光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 pJ"Wg@+  
p ElF,Y  
6:i{_YX(.S  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： xq-R5(k  
fmY=SqQG-  
nJY#d;  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 ihBlP\C  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） BV"7Wp;  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） (S* T{OgO  
    高损伤阈值 %f
nL  
    可精确控制相位延迟 lhva|  
rR&;2  
Z\D!'FX  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 <
5rp$AzT  
?<b
Byxa  
Eb{Zm<TP  
:^j`wd1 h  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 F\F_">5  
9'faH  
UUc{1"z{  
xDG8C39qrs  
应用举例： (4o_\&  
XT> u/Z)  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf _so\h.lt  
Lqq RuKi  
r) ;U zd  
:{bvCos<)  
C;];4[XR  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： <V0]~3  
_TY9!:&}q  
0sM{yGu=,  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 FJomUVR.  
4qXO8T#~J=  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 o8;>E>;  
q">lP(t  
S#_g/3w  
w$8Su
:g=  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 ?-%Q[W  
jI%v[]V  
}7&.FV"  
E j`  
TABLE 1 ZmeSm& hQ_  
   &~)PB |  
   >uT,Z,7O  
WyciIO1  
SPECTRAL REGION ~Gm<F .(+  
SERIES nb d
m@  
MATERIAL no_;^Ou?  
mrWPTCD{  
Vacuum UV, UV djJD'JL  
I 'Dw+k;RH  
Lithium Fluoride G(gJtl  
E#}OIZ\S  
Vacuum UV to mid-IR /iURP-rl  
I,II _#32hAI  
Calcium Fluoride 2q]y(kW+  
35=kZXwG+4  
Vacuum UV to near-IR U[7 &   
I,II GPV=(}z  
Fused Silica @9#l3  
y0s=yN_  
Mid-visible to mid-IR Z 0&=Lw  
II E$l4v>iA  
Zinc Selenide t7GK\B8:  
w]L^)_'Th  
Near- to mid-IR "?9rJx$  
II )1?#q[x  
Silicon C\2rSyo  
R|&jvG=|  
wO<.wPa`  
>D]g:t@v  
iWu  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 kIl!n  
((0nJJjz  
PY81MTv0;  
EPeKg{w  
9r2l~zE  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 $[f-{B{>*  
H!SFSgAu  
m&S *S_c  
hK]mnA[Y  
,bTpD!  
_43'W{%  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） P^'TI[\L9  
'Fq+\J#%  
$'*q]]  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 jxc^OsYj  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 L5[{taZ,  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 ?iXN..6x  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 deLLqdZa  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 5aZbNV}-  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 '[WVP=M<XV  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds {,NF'x4$  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 i}Q"'?  
r>ziQq8C&  
j+"w2  
|hl:!j.t  
基本指标 wK]
p`:3  
NHaY&\  
zgNzdO/B  
Model s$gR;su)g  
Optical Material }3O 0nab  
Nominal m?O~(6k@C  
a^o'KN{  
Frequency C'7DG\pr  
Retardation Range Y_zMj`HE  
Useful p>N8g#G  
{8* d{0l  
Aperture1 ;rRV=$y  
Z% DJ{!Hnh  
Quarter Wave |:w)$i& *  
Half Wave $c{fPFe-  
:X}n[K  
I/FS50 vf5q8/a  
Fused Silica B#DnU;=O#+  
50 kHz ${)oi:K@:  
170nm - 2μm 5) q_Aro  
170nm - 1μm xx@[ecW  
16mm riZ :#I  
N:q\i57x  
I/FS20 2@N9Zk{{J  
Fused Silica ZEK,Z['  
20 KHz B[3u,<opFU  
170nm - 2μm Vq
UCcT  
170nm - 1μm Xub*i^(]  
22mm L} "bp  
$cWt^B'  
I/CF50 _\.4ofK(  
Calcium Fluoride >4#:qIU  
50 kHz D0Mxl?S?  
130nm - 2μm G?v!Uv8O  
130nm - 1μm 7gcR/HNeF  
16mm +MZI\>  
%VGW]!QR  
II/FS20A z/]]u.UP  
Fused Silica )@ofczl6  
20 kHz {O:{F?  
170nm - 2μm eEBo:Rc9  
170nm - 1μm n2can  
56mm jOU99X\0  
km*Y#`{  
II/FS20B x6)qs-  
Fused Silica jGi{:}`lB  
20 kHz O/U?Wq  
1.6μm - 2.6μm tI@aRF=p]2  
800nm - 2.5μm 1eywnOjrj  
56mm nG";?TT  
l$Vy\CfK3n  
II/FS42A qm"SN<2S*  
Fused Silica ?nPG#Z|%  
42 kHz 1c{m rsB  
170nm - 2μm k'_f?_PBu  
170nm - 1μm oI!"F=?&6  
27mm otdRz<C  
}SC&6B?G  
II/FS42B YKz#,  
Fused Silica .*f6n|  
42 kHz Y=4 7se=h"  
1.6μm - 2.6μm Ims?  
800nm - 2.5μm gV-*z}`U  
27mm \vJ0Mhk1  
L2p?]:-  
II/FS47A sE'c$H  
Fused Silica tfe]=_U  
47 kHz zrqI^i"c  
170nm - 2μm !uoT8BBAk  
170nm - 1μm B~^*@5#0|  
24mm >|c?ZqW  
%*szB$[3  
>DUTmJxv  
OPzudO  
II/FS47B &TY74w*  
Fused Silica !d<R=L  
47 kHz f=k#o2  
1.6μm - 2.6μm ZG0^O"B0  
800nm - 2.5μm bZ1*
:k2  
24mm xVw@pR;  
%L^(eTi[  
II/FS84 "9r$*\wOf  
Fused Silica jC_'6sc`  
84 kHz Arg/g
e.y  
800nm - 2.5μm p5$}h,7  
400nm - 2.5μm :A zlls  
13mm [Q{\Ik  
p:TE##
  
II/IS42B \c<;!vkZ04  
Fused Silica WKiP0~  
42 kHz ?IYu"UO<)|  
1.6μm - 3.5μm G"` }"T0}  
800nm - 2.5μm 
u.|%@  
27mm NuPlrCy;  
U+qyS|i  
II/IS84 >t)Pcf|s  
Fused Silica r}&&e BY f  
84 kHz F$DA/{.D  
800nm - 3.5μm iMJt8sd  
400nm - 1.8μm ;YR/7  
27mm [:.wCG5  
'x{oAtCP9  
II/CF57 )M
.s<Y  
Calcium Fluoride gy%.+!4>v`  
57 kHz =TDKU  
2μm - 8.5μm 2zqaR[C  
1μm - 5.5μm {QM rgyQE  
23mm e)wi}\:q_  
!DzeJWM|  
II/ZS37 8 7(t<3V&  
Zinc Selenide I)V=$r{  
37 kHz 0: a2ER|J  
2μm - 18μm |dLr #+'az  
1μm - 9μm nf^?X`g  
19mm pe vXixl  
@JXpD8jn  
II/ZS50 tO{{ci$-T  
Zinc Selenide I4G0!"T+  
50 kHz udqrHR5  
2μm - 18μm T8a' 6otc  
1μm - 10μm !nSa4U,$w<  
14mm >9!J?HA  
r@3-vLI!u  
II/SI40 >Xk42zvqn  
Silicon sko7,&  
40 kHz 0WC\uxT7  
FIR - THz xcr2|  
FIR - THz v1 8<~  
36mm ):'wxIVGI  
;.uYWP|9  
II/SI50 H[u9C:}9b  
Silicon g %mCgP  
50 KHz n7fhc*}:`  
FIR - THz
8{jXSCP#  
FIR - THz :oZ<[#p"*  
29mm E`oA(x7l  
~D9Cu>d9