半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 GE#LcCa
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一. 半导体激光器的基本结构 -hKtd3WbT
•1.半导体双异质结构 :i]g+</
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) wb6$R};?
•3. 侧模控制(基侧模) /i
IWt\J
•4.横模控制 GI/4<J\
•5. 动态单模半导体激光器 F
<.} q|b
•6. 波长可调谐半导体激光器 7J$Yd976
•7.长波长VCSEL的进展 baib_-$
•8.微腔激光器和光子晶体 l?zWi[Zf
•9.半导体激光器材料的选择 k6??+b:rE
B:tGD@
二.半导体光波导 TmdRB8N
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 B=hJ*;:p
•2. 光限制因子和模式增益 vA#?\j2
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &:Sb$+z
•4. 半导体激光器镜面反射系数 jIL$hqo
•5. DFB激光器的藕合模理论 ?]2OT5@&s
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 * TR~>|
•7. 等效折射率近似 f2FGod<CzN
•8. 数值模拟 ybVdWOqv
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三.半导体中的光跃迁和增益 R,ddH[3
•1. 费米分布函数及跃迁速率 (1}"I
RX.
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 0:k ~lz
•3.简约态密度及增益谱 }NETiJ"6
•4.模式的自发辐射速率 -I{J]L$S#
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 -QP&A >]7
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 eZ
+uW0
•7.增益谱峰值的近似表达式 Y^CbpG&-vC
bHH=MLZR:
四. 速率方程和动态效应 P7p'j
•1.单模速率方程及基本物理量
91bJ7%
•2.稳态输出 h}$]3/5H
•3. 共振频率和3dB带宽 a3oSSkT
•4. 载流子输运效应对带宽影响 /pDI
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•5. 开启延迟时间 IXmO1*o@
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 M)!:o/!c S
•7. 自发辐射引起的噪声 5zsXqBG
•8. 相对强度噪声 0!,)7
•9. 模式线宽 P;!4 VK
•10. 多模速率方程 =v]eQIp
7<%Rx19L*
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]qk/V:H:
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 h\^> s$
3.激光器寿命 Zx}.mt#}8
4.激光器阈值电流的温度特性 yy-\$<j
Rd.[8#7VE
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