光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
9vW]HOK 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
(E,[Ad,$ 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
0wSy[z4V "Dq^r9
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FL^t} vA
Hi$N"16A5z
Reference ~@QAa (P.
Wavelength(参考波长)：
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9]c
Wlq3 r#
MT)q?NcG
lfd-!(tXD
c05-1
Illuminate（光源）：
i| ,}y`C#
U7g,@/Qx
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N7}3?wS
lk81IhI
Incident )a' `
angle（入射角）：
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p/7'r
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qkp0' f*}
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Incident umAO&S.+M
medium（入射介质）：
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m]Qs
BK
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Substrate（基底）
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qs
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SfrM|o
3fZoF`<a
Thickness（厚度）mm
` l'QAIo
O7.eq524
~ oq.y n/1
>zw@!1{1
dN:^RCFzS
Exit iyUnxqP
medium（出射介质）
Z0'LD <
\`2EfYJ{
iYw1{U
1;{nU.If
G-]<+-Q$4
Detector（探测器）：
H.]<f vP
jeA2y jAC
pX!T; Re;
#SI] ^T|
{,T= Siy
First 2\|sXC
Surface（第一面）
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T?jN/}qg
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r 9b(d]
