1. 背景知识
I|oS`iLl$ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
/swNhDQ"o 2. 设备能力
oP 4z> OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
~qj09 qT D^Vz
V 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
xhmrep6+< 2） 排气性能
TE !+G\@ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
eg$y,Tx 极限真空：低于5.0E-5Pa
d9kN @W 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
cTQ]0<9:e 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
a } m> 3） 基板加熱特性
kvo V?<! 最大设定温度: 350℃
x{.+i' 加热40分钟以内，能到达300℃
DpZO$5.Ec+ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
* sbZ{{]e 4） 电子枪/电源(JEOL制)
t/`~(0F 电子枪（BS-60050EBS）：
!0k'fYCa (10kW，270°偏转)
W$bQS!7y 电压 -4～-10kV(连续可变)
XwNJHOaF 5） 坩埚
KqNbIw*sR 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
* c1)x 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
MR{JMo=r 6） 离子源
LqA&@ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
okv`+VeA a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
K6s%=.Zi( 栅网尺寸：10cm
!|@hU/ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
y
+2 束電圧：100V～1500V
q }'ww 最大束電流：500mA
eK)R= M@i 离子流密度分布：±10%以内
*(>,\8OVf 加速电压：100V～1000V
S pqbr@j 标准导入气体量：氧气或氩气
8nSEAr~ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
THl={,Rw` 最大射频功率：150W（13.56MHz）
{BS}9jZx 最大中和電流：1500mA
1O{(9nNj 标准导入气体量：氩气
Zl4 X,9Wt 7） 光学膜厚监控
t5"g 9`A L 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
&ap&dM0@%a 波長范围：350～1100nm
l1 ?$quM^V 波長精度：<±1nm
tW)K pX 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
a?dUJt 波长再现性：±0.25 nm
V@C8HTg
安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
$t{;- DpNB 8） 水晶膜厚监控
<jwQ&fm)/R 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
g,61'5\ 水晶开始频率：6.0MHz
gFQ\zOlY8a 频率变化测定分解能：±0.028Hz
(O@fgBM 测定时间间隔：0.25秒
%/:0x:ns f2f2&|7 3. 标准工艺
rT mVHt 1) ITO
Wp2$L-T&$ 2)太阳电池减反膜
>=+: lD 818,E 3)高反膜
c`E0sgp |@*3
nb8 4)截止滤光片
rQb=/ @- mY 1Gm| 5)UV-IRCUT
|T) $E H,q-*Kk \)'5V!B|s 5．操作手册
bK69Rb@\A 1) 目的
e\7AtlW" 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
^1mnw @04 2) 使用范围
T? +%3z}8 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
D<wz%* 3) 注意事项
@yj$ 1.开机前检查水电气是否正常
~cL)0/j} 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
fuQk}OW{ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
#M5pQ&yZy 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
?;xL]~Q~1 4) 准备工作
kE`Fg( M 1.基片清洗
XEe$W h
2.补充源材料
pAtt=R,Ht 3.清理真空室
3o^~ 6A 5) 操作步骤
B"Hz)-MW 1、开机
ZTg[}+0e 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
57jDsQAj 1.2 打开总电源
h2P&<gg qX 1.3 打开UPS电源
o#\c:D*k 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
i [4t`v'Dk 机，进行冷泵再生过程。
Memb `3 2、放样
HrS- o= 2.1 清理真空室
`P/87=h 2.2 补充源材料
>v' @p 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
&\iMIJ- 2.4 放入样品
S[ 5OTwa8L 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
EL^j}P 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
ZE[NQ8 3、熔源与蒸发镀膜
W!R7D%nX 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
C sX@u # 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
OD6d Mql 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
P/,ezVb= 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
+#Ga} e CM 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
Txa
2`2t7 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
|<2<`3 3.6 打开气体流量控制仪
Xk?Y 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
gHox>r6.A 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
)u=46EU_ 4、取样
U]PsL3: 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
`1i\8s&O6@ 行充气过程
;-quK%VO! 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
#:E^($v 清理真空室，进入到下一个循环。
?.g="{5X 5、关机
jP31K{G? 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
T?KM}<$(O 5.2 关闭UPS，总电源
%4x,^ K] 5.3 关闭水、气
