光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
^pI&f{q 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
>Xz=E0;^Ua 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
SW94(4qo g>k"R4
1yFVF
>Q(+H-w
?(C(9vO
Reference CsJ38]=Mt
Wavelength(参考波长):
i|`b2msvd
D\~s$.6B
2/*F}w/
[{s 1=c
Vki'pAN
Illuminate(光源):
v~l_6V}
n jfh4}g:
/KL;%:7
{c
82bFiv
os:/-A_m
Incident 6}V)\"u&
angle(入射角):
;q=0NtCS=4
bHJKX>@{
'
91-\en0
AD$$S.zoD<
[>P9_zID
Incident D]n"`< Ho
medium(入射介质):
\vH /bL
NZu\ Ae
;-aF\}D@n
L9lN AiOH
rLkUIG
Substrate(基底)
8vk*",
9+z5$
>DFpL$oP
5}
v(Ks>
+%O_xqq
Thickness(厚度)mm
a\K__NCrX
9/8#e+L
r>>4)<C7J
V6c>1nZ
qw#wZ'<n
Exit /.knZ_aJ!
medium(出射介质)
&Zxo\[lP
U<pGP
#
bqo+b{i\
U-U^N7
Detector(探测器):
"mbjS(-eg
5l(8{,NDt
)2nx5"
$uPM.mPFE
P#8+GN+bF
First 2qA"emUM
Surface(第一面)
CMcS4X9/}
?g~w6|U(r
?Aq
\Gr
P"Scs$NOU?
&Zzd6[G+