光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
~res V 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
iocI:b < 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
!(mj yr >NqYyW,%
l]@&D#3 ZM
}XZ'v_Ti
+J_c'ChN
Reference 8;z6=.4xtg
Wavelength(参考波长)：
f_wvZ&
9iXeBC
Scp7X7{N
&Flglj~7l
M8INk,si
Illuminate（光源）：
z3`-plE
w3#Wh|LQ-
]p*l%(dhY
LG-y]4a}
Q Btnx[
Incident 3Dg,GaRk
angle（入射角）：
UQ8M~x5$3%
j;']cWe
. EpV;xq}
Q<z_/ j9
@'YS1N<
Incident n/DP>U$I&
medium（入射介质）：
,RE\ $~`w
d1T,eJ}
4S,`bnmB
0F@"b{&0
wkP#Z"A0~
Substrate（基底）
a F)1Nm[
e@c0Wl Wa
JQ}$Aqk
c05TsMF&O
U2{ dN>
Thickness（厚度）mm
0*%Z's\M"
S7=Bd[4
|\Qg X%
#rxVd
7f
([
jF4/
Exit 0zo?e I
medium（出射介质）
{88)~
9U{a{~b
6Pnk5ps }h
0.dgoq 3u
thV> j9'
Detector（探测器）：
D<|qaHB=
}xBc0g r
0QPH}Vi5}
j2Tr $gx<
EPS={w$'s
First cj+ FRG~u
Surface（第一面）
9l}FU$
a-l; vDs
L~(_x"uXd
,$1eFgY%
Nn dddk`
