1. 背景知识
Ook 3B 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
,*E%D _ 2. 设备能力
x3PeU_9 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
tPO.^ "sAR< 5b 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
%b\xRt[0v7 2） 排气性能
+A~lPXA XW 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
7 z<!2 极限真空：低于5.0E-5Pa
@T;O^rE~N 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
c`doR(oZ 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
iBp 71x65 3） 基板加熱特性
l >~ :lBO 最大设定温度: 350℃
AN ^ , 加热40分钟以内，能到达300℃
;f= :~go 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
uqTOEHH7 4） 电子枪/电源(JEOL制)
eb9qg.9Z 电子枪（BS-60050EBS）：
&0(2Z^Z>fw (10kW，270°偏转)
sn5N9=\+T 电压 -4～-10kV(连续可变)
+}m j6 I 5） 坩埚
KS*W<_I 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
k`oXo% 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
xBgf)'W_Z 6） 离子源
1yX&iO^d 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
RVI],O a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
R&ou4Y:DG 栅网尺寸：10cm
GdG%= + 最大射频功率：600W（13.56MHz）
OUI}jJw+ 束電圧：100V～1500V
.8b 4 最大束電流：500mA
mNb+V /*x3 离子流密度分布：±10%以内
2<ef&?ljk 加速电压：100V～1000V
}[LK/@h 标准导入气体量：氧气或氩气
B1nb23SY T b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
s3J T1TX 最大射频功率：150W（13.56MHz）
2i,Jnv= sR 最大中和電流：1500mA
^jf$V #z0/ 标准导入气体量：氩气
-)y"EJ(N 7） 光学膜厚监控
hp,T(D| 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
2mU}"gf[ 波長范围：350～1100nm
JSGUl4N 波長精度：<±1nm
t&eD;lg : 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
GExG1 n- 波长再现性：±0.25 nm
e% 5! 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
1+y&n? 8） 水晶膜厚监控
XJ?@l3D: 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
,x{5,K.yWq 水晶开始频率：6.0MHz
^<y$+HcH 频率变化测定分解能：±0.028Hz
8$G$Rdn 测定时间间隔：0.25秒
dcHkb,HsO l_,8_u7G 3. 标准工艺
" hy#L
0\t 1) ITO
c# HocwP@ 2)太阳电池减反膜
V 8n}" "K\ Rq+si 3)高反膜
lPFMNRt~8
KpwUp5K 4)截止滤光片
>@oO7<WB E"L'm0i[[ 5)UV-IRCUT
vm4]KEyrX jWU)y)$ }\gpO0Ox 5．操作手册
C{2 UPG4 x 1) 目的
jBE= Ij 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
$7BD~U 2) 使用范围
I gFz[)
可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
;nh7Elk 3) 注意事项
Q| xPm: 1.开机前检查水电气是否正常
?C $_?Qi 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
Pv0+`>): 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
-C8awtbC 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
{ld([ 4) 准备工作
/ ,:32H 1.基片清洗
97 Q!Ro t 2.补充源材料
jXW71$B 3.清理真空室
C}00S{nAZ 5) 操作步骤
\ lY26 ' 1、开机
_FVI N;! 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
i, )kI 1.2 打开总电源
Pt1Htt:BE 1.3 打开UPS电源
L1D%vu` 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
a(J~:wgd 机，进行冷泵再生过程。
qY 0Ic5wCY 2、放样
-7pZRnv 2.1 清理真空室
.d8~]@U!< 2.2 补充源材料
5 |>jz ` 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
}NYsKu_cM 2.4 放入样品
](a<b@p 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
^T<<F}@q 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
_C*}14
"3 3、熔源与蒸发镀膜
XDI@ mQmzB 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
T
%cN(0 @ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
U#Z}a
d?VX 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
!D6@ \ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
|H
|ewVUY 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
=)T5Y,+rJ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
35,SP R 3.6 打开气体流量控制仪
e8gD(T 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
2smLv1w@ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
H ~$a6T"& 4、取样
M&> Z[o 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
y\@XW*_? 行充气过程
"1l d4/ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
g!K(xh EO 清理真空室，进入到下一个循环。
K}wUM^ 5、关机
a"ht\v}1 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
2} T" |56 5.2 关闭UPS，总电源
R_ Z
H+@O 5.3 关闭水、气
