1. 背景知识
2S"Nf8>zp 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
jN31hDg<z 2. 设备能力
Ea6
&~" OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
'3 33Ctxy .IarkeCtb 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
Fmyj*)J[Z 2） 排气性能
A#8q2n270* 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
"_|oW n 极限真空：低于5.0E-5Pa
2P#=a?~[ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
/E;y,o75 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
#[{3 } %b 3） 基板加熱特性
wh6yPVVF/ 最大设定温度: 350℃
(*p , T 加热40分钟以内，能到达300℃
{-3L IO 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
'e) ^m}:?D 4） 电子枪/电源(JEOL制)
rxn Frx 电子枪（BS-60050EBS）：
U b1hHA*) (10kW，270°偏转)
:bu>],d-8' 电压 -4～-10kV(连续可变)
{\H/y c|@ 5） 坩埚
IW=cym7 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
qfY5Ww$ 8 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
d^03"t0O] 6） 离子源
}jH7iyjD 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
e^p
+1-B a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
dZ#&YG)?e 栅网尺寸：10cm
(*}yjUYLZ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
c 'uhK8| 束電圧：100V～1500V
C%d_@*82 最大束電流：500mA
&LO"g0w 离子流密度分布：±10%以内
f() FY<b 加速电压：100V～1000V
[x=jH>Y 标准导入气体量：氧气或氩气
~h } F i b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
~5Pb&+<$ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
U,#yqER'r 最大中和電流：1500mA
Z4<L$i;/jN 标准导入气体量：氩气
-9N@$+T 7） 光学膜厚监控
_Zk{! 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
2M#M"LHo 波長范围：350～1100nm
glD cUCF3 波長精度：<±1nm
lC:k7<0Ji 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
^b: ( jI*l 波长再现性：±0.25 nm
&'cL%. 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
X%z }VA 8） 水晶膜厚监控
ojYbR<jn9 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
mxor1P#| 水晶开始频率：6.0MHz
! cKz7?w 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Lg8nj< TF 测定时间间隔：0.25秒
^` un'5Vk u\&b4=nL 3. 标准工艺
afjtn_IB 1) ITO
QXCH(5a s 2)太阳电池减反膜
fYKO J5f "$s~SIUB 3)高反膜
=*p/F 4iSa7YqhBT 4)截止滤光片
n>@oBG)! DN4$J va 5)UV-IRCUT
fXrXV~'8 $kR N
h6 / mo(_ 5．操作手册
*s@Q tgu 1) 目的
vJAZ%aW 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
3u%{d G a 2) 使用范围
P[s8JDqu 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
o7IxJCL=Q 3) 注意事项
ss;R8:5 1.开机前检查水电气是否正常
+`? Y?L^
J 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
X,9 M"E
2 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
(sVi\R 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
SG6 sw]x 4) 准备工作
^vG8#A}] 1.基片清洗
9UvXC)R1 2.补充源材料
M q';S^ 3.清理真空室
j xYc2 5) 操作步骤
v\(2&* 1、开机
g{5A4|_7 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
f/Cu E%7BR 1.2 打开总电源
C6rg<tCH 1.3 打开UPS电源
Z7 E 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
yf&7P;A 机，进行冷泵再生过程。
5`f@> r? 2、放样
$-[CG7VgX% 2.1 清理真空室
cQ9q;r`% 2.2 补充源材料
o)'y .-@Q 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
mKYeD%Pm* 2.4 放入样品
6e7{Iy 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
N!*_La=TuH 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
Z@hD(MS (C 3、熔源与蒸发镀膜
aZ\UrV4, 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
fu~ +8CE. 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
;5@ t[ r 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
SNY~9:;]f 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
WxF:~{ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
g2unV[()_ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
#r3l[ bKK 3.6 打开气体流量控制仪
8Jz:^ k: 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
Wb S4pdA 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
8i?l02 4、取样
y\&>Z yOY 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
O]qU[y+ 行充气过程
*OQG 4aWy 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
LzYO$Ir:g 清理真空室，进入到下一个循环。
ak:c rrkx 5、关机
4b:s<$TZ 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
m*mm\wN5 5.2 关闭UPS，总电源
NV#FvM/#" 5.3 关闭水、气
