[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 D0D0=s  
jd|? aK;(  
一. 半导体激光器的基本结构 r(IQ)\GR  
•1.半导体双异质结构 hGx)X64Mw  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "]81+ D  
•3. 侧模控制(基侧模) V_?5cwZ  
•4.横模控制  `k/hC  
•5. 动态单模半导体激光器 k1HukGa  
•6. 波长可调谐半导体激光器 LoQ
m&3/  
•7.长波长VCSEL的进展 N*N@wJy:5  
•8.微腔激光器和光子晶体 NZSP*#!B  
•9.半导体激光器材料的选择
SNB>  
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二.半导体光波导 8o-*s+EY"&  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 q"@Y2lhD!  
•2. 光限制因子和模式增益 F7wpGtt  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 s88lN=;  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 C d)j%  
•5. DFB激光器的藕合模理论 xioL6^(Qk,  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 :4PK4D s7  
•7. 等效折射率近似 j()<.h;'  
•8. 数值模拟 't:|>;Wx  
,c#=qb8""  
三.半导体中的光跃迁和增益 .olDmFQD  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 4hep1Kz%  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 \-Mzs 0R  
•3.简约态密度及增益谱 x,a(O@  
•4.模式的自发辐射速率 j'#M'W3@  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6H,n?[zTt  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 y-qbK0=X4  
•7.增益谱峰值的近似表达式 {#aW")x^#  
i>w'$ {  
四. 速率方程和动态效应 ORhe?E]  
•1．单模速率方程及基本物理量 C~Fdo0D  
•2．稳态输出 B>}=x4-8  
•3. 共振频率和3dB带宽 ;ZMm6o  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 B:om61Dn  
•5. 开启延迟时间 47b=>D8  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fX=o,=-f  
•7. 自发辐射引起的噪声 Sdl1k+u  
•8. 相对强度噪声 Zb<IZ)i#1  
•9. 模式线宽 c`94a SnV  
•10. 多模速率方程 E Z95)pk  
j^ VAA\  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 x}t,v
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1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4viP lO  
3.激光器寿命 O`_!G`E  
4.激光器阈值电流的温度特性 1Uzsw  
Ww&~ZZZ {  
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