光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 Id->F0x0  
iM'{,~8R5  
N"d*pi#h  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： 3)SO-Bz\  
E2f9J{Ki=  
7=jeq|&kN  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ~$I2{I#W  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） oe1Dm  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） UMe@[E=  
    高损伤阈值 Gx75
EQ2  
    可精确控制相位延迟 <&&xt ?I.  
q*Xp"yBTo  
?kvc`7>  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 +*OY%;dQ7@  
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J(&a,w>p  
pq;)l(Hi  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 0q%=Vs~@g  
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应用举例： $~,]F  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf x)@G+I\u  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： -B\`O*Q  
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l\8l.xP  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 ?3tR(H<  
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Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 -CW$p=y}  

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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 >mI-h  
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r\+AeCyb"p  
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TABLE 1 tYt/m6h  
   IXp P.d  
   k|l"Rh<\~  
&o/&T{t}  
SPECTRAL REGION 1{+Ni{  
SERIES >gDsjHQ6;  
MATERIAL d>F=|dakL  
WU1I>i  
Vacuum UV, UV {]-nYHGL  
I Xmy(pV!PF  
Lithium Fluoride ,*.C''
 
[_j.pMH/P  
Vacuum UV to mid-IR La}
=Ng  
I,II Y=/3_[G  
Calcium Fluoride M38,SH<  
&G55<tRE  
Vacuum UV to near-IR &..![,)w^!  
I,II hD\C[C,  
Fused Silica /B!"\0G/,  
De|@}@  
Mid-visible to mid-IR "z^Ysvw&~  
II d; @Kz^  
Zinc Selenide ;D]TPBE  
:i*JlKHJd  
Near- to mid-IR n[WXIE<  
II iZ[o2Tre  
Silicon K@*m6)  
BU:s&+LYUv  
qd3B>f  
>FHTBh& Y  
fx.FHhVu  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 ' 7>}I{Lq  
oTOe(5N8a  
~PuPY:"  
KnZm(c9+  
wSIt"g,%  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 O\OG~`HBN  
2ok>z$Y  
[.z1  
~"EkX  
& A9psc(,&  
V6wYJ$]
 
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） G`|mP:T:o  
7Yj\*N  
$.
kIB+K  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 biGaP#"0  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 )#3,y6  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 f{ S)wE>;  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 v}[KVwse  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH ,`+y4Z6`W2  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 (U/[i.r5Cj  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds ; @Gm@d  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 {LJCY<IGq  
f$V']dOj1q  
dJNYuTZ'  
F$F5N1<  
基本指标 Xg!Mc<wA[  
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j- F=5)A  
Model 3CQpe  
Optical Material mq'q@@:c  
Nominal +$},Hu69j  
oL}FD !}  
Frequency =K8`[i
H  
Retardation Range GUat~[lUrj  
Useful !h9 An  
f.+e  
Aperture1 uX}M0W  
C UBcU  
Quarter Wave <;9vwSH>  
Half Wave _rjCwo\  
wK#UFOp  
I/FS50 MiOSSl};  
Fused Silica :sT<<LtI-  
50 kHz
=t)eT0  
170nm - 2μm r="X\ [on  
170nm - 1μm k )){1O  
16mm &Vgjd>  
T/S-}|fhQ  
I/FS20 :^iR&`2~  
Fused Silica OgHWmb  
20 KHz XTW/3pB  
170nm - 2μm e`}|*^-  
170nm - 1μm 8CEy#%7]}  
22mm cW&OVNj  
5&94VQ$d  
I/CF50 yx/:<^"-$  
Calcium Fluoride l^0 <a<P  
50 kHz p3^7Hr  
130nm - 2μm ]Dx?HBM"DC  
130nm - 1μm IHagRldG  
16mm `hH1rw@7<  
I/^Lr_\  
II/FS20A NpRC3^  
Fused Silica T,?^J-h^  
20 kHz xOu cZ+  
170nm - 2μm >)S a#w;  
170nm - 1μm RPp_L>&~<  
56mm Y}f%/vus  
]m}>/2oSs  
II/FS20B ^jCkM29eu  
Fused Silica l_f"}l  
20 kHz tU)+q?Mw  
1.6μm - 2.6μm 80+" x3r  
800nm - 2.5μm PiH#9XB  
56mm ! B)Em  
BwBv'p+n  
II/FS42A H9jj**W ;$  
Fused Silica z1]RwbA?1  
42 kHz has5"Bb  
170nm - 2μm u-k*[!JU  
170nm - 1μm V@Po}  
27mm yr;oq(&N  

@ObsW!g  
II/FS42B @8_K^3-~e  
Fused Silica iWtWT1n8n  
42 kHz 1^$Io}o:S  
1.6μm - 2.6μm ZGp8$Y>r  
800nm - 2.5μm D@j `'&G  
27mm ;2X1qw>  
t~bjDV^`  
II/FS47A m
$O@+;>l  
Fused Silica (cCB3n\20  
47 kHz TAGqRYgi  
170nm - 2μm LL,~&5{  
170nm - 1μm p$"*U[%l  
24mm ~^3B(feQ]  
FNm8j#c~Q  
EIf~>
AI  
dB1bf2'b#  
II/FS47B 'vCFT(C-  
Fused Silica M=!x0V;  
47 kHz *~-~kv4-  
1.6μm - 2.6μm r
<bg->lX  
800nm - 2.5μm dch(HB}[  
24mm i
-/'F  
L:%h]-  
II/FS84 ;>Kxl}+R  
Fused Silica f:BW{Cij;y  
84 kHz lual'~  
800nm - 2.5μm Zo&U3b{Dy  
400nm - 2.5μm CP={|]>+S  
13mm Li7/pUq>}!  
<GR]A|P  
II/IS42B ]p$fEW g  
Fused Silica fM8 :Nt$  
42 kHz 8~
4{e,} ,  
1.6μm - 3.5μm W;hI[9  
800nm - 2.5μm 6t@3 a?  
27mm ?N`W,  
b)`<J @&{  
II/IS84 8# 9.a]AX  
Fused Silica Lo !kv*  
84 kHz -lLq)  
800nm - 3.5μm h],_1!0  
400nm - 1.8μm aA\v  
27mm O*c+TiTb  
L]9*^al  
II/CF57 ON!1lS  
Calcium Fluoride RX#:27:  
57 kHz )kg^.tP  
2μm - 8.5μm t&-7AjS5  
1μm - 5.5μm y5
oiH  
23mm C/lpSe  
Nhuw8Xv  
II/ZS37 zi<C5E`  
Zinc Selenide EXo"F*gW  
37 kHz k}JjSt1_A;  
2μm - 18μm &Tl3\T0D  
1μm - 9μm _jP]ifu`  
19mm esFBWJ  
"-\I?
k  
II/ZS50 !WAbO(l  
Zinc Selenide ld}-}W-cq  
50 kHz .hn"NXy  
2μm - 18μm z,$^|'pP  
1μm - 10μm $1/yc#w u  
14mm _PQQ&e)E  
7)<&,BWc  
II/SI40 !~PV\DQN  
Silicon [&
"`2n  
40 kHz lP0'Zg(  
FIR - THz dd_n|x1  
FIR - THz FzW7MW>\x  
36mm bm`x  
)g+~"&Gcx  
II/SI50 G4]T  
Silicon qK,rT*5=  
50 KHz $,F1E VJ  
FIR - THz kwWDGA?zFB  
FIR - THz mM!Gomp  
29mm -I'#G D>  
UJ n3sZ<}