[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 GE#LcCa  
GD<pqm`vVY  
一. 半导体激光器的基本结构 -hKtd3WbT  
•1.半导体双异质结构 :i]g+</  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) wb6$R};?  
•3. 侧模控制(基侧模) /i IWt\J  
•4.横模控制 GI/4<J\  
•5. 动态单模半导体激光器 F <.} q|b  
•6. 波长可调谐半导体激光器 7J$Yd976  
•7.长波长VCSEL的进展 baib_-$  
•8.微腔激光器和光子晶体 l?zWi[Zf  
•9.半导体激光器材料的选择 k6??+b:rE  
B:tGD@  
二.半导体光波导 TmdRB8N  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 B=hJ*;:p  
•2. 光限制因子和模式增益 vA#?\j2  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &:Sb$+z  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 jIL$hqo  
•5. DFB激光器的藕合模理论 ?]2OT5@&s  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 * TR~>|  
•7. 等效折射率近似 f2FGod<CzN  
•8. 数值模拟 ybVdWOqv  
%M;{+90p>t  
三.半导体中的光跃迁和增益 R,ddH[3  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 (1}"I RX.  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 0:k ~lz  
•3.简约态密度及增益谱 }NETiJ"6  
•4.模式的自发辐射速率 -I{J]L$S#  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 -QP&A >]7  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 eZ +uW0  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Y^CbpG&-vC  
bHH=MLZR:  
四. 速率方程和动态效应 P7p'j  
•1．单模速率方程及基本物理量 91bJ7%  
•2．稳态输出 h}$]3/5H  
•3. 共振频率和3dB带宽 a3oSSkT  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 /pDI \]  
•5. 开启延迟时间 IXmO1*o@  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 M)!:o/!cS  
•7. 自发辐射引起的噪声 5zsXqBG  
•8. 相对强度噪声 0!,)7  
•9. 模式线宽 P;
!4 VK  
•10. 多模速率方程 =v]
eQIp  
7<%Rx19L*  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]qk/V:H:  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 h\^> s$  
3.激光器寿命 Zx}.mt#}8  
4.激光器阈值电流的温度特性 yy-\$<j  
Rd.[8#7VE  
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