光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
AEe*A+ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
^MKvZ DOP 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
?b:l.0m 11Pm lzy
s(r(! FZ
=Y?M#3P.I
E +]gC
Reference m9a(f >C
Wavelength(参考波长)：
A +e
={-*
E[)`+:G]
q} U^H
B XnSkT7
aS-rRL|\L
Illuminate（光源）：
v<HhB.t.
VSL6tQp
/RIvUC1
#t>w)`bA-
sFT-aLpL@V
Incident :1PT`:Y
angle（入射角）：
4
B"tz!
Fi14_{
>Ke4lO"
am]$`7R5 d
N~=p+Ow[H
Incident -WWa`,:
medium（入射介质）：
jn&[=Y-
t$ m268m~
xrFFmQ<_W
oe=^CeW"
mg;+Th &
Substrate（基底）
%V %*0S|U
WV]Si2pOZ
T<=Ci?C
v
F3HpDf y
NldeD2~H
Thickness（厚度）mm
f R$E*Jd
[y7BHikX)
n ,!PyJ
suC]
mJ2>#j; 5f
Exit O(2)A>}
medium（出射介质）
&^= 6W3RD
P:eY>~m< ;
jQxv` H
$!h 21
bS=a Fl#
Detector（探测器）：
"g;^R/sfq
_ z4c7_H3
C_mPw
j"{|* _6E_
M0YV Qa
First 9 +k 7x,
Surface（第一面）
2R66 WK Q
&ejJf{id
JKN0:/t7 Q
H`odQkZ!
e <2?O
