光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
ZU@V]+ww 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
u(~s$ENl 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
D=OU 61AA 0 SDCo\
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q MUqd}=P
u( o @_6
Reference stDn{x .
Wavelength(参考波长)：
)l"0:1I g
-5qO}^i$a
J\{)qJ *jp
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Illuminate（光源）：
O:U@m@7
3gM{lS}h#
E?zp?t:a
H}$#aXEAn
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Incident AH}
nTm
angle（入射角）：
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980+Y
QxkfP % _g
Incident %z.G3\s0
medium（入射介质）：
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c]LH.
ZHBwoC#5}
f*I5 m=
Substrate（基底）
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z6!X+`&
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A1@-;/H3
z=xHk |+'
Thickness（厚度）mm
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\x+DEy'4;5
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d]|5
Exit s=$ 7lYX
medium（出射介质）
w iq{ Jo#
Q?>#s N,
Y!`?q8z$G
}/L YI
6M6QMg^
Detector（探测器）：
^Y&Cm.w
0L1P'*LR U
Y}Dp{
GWhZ Mj
pFK
|4u
First Z 0:2x(x9
Surface（第一面）
lfA
BF
8iCI s=06
OBl8kH(b>
MJb = +L
{,
|"Rpd
