光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 zSufU2  
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EC\:uK  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： -r0\  
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5V@  
:v ~q  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 HSFf&|qqx  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） N28?JQha  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） p%tg->#L  
    高损伤阈值 ~g|0uO}.  
    可精确控制相位延迟 W 9MZ  
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PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 ^moIMFl  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 @
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应用举例： Qn&^.e9I  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf ^PpFI  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： Rj=Om  
feHAZ.8rp+  
T+!kRigN~P  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 -2d&Aq4m)  
y$NG..S  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 essW,2,rjC  
C =U4|h~W  
ZeV)/g,w  
Gjr2]t;E  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 EV$n>.  
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rfpxE>_|G  
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TABLE 1 b"9,DQB=i  
   t68RWzqiG[  
   (7,Awf5D~  
L;`t%1  
SPECTRAL REGION Y?cw9uYB  
SERIES c-d}E!C:  
MATERIAL ]+P&Y:  
") D!OW]  
Vacuum UV, UV ]9Hy "#Fz  
I <&iBR  
Lithium Fluoride P+h&tXZn8  
,vPF=wq  
Vacuum UV to mid-IR (P-<9y@  
I,II .<dmdqk]  
Calcium Fluoride #C^m>o~R  
|{T2|iJI  
Vacuum UV to near-IR J^4k}  
I,II oV`sCr5%  
Fused Silica
X[<9+Q
-&  
-}@9lhS,  
Mid-visible to mid-IR 'S"F=)*-  
II ^>fs  
Zinc Selenide S

J5kA`  
+zsya4r  
Near- to mid-IR VM[8w`  
II sXu]k#I^"  
Silicon *C\O]r:'  
uZ+<  
3>+;G4  
~"k'T9QBY  
;QYK {3R?  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 {\B!Rjt[T  
y.zQ `  
E_K7.c4M  
F}Au'D&n_  
C7{wI`~  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 k;sUDmrO  
z2V!u\It  
LdOB[W  
B !XT:.+  
*XJSa  
AF@C9s  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） ZU`"^FQ3A  
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<x/&Ml+  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 Nx99dr  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 Yr+&|;DB  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 'Gk|&^  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 9;PtYdJ8  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH d^7<l_u~ !  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 yxH[uJpb  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds <%5ny!]  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 344- ~i*  
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基本指标 #r\uh\Cy  
u7S7lR"lxW  
]]+"`t,-  
Model LVSJK.B  
Optical Material zR%#Q_  
Nominal k]Yd4CC2  
b<%6aRC\  
Frequency Qk((H~I}  
Retardation Range &W1cc#(  
Useful T!8,R{V]4  
_o;alt  
Aperture1 0ZO!_3m$r  
tlj^0  
Quarter Wave 9Z}-%Z[,)  
Half Wave jVr:O`  
z&w@67 >j  
I/FS50 Ay[6rU
O  
Fused Silica PAJt M  
50 kHz Wh,p$|vL  
170nm - 2μm kIyif7  
170nm - 1μm NOQM:tBO>  
16mm vLq_l4l  
<d8Yk>R  
I/FS20 `2G 0B@  
Fused Silica A2..gs/  
20 KHz H>%K}Fh  
170nm - 2μm W;Ct[Y8m  
170nm - 1μm W2'u]1bs  
22mm /; w(1)B  
9J*.'Y  
I/CF50 H>X:#xOA_  
Calcium Fluoride ]@0C1r  
50 kHz @kd`9Yw  
130nm - 2μm +87|gC7B  
130nm - 1μm "\3C)Nz?  
16mm n86LU Sj5  
Qhy!:\&1  
II/FS20A ~wvu7  
Fused Silica Xh+;$2l.B  
20 kHz 3?5JY;}h>"  
170nm - 2μm WUrE1%u  
170nm - 1μm ^,}1^?*  
56mm 5X&Y~w,poU  
SMonJ;Y  
II/FS20B u:.w/k%+  
Fused Silica Z-:T')#Cf  
20 kHz xIA]5@;a  
1.6μm - 2.6μm j<'ftK
k  
800nm - 2.5μm G>=Fdt7Oc  
56mm ijP`fM8  
&+
"<ia(  
II/FS42A -U*J5Q  
Fused Silica 'Fy"|M;2  
42 kHz +-C.E
 
170nm - 2μm kMJ}sS  
170nm - 1μm JkhWLQ>o  
27mm =^1jVaAL  
Qk? WX (`B  
II/FS42B ?r0rY?  
Fused Silica \3OEC`  
42 kHz HjIIhl?UY  
1.6μm - 2.6μm `;Ho<26  
800nm - 2.5μm 793 15A  
27mm ;plBo%EBV  
Mgr?D  
II/FS47A Q,:{(R  
Fused Silica 

9dq"x[  
47 kHz GF6o  
170nm - 2μm "I66@d?  
170nm - 1μm MA,*$BgZ  
24mm
f";pfu_FZ  
HdN5zl,q  
o2X95NiH  
tPl 4'tW_  
II/FS47B 23P&n(.  
Fused Silica ffG<hclk  
47 kHz E/g"}yR  
1.6μm - 2.6μm Ly&+m+Gwu  
800nm - 2.5μm Gsv<Rjj:  
24mm "Yh;3tI4*  
._^}M<o L  
II/FS84 3l%Qd<  
Fused Silica /1MmOB  
84 kHz `p
&[b]b  
800nm - 2.5μm K_;vqi^1^&  
400nm - 2.5μm U3X5tED  
13mm O;~e^ <*  
I)rO|  
II/IS42B gom!dB0J  
Fused Silica B:Ts_9*  
42 kHz 6@s!J8!  
1.6μm - 3.5μm A#. %7S  
800nm - 2.5μm 8cG?p  
27mm x="Wqcnj{  
BB6[(Z  
II/IS84 g}s$s}  
Fused Silica %rylmioW>  
84 kHz k ucbI_  
800nm - 3.5μm rP:g`?*V  
400nm - 1.8μm C(ij_>  
27mm {V6&((E8  
/K#k_k  
II/CF57 wXKtQ#o}  
Calcium Fluoride <0})%V?-  
57 kHz t3@+idEb  
2μm - 8.5μm B&]`OO>O  
1μm - 5.5μm F_Y]>,U  
23mm 7%y$^B7{  
JT?u[pQ^  
II/ZS37 .
/#Y
UIC  
Zinc Selenide 0$*7lQ<a#M  
37 kHz 'JOUx_@z  
2μm - 18μm 'z$$ZEz!C  
1μm - 9μm  0k (-  
19mm )9hqd  
XQo
\27Fo  
II/ZS50 w"j>^#8  
Zinc Selenide {<42PJtPY  
50 kHz YnEyL2SuU  
2μm - 18μm MTu\T  
1μm - 10μm )x6&Y  
14mm 0V:H/qu8>  
"t0^4=c+7  
II/SI40 \u,CixV=  
Silicon Nx 42k|8  
40 kHz Ui'v' $  
FIR - THz I~&*^q6 |  
FIR - THz Z>g72I%X  
36mm @Tu`0=8  
]3 "0#Y  
II/SI50 s~Eo]e  
Silicon pr<u 5  
50 KHz B ~v6_x  
FIR - THz Ue}1(2.v  
FIR - THz #:?:gY<  
29mm JLd%rM\m  
sl$6Zv-l%0