1. 背景知识
v/v PU 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
,5T1QWn^f 2. 设备能力
r1=j $G OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
z 'O+B} j]- _kjt 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
Azr|cKu] 2） 排气性能
rY@9nQ\>g 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
!N][W#: 极限真空：低于5.0E-5Pa
N<Ym&$xR 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
]|K6Z>V 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
{z;K0 3） 基板加熱特性
"HH<5 M 最大设定温度: 350℃
t -}IKrbv 加热40分钟以内，能到达300℃
?h| DeD!s 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
m9D Tz$S. 4） 电子枪/电源(JEOL制)
]vV)$xMX 电子枪（BS-60050EBS）：
x",ktE>9 (10kW，270°偏转)
+`$$^x 电压 -4～-10kV(连续可变)
BT$Oh4y4 5） 坩埚
MIiB NNURX 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
Z@*!0~NH=4 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
AG;KXL[V 6） 离子源
g2M1 zRm; 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
RHbbj }B a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
FK hgUnw 栅网尺寸：10cm
CeUXGa|C 最大射频功率：600W（13.56MHz）
|]Hr"saO0 束電圧：100V～1500V
v:w^$]4 最大束電流：500mA
^LXsU]
R 离子流密度分布：±10%以内
2\#$::B9 加速电压：100V～1000V
, Qo:]Mj 标准导入气体量：氧气或氩气
n\ BV*AH b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
z/p^C~|} 最大射频功率：150W（13.56MHz）
ZnuRy: 最大中和電流：1500mA
,I]]52+?4 标准导入气体量：氩气
S<i. O 7） 光学膜厚监控
-Q BM^L 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
LN5q_ZvR 波長范围：350～1100nm
nYv keT 波長精度：<±1nm
d@b2XCh< K 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
B| M@o^Tf 波长再现性：±0.25 nm
Dk2Z l 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
jJ 'NYG 8） 水晶膜厚监控
hKnV=Ha( 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
7*W O9R/ 水晶开始频率：6.0MHz
tuY= )? 频率变化测定分解能：±0.028Hz
ip*^eS^ 测定时间间隔：0.25秒
1 >2
/1> yOP$~L#TWs 3. 标准工艺
(hK jr1s 1) ITO
c] $$ap 2)太阳电池减反膜
9U )9u["DH }6{00er 3)高反膜
OI6m>XH? 3.S hAL 4)截止滤光片
gnb+i` 9.#")%_p 5)UV-IRCUT
0r!F]Rm -^ N_ +D#Z.g 7 ,uD7 R_ 5．操作手册
'[_.mx|cd` 1) 目的
E4.A$/s8[ 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
4 &:|h 1 2) 使用范围
k!WeE#"( 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
Ruwp"T}mF 3) 注意事项
]xJ. OUJy 1.开机前检查水电气是否正常
(VHPcoL 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
)}_}D +2 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
L i 9$N"2 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
iHQ$L# 7 4) 准备工作
2Ib
1D 1.基片清洗
)g]A
'A= 2.补充源材料
6Tm 7|2R 3.清理真空室
4gmlK,a 5) 操作步骤
qc3,/JO1 1、开机
?T|0"|\" ' 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
A q>?G+ 1.2 打开总电源
8&qtF.i-6 1.3 打开UPS电源
cw0uLMqr` 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
nCA~=[&H 机，进行冷泵再生过程。
AOV{@ b( 2、放样
:vaVghN\ 2.1 清理真空室
%`/ F> ` 2.2 补充源材料
aQ &K a 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
wMCgL h\wi 2.4 放入样品
M}=>~T A@ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
5HY0 *\ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
?k^m|Z 3、熔源与蒸发镀膜
/paZJ}Pr. 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
q$K}Fm1C 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
V <ilv< 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
#hXvGon$? 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
53bVhPGv 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
axN\ZXU DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
l$R9c+L= 3.6 打开气体流量控制仪
OcC|7s" , 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
[O]rf+NZ(5 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
w:=:D=xH2 4、取样
q{f (T\ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
cXYE !( 行充气过程
w2lO[o~x} 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
l2Rnyb<;; 清理真空室，进入到下一个循环。
B9c
gVTLj 5、关机
K<pZ*l 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
]kO |kIs 5.2 关闭UPS，总电源
-"#jRP]# 5.3 关闭水、气
