1. 背景知识
O4 oI&i 7 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
u}|+p + 2. 设备能力
15_Px9 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
7e=s`j &Fh#o t H_ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
q|QkJr < 2） 排气性能
P ;K <P 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
lbm ,# 极限真空：低于5.0E-5Pa
J0 UF( 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
-"5r-q q* 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
LLPbZ9q 3） 基板加熱特性
8F/JOtkGMt 最大设定温度: 350℃
)#v0.pE 加热40分钟以内，能到达300℃
V5rW_X:]8 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
&d=ZCaP 4） 电子枪/电源(JEOL制)
]O0:0 Z \ 电子枪（BS-60050EBS）：
?@H/; hB[| (10kW，270°偏转)
~y>N JM>1 电压 -4～-10kV(连续可变)
ZDr&Alp)o 5） 坩埚
>#|%y>g .o 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
[4 b_`L 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
QygbfW 6u 6） 离子源
&6^QFqqW`- 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
PDhoCAh
! a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
1? Im" 栅网尺寸：10cm
XX'mM v 最大射频功率：600W（13.56MHz）
B8NM o5a 束電圧：100V～1500V
fcisDu8n 最大束電流：500mA
NU%<Ws= 离子流密度分布：±10%以内
h[oI/X 加速电压：100V～1000V
;mSJZYnT 标准导入气体量：氧气或氩气
`:kI@TPI_C b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
i J p E` 最大射频功率：150W（13.56MHz）
sJ7ZE-v]h 最大中和電流：1500mA
5^C.}/#>F 标准导入气体量：氩气
S\ ) ~9? 7） 光学膜厚监控
}\]J?I+ A 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
@WICAC= 波長范围：350～1100nm
'<Jqp7$dL 波長精度：<±1nm
W*9*^ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
~ " :}Rs 波长再现性：±0.25 nm
(}MN16! 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
m!Fx# 8） 水晶膜厚监控
7(B"3qF8| 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
h5}:>yc 水晶开始频率：6.0MHz
M6H#Y2!ZbC 频率变化测定分解能：±0.028Hz
o$k9$H>Na 测定时间间隔：0.25秒
4(TR'_X ( DGO\&^GT^ 3. 标准工艺
siD/`T& 1) ITO
Kd;)E 9Ti 2)太阳电池减反膜
;0-Y), /Gvd5 3)高反膜
UOcO\EA+ Qb?e A 4)截止滤光片
,g:\8*Y>' xH>2$ ;f 5)UV-IRCUT
j S<."a/n } S6" $R N_R(i3c6U! 5．操作手册
G$-[(eu - 1) 目的
`R,g_{M j 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
<L+y
6B 2) 使用范围
Fm4)| 5 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
)GR4U8<>g 3) 注意事项
zaG1 1.开机前检查水电气是否正常
8 EUc
6 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
Ms14]M[\ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
%IK[d#HO 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
o((!3H{ D 4) 准备工作
rLp (}^ 1.基片清洗
##BfI` FJ 2.补充源材料
H1-eMDe 3.清理真空室
U$7]*#@& 5) 操作步骤
tWaM+W 1、开机
h N x#x 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
$ M| 1.2 打开总电源
?C(3T KH 1.3 打开UPS电源
;- 6 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
4#lOAzDtv 机，进行冷泵再生过程。
n j6 |WJ 2、放样
VRD:PVz 2.1 清理真空室
zy 'cf5k2 2.2 补充源材料
=p d#U 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
-^$`5Rk 2.4 放入样品
P~M<OUg 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Z \>mAtm 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
q.!<GqSgb 3、熔源与蒸发镀膜
#}S<O _ 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
Z ~v-@ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
# H.DnW 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
P d04 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
0$=w8tP) 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
%! [3?|8~ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
,racmxnv 3.6 打开气体流量控制仪
CqR^w( 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
a~&euT2 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
!![ HR6"Q 4、取样
`&URd&ouJD 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
^=[b]*V 行充气过程
/Suh&qw>
4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
;| pw; - 清理真空室，进入到下一个循环。
74fE%;F 5、关机
$3]]<oH 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
+'{d^-( ( 5.2 关闭UPS，总电源
$L W8 vo7 5.3 关闭水、气
