光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 NLb/Bja  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： 0e8)*2S  
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    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 Jb$PlOQ  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） iO#H_&L.p  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） h.'h L  
    高损伤阈值 J+?xf
g  
    可精确控制相位延迟 e~rBV+f  
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PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 40%p lNPj  
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2%vwC]A  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 .(9IAAwKn  
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应用举例： 3CQpe  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf +$},Hu69j  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 7\{<AM?*  
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Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 {2Gp+
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Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 RSmxwx^  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 , PN?_N  
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TABLE 1 $8it&/JP,  
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SPECTRAL REGION G2L7_?/m  
SERIES hDp'=}85@  
MATERIAL _5y)m5I  
Ii|<:BW  
Vacuum UV, UV 5@ZD'  
I 7^Onq0ym T  
Lithium Fluoride TR)'I  
iv;;GW{2  
Vacuum UV to mid-IR  pd X9G  
I,II 2! wz#EC  
Calcium Fluoride P$4?-AZ  
>656if O  
Vacuum UV to near-IR SZwfYY!ft0  
I,II MF E%q  
Fused Silica &x=<>~Ag
3  
CtSAo\F  
Mid-visible to mid-IR s_1]&0<  
II $<33E e:a  
Zinc Selenide HmX(=Y  
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Near- to mid-IR #),QWTl3  
II EKoCm)}d  
Silicon Jge;/f!i  
\*_a#4a  
T@Q.m.iV4  
r2&{R!Fj`  
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相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 VJ1`&  
hR{Fn L  
LQ{4r1,u]  
}l[t0C t  
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八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 a<\m` Es=  
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CF>NyY:_  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） 7`WK1_rR\  
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J\ 3~  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 .+M4Pi  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 WnIh( 0  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 ]
.1R~7b  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 ;CU3CLn  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH ke/o11LP  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 !A<?nz Uv  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds EIf~>
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           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 dB1bf2'b#  
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基本指标 r
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Model L:%h]-  
Optical Material ;>Kxl}+R  
Nominal pWQ?pTh  
5B@&]-'~  
Frequency \GPWC}V\s  
Retardation Range L;v#9^Fq  
Useful 5SK.R;mn  
IXC: Q  
Aperture1 ;,IGO7R  
`Y'}\>.#  
Quarter Wave 5$9j&&R  
Half Wave p-Q1abl  
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I/FS50 ,>e<mphM  
Fused Silica vmk c]DC  
50 kHz G2em>W_n  
170nm - 2μm (s\Nm_j  
170nm - 1μm 3tgct <"  
16mm ;H}?8L  
R2r0'Yx  
I/FS20 G:A` n;E0  
Fused Silica "S6d^  
20 KHz *!B,|]wq=  
170nm - 2μm ! WQEv_G@  
170nm - 1μm eP;lH~!.0  
22mm 7<X_
\,I  
jgukW7H  
I/CF50 
r_Xk:  
Calcium Fluoride Plt~l3_  
50 kHz sdrE4-zd  
130nm - 2μm ?_ p3^kl  
130nm - 1μm ]V}";cm;2  
16mm $ABW|r  
?HU(0Vgn'  
II/FS20A ga!t:O@w  
Fused Silica QCMt4`%'u  
20 kHz W${0#qq  
170nm - 2μm A.(Z0,S-i  
170nm - 1μm 0~"{z>s '  
56mm 7eZ,; x  
WG1x:,-  
II/FS20B %}2 s74D*Z  
Fused Silica w 8T#~Dc  
20 kHz $S3C_..  
1.6μm - 2.6μm z${DW@o3  
800nm - 2.5μm [?_^Cy  
56mm 5Vf#
(r f  
7!z0)Ai_>=  
II/FS42A td{$c6  
Fused Silica v-g2k_o|  
42 kHz 2gukK8R$  
170nm - 2μm o5A@U0c_  
170nm - 1μm ,uK }$l  
27mm /_>S0  
1@;Dn'  
II/FS42B <08)G7  
Fused Silica sF f@>  
42 kHz '\=aSZVO  
1.6μm - 2.6μm S0du,A~  
800nm - 2.5μm =5',obYN>c  
27mm Jro)  
PkMN@JS  
II/FS47A oyK'h9Wt1  
Fused Silica [Vc8j&:L  
47 kHz Qne@Vf kA  
170nm - 2μm 7S}NV7  
170nm - 1μm q\/ph(HF  
24mm 4Zo.c* BZ  
iTwb#Q=  
6 -N 442  
RGf&KV/  
II/FS47B k`_sKr]9  
Fused Silica !%?O`+r  
47 kHz /R!:ll2  
1.6μm - 2.6μm mA@FJK_  
800nm - 2.5μm #Ipi3  
24mm :Ugf3%sQ  
_<qe= hie!  
II/FS84 d)1 d0ES  
Fused Silica ,K 8R
%B  
84 kHz DS%~'S  
800nm - 2.5μm 9sJ=Nldq  
400nm - 2.5μm ~}pc&jz>q  
13mm ";yey]  
ose(#n40  
II/IS42B qILb>#  
Fused Silica OD]`oJ|  
42 kHz < KGq  
1.6μm - 3.5μm +saXN6  
800nm - 2.5μm N?`V;`[  
27mm 1-0tG+  
!K*(# [  
II/IS84 hK+6S3-Ez  
Fused Silica q=(% ]BK  
84 kHz h!=h0  
800nm - 3.5μm `%;Hj _X}  
400nm - 1.8μm lonV_Xx  
27mm _rM?g1}5j  
' Dp;fEU$  
II/CF57 BX\/Am11
 
Calcium Fluoride Kv0V`}<Yc  
57 kHz 'b)qP|  
2μm - 8.5μm `OFW^Esc  
1μm - 5.5μm 5(>SFxz"t  
23mm ~(nc<M[  
o3]Lrzh  
II/ZS37
^G|*=~_  
Zinc Selenide (Zg'])  
37 kHz B6=
?Q
p/f  
2μm - 18μm b:Z&;A|"{  
1μm - 9μm wg%g(FO  
19mm J0V`sK  
v5>A1\  
II/ZS50 <Pzy'9  
Zinc Selenide 'X<4";$mU  
50 kHz WP2=1"X63  
2μm - 18μm IjGPiC  
1μm - 10μm @}=(4%  
14mm G %'xEr0n  
cbN;Kv?ak}  
II/SI40 XNgcBSD  
Silicon +F-EgF+J  
40 kHz !O,Sq/=.  
FIR - THz K!]a+M]>  
FIR - THz 85YUqVi9  
36mm gg>QXui  
DQT'OZ:w  
II/SI50 8Qo'[+4;  
Silicon dvZH~mF  
50 KHz Xu8I8nAwl  
FIR - THz Cb1w8l0  
FIR - THz OvAhp&k  
29mm *,mI=1  
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