半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 s#[Ej&2[=
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一. 半导体激光器的基本结构 ?_r"Fg;"
•1.半导体双异质结构 'c D"ZVm1
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 1<"kN^
•3. 侧模控制(基侧模)
(~oPr+d
•4.横模控制 r%9Sx:F
•5. 动态单模半导体激光器 B!v1gh
•6. 波长可调谐半导体激光器 CHB{P\WF
•7.长波长VCSEL的进展 BKEB,K=K@
•8.微腔激光器和光子晶体 %9.KH
•9.半导体激光器材料的选择 nLg7A3[1v
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二.半导体光波导 _HQa3wj
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 ~Zm(p*\T
•2. 光限制因子和模式增益 :O%O``xT
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 OA0\b_
•4. 半导体激光器镜面反射系数 DI7trR`
•5. DFB激光器的藕合模理论 ceCshxTU
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 $7,dKC &
•7. 等效折射率近似 b4wJnmC8
•8. 数值模拟 iC]}M
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三.半导体中的光跃迁和增益 HChewrUAn
•1. 费米分布函数及跃迁速率 8] *{i
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 A VjtK
•3.简约态密度及增益谱 N_0O"" d
•4.模式的自发辐射速率 2~)]E#9
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 )94R\f
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 e|LXH/H
•7.增益谱峰值的近似表达式 ^9nM)[/C?
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四. 速率方程和动态效应 rSk $]E ]Z
•1.单模速率方程及基本物理量 "n:9JqPb
•2.稳态输出 83a
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•3. 共振频率和3dB带宽 b/EvcN8 }
•4. 载流子输运效应对带宽影响 a#1X)ot
•5. 开启延迟时间 F\e'z
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ^=ikxZyO
•7. 自发辐射引起的噪声 vIJdl2(^E
•8. 相对强度噪声 |]Xw1.S.L
•9. 模式线宽 u+'=EGl
•10. 多模速率方程 @&+
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 tv2dyC&a
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 OW>U5 \q
3.激光器寿命 /dqKFxB1
4.激光器阈值电流的温度特性
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