光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 DBHHJD/q  
a%BC{XX  
Pv,PS.,-  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： gY
[G>D=  
=OtW!vx#R.  
Jk`Jv;  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 1%vE7a>{  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） t(V2  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） WRkuP
j2  
    高损伤阈值 :h(3Ep  
    可精确控制相位延迟 sk<S`J,M/_  
&Ep$<kx8  
xzA!,75@U  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 :Zkjtr.\  
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FN/l/OSb  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 N#jUqm  
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应用举例： frm[<-~w0  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf lul  
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m(:R(K(je  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： ZVJ6 {DS/  
CdCY#$Z  
(zy|>u  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 g#l!b%$  
I]5){Q"S  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 }j1;0kb?  

CE  
Gdx%#@/  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 >k@{N
P2b  
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_X<V`, p  
S/y(1.wh  
TABLE 1 0QquxYYw,  
   rVsCJuxI  
   U v>^ Z2  
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SPECTRAL REGION ?wmu
0rR  
SERIES ZJGIib  
MATERIAL R6>*n!*D@  
xDekC~Zq  
Vacuum UV, UV H3d|eO4+W  
I SJj_e-  
Lithium Fluoride d3?gh[$  
V_v+ic^  
Vacuum UV to mid-IR {[NQD3=+F  
I,II -~\7ZRP8  
Calcium Fluoride :18}$  
U:MZN[Cc[  
Vacuum UV to near-IR >tL"8@z9  
I,II s:,fXg25J  
Fused Silica =yqg,w&Q  
9S'\&mRl  
Mid-visible to mid-IR Ly, ];  
II ?H!&4o  
Zinc Selenide M_7
5bU  
z=jzr=lP  
Near- to mid-IR 4T&Jlu?:  
II \B/( H)Cd*  
Silicon EOqV5$+  
_Bn8i(  
D,-L!P  
*x2u  
:t+LuH g  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 )0;O<G] d  
FEa%wS{  
lu1T+@t  
Ja\B%f  
{=R vFA  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 X/Fip0i  
;lTgihW-  
waV4~BdL  
T z+Y_  
}_Sg
or83n  
X)9|ZF2`  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） e
<Oz%  
q>#P|  
a5@lWpQsV  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 SnO,-Rg  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 _@|_`5W  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 0b,{4DOD  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 Gn10)Uf8X  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH Rg~
[X5  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 *(*XNd||  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds @(tuE  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 i2Gh!5]f  
+w@/$datI  
}T=\hM  
9'p p
b  
基本指标 *K=me/ 3  
hJ V*  
mP)im]H  
Model "r{ ^Y??  
Optical Material UZc{ Av  
Nominal ue}lAW{q  
@|~D?&<\  
Frequency a4!6K  
Retardation Range jBd9 $`  
Useful )jRaQ~Sm  
BQ~&gy{  
Aperture1 FCYZ9L5uF  
l)1ySX&BU  
Quarter Wave ,rQPs  
Half Wave >Gxu8,_;  
F8Z6Ss|v3  
I/FS50 K~z9b4a>  
Fused Silica ds QGj&  
50 kHz aw0xi,Jz  
170nm - 2μm NslaG  
170nm - 1μm <QE/p0.  
16mm 4\8k~#  
=CO#Q$
 
I/FS20 y `w5u.'  
Fused Silica  qZP>h4  
20 KHz <H!;/p/S  
170nm - 2μm gLv";"4S  
170nm - 1μm 3sGe#s%  
22mm 4,R1}.?BzJ  
^S`c-N  
I/CF50 C[(Exe  
Calcium Fluoride v~HfA)#JK  
50 kHz K<tkNWasQ  
130nm - 2μm T k>N4yq  
130nm - 1μm #bLeK$  
16mm [5kaF"  
C{):jH,Rf  
II/FS20A Q1@V?`rkS{  
Fused Silica +2]{%=  
20 kHz F%QVn.  
170nm - 2μm f_Q_qckB%x  
170nm - 1μm J;BG/VI1  
56mm +#y[sKa  
M0%):P?x  
II/FS20B x:Kca3pv_  
Fused Silica 3AD^B\<gB  
20 kHz #| Et9  
1.6μm - 2.6μm *tT}y(M  
800nm - 2.5μm F/w!4,'<?5  
56mm fKAG+t  
v ~%6!Tr  
II/FS42A "VcG3.  
Fused Silica l2!4}zI2  
42 kHz "I]% aK0  
170nm - 2μm < F Cr L  
170nm - 1μm v 1O*
Q  
27mm T=2 91)@  
cS ;hyLd  
II/FS42B 1]v.Qu<  
Fused Silica q-}J0vu\K  
42 kHz 8ESBui3;  
1.6μm - 2.6μm a8%/Xwr~  
800nm - 2.5μm ~Hs a6F&F  
27mm 8P'>%G<m  
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rESb[  
II/FS47A Aj4i}pT  
Fused Silica _>*$%R  
47 kHz "ND 7,rQ  
170nm - 2μm (byF
r9z  
170nm - 1μm @hWt.qO3s  
24mm -U=bC   
h7 >  
h^bbU.  
cQUmcK/,  
II/FS47B lG;sDR|)(  
Fused Silica PhM3?$  
47 kHz :nw4K(:f  
1.6μm - 2.6μm ?!-2G  
800nm - 2.5μm [N925?--S  
24mm -q\1Tlc]3  
VHB5
 
II/FS84 
>kK  
Fused Silica z&d&Ky  
84 kHz 0*
8[m+j1  
800nm - 2.5μm mg*[,_3q33  
400nm - 2.5μm a3037~X  
13mm r/fLm8+  
6546"sU  
II/IS42B T.aY{Y  
Fused Silica -pc*$oe  
42 kHz %Sfew/"R0  
1.6μm - 3.5μm X'WbS  
800nm - 2.5μm K9gfS V>]  
27mm +X0?bVT  
!["WnF{5eC  
II/IS84 {v56k8uZ  
Fused Silica xO6)lVd  
84 kHz m Fwx},dl  
800nm - 3.5μm b4s.`%U  
400nm - 1.8μm V\WqA8  
27mm {KE858  
S!k cC-7  
II/CF57 NS;,(v{*N  
Calcium Fluoride 4r5?C;g  
57 kHz M"#xjP.  
2μm - 8.5μm %X O97  
1μm - 5.5μm {o4m3[C7=}  
23mm ;2-,Xzz8  
0S;H`w_S  
II/ZS37 ; 7[
5%xM  
Zinc Selenide 4E}/{1  
37 kHz }i./,  
2μm - 18μm !i
A0u  
1μm - 9μm (5re'Pl  
19mm KE`}P<K&  
try'%0}>  
II/ZS50 ^N _kiSr  
Zinc Selenide egxh  
50 kHz ksT2_Ic  
2μm - 18μm ne4hR]:  
1μm - 10μm l_y:IY$"  
14mm S.aSNH<  
xg k~y,F  
II/SI40 f3]Z22Yq  
Silicon |[;9$V
n  
40 kHz dQQh$*IL?{  
FIR - THz /Zap'S/  
FIR - THz <V#9a83JP  
36mm Dx/BxqG6}_  
PW x9CT  
II/SI50 htj:Z:C`  
Silicon 61HU_!A8S  
50 KHz UYn5Pix  
FIR - THz /mX/ "~  
FIR - THz ;z/Z(7<;;  
29mm ^+^#KC8]W  
Fx*iAH\e