[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 }a<MVG:>SF  
n1sH`C[c  
一. 半导体激光器的基本结构 \re.KB#R  
•1.半导体双异质结构 @~63%6r#4M  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 1>1|>%  
•3. 侧模控制(基侧模) Ccc6 ko_  
•4.横模控制 N_gjOE`x5  
•5. 动态单模半导体激光器 ~MhPzu&B  
•6. 波长可调谐半导体激光器 m};
_\Db`  
•7.长波长VCSEL的进展 3\(s=-vh  
•8.微腔激光器和光子晶体 [MiD%FfcNH  
•9.半导体激光器材料的选择 ' >\*  
'rR\H2b   
二.半导体光波导 G^2"\4R]p  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 7#g C(&\A  
•2. 光限制因子和模式增益 Fa/i./V2  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 P@5^`b|  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ;<&s_C3  
•5. DFB激光器的藕合模理论 x_@ev
-  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 zP9 HYS  
•7. 等效折射率近似 6@I7UL >  
•8. 数值模拟
uWfse19  
-y/?w*Cx  
三.半导体中的光跃迁和增益 |f>y"T+1  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Y7{|EI+@  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 sdO;vp^
:b  
•3.简约态密度及增益谱 gj'ar  
•4.模式的自发辐射速率 5
#d(_  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 9CN /v  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 v5 9>  
•7.增益谱峰值的近似表达式 N%?o-IY  
Ffhbs D  
四. 速率方程和动态效应 F2:7UNy,  
•1．单模速率方程及基本物理量 n `n3
[  
•2．稳态输出 u!@P,,NY  
•3. 共振频率和3dB带宽 tNUcmiY  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 2i>xJMW  
•5. 开启延迟时间 C/cGr)|8%  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 /=3g-$o{`  
•7. 自发辐射引起的噪声 Fza)dJ7  
•8. 相对强度噪声 }j:ae \(  
•9. 模式线宽 '<}7bw}+c  
•10. 多模速率方程 =}q4ked/  
Y3Qq'FN!I  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 zm~~mz A  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 w_{z"VeD  
3.激光器寿命 W
*s`1O>  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?"C]h s  
oVhw2pKpM  
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