半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 B["C~aF
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一. 半导体激光器的基本结构 |]x>|Z?/u
•1.半导体双异质结构 Z(a,$__
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) O3["5
•3. 侧模控制(基侧模) o0F&,|'
•4.横模控制 L+2<J,
•5. 动态单模半导体激光器 aqN6.t
•6. 波长可调谐半导体激光器 NN@'79x
•7.长波长VCSEL的进展 |#`qP^E
•8.微腔激光器和光子晶体 C{U"Nsu+1
•9.半导体激光器材料的选择 &O.lIj#FR
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二.半导体光波导 xv>]e <":
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 &'<e9
•2. 光限制因子和模式增益 TnQ"c)ta
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6_kv~`"t Z
•4. 半导体激光器镜面反射系数 %,Lv},%Y
•5. DFB激光器的藕合模理论 g=]VQ;{
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 #l#8-m8g)
•7. 等效折射率近似 TNkvdE-S
•8. 数值模拟 kBg8:bo~
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三.半导体中的光跃迁和增益 jcL%_of
•1. 费米分布函数及跃迁速率 a(oa?OdJ
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 szC<ht?z
•3.简约态密度及增益谱 z1S
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•4.模式的自发辐射速率 1U6z2i+y
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 HvzXAd
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 VMIX=gTZ
•7.增益谱峰值的近似表达式 Ra/Pk G-7
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四. 速率方程和动态效应 a]nK!;>$
•1.单模速率方程及基本物理量 XR|U6bf]
•2.稳态输出 `i<omZ[aT
•3. 共振频率和3dB带宽 .bY
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•4. 载流子输运效应对带宽影响 75^AO>gt
•5. 开启延迟时间 o2~P
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•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 QTC!vKM
•7. 自发辐射引起的噪声 L@s_)?x0
•8. 相对强度噪声 Z5|BwM
•9. 模式线宽 JIPBJ
•10. 多模速率方程 f0&%
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 F:N8{puq5
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #MFIsx)r
3.激光器寿命 EKus0"|
4.激光器阈值电流的温度特性 1Li*n6tLX`
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