[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 W- i&sUgy  
?z}=B  
一. 半导体激光器的基本结构 x;-. ZVF
 
•1.半导体双异质结构 ELBa}h;  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ;FBUwR}  
•3. 侧模控制(基侧模) 5nv<^>[J  
•4.横模控制 >wb'QzF:  
•5. 动态单模半导体激光器 dlJbI}-v=  
•6. 波长可调谐半导体激光器 T6H}/#*tK  
•7.长波长VCSEL的进展 U"q/rcA  
•8.微腔激光器和光子晶体 A:aE|v/T&  
•9.半导体激光器材料的选择 S>.SSXlM  
V2$h
8\a  
二.半导体光波导 s4 6}s{6   
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 f` :i.Sr  
•2. 光限制因子和模式增益 )jkXSTZ  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 VUVaaOm
O  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 m-H-6`]  
•5. DFB激光器的藕合模理论 AK\$i$@6  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ,Vh.T&X5  
•7. 等效折射率近似 \]P!.}nX#  
•8. 数值模拟 A$#p%yb  
, #U.j  
三.半导体中的光跃迁和增益 g0>,%b  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 43={Xy   
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 F;=4vS]\  
•3.简约态密度及增益谱 N-I5X2  
•4.模式的自发辐射速率 'rMN=1:iu"  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 /I)yU>o  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 )t$,e2FY  
•7.增益谱峰值的近似表达式 FL(6?8zK  
[[>wB[w  
四. 速率方程和动态效应 *H?!;u=8  
•1．单模速率方程及基本物理量 $-#Yl&?z9  
•2．稳态输出 U>V&-kxtV  
•3. 共振频率和3dB带宽 \2ZPj)&-E
 
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ?*?RP)V  
•5. 开启延迟时间 A,\6nO67  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Fx5d:!]:$?  
•7. 自发辐射引起的噪声 y]J89  
•8. 相对强度噪声 {Zh>mHW3  
•9. 模式线宽 K$M^gh0  
•10. 多模速率方程 N@O8\oQG  
L:_bg8eD#  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Bn61AFy`  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 L3G \  
3.激光器寿命 _Qh z3'I1  
4.激光器阈值电流的温度特性 (T!9SU  
mN!lo;m5  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~