[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 xLE+"6;W  
IH$R
XGL  
一. 半导体激光器的基本结构 "CEy r0h  
•1.半导体双异质结构 bb6 ~H  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) /S]W<8d  
•3. 侧模控制(基侧模) ^J8sR4p#  
•4.横模控制 u@`)u#  
•5. 动态单模半导体激光器 }OeEv@^  
•6. 波长可调谐半导体激光器 Oc;/'d2  
•7.长波长VCSEL的进展 XFeeNcqF  
•8.微腔激光器和光子晶体 )P^5L<q>|  
•9.半导体激光器材料的选择 W#<&(s4  
w"CcWng1  
二.半导体光波导 6~b~[gA  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 9<An^lLK*  
•2. 光限制因子和模式增益 &FWPb#  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Jmb [d\ /D  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 tQ7DdVdix  
•5. DFB激光器的藕合模理论 #5?Q{ORN o  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 jafq(t  
•7. 等效折射率近似 &gkGH<oaX  
•8. 数值模拟 8gap _qTo  
S7Xr~5>X  
三.半导体中的光跃迁和增益 r<;bArs-u  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 IJ^KYho  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 @<]xbWhuw  
•3.简约态密度及增益谱 $'f<4  
•4.模式的自发辐射速率 (~oUd4  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 $+IE`(Ckf  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ]E66'  
•7.增益谱峰值的近似表达式 8Ek<J+&|I  
9=&e5Oq}  
四. 速率方程和动态效应 yQ4]LyS  
•1．单模速率方程及基本物理量
c
7j^OP  
•2．稳态输出 QdKxuG  
•3. 共振频率和3dB带宽 z_#B 4  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 EXDtVa Ot  
•5. 开启延迟时间 "(}xIsy  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ZdE
eY|
j  
•7. 自发辐射引起的噪声 0s = h*"[  
•8. 相对强度噪声 XD`
QU m  
•9. 模式线宽 7z \I\8  
•10. 多模速率方程 \#5t%t
 
8<$6ufvOv  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Qp7|p  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 f>JuxX\G  
3.激光器寿命 'kc_OvVA  
4.激光器阈值电流的温度特性 g$~3@zD  
:Ia3yi#  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~