光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
 9vW]HOK  需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
 (E,[Ad,$  用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
 0wSy[z4V   "Dq^r9  
 /B 3\e3  
 FL^t}vA  
  Hi$N"16A5z  
  Reference ~@QAa (P.  
  Wavelength(参考波长):
 mea}
9]c  
   Wlq3r#  
  MT)q?NcG  
  lfd-!(tXD  
   c05-1  
  Illuminate(光源):
 i|,}y`C#  
   U7g,@/Qx  
  9&Y|,&W  
  N7}3?wS  
   lk81IhI  
  Incident )a'`  
  angle(入射角):
 VG$;ri>  
   p/7'r  
  +eKLwM  
  qkp0' f*}  
   =(P$P  
  Incident umAO&S.+M  
  medium(入射介质):
 nra)t|m  
   <4@8T7
  
  |)0Ta9~  
  m]Qs
BK  
   Zy?!;`c*{  
  Substrate(基底)
 h#)\K|
qs  
   -byaV;T?"  
  ]c|JxgU  
  SfrM|o  
   3fZoF`<a  
  Thickness(厚度)mm
 ` l'QAIo  
   O7.eq524  
  ~	oq.y n/1  
  >zw@!1{1  
   dN:^RCFzS  
  Exit iyUnxqP  
  medium(出射介质)
 Z0'LD<  
   \`2EfYJ{  
  iYw1{U  
  1;{nU.If  
   G-]<+-Q$4  
  Detector(探测器):
 H.]<fvP  
   jeA2yjAC  
  pX!T; Re;  
  #SI]^T|  
   {,T=Siy  
  First 2\|sXC  
  Surface(第一面)
 d$E>bo-\   
   T?jN/}qg  
  /M3;~sx  
 -!M>;M@  
 r9b(d]