1. 背景知识
"4Lg8q m 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
5 4ak <&? 2. 设备能力
:"OZc7
~ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
*}
*!+C3 njy~ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
^f^-.X 2） 排气性能
msA' 5> 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
$' A4RVVT 极限真空：低于5.0E-5Pa
3iu!6lC 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
G*P[z'K= 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
{\vI9cni|" 3） 基板加熱特性
L?=#*4t 最大设定温度: 350℃
fbh6Ls/ 加热40分钟以内，能到达300℃
[+hy_Nc$ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
XPHQAo[(s 4） 电子枪/电源(JEOL制)
G t^|+[gD 电子枪（BS-60050EBS）：
Cp .1/ (10kW，270°偏转)
egZyng
pB 电压 -4～-10kV(连续可变)
Nk lz_ ] 5） 坩埚
eVqM=%Q 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
nuf@}W>y 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
}Kv h`@CiJ 6） 离子源
bn0"M+7)f 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
tyc8{t#Z a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
);Tx5Z} 栅网尺寸：10cm
3+CSQb8 最大射频功率：600W（13.56MHz）
?8Hn {3X 束電圧：100V～1500V
QRsqPh&- 最大束電流：500mA
<u6c2!I{ 离子流密度分布：±10%以内
x2
w8zT6M 加速电压：100V～1000V
<MPeh&_3# 标准导入气体量：氧气或氩气
,bB( 24LD b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
lTa1pp
Zw 最大射频功率：150W（13.56MHz）
R(M}0JRm 最大中和電流：1500mA
Hnfvo*6d.e 标准导入气体量：氩气
Ivz+Jj w 7） 光学膜厚监控
G wgFi@itN 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
Jz~+J*r;]A 波長范围：350～1100nm
;V|M3 波長精度：<±1nm
J y]FrSm^ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
<'r0r/0g? 波长再现性：±0.25 nm
Of1IdE6~ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
;): 8yBMk 8） 水晶膜厚监控
lr 9=OlH 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
z[WC7hvU 水晶开始频率：6.0MHz
IkSX\* 频率变化测定分解能：±0.028Hz
oUl=l}qnD 测定时间间隔：0.25秒
.i
MnWW "V: 3. 标准工艺
^ H'hD 1) ITO
^{),+S 2)太阳电池减反膜
t{+ M|Y i?ZA x4D 3)高反膜
!nec 7 D~cW
]2 4)截止滤光片
gsnP !2cR ~RcNZ\2y 5)UV-IRCUT
MB1sQReOO C>AcK#-x,{ 1v;'d1Hg; 5．操作手册
4BH tR017r 1) 目的
j%#?m 2J} 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
+#0~:&!9 2) 使用范围
0LS -i% 0 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
q_-ma_ F#s 3) 注意事项
Xwn3+tSIa 1.开机前检查水电气是否正常
||R0U @F, 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
@/9> =#4c 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
U$A/bEhw 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
|a%B| CX 4) 准备工作
D0f*eSXE{ 1.基片清洗
,o BlJvm 2.补充源材料
OWqrD@ 3.清理真空室
3voW 5) 操作步骤
- &@]M>r@ 1、开机
k}X[u8A 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
F|,6N/;!W 1.2 打开总电源
^ )|&| 1.3 打开UPS电源
?2/ uSG| 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
h5x*NM1Ih 机，进行冷泵再生过程。
<F ew<r2 2、放样
Sc$gnUYD{ 2.1 清理真空室
DUqJ y*F( 2.2 补充源材料
w %;hl#s 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
g`kY]lu 2.4 放入样品
b9 `i Z 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
vuXS/ d 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
3u*82s\8T 3、熔源与蒸发镀膜
aQga3;S! 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
h(_P9 E[g 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
"t=UX
-3 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
n|6?J_{<b> 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
#hpIyy%n 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
L1rwIOgq^ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
<3lUV 7! 3.6 打开气体流量控制仪
%06vgjOa ( 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
=9^Q"t4 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
&2Q*1YX j 4、取样
U7E 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
*_ PPrx5 行充气过程
!I ~C0u 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
\9'!"-i 清理真空室，进入到下一个循环。
-xz| ayn 5、关机
un6cD$cHr 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
W+ .{4 K 5.2 关闭UPS，总电源
O" \nR:\ 5.3 关闭水、气
