[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 c^BeT;  
EyPF'|Qtn  
一. 半导体激光器的基本结构 :X~{,J  
•1.半导体双异质结构 rTLo6wI  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ~0XV[$`L  
•3. 侧模控制(基侧模)  FR1se  
•4.横模控制 agxR V  
•5. 动态单模半导体激光器 Rac4a@hZ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 s4Y7x.-  
•7.长波长VCSEL的进展 h**mAa0fo  
•8.微腔激光器和光子晶体 D}:M0EBS  
•9.半导体激光器材料的选择 :TN^}RML  
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二.半导体光波导 {w|KWGk2  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 <ooRpn  
•2. 光限制因子和模式增益 00(#_($  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9='=wWW  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 U4$CkTe2Y  
•5. DFB激光器的藕合模理论 6?(vXPpT$  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 z2.ZxL"*  
•7. 等效折射率近似 %.;`0}b  
•8. 数值模拟 [}!obbM  
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三.半导体中的光跃迁和增益 )nJh) {4\  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 by%k*y  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 6N.+  
•3.简约态密度及增益谱 60&4?<lR4  
•4.模式的自发辐射速率 */yR_f  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 $f]dL};  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 jFMf=u&U  
•7.增益谱峰值的近似表达式 .ITR3]$  
.~Z@y#  
四. 速率方程和动态效应 F),wj8#~>-  
•1．单模速率方程及基本物理量 QUU'/e2^c  
•2．稳态输出 7*&$-Hv  
•3. 共振频率和3dB带宽 ^%r>f@h!L  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 > : ;*3  
•5. 开启延迟时间 EzDQoN7Em  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 F/I`EV  
•7. 自发辐射引起的噪声 l&1R`gcW  
•8. 相对强度噪声 ^`XTs!.  
•9. 模式线宽 O'} %Bjl  
•10. 多模速率方程 z4yV1  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 oDEvhNT  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 <X,0\U!lL  
3.激光器寿命 IrZ!.5%tV  
4.激光器阈值电流的温度特性 Lw!Q*3c  
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