APD雪崩光电二极管
提供两种不同类型的雪崩光电二极管(APD),一种是硅基的,另一种是砷化镓为基的。根据材料和设计的不同,范围可以从550nm 到1650nm.
IAE系列 InGaAs 雪崩二极管器件 品牌:Lasercomponents 封装:S5,S6,S7,T6,T8,Y1 型号:IAE200S5(TO-46 2pin),IAE200S6(TO-46 3pin),IAE200S7(TO-46 low profile), IAE200T6(TO-37 with TEC),IAE200T8(TO-37 with TEC),IAE200Y1(ceramic submount) 击穿电压(Vb ld=10uA):40-80 尺寸(um):Φ200 波峰(nm):1550 响应波段(nm):1000-1650 IAG 系列 InGaAs 雪崩二极管器件 品牌:Laser Components 封装(-):S5,S6,S7,T6,T8,Y1光敏面积(-):Ø200峰值响应(A/W):10@1550nm 暗电流(nA):8 噪声等效功率(pW/sqrt Hz):0.032上升时间(ns):0.23带宽(GHz):1.5@M=10击穿电压(V):63温度(V/°C):0.075 主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选,主要用于雪崩光电二极管单光子探测器,激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。联系人:业务部 电话:010-57156408 传真:010-57156408 手机:15300060408 MSN:rongsung@rongsung.com Email:rongsung@rongsung.com 网址:www.rongsung.com 分享到:
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