光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
RtSk;U1 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
6d_l[N 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
j0Q;OKu 18Ty)7r'
T^"d%au
kWWb<WRW:
ydpsPU?wj5
Reference CEwG#fZ
Wavelength(参考波长):
@521zi
vJYy` k^Y
h5F1mr1Sa
IuPwFf)
k1X <jC]P
Illuminate(光源):
3o6N&bQ b
~(}zp<e|
zdr?1=
ifuVV Fov
.*8.{n5
Incident -E.EI@"
angle(入射角):
<.Pr+g
1<lLE1fk
X_XqT
/<GygRs
.t\5H<z
Incident #[IQmU23
medium(入射介质):
t0/fF'GZD
V]IS(U(
N1_nBQF )
I9_tD@s"(
ns@b0'IF]
Substrate(基底)
*&LVn)@[`
k0%4&pU
*2@Ne[dYEF
PZQ}G*p3
8eL[,uw
Thickness(厚度)mm
]e
R1
+Nl
2Ui)'0
w<5w?nP+Oh
y2&G0