光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
E"9(CjbQ[ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
dV[G-p
用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
#w.0 Cc :+6W%B
;@=3
@v
h,FU5iK|
zc8^#D2y&
Reference el`?:dY H
Wavelength(参考波长):
hYpxkco"4'
|`
~io F
Hrpz4E%\Aw
YIwa = ^
[L X/O@
Illuminate(光源):
8OZasf
vD@|]@gq
_^Q!cB'~/`
2`*w*
{ Z
k^J
Incident n4!RGq.}
angle(入射角):
j7ZxA*
HSysME1X:/
gdeM,A|
xh:I]('R
%:'G={G`QH
Incident OGg\VV'
medium(入射介质):
D&pn@6bB
w\s`8S
)Xg5=zn$
&u[{V R:
|hxiARr4
Substrate(基底)
*VhEl7
]?+i6 [6U
MrB#=3pT
d eT<)'"
jbipNgxkr
Thickness(厚度)mm
nrMW5>&-`
;ZUj2WxE
s>o#Ob@4'
%?+vtX
pDlrK&;\z
Exit mq[=,,#
medium(出射介质)
I3.. Yk%7
aGC3&c[Wx
`sqr>QD
%<-OdyM
[TOo 9W
Detector(探测器):
D%]S>g5k
N-QS/*C.~
>fWGiFmlk
'27$x&6>S
qZ^
PC-
First (*$F7oO<
Surface(第一面)
_l9fNf!@
*"WP*A\1
|&8XmexLb
Mu>
E#+2)Q