[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 =,M5KDk`  
&QgR*,5eo  
一. 半导体激光器的基本结构 %h@EP[\  
•1.半导体双异质结构 :o3N;*o>)0  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 8ib:FF(= u  
•3. 侧模控制(基侧模) K0>zxqY  
•4.横模控制 .k !{*  
•5. 动态单模半导体激光器 V,njO{Q  
•6. 波长可调谐半导体激光器 sgFEK[w.y  
•7.长波长VCSEL的进展 4hj|cCrO  
•8.微腔激光器和光子晶体 4r}51 N\  
•9.半导体激光器材料的选择 %ET+iIhK  
[(lW^-  
二.半导体光波导 !Uo4,g6r+  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 |BXg/gW  
•2. 光限制因子和模式增益 }K(TjZR  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 mfr|:i  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 guR/\z$D@C  
•5. DFB激光器的藕合模理论 GbI/4<)l}  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 N!}f}oF  
•7. 等效折射率近似 I?CZQ+}Hq  
•8. 数值模拟 oB7_O-3z  
W>r+h-kR  
三.半导体中的光跃迁和增益 ;$4\e)AB  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 @0''k  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 SXh-A1t  
•3.简约态密度及增益谱 =3P)q"  
•4.模式的自发辐射速率 TWTb?HP  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 {.Jlbi9!  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 3v-~K)hl?  
•7.增益谱峰值的近似表达式 YmG("z  
pb,d'z\S  
四. 速率方程和动态效应 tH4B:Bgj!  
•1．单模速率方程及基本物理量 -9?]IIVb  
•2．稳态输出 R=?[Nz  
•3. 共振频率和3dB带宽 2=}FBA,2  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 fz_r7?  
•5. 开启延迟时间 X?Q4}Y  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 yHaGkm  
•7. 自发辐射引起的噪声 PA*5Bk="q  
•8. 相对强度噪声 *T1_;4i  
•9. 模式线宽 \;Weizq5  
•10. 多模速率方程 kJR`:J3DJ  
%C]>9."  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 i6Gu@( 8Q  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 pgo$61  
3.激光器寿命 Z_NCD`i;  
4.激光器阈值电流的温度特性 xIn:ZKJ'  
K=&>t6s<  
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