1. 背景知识
+e{ui + 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
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Pn`T 2. 设备能力
d A)T> OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
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cGV%=N^BE< 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
k { qxsNM 2） 排气性能
(<Cq_K w 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
d5'Q 1"{ 极限真空：低于5.0E-5Pa
0AO^d[v 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
v9f+ {Y%- 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
H$I~Vz[\yb 3） 基板加熱特性
`%Ih'(ne 最大设定温度: 350℃
@[r[l#4yUi 加热40分钟以内，能到达300℃
~J].~^[ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
2.^{4 1: 4） 电子枪/电源(JEOL制)
|Hf|N$ 电子枪（BS-60050EBS）：
:!aLa}`@ (10kW，270°偏转)
8jz>^.-o 电压 -4～-10kV(连续可变)
u "0{)
, 5） 坩埚
"@G[:(BoB< 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
H:DR?'y W 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
x# 0?$}f< 6） 离子源
_[6sr7H! 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
kkl'D!z2g a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
&wQ;J)13 栅网尺寸：10cm
yQhO-jT 最大射频功率：600W（13.56MHz）
cO5F=ZxR 束電圧：100V～1500V
"1a;);S=*) 最大束電流：500mA
!<];N0nt# 离子流密度分布：±10%以内
%6Gg&Y$j! 加速电压：100V～1000V
2K:A4)jZ 标准导入气体量：氧气或氩气
irlFB#.. b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
YoKE=ln7 最大射频功率：150W（13.56MHz）
r?DCR\Jq 最大中和電流：1500mA
V lx.C~WYn 标准导入气体量：氩气
d|R-K7 ~~ 7） 光学膜厚监控
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NYU: 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
89M'klZ 波長范围：350～1100nm
`CWhjL8^ 波長精度：<±1nm
@r GY9%E 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
Htgo=7!?\3 波长再现性：±0.25 nm
dXTD8 )& 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
UwUHB~ <oE 8） 水晶膜厚监控
gKb,V rt 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
O:0{vu9AQ 水晶开始频率：6.0MHz
Ek<Qz5) 频率变化测定分解能：±0.028Hz
O i\ s 测定时间间隔：0.25秒
$`lWW6>P a_Xwi:e< 3. 标准工艺
]Za[]E8MD 1) ITO
}# s{." 2)太阳电池减反膜
N}#Rw2Vl C_J@:HlJ 3)高反膜
>az~0PeEL ~ ky;[ 4)截止滤光片
xgxfPcI ?>;b,^4 5)UV-IRCUT
mh8fJ6j29N (?l ]}p^[ 5Y+YN1 5．操作手册
1 iox0 1) 目的
O+W<l:|$ 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
P^OmJ;""D 2) 使用范围
WK$\# >T 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
6>] 3) 注意事项
l 73%
y 1.开机前检查水电气是否正常
WVR/0l &bU 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
:a{dWgN 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
E3 % ~!ZC 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
vb^fx$V 4) 准备工作
OB.r ETg 1.基片清洗
*+rfRH]a 2.补充源材料
E_~e/y"- 3.清理真空室
[;wJM|Z J0 5) 操作步骤
s4|tWfZ 1、开机
__b4dv 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
s?HK2b^;D 1.2 打开总电源
0U7G l9~ 1.3 打开UPS电源
;~0q23{+;U 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
XncX2E4E 机，进行冷泵再生过程。
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YP? 2、放样
:;_}Gxx 2.1 清理真空室
z-MQGq xR 2.2 补充源材料
H5 z1_O_+ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
S`vt\g$ dN 2.4 放入样品
fNLO%\G~2 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
|m KohV qr 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
s'yR 2JYv 3、熔源与蒸发镀膜
[y8(v ~H 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
E#_/#J]UQn 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
-F?97&G$ 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
l)\Q~^cxd 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
<-.@,HQ+ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
WOn< JCh] DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
=Fc]mcJ69 3.6 打开气体流量控制仪
rG?5z" 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
E "'u2jEG^ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
xS UpVK 4、取样
gM&O dT+i 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
s=:)!M.i 行充气过程
ulzX$ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
d:hnb )I$* 清理真空室，进入到下一个循环。
`x x.,;S 5、关机
wb9(aS4 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
&wlD`0v 5.2 关闭UPS，总电源
0 7Yak<+~ 5.3 关闭水、气
