半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 D?A3p6%
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一. 半导体激光器的基本结构 WCRGqSr4
•1.半导体双异质结构 Qa>t$`o`
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) |$
•3. 侧模控制(基侧模) ~)vq0]MRg
•4.横模控制 k}18
~cWM
•5. 动态单模半导体激光器 S+2we
•6. 波长可调谐半导体激光器 _D.4=2@|l8
•7.长波长VCSEL的进展 E7mB=bt>=
•8.微腔激光器和光子晶体 x`n7D
•9.半导体激光器材料的选择 r"YOA@
<Ukeq0
二.半导体光波导 AO[/-Uij
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 \8Y62
•2. 光限制因子和模式增益 o=C:=
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ((Uw[8#2`
•4. 半导体激光器镜面反射系数 %/.yGAPkx
•5. DFB激光器的藕合模理论 PJ-g.0q
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 tK7v&[cI
•7. 等效折射率近似 yVfF
*nG
•8. 数值模拟 CT{mzC8
$-AG$1
三.半导体中的光跃迁和增益
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•1. 费米分布函数及跃迁速率 d
RIu A)0s
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ,B 2p\
•3.简约态密度及增益谱 D4Z7j\3a
•4.模式的自发辐射速率 ?LSwJ
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•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 F,}7rhY(U^
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~`yO@f;D
•7.增益谱峰值的近似表达式 XmJ ?oPr7
'/2)I8
四. 速率方程和动态效应 ^i[bo3
•1.单模速率方程及基本物理量 <P@ "VwUX
•2.稳态输出 o#uhPUZ
•3. 共振频率和3dB带宽 ;.+C
•4. 载流子输运效应对带宽影响 '+&!;Jj,
•5. 开启延迟时间 hm,H3pN
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 0g'MFS
•7. 自发辐射引起的噪声 #b,!N
•8. 相对强度噪声 =I8^E\O("
•9. 模式线宽 'r'+$D7
•10. 多模速率方程 VPvQ]}g6k
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 v`&>m'
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ;q?WU>c{?
3.激光器寿命 T-F8[dd^/
4.激光器阈值电流的温度特性 *JArR1J
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