半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 71nI`.Z
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一. 半导体激光器的基本结构 QasUgZ
•1.半导体双异质结构 -Qt>yzD3
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模)
>&1MD}
•3. 侧模控制(基侧模) GsYi/Z
•4.横模控制 UR/lM,N;
•5. 动态单模半导体激光器 "y %S.ipWG
•6. 波长可调谐半导体激光器 ^'UJ&UfX
•7.长波长VCSEL的进展 J9tQ@3{f
•8.微腔激光器和光子晶体 fgb%SIi?
•9.半导体激光器材料的选择 ]cz*k/*0
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二.半导体光波导 kW'xuZ&
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 uC_&?
•2. 光限制因子和模式增益 Y#'?3
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 CB<i
•4. 半导体激光器镜面反射系数 pa7Iz^i
•5. DFB激光器的藕合模理论 |@}Yady@C
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 l7{Xy_66
•7. 等效折射率近似 )czuJ5
•8. 数值模拟 8P wobln
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三.半导体中的光跃迁和增益 Qx9lcO_
•1. 费米分布函数及跃迁速率 SA5
g~{"
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 p8%/T>hK
•3.简约态密度及增益谱 ZDmBuf
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•4.模式的自发辐射速率 :{iS0qJ
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 X[ERlw1q4Q
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 i+I%]
•7.增益谱峰值的近似表达式 `iX~cUQ
c,$ >u,4
四. 速率方程和动态效应 ~w<u!
•1.单模速率方程及基本物理量 B2QC#R
•2.稳态输出 $'SWH+G
•3. 共振频率和3dB带宽 kIHfLwh9N
•4. 载流子输运效应对带宽影响 T.1*32cX
•5. 开启延迟时间 p Rt=5WZ
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .t/XW++
•7. 自发辐射引起的噪声 D[.;-4"_
•8. 相对强度噪声 *x^W`i
•9. 模式线宽 `@8QQB
•10. 多模速率方程 ail%#E8
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 93zoJiLRf
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 &ukYTDM
3.激光器寿命 H
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4.激光器阈值电流的温度特性 L-7?:
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