1. 背景知识
$o/0A 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
i_[^s:*T 2. 设备能力
*?EO n - OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
Uzan 7A ;% /6Y~/ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
k&MlQ2'!< 2） 排气性能
oq=?i%'> 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
P%.`c?olbs 极限真空：低于5.0E-5Pa
%'RI 3gy 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
A2}Z
*U(; 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
5 %2ef{T[ 3） 基板加熱特性
HXD*zv@ *6 最大设定温度: 350℃
t-.2 +6"\ 加热40分钟以内，能到达300℃
R4&|t 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Qw3a" k- 4） 电子枪/电源(JEOL制)
V}vl2o 电子枪（BS-60050EBS）：
d9`3EP)n (10kW，270°偏转)
3~cS}N T 电压 -4～-10kV(连续可变)
:5 TXA 5） 坩埚
z*Myokhf 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
H a rFo 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
?l)}E 6） 离子源
C1ZFA![ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
X{0ax. a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
hEyX~f 栅网尺寸：10cm
Y{%4F%Oy 最大射频功率：600W（13.56MHz）
UgF ) J 束電圧：100V～1500V
]&3s6{R 最大束電流：500mA
Zp/qs
z(] 离子流密度分布：±10%以内
I
ybl;u 加速电压：100V～1000V
d[s;a. 标准导入气体量：氧气或氩气
{{^Mr)]5K b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
aX>4Tw 最大射频功率：150W（13.56MHz）
]%NO"HzF~ 最大中和電流：1500mA
"i!2=A8k 标准导入气体量：氩气
^BF@j4*~ 7） 光学膜厚监控
sDzD
8as 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
1Qp1Es<) 波長范围：350～1100nm
n4ds;N3Hd 波長精度：<±1nm
#U?E Om 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
U6/m_`nc 波长再现性：±0.25 nm
q8'@dH 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
N: UDbLjw~ 8） 水晶膜厚监控
{u(}ED#p 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
JL"
3#p} 水晶开始频率：6.0MHz
/7UovKKbz 频率变化测定分解能：±0.028Hz
m~= ]^e 测定时间间隔：0.25秒
Ez7V >FN X ~|aeKtCs(. 3. 标准工艺
4=?Ok":8 1) ITO
EWu iaw. 2)太阳电池减反膜
;[WSf{k 'T&=$9 g7 3)高反膜
6T{o3wc; u7WTSL% 4)截止滤光片
c~^]jqid] Q7 0**qm 5)UV-IRCUT
3/A[LL| g9FVb7In_ h-?q6O/ | 5．操作手册
>,]
eL 1) 目的
yZj}E Ba 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
4y]: Gq z~ 2) 使用范围
g|GvJ)VX 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
w]o: c(x@ 3) 注意事项
/JK-}E 1.开机前检查水电气是否正常
%U=S6<lbj; 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
r2E>sHw 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
MrKU,- 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
RAD4q"}k 4) 准备工作
t9f4P^V` 1.基片清洗
c] g<XVI
2.补充源材料
!SO$k%b}! 3.清理真空室
}<}`Q^Mlk 5) 操作步骤
RAv RNd 1、开机
V(' 'p{ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
Ads<-.R 1.2 打开总电源
:N+#4rtgUY 1.3 打开UPS电源
*Lb(urf 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
5ykk11!p$ 机，进行冷泵再生过程。
%/6e"o 2、放样
Gw\G+T?M- 2.1 清理真空室
J1c&"Oh 2.2 补充源材料
\ ]kb&Qw 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
DiYJlD& 2.4 放入样品
lE2wkY9^/ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
~ ];6hxv 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
jnU*l\, 3、熔源与蒸发镀膜
[o [v"e\w 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
7n\j"0z 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
0ez
i ?Um 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
?,i#B'Z^ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
'^-4{Y^2E 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
+EiUAs~H DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
:,}:c%-^" 3.6 打开气体流量控制仪
LDi ez i 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
+ SuUI-. 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
rmg"; ( I 4、取样
ax{-Qi7z-+ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
f@;>M9)< 行充气过程
#*>7X>,J 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
3 R:7bex 清理真空室，进入到下一个循环。
Xb +if 5、关机
4|@FO}rK[l 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
ko+M,kjwR 5.2 关闭UPS，总电源
8O.:3%D~
t 5.3 关闭水、气
