出售、供应Silicon Sensor光电二极管

德国的Silicon Sensor公司是高性能探测器领域的开拓者和生产商，具有很强的研发和制造能力，提供覆盖X射线波段到中红外波段的光电二极管，在高性能探测器领域处于国际领先地位。Silicon Sensor公司的探测器和探测解决方案能够满足多个领域的医疗、工业、军事、航空、安全、自动化等行业。 uUfw"*D  
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 Silicon Sensor公司成立于1991年，总部位于柏林，并且在德国的Dresden、Oberdischingen和美国的Westlake Village设有分部，目前有超过300名雇员。 Vs5 &X+k  
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    顶尖科仪 深圳联系人 刘先生 手机13927443410 现驻北京办事处 电话010-82800851转23 传真010-82800852。 \>S.nW  
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图片:PIN响应曲线.jpg

图片:APD响应曲线.jpg

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CRo'r/G  
    PIN光电二极管 ).kU7;0  
型号    特性    特性参数    应用领域 n@`3O'S  
PIN2    紫外/蓝光增强    光谱范围200~1100nm    紫外曝光、污染检测、医疗设备、荧光探测 bZ_&AfcB  
PIN5    高速    上升沿时间<5ns    脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 `&NFl'l1C  
PIN5t    高速、低压应用    上升沿时间<5ns    脉冲光探测、高速光测定、光通信、光纤光学监测 +(Y\w^@%H  
PIN6    低暗电流    暗电流<1nA    脉冲光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 (`4&h%g  
PIN6b    蓝光增强（保持低暗电流）    蓝光响应强，暗电流<0.5nA    荧光探测、高速光测定、医疗设备、分析仪器 Z kw-a  
PIN7    低结电容    结电容和其它款相比小一半以上    高速光测定、医疗设备 =+X*$'<J  
PIN Q    红外1064nm优化    红外响应强    高速光测定、1064nm光探测、近红外脉冲传感 7ZI{A*^vB  
     HJr/N)d  
PIN系列-2 紫外/蓝光增强型 1tXc7NA<  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Rise time (ns)     n`=S&oKH  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    5 V     410 nm | 5 V | 50 Ω     EG\L]fmD  
500981    PS1-2    LCC6.1    1.0 x 1.0    1    0.01    50     Wqv7  
v Z10Rb8  
501103    PS1-2    TO52    1.0 x 1.0    1    0.01    50     @Xoh@:j\  
.U(6])%;@  
500041    PC10-2    TO5    Ø 3.57    10    1    300     -v9(43  
>> cW0I/`  
501261    PS100-2    BNC    10 x 10    100    10    2000     xLIyh7$t  
eQQVfEvS  
500047    PS100-2    CERpin    10 x 10    100    10    2000     Jha*BaD~N  
O#igH  
501231    PS13-2    TO5    3.5 x 3.5    13    1    400     }|h-=T '  
{Q/@Y.~<  
501232    PS33-2    TO8    5.7 x 5.7    33    2    800     f@Mku0VT  
gS(JgN  
500046    PC5-2    TO5    Ø 2,52    5    0.3    150     ^Whc<>|  
5 n4/}s  
500045    PC50-2    BNC    Ø 7.98    50    5    1000     Tyb_'|?rW  
Yaq0mef0  
501230    PS7-2    TO5    2.66 x 2.66    7    0.4    200     B#."cg4VR  
(a!E3y5,  
雪崩二极管（APD） F@/syX;bb5  
APD型号    特征    特性参数    应用领域 8;=?F>]xn  
APD8    高速、高增益    上升沿时间ps量级    激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 &h[)nD  
APD9    近红外波段增强    近红外响应增强    激光测距、高速光学测定、光通信、医疗设备 Ew}G
PJ  
APD10    1064nm波段增强    1064nm波段响应增强    1064nm光追踪、测距、荧光探测 |QzJHP @  
APD11    蓝光增强    蓝光波段响应增强    分析仪器、闪烁器读数、高速光测定、医疗设备 aJm5`az)  
APD12    红光增强    蓝光响应强，暗电流<0.5nA    激光测距、光通信、光束光测定、医疗设备 I-.?qcy~  
:8n?G  
APD系列-8 高速/高增益 _6FDuCVD-  
Order number    Type No.    Active Area    Dark current (nA)    Breakdown voltage (V)    Rise time (ns)     dY?l oFz  
    Chip    Package    Size (mm)    Area (mm&sup2;)    M = 100        M = 100     &\?{%xj  
501810    AD100-8    LCC6.1    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     jM*wm~4>@  
Ct/6<  
501811    AD100-8    LCC6.1f    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    max. 0,18     IwFf8? 3  
^?%ThPo_  
500011    AD100-8    TO52S1    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    <0,180     JKmd'ZGw  
"~C\Z} ;  
501171    AD100-8    TO52S3    Ø 0,1    0,008    0,05    80 - 200*    <0,180     a
[^dK-  
?{Xp'D\z  
501078    AD230-8    LCC6.1    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    typ. 0,18     unL1/JY z  
,[m4+6G5  
501079    AD230-8    LCC6.1f    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    typ. 0,18     avS9"e  
"6$+B/5  
500019    AD230-8    TO52S1    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    0,18     ?fs#K;w  
Cyv_(Oh?dv  
500022    AD230-8    TO52S3    Ø 0,23    0,04    0,3    80 - 200*    0,18     ~$a%& ]\  
[\HAJA,  
501077    AD500-8    LCC6.1    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    typ. 0,35     *|+ ~V/#  
x2i`$iNhmP  
501076    AD500-8    LCC6.1f    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    typ. 0,35     n;b9f|&z  
!x:w2  
500030    AD500-8    TO52S1    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     /?j^Qu  
>fR#U"KPAB  
500305    AD500-8    TO52S2    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     0@f7`D  
"2"*3R<Y  
500155    AD500-8    TO52S3    Ø 0,5    0,2    0,5    80 - 200*    0,35     Sdmynuv U  
GLl@ 6S>v  
500947    AD800-8    TO52S1    Ø 0,8    0,5    2    80 - 240*    0,7     A&'HlI%J  
;LT#/t)}<  
501117    AD1100-8    TO52S1    Ø 1,13    1    4 - 6    80 - 240*    1     A[d'*n[  
hG'2(Y!  
500160    AD5000-8    TO8i    Ø 5    19,63    60    80 - 200*    3     ,KibP_<%&P  
uP ?gGo  
500015    AD1900-8    TO5i    Ø 1,95    3    15    80 - 200*    1,4     Y@'1}=`J  
6ud<B  
501194    AD3000-8    TO5i    Ø 3    7,07    30    80 - 200*    2