光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
{k}EWV 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
f YuM`O 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
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Reference njy^<7;
Wavelength(参考波长):
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n*oa J<o%
Illuminate(光源):
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l< y9ue=
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P;dp>jL
Q&9%XF
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Incident iC{~~W6
angle(入射角):
XT|!XC!|
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-|DSfI#j
B~u_zZE
Incident /Lc=
K<
medium(入射介质):
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hCLXL
`37GVo4
[wM<J$=2
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Substrate(基底)
/ h6(!-"
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#c0
dZ
xmDX1sL**
ItTIU
Thickness(厚度)mm
4nhe *ip
ZHshg`I`
X'&$wQ6,K
k"P2J}4eO
9@yP;{Q
Exit _e.b#{=9
medium(出射介质)
~EU[?
tH:K6^oR
8j,_
kCR)k=*
16\U'<
Detector(探测器):
L-d8bA
wYf=(w\c
>5Zpx8W
K)qbd~<\
a{h(BI^~
First K.2M=Q
Surface(第一面)
&F}1\6{fL
3D~Fu8Hg1
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F.=uJdl.!
W4CI=94