光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
k][ h9' 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
|@RpWp>2 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
=(( yWn+t )3% @9
,?( ciO)
% :/_ f
8 eJE>g1J
Reference d>|; f
Wavelength(参考波长)：
Uw)=WImz[
YJ,*(A18
s8vKKvs`9
l5k?De_(x
NiA4JgM]v
Illuminate（光源）：
I9 &lO/c0
?:igumeYX
M'2r@N R8
}pawIf4V
9I .^LZ"
Incident X >z lb$
angle（入射角）：
$UvPo0{
!^WHZv4
P!e= b-T
OlY $ v@|
&= eYr{
Incident #jA) >z\Q^
medium（入射介质）：
BzN@gQo
@AQwr#R"l
.Djta|puu
4 1t)(+r
PeTA$Yl
Substrate（基底）
Qxa{UQh}9
Sh&PNJ-*
->gZ)?Fqy
gU;&$
=Op+v "
Thickness（厚度）mm
_<*Hv*Zm
6F|j(LB
tFM$#JN
h<x4YB5Mj
h|)vv4-d|
Exit ( 9C<K<
medium（出射介质）
mL yBm
8P2 J2IU
[6tSYUZs
$yu?.b
9H#
L0NA*C
Detector（探测器）：
p&Ed\aQ%z;
3BQ!qO17^d
Q(Gl{#b
GF$ `BGW
GP a`e
First ,S&z <S_
Surface（第一面）
# 07!-)Gv
d~9!,6XM
Vba.uKNjk
UE"GJt`I
ae+*=,
