[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Xf
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一. 半导体激光器的基本结构 7SAu">lI
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•1.半导体双异质结构 #3u8BLy$Q  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 'zT/x`V  
•3. 侧模控制(基侧模) 3L>V-RPiM  
•4.横模控制 HEe0dqG  
•5. 动态单模半导体激光器 ci3{k"  
•6. 波长可调谐半导体激光器 d:sUh  
•7.长波长VCSEL的进展 BzWmV.5  
•8.微腔激光器和光子晶体 wZrdr4j  
•9.半导体激光器材料的选择 (nda!^f_s  
(2qo9j"j/Y  
二.半导体光波导  mH?^3T  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 o'Tqqrr  
•2. 光限制因子和模式增益 !2&h=;i~V  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ,st4K;-  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 zP=J5qOZ8  
•5. DFB激光器的藕合模理论 vgE5(fJh  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 PVEEKKJP]J  
•7. 等效折射率近似 >b*P
d *f  
•8. 数值模拟 5QmF0z)wR  
(Z`Y   
三.半导体中的光跃迁和增益 _5y)m5I  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Ii|<:BW  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 5@ZD'  
•3.简约态密度及增益谱 %8{' XJ!  
•4.模式的自发辐射速率 $g|g}>Sc  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 /h2`?~k+  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 RI*Q-n{  
•7.增益谱峰值的近似表达式 V<nzTh
M\  
;#xhlR* ~  
四. 速率方程和动态效应 8%nTDSp&t  
•1．单模速率方程及基本物理量 /Zv
}u  
•2．稳态输出 mbS &>  
•3. 共振频率和3dB带宽 dd4yS}yBlR  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 +%gh?  
•5. 开启延迟时间 z5Nw+#m| i  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 SH}O?d\Q:  
•7. 自发辐射引起的噪声 .+[[m$J  
•8. 相对强度噪声 )UJ]IB-Q|1  
•9. 模式线宽 j@9nX4Z  
•10. 多模速率方程 OB$A"XGAEV  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ~kN6Hr*X  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ?=4J  
3.激光器寿命 QL\'pW5  
4.激光器阈值电流的温度特性 vB.LbYyF  
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