光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
*A&A V||q 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
4h*c{do 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
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EpW89X
Reference V7 OhOLK8
Wavelength(参考波长)：
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(X?HuWTm
UuKW`(?^
W{$J)iQ
>sm~te$5
Illuminate（光源）：
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PIHix{YR
XQ'$J_hC
i}L*PCP
{^@vCBE+
Incident )H1\4LeP
angle（入射角）：
:R'={0Jg
j'uz js[
l NLa:j
r9Vt}]$a G
<YM!K8hu$
Incident 5_\1 f|,
medium（入射介质）：
|jI|} ,I
)%JjV(:
L9]y ~[R:
V8O-|7H$ v
*snY|hF
Substrate（基底）
{zI>"%$u
g [u*`]-;v
A I v
\IhHbcF`d
+<T361eyY
Thickness（厚度）mm
oe*fgk/o9
F J p<J
b:PzqMh{G
kr\#CW0?
ok1w4#%,
Exit ,`ba?O?*G
medium（出射介质）
3>v-,S+
}vb.>hy
2U`!0~pod
mhMTn*9
2c'< rkA
Detector（探测器）：
m f\tMik<
k 5|GN Y6a
SN 4JX
Cb6K!5[q]
G b4p "3
First L0R$T=~%)
Surface（第一面）
)43z(:<
GM Y[Gd
*^iSP(dg
19:1n]*X<
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