光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
PCx: 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
G , e!!J 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
u+
b `aB H7FOf[3'
SwE bVwB
C <Pd_&
y* *YFQ*sc
Reference |"g+p )A
Wavelength(参考波长)：
NK\0X5##.
}2h!
1z3>nou2{
Fe1XczB
ZiW&*nN?M
Illuminate（光源）：
.;F%k,!v
ZZM;%i-B
m*|G 2
!&},h=
Dy &{PeE!
Incident &$bcB]C\3
angle（入射角）：
;Wgkf_3
=%SH2kb
oT0:Ny
Q[Gs%/>
cHC1l
Incident Y0yu,
medium（入射介质）：
VpX*l3
)>tT ""yEl
3"Zc|Ck <?
yMEI^,0"
s.^+y7$
Substrate（基底）
.oM;D~(=9
E|3[$ ?=R
RR2M+vQ
? $MO!
[9d\WPLC
Thickness（厚度）mm
YpgO]\ /w
j-d542"
e=+q*]>
!?" pnKb}
H#M;T jR
Exit [HhaBy9
medium（出射介质）
WDI3*
m2HO .ljc
$9h^tP'CV
P{HR='2
W/VE B3P>Z
Detector（探测器）：
&14xYpD<
558 !?kx$
&o E'|^G
\ E6 0
Y.q$"lm7k
First !$/P8T``M
Surface（第一面）
CDY3 +!
v%kl*K`*
e5D\m g)
O;$}j:;KF
1)5/a5
