APD雪崩光电二极管

提供两种不同类型的雪崩光电二极管（APD）,一种是硅基的，另一种是砷化镓为基的。根据材料和设计的不同，范围可以从550nm 到1650nm. ~>N63I6  
J.'%=q(Sb  
IAE系列 TMo DN%{  
G$2@N6  
InGaAs 雪崩二极管器件 t|mK5aR4  
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品牌：Lasercomponents |}.}q  
;rF[y7\  
封装：S5，S6，S7，T6，T8，Y1 ]-9w'K d  
C fM[<w   
型号：IAE200S5(TO-46 2pin)，IAE200S6(TO-46 1=7ASS9  
3pin)，IAE200S7(TO-46 low profile)， ;b:'i&r  
IAE200T6(TO-37 with TEC)，IAE200T8(TO-37 with TEC)，IAE200Y1(ceramic D6H?*4f]  
submount) R7U%v"F>`  
击穿电压(Vb ld=10uA):40-80 9K#3JyW*  
尺寸(um):Φ200 -cijLlz%+  
波峰(nm):1550 reNf?7G+m  
响应波段(nm):1000-1650 V[uSo$k+>  
IAG 系列 InGaAs Rk[a|T&  
雪崩二极管器件 7~F~'
V  
品牌：Laser Components 封装(-)：S5,S6,S7,T6,T8,Y1光敏面积(-)：Ø200峰值响应(A/W)：10@1550nm Sb> &m  
暗电流(nA)：8 %1:caa@_p  
噪声等效功率(pW/sqrt Hz)：0.032上升时间(ns)：0.23带宽(GHz)：1.5@M=10击穿电压(V)：63温度(V/°C)：0.075 BjagG/sX  
主要特点有低噪声、快速响应、高灵敏度、高带宽、高增益、低造价、受光面大小可选，主要用于雪崩光电二极管单光子探测器，激光探测、测距、激光测距、激光经纬仪、警戒雷达、荧光检测、微弱光检测及高端医疗设备等。联系人：业务部 Gw
\..O  
电话：010-57156408 )UM^#<-  
传真：010-57156408 5A*&!1T  
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