i2k$Nr
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ?GeMD
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•5. 开启延迟时间 dEPLkv
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 g
?{o2gG
•7. 自发辐射引起的噪声 `~2I
•8. 相对强度噪声 kB_T9$0e#
•9. 模式线宽 *m[ [>wE
•10. 多模速率方程 "_n})s
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S i-Q'*Y=
五.半导体激光器的基本工艺和特性 8]xYE19=
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 i?'|}tK
3.激光器寿命 )^j62uv
4.激光器阈值电流的温度特性 r|Q/:UV?w
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