光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 |PNPOj0  
'_~qAx@F#c  
BB9+d"Sq  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： G4;5$YGG  
Rt+ak}  
YZdV0-S  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 x>!bvZ2  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） CqVeR';2  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） % |^V)  
    高损伤阈值 ;R[w}#Sm  
    可精确控制相位延迟 tv 7"4$T  

k}&7!G@T  
FGey%:p9$  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 W/@-i|v  
e0:[,aF`  
J\l'nqS"  
5Y4#aq   
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 F%ffnEJg  
]8+ D  
UP .4#1I  
V'^E'[Dd{  
应用举例： Liv.i;-qE  
5<$8.a#  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf w!|jL $5L  
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e.VQ!)>  
zL!}YR@&u"  
IgyoBfj\d  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： <Toy8-kj  
:*I='M9B  
aoHAB<.C  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 snicVzvA  
&V(;zy4(R  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 rbl7-xhC7
 
_Kwp8_kTr  
(.pi,+Ws  
hA=}R.gi  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。
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U ATF}x  
%?X6TAtH  
g#%Egb1  
TABLE 1 LsxRK5  
   QAzwNXE+  
   VOSq%hB  
gvFs$X*^:  
SPECTRAL REGION -, uT8'  
SERIES ZJ8"5RW  
MATERIAL Y[0mTL4IO  
qM18Ji*  
Vacuum UV, UV [NoOA  
I N c(f+8  
Lithium Fluoride hem>@Bp'V  
@]YEOk-  
Vacuum UV to mid-IR }2hU7YWt  
I,II kx,3[qe'S  
Calcium Fluoride %n^ugm0B  
0uu)0:  
Vacuum UV to near-IR 1*f
*}M  
I,II k&9[}a*  
Fused Silica |Ae7wXOs  
kgHZaQnD  
Mid-visible to mid-IR 4Opf[3]  
II ]E$bK  
Zinc Selenide *?pnTQs^  
cD t|v~  
Near- to mid-IR 9]vy#a#  
II g(C/J9J  
Silicon ?c
<uN~fC=  
(#BOcx5J]  
w<u@L  
Van=dzG  
[]G@l. ]W  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 K;ocs?rk/  
G 2`hEX%  
I7HGV(  
EXsVZg"#  
2cjbb kq  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 twhT6wz"  
L[^.pO  
ZypK''&oc  
I9e3-2THfj  
i&q_h>ZTg  
67Ev$a_d"  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） Bbtc[@"X  
3hVuC1;"  
&4wwp!J  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 ~ike&k{  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 fohZ&f|>  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 %]1te*_  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 JS/~6'uB  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH L}7 TM:%  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 mV0u:ws  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds ^{YK'60  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 Zrzv';  
L|nFN}da  
DVt^O[  
p|em_!H"SH  
基本指标 {e1sq^>|  
7m%[$X`  
Nza@6nI"  
Model caxOxRo\  
Optical Material {Iz"]Wh<f  
Nominal _S,UpR~2W  
_gEojuaN  
Frequency $Wjx$fD  
Retardation Range C~WWuju'  
Useful n5#QQk2  
3a&HW JBSx  
Aperture1 T oT('  
T7-yZSw-m  
Quarter Wave /l+"aKW 2  
Half Wave `dWnu3r;  
p(cnSvg  
I/FS50 At'M? Q@v  
Fused Silica q VavP6I  
50 kHz D< kf/hj  
170nm - 2μm 2PSkLS&IM  
170nm - 1μm O`I}Lg]~q  
16mm ~
pHuh#>  
f\r"7j  
I/FS20 G.$KP  
Fused Silica O0s,)8+z5D  
20 KHz }=JSd@`_  
170nm - 2μm o+L[o_er  
170nm - 1μm S;u.Ds&  
22mm B)/c]"@89  
omznSL  
I/CF50 _pzYmQ  
Calcium Fluoride i'10qWz  
50 kHz #R7hk5/8n}  
130nm - 2μm B%`|W@v  
130nm - 1μm [e_<UF@A*  
16mm Gm &jlN  
C+>mehDC_G  
II/FS20A Z78i7k}  
Fused Silica CpK:u! Dn  
20 kHz fqBz"l>5A  
170nm - 2μm cm!|A?-<  
170nm - 1μm BS?i!Bm7  
56mm v$+A!eo  
NJmx(!Xsh  
II/FS20B ] _W'-B  
Fused Silica  w%::
~]  
20 kHz (pHJEY  
1.6μm - 2.6μm <WnIJum  
800nm - 2.5μm auqN8_+=  
56mm `gF`Sgz  
atW^^4:  
II/FS42A :5'hd^Q  
Fused Silica rP,|  
42 kHz j'Q0DF=GV  
170nm - 2μm 2 E?]!9T~|  
170nm - 1μm -0BxZ AW=  
27mm 9P,[MZ  
xA<-'8ST  
II/FS42B j+S&5C/{  
Fused Silica 2Dt^W.!  
42 kHz \}%_FnP0ZU  
1.6μm - 2.6μm 4^k8|#c  
800nm - 2.5μm 5q'b M  
27mm p!)PbSw#  
P: L6Zo-J  
II/FS47A X}5"ZLa7l  
Fused Silica u\/TR#b  
47 kHz #f;6Ia>#
 
170nm - 2μm [O}D^qp  
170nm - 1μm w~+\Mfz  
24mm  Hyenn  
ueg%D+u  
8G2QI4  
vO53?vN[m9  
II/FS47B f:y:: z  
Fused Silica f`K#=_Kq7  
47 kHz VC_F Cz  
1.6μm - 2.6μm ("{vbs$;  
800nm - 2.5μm c6=XJvz  
24mm 2yD ?f8P4  
Z-pZyDz  
II/FS84 1|s`z  
Fused Silica +?*.Emzl@  
84 kHz TKbfZw  
800nm - 2.5μm __1Hx?f  
400nm - 2.5μm T+t7/PwC;  
13mm 90,UhNz9D  
UUM:*X  
II/IS42B 4~&X]/_'  
Fused Silica p&0 G  
42 kHz /J Y6S  
1.6μm - 3.5μm >WJQxL4  
800nm - 2.5μm Sn 7h$  
27mm 44w "U%+  
@3 +   
II/IS84 aqI
mW  
Fused Silica <lU(9) L;&  
84 kHz {zc*yV\  
800nm - 3.5μm x9t%  
400nm - 1.8μm S$P=;#r  
27mm O<mA+yk  
Eh|6{LDn!  
II/CF57 sFvYCRw /  
Calcium Fluoride O*N:.|dUw  
57 kHz EM1HwapD  
2μm - 8.5μm w@YPG{"j  
1μm - 5.5μm foY]RkW9  
23mm YACx9K H  
FP
Z@6  
II/ZS37 V$iA3)7W%  
Zinc Selenide gxeu2HG  
37 kHz D vN0h(?  
2μm - 18μm Yt_t>  
1μm - 9μm .b!HEi<F  
19mm _5b~3K/V  
7fd,I%v  
II/ZS50 hYA1N&yz@  
Zinc Selenide cg_tJ^vrY  
50 kHz !c0x^,iE  
2μm - 18μm \<y|[   
1μm - 10μm >}C:EnECy  
14mm muBl~6_mb2  
`r}a:w-  
II/SI40 t:,lz8Y~  
Silicon y1Wb/ d  
40 kHz V' i@N  
FIR - THz BvHI}=  
FIR - THz P.=Dd"La  
36mm p]toDy-}  
2$2@?]|?  
II/SI50 zP@\rZ@4  
Silicon P8w56  
50 KHz jd"YaZOQ  
FIR - THz V,\}|_GY  
FIR - THz \[8uE,=|  
29mm An,TunX  
DGz}d,ie