光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 d Ybb>rlu  
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w,(e,8#:  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： JHpaDy*  
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+;7Rz_.6f  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 1*{` .  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） KUG\C\z6=  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） XkZ82w#b  
    高损伤阈值 6@`Y6>}$_  
    可精确控制相位延迟 %xE\IRlR  
]2kgG*^n"  
]+O];*T  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 }Wf\\  
P!qU8AJkt  
<X}@afS  
qy1$(3t$  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ngM>Tzirt  
h$)},% e  
VkCv`E  
+$Q33@F5l  
应用举例： gz6BfHQG  
*i#m5f}  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf Ky33h 0TX  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： bV_@
!KL$  
V3&_ST  
;C=C`$Q  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 z-*/jFE  
HE0UcP1U  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 NLHF3h=?1p  
@l~zn%!X  
n!5 :I#B  
F+r3~T%  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 )8Defuxk  
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TABLE 1 i;!#:JX  
   $OK}jSH*v)  
   .^BL7  
Z6%Hhk[  
SPECTRAL REGION [UN`~  
SERIES ;C,D1_20Z  
MATERIAL Z'EXq.hk  
{Rb|";  
Vacuum UV, UV A7!!kR":  
I A;E7~qOG  
Lithium Fluoride 1DPgiIG~  
"|&xUWJ!)  
Vacuum UV to mid-IR s,UccA@  
I,II ^W
-03  
Calcium Fluoride [ix45xu7  
T\\Q!pY  
Vacuum UV to near-IR O4xV "\  
I,II V_*TY6  
Fused Silica / 0Z_$Q&e  
FFGG6r  
Mid-visible to mid-IR L=zt\L  
II ^M60#gJ  
Zinc Selenide \Q[u?/TF  
_+z5~6>  
Near- to mid-IR Wt2+D{@8  
II NYbeIfL  
Silicon ts rcX  
sG{hUsPa  
@m14x}H  
V4Yw"J  
.0$$H"t  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 :

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>W%tEc  
?ysC7((  
S0+nQM%  
  ?Y4$  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 {%!.aQ,  
J{Fu8  
kqJ\kd  
P)he3  
1muB* O  
G?\\k[#,&  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） &sJZSrk|  
`em}vdY  
-ZXC^zt  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 zX+NhTTB  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求  #P8R  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 y#-mj,e  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 %<cfjo  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH VFLxxFJ  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 RGrra<  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds l_ /q/8-l  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 MpZ #  
]=T`8)_r)  
We]mm3M3  
8P8@i+[]W  
基本指标 w-9FF%@<  
=<nx[J  
~4HS 2\  
Model v`i9LD0(  
Optical Material  [wS~.  
Nominal =bt/2nPV  
e$krA!
zN  
Frequency 4,D$% .  
Retardation Range )
%D2JC  
Useful 1+\ZLy!5:  
5.st!Lp1  
Aperture1 L~nVoKY*V  
mx`C6G5  
Quarter Wave 1t"  
Half Wave IBYRuaEB  
@k_xA-a  
I/FS50 (+Ia:D  
Fused Silica ")%)e;V3  
50 kHz iQryX(z  
170nm - 2μm
9H$$Og  
170nm - 1μm o#wDA0T  
16mm S%ULGX:@ga  
7]}n0*fe  
I/FS20 L`v7|!X  
Fused Silica Rlvb@aXgy  
20 KHz VFUuG3p)  
170nm - 2μm ~y@,d  
170nm - 1μm !?t#QDo  
22mm >>}4b2U  
UA@(D  
I/CF50 [kfLT::mT  
Calcium Fluoride !1+yb.{\  
50 kHz e
JWcrVpn  
130nm - 2μm w9QY2v,U  
130nm - 1μm i"eUacBz/-  
16mm 9b KK  
[ 0?*J<d  
II/FS20A F'eV%g  
Fused Silica E3IB> f  
20 kHz =pQ'wx|>|  
170nm - 2μm !L..I2'  
170nm - 1μm +6cOL48"  
56mm )n8(U%q$  
19.+"H  
II/FS20B 5[^pU$Y  
Fused Silica N7/eF9  
20 kHz _T,X z_  
1.6μm - 2.6μm E+>$@STv#  
800nm - 2.5μm fTn  
56mm *AEN  
!U}dYB:O  
II/FS42A 9 F"2$;  
Fused Silica F(jvdq  
42 kHz Yxe%:  
170nm - 2μm p[kEFE,%  
170nm - 1μm lPA:aHcj  
27mm NWK+.{s>m  
@EPO\\C"f  
II/FS42B (_2;}eg  
Fused Silica ~0S_S+e  
42 kHz KW&5&~)2  
1.6μm - 2.6μm fU@{!;|Pz  
800nm - 2.5μm "?_r?~sJx  
27mm A
w]W-fx  
tvh)N{j  
II/FS47A i+`N0!8lY  
Fused Silica K0681_bp  
47 kHz f@:.bp8VB8  
170nm - 2μm nq9|cS%-  
170nm - 1μm Y!M&8;>  
24mm 7 (}gs?&w  
C_c*21X  
=&kd|o/i  
d(LX;sq?  
II/FS47B +YS0yTWeX  
Fused Silica ryk(Am<  
47 kHz e;IzK]kP  
1.6μm - 2.6μm 5~AK+6Za  
800nm - 2.5μm dd$}FlT  
24mm $Tc"7nYu  
/wF*@/PTH  
II/FS84 Re`'dde=  
Fused Silica bf9LR1  
84 kHz .?C-J  
800nm - 2.5μm *)+K+J  
400nm - 2.5μm eiiI Wr_7  
13mm 8SJi~gV  
+7HM7cw  
II/IS42B 4tv}5llSG  
Fused Silica g\Ck!KJ/y  
42 kHz qB%?t.k7  
1.6μm - 3.5μm I2U/\  
800nm - 2.5μm z?9vbx  
27mm D #<)q)  
dnZA+Pa  
II/IS84 U{^~X_?  
Fused Silica 9&FFp*'3  
84 kHz _[eAA4h   
800nm - 3.5μm p5 !B  
400nm - 1.8μm -Fl;;jeX  
27mm n"p|tEK  
ZS@Gt  
II/CF57 ncF|wz  
Calcium Fluoride {6V;$KqH6  
57 kHz Qxw?D4/Y  
2μm - 8.5μm Q Pel n)  
1μm - 5.5μm 3hN.`G-E  
23mm **].d;~[l  
WAzYnl'p  
II/ZS37 e:&+m`OSH  
Zinc Selenide =\t%U5  
37 kHz gj\'1(Ju  
2μm - 18μm QT!!KTf  
1μm - 9μm $]{20"  
19mm 0`{3|g  
(W=J3?hn  
II/ZS50 2;82*0Y%  
Zinc Selenide ^rHG#^hA  
50 kHz |zJxR_)  
2μm - 18μm 51,RbADB  
1μm - 10μm ,3m]jp'  
14mm @xO?SjH  
VE <p,IO  
II/SI40 uQ}0hs  
Silicon p "J^  
40 kHz Sqc r -  
FIR - THz lur$?_gt  
FIR - THz BdK2I!mm  
36mm ]bPj%sb*@  
M;14s*g  
II/SI50 E[z8;A^:0  
Silicon 6:(R/9!P  
50 KHz 7tEK&+H`  
FIR - THz tHvc*D  
FIR - THz M[;N6EJH  
29mm $?Et sf#*'  
5|4
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