光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
y+VR D 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
afcyAzIB& 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
JAL"On#c#0 JDMsco+j5
7aN oqS+
st CFLYox
ewinG-hX_
Reference o\y qf:V8
Wavelength(参考波长)：
rmnnV[@o
=u &NdMy
}% ?WS
23UXOY0BW
`VOLw*Ci
Illuminate（光源）：
~/R}K g(
_ID =]NJ_
_k
W:FB
y\[GS2nTX
4b$m\hoN
Incident \cq.M/p
angle（入射角）：
YWa9|&m1
), I7+rY
}Qvoms<k
CQ%y ki
SVyJUd_
Incident v]KI=!Gs
medium（入射介质）：
`_+m3vHG
X`n *M]
v&ZI<Xt+
GEf[k OQ
d`Em) 3v
Substrate（基底）
QWxl$%`89<
6NqLo^ "g
2$%0~Z5
!HHbd |B_
JYWc3o6
Thickness（厚度）mm
wZUR
=E%<"FB
Y3wL EG%,:
32V,25 (`5
5B=Wnau
Exit TMQu'<?V
medium（出射介质）
NBZ> xp[U
|k9A*7I
$J XQn
oE4hGt5x{
OL"So
u4
Detector（探测器）：
DK;/eZe
;R?9|:7
0H{0aQQ
?` O Dt]s
/L"& '~
First M+TF0c
Surface（第一面）
Mky8qVQ2
Uyyw'Ni
5Gsj;
rJm%qSZz
jNNl5.
