深度解析LED灯具发展的巨大瓶颈——热阻

发布:lilili1 2015-07-27 16:18 阅读:1253
热阻即热量在热流路径上遇到的阻力,反映介质或介质间的传热能力的大小,表明了1W热量所引起的温升大小,单位为℃/W或K/W。可以用一个类比来解释,如果热量相当于电流,温差相当于电压,则热阻相当于电阻。通常,LED器件在应用中,结构热阻分布为芯片衬底、衬底与LED支架的粘结层、LED支架、LED器件外挂散热体及自由空间的热阻,热阻通道成串联关系。 W,D4.w$@'  
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LED灯具作为新型节能灯具照明过程中只是将30-40%的电能转换成光,其余的全部变成了热能,热能的存在促使我们金鉴必须要关注LED封装器件的热阻。一般,LED的功率越高,LED热效应越明显,因热效应而导致的问题也突显出来,例如,芯片高温的红移现象;结温过高对芯片的永久性破坏;荧光粉层的发光效率降低及加速老化;色温漂移现象;热应力引起的机械失效等。这些都直接影响了LED的发光效率、波长、正向压降以及使用寿命。LED散热已经成为灯具发展的巨大瓶颈。 ky8_UnaO  
Y y5h"r  
为了帮助客户了解产品,克服行业瓶颈,评估LED封装器件的散热水平,金鉴检测LED品质实验室专门推出“LED封装器件的热阻测试及散热能力评估”的业务。 mD/9J5:  
02Y]`CXj  
服务客户:LED封装厂、LED灯具厂、LED芯片厂、器件代理商 E~,F  
a@8v^G  
服务内容: % BVs47g  
1.封装器件热阻测试 Gw=B:kGk  
2.封装器件内部“缺陷”辨认 #akpXdXs  
3.结构无损检测 FSP+?((  
4.老化试验表征手段 {]*c29b>  
5.接触热阻测试 'QJ:`)z  
6.热电参数测试 UMv.{iEj  
包括:(1)电压温度变化曲线;(2)光通量温度变化曲线;(3)光功率温度变化曲线;(4)色坐标温度变化曲线;(5)色温温度变化曲线;(6)效率温度变化曲线。 ]E7F /O/.  
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金鉴检测应用举例 _> f`!PlB|  
1.封装器件热阻测试 :8I9\eet3  
(1)测试方法一:测试热阻的过程中,封装产品一般的散热路径为芯片-固晶层-支架或基板-焊锡膏-辅助测试基板-导热连接材料 svsqg{9z  
LU \i0|i|  
侧面结构及散热路径 j >Ht@Wi  
D!@Ciw  
金鉴检测根据测试,可以得出如下述的热阻曲线图,可读出测试产品总热阻(整个散热路径)为7.377K/W。该方法测试出的热阻需根据测试样品的结构,判定曲线中的热阻分层,获得封装器件的准确热阻。该方法更适合SMD封装器件。 -] LY,M  
B#exHf8  
热阻曲线图 7X`l&7IXP  
\j+1V1t9  
(2)测试方法二: $>G8_q  
oxC[F*mD  
与方法一不同,该方法需经过两次热阻测试,对比得出的热阻,可精确到器件基板外壳,无附带测试基板数值。 :uP,f<=)K  
两次测试的分别:第一次测量,器件直接接触到基板热沉上;第二次测量,器件和基板热沉中间夹着导热双面胶。由于两次散热路径的改变仅仅发生在器件封装壳之外,因此结构函数上两次测量的分界处就代表了器件的壳。如下图所示的曲线变化,可得出器件的精确热阻。该方法适合COB封装器件。 =FlDb 5t{  
{mm)ay|M  
多次测试的热阻曲线对比图 ?OId\'q  
j1^I+j)  
(3)利用结构函数识别器件的结构 iyA'#bE-  
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常规的,芯片、支架或基板、测试辅助基板或冷板这三层的热阻和热容相对较小,而固晶层和导热连接材料的热阻和热容相对较大。 \}+_Fo/  
-] L6=  
如下面结构函数显示,结构函数上越靠近 y 轴的地方代表着实际热流传导路径上接近芯片有源区的结构,而越远离 y 轴的地方代表着热流传导路径上离有源区较远的结构。积分结构函数是热容—热阻函数,曲线上平坦的区域代表器件内部热阻大、热容小的结构,陡峭的区域代表器件内部热阻小、热容大的结构。微分结构函数中,波峰与波谷的拐点就是两种结构的分界处,便于识别器件内部的各层结构。在结构函数的末端,其值趋向于一条垂直的渐近线,此时代表热流传导到了空气层,由于空气的体积无穷大,因此热容也就无穷大。从原点到这条渐近线之间的 x 值就是结区到空气环境的热阻,也就是稳态情况下的热阻。 Z.c'Hs+;  
6q*9[<8  
热阻曲线的两种结构函数 j-0z5|*KE  
2.封装器件内部的“缺陷” A]<y:^2])C  
<W|3\p6  
固晶层内部缺陷展示 cT<1V!L4  
nx@=>E+a  
对比上面两个器件的剖面结构,固晶层可见明显差异。如下图,左边为正常产品,右边为固晶层有缺陷的产品。 56}U8X  
k;2GEa]w  
固晶层缺陷引发的热阻变大 vmi+_]   
&?W0mW(  
根据上图显示,固晶层缺陷会造成的热阻增大,影响散热性能,具体的影响程度与缺陷的大小有关。 ccB&O _  
p s/A yjk  
3.结构无损检测 S\LkL]qx  
同批次产品,取固晶层完好、边缘缺陷以及中间缺陷的样品测试。固晶完好的固晶层应为矩形,而边缘和中间存在缺陷,则固晶层不规则,下图两种缺陷的图片。 u&1q [0y  
a!ud{Dx  
固晶缺陷示意图 qUh2hz:  
3%l*N&gsg:  
测试出三条热阻曲线。由于三次测试的芯片是一样的,因此在结构函数中表征芯片部分的曲线是完全重合在一起的。随着固晶层损伤程度的增加,该结构层的热阻逐渐变大。这是由于空洞阻塞了有效的散热通道造成的。 s&A} h  
yaD~1"GA'O  
固晶缺陷热阻值对比 ,kF1T,  
N< |@ymi  
金鉴检测根据测试结果,不仅可以定性地找出存在缺陷的结构,而且还能定量得到缺陷引起的热阻的变化量。 5"^en# ?9  
f) znTJL  
4.老化试验表征手段 S-P/+K6  
下图为一个高温高湿老化案例中同一样品不同时期的热阻曲线。 $()5VM b  
|P[w==AAf  
老化后的热阻漂移现象 fo5iJz"Z  
o%v0h~tn  
老化前后,从芯片后波峰的移动可以清晰地看出由于老化造成的分层,导致了芯片粘结层的热阻增大。对样品不同阶段的热阻测试,可得到每层结构的热阻变化,根据变化分析老化机理,从而改善产品散热性能。 3) 8QS  
t'VV>;-RO=  
5.接触热阻的测量随着半导体制造技术的不断成熟,热界面材料的热性能已经成为制约高性能封装产品的瓶颈。接触热阻的大小与材料、接触质量是息息相关的。常规的接触材料或方式有:(1)导热胶;(2)导热垫片;(3)螺钉连接;(4)干接触。下图为对于接触热阻的一次专门测试。 R,gR;Aarw  
K:!"+q  
不同接触方式的热阻 } uO);k5H  
4S5,w(6N  
由上图金鉴发现,接触热阻的大小不仅与接触材料有关,还与接触的质量有关。接触材料的导热系数越大,接触热阻越小。接触质量越好,接触热阻越小。 ADS9DiX/  
Qi^Z11  
6.热电参数特性举例 JX -' mV`  
6 2'j!"xv  
电压温度曲线 ;L cVr13J/  
?a8^1:  
由上图可见,随着温度的上升,该样品LED的电压呈线性递减。 @AG n{q  
r) HHwh{9  
光通量温度曲线 i8`Vv7LF  
lU @]@_<  
由上图可见,随着温度的上升,该样品LED的光通量呈线性递减。 mZk]l5Lc  
e]`[yf  
色坐标漂移曲线 d_CKP"TA  
?h.wK  
由上图可知,随着温度的上升,该样品LED的色坐标会往高色温方向漂移。
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