半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 D0D0=s
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一. 半导体激光器的基本结构 r(IQ)\GR
•1.半导体双异质结构 hGx)X64Mw
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "]81+
D
•3. 侧模控制(基侧模) V_?5 cwZ
•4.横模控制
`k/hC
•5. 动态单模半导体激光器 k1HukGa
•6. 波长可调谐半导体激光器 LoQm&3/
•7.长波长VCSEL的进展 N*N@wJy:5
•8.微腔激光器和光子晶体 NZSP*# !B
•9.半导体激光器材料的选择 SNB>
: uglv6
二.半导体光波导 8o-*s+EY"&
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 q"@Y2lhD!
•2. 光限制因子和模式增益 F7wpGtt
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 s88lN=;
•4. 半导体激光器镜面反射系数 C d)j%
•5. DFB激光器的藕合模理论 xioL6^(Qk,
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 :4PK4D s7
•7. 等效折射率近似 j()<.h;'
•8. 数值模拟 't:|>;Wx
,c#=qb8""
三.半导体中的光跃迁和增益 .olDmFQD
•1. 费米分布函数及跃迁速率 4hep1Kz%
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 \-Mzs 0R
•3.简约态密度及增益谱 x,a(O@
•4.模式的自发辐射速率 j'#M'W3@
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6H,n?[zTt
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 y-qbK0=X4
•7.增益谱峰值的近似表达式 {#aW")x^#
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四. 速率方程和动态效应 ORhe?E]
•1.单模速率方程及基本物理量 C~F do0D
•2.稳态输出 B>}=x4-8
•3. 共振频率和3dB带宽 ;ZMm6o
•4. 载流子输运效应对带宽影响 B:om61Dn
•5. 开启延迟时间 47b=>D8
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fX=o,=-f
•7. 自发辐射引起的噪声 Sdl1k+u
•8. 相对强度噪声 Zb<IZ)i# 1
•9. 模式线宽 c`94a SnV
•10. 多模速率方程 E Z95)pk
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 x}t,v.:
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4vi P lO
3.激光器寿命 O`_!G`E
4.激光器阈值电流的温度特性 1Uz sw
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