半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ex<O]kPFE
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一. 半导体激光器的基本结构 \3Q&~j
•1.半导体双异质结构 g!i45-n3gt
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) = 0-
$W5E
•3. 侧模控制(基侧模) i%{3W:!4t
•4.横模控制 0A:n0[V:]
•5. 动态单模半导体激光器 s!9dQ.
•6. 波长可调谐半导体激光器 WO6/X/#8 b
•7.长波长VCSEL的进展 \j2;4O?`
•8.微腔激光器和光子晶体 O}[PJfvBHo
•9.半导体激光器材料的选择 w0ZLcND{
b7/AnSR~Jt
二.半导体光波导 xBFJ} v
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 63!rUB!
•2. 光限制因子和模式增益 >3gi yeJ
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 vfB2XVc
•4. 半导体激光器镜面反射系数 !m(4F(!"h
•5. DFB激光器的藕合模理论 5[{*{^F4
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 h8 G5GRD
•7. 等效折射率近似 3@n>*7/E
•8. 数值模拟 v_S4hz6w\
za'6Y*CGgX
三.半导体中的光跃迁和增益 s !+"yK
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ,&Wn [G< 2
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 +Ug/rtK4
•3.简约态密度及增益谱 6r"u$i` o
•4.模式的自发辐射速率 =V97;kq+v
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 1ZJQs 6
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 =o p%8NJf
•7.增益谱峰值的近似表达式 ^Cv^yTj;&
*[eL~ oN.c
四. 速率方程和动态效应 0lM{l?
•1．单模速率方程及基本物理量 B$?qQ|0:=
•2．稳态输出 mfny4R1_
•3. 共振频率和3dB带宽 ?8, %LIQ?
•4. 载流子输运效应对带宽影响 \uG`|D n
•5. 开启延迟时间 l$*=<tV
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 pbHsR^
•7. 自发辐射引起的噪声 ]v G{kAnH
•8. 相对强度噪声 "Dy'Kd%,%/
•9. 模式线宽 YYg)
•10. 多模速率方程 k#}g,0@
1\L[i];L8
五.半导体激光器的基本工艺和特性 pWE `x|J
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 | DF9cd^
3.激光器寿命 -V % gVI[
4.激光器阈值电流的温度特性 z5Qs @dG
R)Mt(gFZT_
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