光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 *Xoscc  

K;[%S  
+5[oY,^cO  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： s.`d<(X?  
@@83PJFid  
m>ycN  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 7Zt\G-QV  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） Z=@)  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） hFMst%:y$  
    高损伤阈值 7[g;|(G0  
    可精确控制相位延迟 Wk\@n+Q{]  
( 'n8=J  

#}dVaXY)  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 q9Sz7_K  
A&c@8  
cTd;p>:>m  
vt@Us\fI  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 EWIc|b:  
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_d/ciq1f  

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应用举例： IzdTXc f  
}b+QYSt  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf K3:|Tc(
 
pXh~#o6V  
.3<IOtD=  
hNnX-^J<o  
*fi;ZUPW3  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： l(#ke  
VtO;UN  
2l@"p!ar=  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 ZQ~myqx,+L  
& 8'(  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 ncattp   
RP,:[}mPl  
5!F\h'E  
EeJqszmH  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 $tCcjBK\  
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3z)"U  
-,Q$  
TABLE 1 ?96-" l  
   qC1U&b#MVx  
   XDkS ^9  
("E!Jyc!  
SPECTRAL REGION BKQIo)g.G  
SERIES *SkiFEoD  
MATERIAL 3`k[!!   
rjL?eTU"s  
Vacuum UV, UV f[Fgh@4cj  
I vZE|Z[M+<  
Lithium Fluoride T+WZE  
E-sSRt  
Vacuum UV to mid-IR ~
J1;tZS  
I,II cRh\USS  
Calcium Fluoride 8jggc#.  
/e|[SITe  
Vacuum UV to near-IR SgpZ;\_  
I,II kxm:g)`=[  
Fused Silica %e Sm&`  
[O7w =  
Mid-visible to mid-IR 9$o<  
II NTm<6Is`  
Zinc Selenide sK@Y!oF}\  
r+{d!CHq}  
Near- to mid-IR *#lBQBH|.  
II 4YDT%_h0  
Silicon -J"qrp
Z^  
"Su b4F`  
wfB
uU>  
<E>7>ZL  
^n&]HzT`y  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 894r;UA7  
Cf0|Z  
{gFAvMj#  
J}Qs"+x  
#y=ZP:{:t  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 ,<@,gZru  
1l/AKI(!  
AqV09 $  
]}z'X!v_@  
#puQi  
h@*lWi2K7  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） nnt8 sf@\  
fav5e'[$  
l`@0zw+  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 6exI_3A4jh  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 "jL1.9%"  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 "7=
bL7wM&  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率  vv+TKO  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH !1a}| !Zn  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 2E$^_YT C  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds $!!R:Wn/R  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 4|[<e-W  
9wL!D3e {Q  
T/[f5?p  
Wrmgu}q  
基本指标 UTZ776`S&X  
DH5bpg&T  
7\mDBG  
Model w#*/y?"D  
Optical Material M_k`%o  
Nominal -=>sTMWpr  
wJ6_I$>  
Frequency /"=29sWB  
Retardation Range j!YNg*H  
Useful kMM'[w  
{!L=u/qs"  
Aperture1 0|g[o:;fl_  
:'Zx{F`  
Quarter Wave {'NBp0i  
Half Wave mge#YV::  
~?gzq~~t  
I/FS50 E W`W~h[  
Fused Silica *oCxof9JA  
50 kHz a$d:_,\"  
170nm - 2μm <mL%P`Jj  
170nm - 1μm BU`ckK
\(  
16mm p"2m9
0IO  
Ua %UbAt  
I/FS20 %NNj9Bl<VV  
Fused Silica 0; 7#ji  
20 KHz -$.0Dc)3!  
170nm - 2μm TN5>"??"  
170nm - 1μm B`i$Wt<7  
22mm H nK!aa  
l
r,q{;  
I/CF50 I?B,sl_w  
Calcium Fluoride 6 Ew@L<v  
50 kHz Pb#P`L7OB  
130nm - 2μm wTxbDT@H5  
130nm - 1μm 8) HBh7/  
16mm P$
g^vS+  
]Ko^G_Rm  
II/FS20A !NTH.U:g  
Fused Silica q]CeD
 
20 kHz 3A_G=WaED  
170nm - 2μm YxXqI  
170nm - 1μm %)?`{O~ h  
56mm Q^L) Vp"  
1RLym9JN  
II/FS20B V43TO  
Fused Silica {?Od{d9  
20 kHz 5Q W}nRCZ  
1.6μm - 2.6μm {=67XrWN1  
800nm - 2.5μm R::zuv  
56mm kO1}?dWpa  
nq1 'F
  
II/FS42A /&r|ec5  
Fused Silica M*w'1fT  
42 kHz sef]>q  
170nm - 2μm J? .F\`N)  
170nm - 1μm 49AW6H.JT  
27mm Hkege5{  
iPvuz7j=h  
II/FS42B  S(  
Fused Silica zyFUl%  
42 kHz /,2rjJ#b  
1.6μm - 2.6μm lj4o#^lC  
800nm - 2.5μm 1'JD=  
27mm Xh F_]  
! \sMR  
II/FS47A zU&L.+   
Fused Silica "u492^  
47 kHz | &7S8Q  
170nm - 2μm BRzfic:e  
170nm - 1μm _[t8rl  
24mm 1_hW#I\'  
2%]Z Kd  
Z.1> kZ  
LHkQ'O0  
II/FS47B
/&^W#U$4  
Fused Silica rzUlO5?R=  
47 kHz 0 ipN8Pg+  
1.6μm - 2.6μm 5Sva}9H  
800nm - 2.5μm mV)+qXC  
24mm UE.4qY_7  
sILSey5`  
II/FS84 __Nv0Ru  
Fused Silica `XKVr  
84 kHz p*20-!{A  
800nm - 2.5μm x`%JI=q  
400nm - 2.5μm bm#(?  
13mm y(iY  
t~hTp K*  
II/IS42B \+ 0k+B4a  
Fused Silica LT VF8-v  
42 kHz Kr-G{b_Pp  
1.6μm - 3.5μm iM]o"qOQm  
800nm - 2.5μm (V?:]  
27mm k~.&j"K  
"@/6

2b  
II/IS84 oD.r`]k  
Fused Silica Qdf=XG5  
84 kHz =d)-Fd2li  
800nm - 3.5μm C\*4q8(  
400nm - 1.8μm ~}"]&%Q{J  
27mm t0)<$At6J  
IzLQhDJ1  
II/CF57 U;q];e:,=}  
Calcium Fluoride B9,^mE#  
57 kHz T'H::^9:E  
2μm - 8.5μm &(N+.T5cp  
1μm - 5.5μm t2BL(yB  
23mm _O"mfXl6  
,Lr<)p  
II/ZS37 &#yR;{  
Zinc Selenide cyM-)r@YQV  
37 kHz $F'>yop2b  
2μm - 18μm \S~Vx!9w  
1μm - 9μm ACq7dLys,B  
19mm @]aOyb@  
Qnd5X`jF#  
II/ZS50 Av'GB  
Zinc Selenide H1n1-!%d  
50 kHz VVP:w%yW  
2μm - 18μm /FP5`:PfL  
1μm - 10μm c%m3}
mrb  
14mm \</b4iR)LT  
?>"Yr,b?  
II/SI40 f"1>bW>R+  
Silicon e]=lKxFh&l  
40 kHz jz58E}  
FIR - THz :>Rv!x`  
FIR - THz L2Pujk  
36mm ^z6_Uw[  
 -!W<DJ*  
II/SI50 >9e(.6&2XZ  
Silicon !`41q=r  
50 KHz ,JU@|`  
FIR - THz _BdE< !r  
FIR - THz @c9^q>Uv  
29mm D^%^xq)E  
*}k;L74|