[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 B["C~aF  
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一. 半导体激光器的基本结构 |]x>|Z?/u  
•1.半导体双异质结构 Z(a,$__  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) O3["5  
•3. 侧模控制(基侧模) o0F&,|'  
•4.横模控制 L+2<J,   
•5. 动态单模半导体激光器 aqN6.t  
•6. 波长可调谐半导体激光器 NN@'79x  
•7.长波长VCSEL的进展 |#`qP^E  
•8.微腔激光器和光子晶体 C{U"Nsu+1  
•9.半导体激光器材料的选择 &O.lIj#FR  
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二.半导体光波导 xv>]e <":  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模  &'<e9  
•2. 光限制因子和模式增益 TnQ"c)ta  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6_kv~`"tZ  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 %,Lv},%Y  
•5. DFB激光器的藕合模理论 g=]VQ;{  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 #l#8-m8g)  
•7. 等效折射率近似 TNkvdE-S  
•8. 数值模拟 kBg8:bo~  
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三.半导体中的光跃迁和增益 jcL%_of  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 a(oa?OdJ  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 szC<ht?z  
•3.简约态密度及增益谱 z1S p'h$  
•4.模式的自发辐射速率 1U6z2i+y  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 HvzXAd  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 VMIX=gTZ  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Ra/Pk G
-7  
f@Yo]FU  
四. 速率方程和动态效应 a]nK!;>$  
•1．单模速率方程及基本物理量 XR|U6bf]  
•2．稳态输出 `i<omZ[aT  
•3. 共振频率和3dB带宽 .bY R  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 75^AO>gt
 
•5. 开启延迟时间 o2~P vef  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 QTC!vKM  
•7. 自发辐射引起的噪声 L@s_)?x0  
•8. 相对强度噪声 Z5|BwM  
•9. 模式线宽 JIPBJ
 
•10. 多模速率方程 f0&%  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 F:N8{puq5  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #MFIsx)r  
3.激光器寿命 EK
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4.激光器阈值电流的温度特性 1Li*n6tLX`  
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