半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ~ ?Qe? hB
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一. 半导体激光器的基本结构 UJAv`yjG
•1.半导体双异质结构 K( c\wr\6
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) n`B:;2X,
•3. 侧模控制(基侧模) 17%,7P9pg
•4.横模控制 |PCm01NU!
•5. 动态单模半导体激光器 p?%y82E
•6. 波长可调谐半导体激光器 Olt ?~}
•7.长波长VCSEL的进展 mA}TJz
•8.微腔激光器和光子晶体 36&e.3/#
•9.半导体激光器材料的选择 B:yGS*.tu
hB]Np1('
二.半导体光波导 .GP T!lDc
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 O'p9u@kc
•2. 光限制因子和模式增益 5,lEx1{_
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 X Swl Tg
•4. 半导体激光器镜面反射系数 6EoMt@7g
•5. DFB激光器的藕合模理论 T9E+\D
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 z [ }v{
•7. 等效折射率近似 x/I%2F
•8. 数值模拟 ~OYiq}g
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三.半导体中的光跃迁和增益 #>("CAB02T
•1. 费米分布函数及跃迁速率 b;B%q$sntC
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 iJI }TVep#
•3.简约态密度及增益谱 $u6"*|
•4.模式的自发辐射速率 $t'MSlF
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 \j}ZB<.>
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 d=$Mim
•7.增益谱峰值的近似表达式 ^qvZXb
$lfn(b,
四. 速率方程和动态效应 $D~0~gn~
•1．单模速率方程及基本物理量 >W=,j)MA
•2．稳态输出 + /4A
•3. 共振频率和3dB带宽 a{'vN93
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Fo (fWvz
•5. 开启延迟时间 [ :
n'k
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 x}wG:K
•7. 自发辐射引起的噪声 z3{ G9Np
•8. 相对强度噪声 kr ^P6}'
•9. 模式线宽 :".ARCg
•10. 多模速率方程 L:$ ,v^2
u"r`3P`
五.半导体激光器的基本工艺和特性 WH# 1 zv
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 bI7Vwyz
3.激光器寿命 !]A
4.激光器阈值电流的温度特性 &)#
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