1. 背景知识
g9`z]qGWS: 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Q9 b.]W 2. 设备能力
hX~d1.]Y OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
Eh)PZvH #,1Kum
bG3 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
|T}Q ~ 2） 排气性能
{]/}3 t 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
ShdE!q7 极限真空：低于5.0E-5Pa
*eAsA(; 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
l#_(suo64 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
"+iPeRF!hU 3） 基板加熱特性
s=&&gC1 最大设定温度: 350℃
%(IkU D 加热40分钟以内，能到达300℃
fG107{!g= 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
|Fk >NX 4） 电子枪/电源(JEOL制)
]E\o<"#t/ 电子枪（BS-60050EBS）：
~5[#c27E9 (10kW，270°偏转)
-l L(:drn 电压 -4～-10kV(连续可变)
b Z0mK$B 5） 坩埚
]k Q*t {\ 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
VFj}{Y 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
Qx-/t 9`!Z 6） 离子源
r
wtU@xsD 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
v&p |9C@ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
3,2|8Q,((! 栅网尺寸：10cm
RCSG.*% %I 最大射频功率：600W（13.56MHz）
iX]Vk x 束電圧：100V～1500V
IvFxI#.ju 最大束電流：500mA
d7.}=E.L 离子流密度分布：±10%以内
(*>%^ C? 加速电压：100V～1000V
diF-`~ 标准导入气体量：氧气或氩气
cRm+?/ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
nm)H\i 最大射频功率：150W（13.56MHz）
]o18oY( 最大中和電流：1500mA
rz %8V igb 标准导入气体量：氩气
B8){ 7） 光学膜厚监控
038|>l-9[ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
6ge, 2[PU 波長范围：350～1100nm
+>b~nK>M 波長精度：<±1nm
e5 /f%4YX 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
?/Bp8q( 波长再现性：±0.25 nm
=]k0*\PS 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
z>rl7&[@ 8） 水晶膜厚监控
5G!0Yy[' 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
jlvh'y` 水晶开始频率：6.0MHz
V2As 5 频率变化测定分解能：±0.028Hz
k1l\Rywp 测定时间间隔：0.25秒
eD4D<\* 'MLp*3djF, 3. 标准工艺
$T.u Iq 1) ITO
|$*1!pL-QP 2)太阳电池减反膜
w;@NYMK) 0w M2v[^YO 3)高反膜
M E.l{?v U($bR |%D 4)截止滤光片
!&'GWQY{( UoAHy%Y<% 5)UV-IRCUT
Q&j-a;L ! =(OvX_ < d}@b 3 5．操作手册
}q<p;4<\F 1) 目的
S T#9auw 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
[{iPosQWj 2) 使用范围
'%Cc!63t* 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
+,7nsWV 3) 注意事项
oeV. K. 1.开机前检查水电气是否正常
''t\J^+& 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
.|\}] O` 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
/\L-y,>X 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
tuT>,BbR 4) 准备工作
z$64Ep# 1.基片清洗
/g/]Q ^ 2.补充源材料
S2y_5XJ<D 3.清理真空室
B* 0TM+
5) 操作步骤
p **Sd[| 1、开机
R[#Np`z 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
!wbO:py[8> 1.2 打开总电源
2VpKG*!\ 1.3 打开UPS电源
O0Z !*Hy 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
4S%s=v w 机，进行冷泵再生过程。
k^VL{z:EWB 2、放样
h^QLv OuR 2.1 清理真空室
`!,"">5 2.2 补充源材料
\#50;
8VJ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
0tz7^: |D 2.4 放入样品
={' 3j 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Z
" mqH 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
t=l@(%O 0_ 3、熔源与蒸发镀膜
.(J~:U 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
e1<9:h+ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
~ 3!yd0 [k 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
h(~@
n d{ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
;AH8/M B9 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
_cc3 7 [ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
*XUJv&ZN 3.6 打开气体流量控制仪
b=L4A,w~a 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
MnL o{G] 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
7MbV|gM} 4、取样
K Pi_<LuK 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
vRhI:E)So# 行充气过程
r+Pfq[z& 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
t6q7 w 清理真空室，进入到下一个循环。
HfOaJ'+e< 5、关机
]
/"!J6(e 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
H\%^n<]# 5.2 关闭UPS，总电源
~|Nj+A 5.3 关闭水、气
