光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 Ew,1*WK!  
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nm}wdel"  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： qvHRP@  
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    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 qPH=2k,H  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） .5AyB9a%&  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） d&G#3}kOb%  
    高损伤阈值 kZU v/]Y.  
    可精确控制相位延迟 \:/~IZdzF  
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p(A[m[  
IUZ@n0/T  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 JlMD_pA  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 e6y,)W"WW2  
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应用举例： 9vL n#_  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf Li2-G  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： p*ic@n*G  
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Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 fBw"<J{  
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Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 S#[w)
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 =bgu2#%Z  
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TABLE 1 xC}9W6  
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   8G<{L0J%!  
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SPECTRAL REGION HA#9y;\  
SERIES S?BI)shmg  
MATERIAL umJ!j&(  
eWw# T^  
Vacuum UV, UV e0&x?U*/  
I :41Ch^\E  
Lithium Fluoride _Gb O>'kE  
%Ix   
Vacuum UV to mid-IR yR'%UpaE  
I,II [,?5}
'we  
Calcium Fluoride |J+oz7l?-  
E#A%aLp0E  
Vacuum UV to near-IR ?#]wxH,  
I,II U9/6F8D1Y1  
Fused Silica 2^f6@;=M  
j.:I{!R#  
Mid-visible to mid-IR {I^@BW-  
II 79MF;>=tV  
Zinc Selenide %}/|/=  
V X"!a  
Near- to mid-IR gF53[\w^v  
II 5'%nLW7;O  
Silicon 1n-+IR"  
H:5-S  
,SB5"  
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~M Mv+d88  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 L<H zPg  
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八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 :ND e<6?u  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） >p?Vv0*  
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({!S!k  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 [$e\?c  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 U@:h';.  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 Z(wj5;[G  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 H7?Sd(U  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH u6MHdCJ0y  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 ["N_t:9I  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds DNu-
Ce%  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 ^SvGSxi  
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基本指标 n"
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Model 1Rd2Xb  
Optical Material Qr9@e Q1Pp  
Nominal GzEv
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7w5C NV  
Frequency U%V4@iz~\m  
Retardation Range ln*jakRrC  
Useful  sDl@  
^`+Kjhht  
Aperture1 GWW#\0*Bn  
=HHtLW.|,  
Quarter Wave 8/"R&yAh  
Half Wave #I}w$j i  
AOv>O52F/Q  
I/FS50 y"Ios:v@-  
Fused Silica 2OZ<t@\OY  
50 kHz ["0DXm%t  
170nm - 2μm F#KUu3;B  
170nm - 1μm GV8`.3DBOF  
16mm &|I{ju_  
[pX cKN  
I/FS20 ?%ei+  
Fused Silica o7kQ&w  
20 KHz AYsiaSTRqW  
170nm - 2μm Fp~0 ^  
170nm - 1μm OICH:(t_  
22mm UFGUP]J>  
ZLlAK?N  
I/CF50 [vn"r^P  
Calcium Fluoride &xE+PfX  
50 kHz #3}!Q0   
130nm - 2μm ~tZy-1  
130nm - 1μm v
9MliD'  
16mm YJB/*SV^  
"sJ@_lp  
II/FS20A 6QePrf  
Fused Silica 4vyJ<b  
20 kHz F5 7Kr5X  
170nm - 2μm I/_,24[  
170nm - 1μm L*zfZ&  
56mm S.|%dz  
TXbnK"XQ  
II/FS20B C
Z.HQc  
Fused Silica HE@P<  
20 kHz iJb-F*_y  
1.6μm - 2.6μm %9b TfX"  
800nm - 2.5μm C *]XQ1F4  
56mm `teaE7^Wm  
plgiQr #  
II/FS42A Xu& v3Y~k  
Fused Silica xV.UM8  
42 kHz EfqC_,J*3  
170nm - 2μm ^~W s4[Guo  
170nm - 1μm Rf TG 5E)  
27mm G5*_  
cv9-ZOxJ  
II/FS42B CO{AC~  
Fused Silica +m4?a\U  
42 kHz O5dB
I_  
1.6μm - 2.6μm )TOKHN  
800nm - 2.5μm \9k{h08s  
27mm E
Si-'R&  
~' q&rvk`  
II/FS47A k(dNHT  
Fused Silica @] 3`S  
47 kHz dF'oZQz  
170nm - 2μm ^3ysY24Q  
170nm - 1μm `! _
mIh}  
24mm
A?H.EZ  
r?}L^bK  
wj9Hh  
=po5Q6@i  
II/FS47B l-M .
C8N  
Fused Silica seA=7c5E  
47 kHz s=1w6ZLD  
1.6μm - 2.6μm YLid2aF  
800nm - 2.5μm %kL]-Z  
24mm 2YpJ4.  
M4K>/-9X+V  
II/FS84 *wV`7\@  
Fused Silica /,3:<I  
84 kHz ]Ab$IKY  
800nm - 2.5μm CM 8Ub%  
400nm - 2.5μm cLm{gd4 W  
13mm U}SN#[*  
p"QV| `  
II/IS42B %J:2y  
Fused Silica -bp7X{&  
42 kHz 54%h)dLDy  
1.6μm - 3.5μm J4jL%5t  
800nm - 2.5μm 1VB{dgr  
27mm ju(QSZ|;  
B^BbA-I  
II/IS84 m ?jF:]^  
Fused Silica :{x   
84 kHz Df0m  
800nm - 3.5μm { u1\M  
400nm - 1.8μm $<d3g:  
27mm <26Jif:  
c'Zs2s7$  
II/CF57 h;t5v6["  
Calcium Fluoride d5 U+]g  
57 kHz F/U38[  
2μm - 8.5μm eG%Q 3h  
1μm - 5.5μm +tp@Tb  
23mm U\UlQ
p?  
|"k+j_/+  
II/ZS37 6q@VkzF  
Zinc Selenide #<gD@Jybu  
37 kHz qh/}/Sl;  
2μm - 18μm fC!+"g55  
1μm - 9μm CO"Nv  
19mm ,Cj` 0v#  
!KmSLr7xU  
II/ZS50 3<ry/{#%  
Zinc Selenide lvIdYf$?  
50 kHz _2nNCu (  
2μm - 18μm gBJM|"_A
?  
1μm - 10μm .u&GbM%Ga  
14mm
h}f l:J1C  
j4!oBSp  
II/SI40 [h~#5x  
Silicon o;7_*=i  
40 kHz Ap9 %5:]  
FIR - THz "78BApjWT6  
FIR - THz 8eZ^)9m  
36mm AOR(1Qyo  
P> ilRb  
II/SI50 ys Td'J  
Silicon VT5o#NR{R  
50 KHz cA2
5FD  
FIR - THz +4m~D`fqt[  
FIR - THz F!~oJ  
29mm ~+bSD<!b  
f>jAu;S