光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
~IWi @m{ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
O@=mN*<gg0 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
<s7{6n') b{dzbmak
TwhK>HN
J b$z(?S
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Reference h?1pGz)[C
Wavelength(参考波长)：
RU >vnDaC
0F~9t !
{Jy %h8n*
k?8W2fC
P< &/$x6
Illuminate（光源）：
88*RlxU
+8Px` v1L
M!jW= ^\
Vl z T
f: Ja
Incident Ni)#tz_9
angle（入射角）：
?7p|
F^
J-f0
7w$R-Y/E
[; 2:lbPx
>>8w(PdTn%
Incident Q+Fw =Xw
medium（入射介质）：
"PHv~_:^R
H.mG0x`M"E
a?MtY
EK2
9M=K@ a
m pivg
Substrate（基底）
6K y;1$
ykeUS
zz2
-U $pW( ~
B<&_lG0s S
3,5wWT]
)
Thickness（厚度）mm
.:raeDrd
-:>#w`H
16Y ~5JAc
79x9<,a)
'nS 3o. }
Exit R qz ()M
medium（出射介质）
u_"h/)C'H
xwxj j
!dH&IEP~
gWo~o]f
<^_?hN8.
Detector（探测器）：
Lp WEu^j
HXHPz 4
90ag!
XXcf!~ uO
Kx+Bc&X
First z\Y^x 9
Surface（第一面）
|P7f^0idk
r3 _gPK
mO>
M =2A
z=_{jjs
P/9J !.C m
