光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
DJ<e=F! 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
$_)f|\s 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
4+ 4?0R /M'b137
[N$@nA-d
,lN!XP{M6w
I5 2wTl0
Reference W<9GwMU
Wavelength(参考波长):
X;}_[=-
SQt$-<>4\
+{#BQbx6
r &TxRsg{
otPEJ^W&
Illuminate(光源):
hSg:Rqnk
(@&|
eueXklpg+
33u7
c 9ghR0WM
Incident ob*2V!"
angle(入射角):
N Z.aI{
neZ_TT/3K
4/d#)6
uM4,_)L
pXQ&2s$
Incident h@Hmo^!9J
medium(入射介质):
*:d_~B?Tn
Ezml LFp.
-R\}Q"
cb
UVeh7Q
MD1,KH+O
Substrate(基底)
{'X "9@
HX
<;=m
16aa IK
* }2o
\h6Q
/\\C&Px
Thickness(厚度)mm
Xt~/8)&
IjrTM{f
"#JoB X@yE
&V2G<gm0
*&AK.n_
Exit nl?|X2?C
medium(出射介质)
?9PNCd3$d
t8^*s<O
RP(FV<ot
|Z"hq
[S9n F
Detector(探测器):
#u2PAZ@qd
?Ts
Z_
=+"XV8Fi,
[hiOFmMJZ-
wYF)G;[wM
First E3KPjK
Surface(第一面)
Uz62!)
v'iQLUgI
_e-a>y
o= 8yp2vG
4
A