1. 背景知识
)|R0_9CLV 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
@-@rG>y^: 2. 设备能力
7TPLVa=hO OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
N|d.!Q;V.y rI66frbj 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
k,iV$,[ TF 2） 排气性能
bA^: p3 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
QqK{~I|l 极限真空：低于5.0E-5Pa
PSqtZN 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
<T.#A8c 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
4f[M$xU&h 3） 基板加熱特性
Oj lB 0 最大设定温度: 350℃
P}Wh E 加热40分钟以内，能到达300℃
-5,y
1_M 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
2X;0z$ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
]#-/i2-K 电子枪（BS-60050EBS）：
[(P[qEY (10kW，270°偏转)
(9 z.IH7}k 电压 -4～-10kV(连续可变)
QRZTT qG 5） 坩埚
u3i| } ` 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
='] }; 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
8j +:s\ 6） 离子源
p9 ,\ {Is 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
sEJ;t0.LX a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
3G/ mB 栅网尺寸：10cm
b}*@=X=4o 最大射频功率：600W（13.56MHz）
Y=Ar3O*F 束電圧：100V～1500V
yZ~ eLWz 最大束電流：500mA
K-Dk2(x 离子流密度分布：±10%以内
a(43]d& 加速电压：100V～1000V
)"c]FI[} 标准导入气体量：氧气或氩气
p5# P
r b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
si!9 Gz; 最大射频功率：150W（13.56MHz）
:*&9TNU E@ 最大中和電流：1500mA
> ?{iv1 标准导入气体量：氩气
k E#_Pc 7） 光学膜厚监控
PxVI {:Uz 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
;GgQ@ s@ 波長范围：350～1100nm
Yx}" > ;\ 波長精度：<±1nm
#nf%ojh 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
Dss/>!
mN 波长再现性：±0.25 nm
^I0GZ G 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
EO 9kE.g 8） 水晶膜厚监控
<j1d~XU} 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
WVT5VJ7 * 水晶开始频率：6.0MHz
eYD9#y 频率变化测定分解能：±0.028Hz
G_, t\ 测定时间间隔：0.25秒
w{zJE]7 J.e8UQ@=5 3. 标准工艺
j#nO6\&o 1) ITO
hA1gkEM2o 2)太阳电池减反膜
x+*L5$;h "U5Ln2X{J 3)高反膜
0q>NE <L K@j^gF/0B 4)截止滤光片
mb~=Xyk& M Nf @HG 5)UV-IRCUT
& L.PU@ 6PQ Jgki m cz(,u} 5．操作手册
=6Kv` 1) 目的
4<3?a l& 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
Z*vpQBbu 2) 使用范围
+Sd x8 Z5 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
'[=yfh 3) 注意事项
EDgob^> 1.开机前检查水电气是否正常
s7UhC.>' @ 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
ZXsY-5$#d- 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
z"s%# /# 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
SN[L4} { 4) 准备工作
ENYF0wW 1.基片清洗
Dc&9emKI 2.补充源材料
M]4 =(Vv+5 3.清理真空室
7{K i;1B[w 5) 操作步骤
7$1fy0f[l 1、开机
bU:}ZO^S 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
P+;CE|J`X 1.2 打开总电源
dY4k9p8 1.3 打开UPS电源
d Ik8TJ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
dxkRk#m f: 机，进行冷泵再生过程。
j2 o1 " 2、放样
A'~ % _} 2.1 清理真空室
Mg a@JA" 2.2 补充源材料
~_ l6dDJ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
_Ra<|NVQh 2.4 放入样品
y} $ P, 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
x:A-p..e 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
Uxk[O 3、熔源与蒸发镀膜
&sZ9$s:(^ 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
OD?y 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
.0Iun+nUD 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
,TKs/-_? 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
+&7[lsD*
3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
v.l7Q DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
#K :-Bys5v 3.6 打开气体流量控制仪
WNn[L= f 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
*]}CSZ[> 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
cQ3W;F8|n 4、取样
+{ ")E) 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
(xZr ]v ]U 行充气过程
,?xLT2>J_ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Ci7P%]9 清理真空室，进入到下一个循环。
O6m.t%* 5、关机
{)
:%Wn M9 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
%]a
@A8o0 5.2 关闭UPS，总电源
X$ 7Oo^1; 5.3 关闭水、气
