光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 7M#$: Fdb  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： ) ~)SCN>-  
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5*wApu{2A  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 a3dzok  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） 7|M
$W(P  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） .1}rzh}8  
    高损伤阈值 R-A'v&=  
    可精确控制相位延迟 [zTYiNa  
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RnA&-\|*  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 OT}Yr9h4  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ;;w6b:}-c  
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应用举例： T7lj39pJq  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf x<*IF,o  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： tFvgvx\:  
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Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 3KZ y H  
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Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 cbh#E)['  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 8_<&f%
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TABLE 1 $#G6m`V  
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SPECTRAL REGION dXhCyr%"6  
SERIES 1#>&p%P!  
MATERIAL tKG;k"wk  
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Vacuum UV, UV waXDGdl0  
I V~J*49t&2J  
Lithium Fluoride Evr2|4|O~  
#aitESbT  
Vacuum UV to mid-IR q,;".3VQ  
I,II k1f3?l vlU  
Calcium Fluoride 42Aje  
8S.')<-f  
Vacuum UV to near-IR /FP~jV!z  
I,II qeQC&U y;  
Fused Silica IOsXP
f9@  
hF7V !*5  
Mid-visible to mid-IR UM4@H1  
II j*;*Ka w  
Zinc Selenide %;pD8WgJA  
Ynv9&P  
Near- to mid-IR *D=K{bUe'  
II 69[V <1  
Silicon E6'8Zb  
4NpHX+=P  
6C:x6'5[  
lnC!g
 
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相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 ur/Oc24i1n  
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0M#N=%31  
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八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 VFilF<jvu  
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{ A:LAAf[6  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） "2ZIoa!^  
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<)_:NRjBF&  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 &q4ox71  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 DapQ}2'_  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 ky'|Wk6   
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 v\fzO#vj  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH nnfY$&3A  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 #C"7 l6'a  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds g/OI|1a  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 96vj)ql  
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基本指标 sEoZ1E  
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Model NOF?LV  
Optical Material L&:M8xiA~$  
Nominal  &|/
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Frequency &@=u+)^-{  
Retardation Range PASuf.U$"  
Useful K{|w 43>D  
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Aperture1 <Cu'!h_nL  
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Quarter Wave >-VWm A  
Half Wave JR/W9i  
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I/FS50 63.( j P1;  
Fused Silica .JNcY]V#  
50 kHz 'n>K^rA  
170nm - 2μm ?x:m;z/  
170nm - 1μm 9Kc0&?q@D  
16mm {V.Wk  
vZ:G8K)o(  
I/FS20 o(:{InpV%A  
Fused Silica
y= 2=DU  
20 KHz XxhsPFv  
170nm - 2μm =\M)6"}y}  
170nm - 1μm :b"=KQ  
22mm I9;xzES  
VxNXd?  
I/CF50 V:(y*tFA  
Calcium Fluoride JK[T]|G  
50 kHz m[8IEKo  
130nm - 2μm eUYZxe :6  
130nm - 1μm
dFzYOG1  
16mm !zU/Hq{wcK  
miwf&b  
II/FS20A KrS  
Fused Silica iA]DE`S  
20 kHz *K`x
;r  
170nm - 2μm wqcDAO(  
170nm - 1μm 'CgV0&@  
56mm kl=xu3j  
B\f"Iirw  
II/FS20B $Tfm/=e  
Fused Silica Qy/uB$q{A  
20 kHz L,#^&9bHa#  
1.6μm - 2.6μm YDW|-HIF  
800nm - 2.5μm NJk)z&M  
56mm ;r3}g"D@  
3eWJt\}?B  
II/FS42A lHcA j{6  
Fused Silica su}&".e^  
42 kHz f#1/}Hq/I  
170nm - 2μm [8.-(-/;  
170nm - 1μm V- /YNRV  
27mm 5PDSA*  
7q!?1 -?8R  
II/FS42B 2R\+}  
Fused Silica p:Oz<P  
42 kHz '(tj[&aL  
1.6μm - 2.6μm W-1sU g[AN  
800nm - 2.5μm 0JK2%%  
27mm hzq5![/sV  
J||E;=%f-Q  
II/FS47A  ![ a  
Fused Silica Z
0aUHWms  
47 kHz nX)f'[ 7  
170nm - 2μm >:%BNeO  
170nm - 1μm -A}zJBcR  
24mm 7 I@";d8~  
Yc|uD-y  
&f"T,4Oh  
f\ 'T_  
II/FS47B ~}K{e  
Fused Silica _H8*ReFG  
47 kHz S!`:E  
1.6μm - 2.6μm )(lJT&e  
800nm - 2.5μm 1\y@E  
24mm 9)Ly}Kzx  

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II/FS84 /
9Z!p  
Fused Silica ?~Pv3'%d  
84 kHz @7%.7LK  
800nm - 2.5μm 2$tQ @r  
400nm - 2.5μm w:Ra7ExP  
13mm AX;c}0g  
=DC3a3&%  
II/IS42B s%O Y<B@V2  
Fused Silica eVx~n(m!}  
42 kHz \s
ITwPA[z  
1.6μm - 3.5μm Q ?^4
\_  
800nm - 2.5μm ]+ZM/'X  
27mm {yS;NU`2  
)b9_C O}  
II/IS84 !VRo*[yD@  
Fused Silica uFo/s&6K  
84 kHz C `6S}f,  
800nm - 3.5μm j;+["mi  
400nm - 1.8μm z&F5mp@  
27mm X8Fzs!L`  
5{X*a  
II/CF57 nA+F  
Calcium Fluoride $''UlWK  
57 kHz VX!hv`E  
2μm - 8.5μm \7 Gz\=\LR  
1μm - 5.5μm 8#l+{`$z  
23mm #q;z8 @  
N2Ssf$  
II/ZS37 'fn$'CeM(  
Zinc Selenide zSXA=   
37 kHz )N
Iv "Q  
2μm - 18μm ke]Yfwk  
1μm - 9μm R$d7\nBG  
19mm n}q$f|4!  
zN")elBi  
II/ZS50 9@'4P  
Zinc Selenide ?oKL&I@  
50 kHz i/*,N&^  
2μm - 18μm ISBF\ wQY  
1μm - 10μm *)D1!R<\,R  
14mm vBoO'l9'M  
T?rH ,$:  
II/SI40 w.^yP7:  
Silicon =$&&[&  
40 kHz *|KVN&#  
FIR - THz V;;#/$oU:4  
FIR - THz .&|L|q}  
36mm (O0byu}  
NzlAC  
II/SI50 v2>Z^  
Silicon M*`hDdS  
50 KHz 8UM0vNk  
FIR - THz #xp(B5  
FIR - THz ~OCZz$qA  
29mm ]0-<>  
YlKFw|=