1. 背景知识
kd|@. 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积,利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小;采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高;利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
=o{zw+|% % 2. 设备能力
h k(2,z OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备,适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
@ L% 3} ub+>i 1) 真空室尺寸:直径900毫米,高度約1300毫米
k-Jj k3 2) 排气性能
exTpy 粗抽真空:从大气压到50Pa真空,8分钟以内
pL.r
9T. 极限真空:低于5.0E-5Pa
#2_phm' 恢复真空:15分钟之内达到8.0E-4Pa
qK.8^{b 漏气速率:低于5.0E-3Pa・L/sec
hKQT, 3) 基板加熱特性
T"in 最大设定温度: 350℃
e]uk}#4 加热40分钟以内,能到达300℃
o8
q@rwu3 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
'<>pz<c 4) 电子枪/电源(JEOL制)
9d#-;qV 电子枪(BS-60050EBS):
1f~unb\Gg (10kW,270°偏转)
T1M4@j 电压 -4~-10kV(连续可变)
.FqbX5\p, 5) 坩埚
wcsUb9( 环形坩埚:φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
="d}:Jl 15点坩埚:外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
d=xU
f`^ 6) 离子源
-zN*2T 离子流密度分布均匀;利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时,基片表面质量无损伤
IZi1N a) 射频离子源:(Optorun制:OIS-Four,10cm)
c/x ^I{b* 栅网尺寸:10cm
oq^#mJL 最大射频功率:600W(13.56MHz)
TN.mNl% 束電圧:100V~1500V
(t>BO`, 最大束電流:500mA
E2LpQNvN%g 离子流密度分布:±10%以内
dL |D 加速电压:100V~1000V
`L]cJ0tAs 标准导入气体量:氧气或氩气
Pqo"~&Y|~ b) 射频中和器(Optorun制: RFN-1Af)
-+Kx^V#'R 最大射频功率:150W(13.56MHz)
\[B5j0vV, 最大中和電流:1500mA
vtCt6M 标准导入气体量:氩气
[,8@oM# 7) 光学膜厚监控
-%5*c61 反射式膜厚计(Optorun制HOM2-R-VIS350A)
?\(E+6tpP 波長范围:350~1100nm
%%G2w63M 波長精度:<±1nm
&Jk0SUk MP 波长分解能:标准6.5nm±1.0nm,546.1nm处
xl5mI~n_~ 波长再现性:±0.25 nm
;} Ty b 安定性:<±0.1%/h(点灯60分後,环境温度安定,波長500nm)
3-lJ] 7OT 8) 水晶膜厚监控
52C>f6w 控制仪: XTC/3 (Inficon制)
.,o=# 水晶开始频率:6.0MHz
?`uY*+u 频率变化测定分解能:±0.028Hz
VI74{='= 测定时间间隔:0.25秒
rNO'0Ck= QPg
QM6 3. 标准工艺
eL0U5># 1) ITO
J)x-Yhe 2)太阳电池减反膜
c] $X+ (5cc{zKtR 3)高反膜
pBL,kqYNA> vYKKv%LE 4)截止滤光片
Xg^`fRg =T ;8'hvc3i$ 5)UV-IRCUT
P5P:_hr K;k_MA310 \5_+6 5.操作手册
#@w8wCj 1) 目的
3yszfWr 在真空
系统中,利用电子束将坩埚中的源材料(介质)加热,使其蒸发,在基底表面形成均匀的薄膜。
"n^h'// mn 2) 使用范围
dPc*!xrq 可装载六英寸基片6片;基底最高加温350℃;现有源材料:TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
]e$mTRi* 3) 注意事项
IX$dDwY|O> 1.开机前检查水电气是否正常
^vn8s~# 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
0BMKwZg 3.使用离子源结束后,需对中和器继续充Ar气使其冷却
V:fz 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
?T3zA2 4) 准备工作
"T=Z/@Vy 1.基片清洗
e=<knKc
Q 2.补充源材料
TD'Rv Tpl 3.清理真空室
jV2L;APCq 5) 操作步骤
0M7Or)qN 1、开机
v*Ds:1"H-I 1.1 打开冷却水,N2气、压缩空气
nsKl3}uU 1.2 打开总电源
jVC`38| 1.3 打开UPS电源
|]1-ck! 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”,设定开机时间,自动开
VUpa^R 机,进行冷泵再生过程。
%PRG;kR 2、放样
P"Lk(gY 2.1 清理真空室
Hbu8gqu 2.2 补充源材料
![h+R@_( 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
[=7=zV;}4 2.4 放入样品
cKJf0S:cx- 2.5 如需使用离子源,必须将保护盖拿出
9^6E>S{= 2.6 关真空腔门,运行“CHAMBER EXHAUST”,抽真空
N:?UA 3、熔源与蒸发镀膜
4wjy)VD_ 3.1 打开电脑,点击ACS图标,进入
软件操作界面
ZJ}9g(X..g 3.2 在Melting中点击“select”,选择熔源程序
W/!M
eTU&E 3.3 在process中点击“select”,选择镀膜程序
e/Wrm^]y 3.4 如需使用离子源,在“Enable IBS Control”前打勾
a"SH_+T{ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
>L\$ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
*oopdGue 3.6 打开气体流量控制仪
$\M<gW6 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜,结束后关闭离子源,顺序与
\X.CYkgK 3.5中相反,继续给中和器中充入N2一段时间
ZKy)F-yX 4、取样
q,`"Z)97 4.1 当基片温度降到80℃以下,点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”,执
v%v(-, _q 行充气过程
^0)Mc"&{ 4.2 恢复到大气状态下,开腔室,先盖上离子源与中和器的保护盖,取样,
=r"-Pm{ 清理真空室,进入到下一个循环。
,cZhkXd
5、关机
C))5,aX 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
,5!&} 5.2 关闭UPS,总电源
_&V%idz!0 5.3 关闭水、气