光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
9p<Z Sh 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
SgPvQ'\ 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
`}f wR NX:i]t
SiQszV.&
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eDi8A*~
Reference j]5bs *G
Wavelength(参考波长)：
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m%km@G $
{QTnVS't 0
Ta3qEV s
IPT\d^|f
Illuminate（光源）：
5m&Zq_Q e
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)R'~{;z }
B @8
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rSvQarT
Incident BSB;0O M
angle（入射角）：
J
M,ndl
/^<Uy3F[p
Sq,x57-
^5 sO;vf
B#K{Y$!v
Incident h|j $Jy
medium（入射介质）：
I
;Sm<P7*
gK8{ =A0c
Q-}yZ
Akbt%&
A7qKY-4B
Substrate（基底）
%Z=%E!*
e1 j3X\ \
@H^Yf
6eh\-+=
_c 4kj
Thickness（厚度）mm
; L458fYs
6RLYpQ$+
* Jy'3o
k_ hV.CV
? 2#MU
Exit )E.!jL:g
medium（出射介质）
S_VZ^1X]
1]i{b/ 4
V_T.#"C4=z
i0y^b5@MOb
*+ql{\am4N
Detector（探测器）：
D!-
78h
W
h^9 Aq
tJ
NJ S
)oRF/Xx`g
0 xUw}T6
First x"9e eB,
Surface（第一面）
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