1. 背景知识
t{84ioJ"$ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
~Bj-n6 QDE 2. 设备能力
pm<<!`w" OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
P1z6 sG G 1z[WJ}$u 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
"k f7??Z 2） 排气性能
rmWG9&coW 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
8+gSn 极限真空：低于5.0E-5Pa
mL3'/3-7:V 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
n6ud;jN| 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
O^sgUT1O 3） 基板加熱特性
N}.h_~6 最大设定温度: 350℃
WY<ip< 加热40分钟以内，能到达300℃
% J+'7'g 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
zif()i
4） 电子枪/电源(JEOL制)
[f-
#pew 电子枪（BS-60050EBS）：
l2n>Wce9 (10kW，270°偏转)
nLo:\I( 电压 -4～-10kV(连续可变)
KX`MX5?x 5） 坩埚
}Y< (1 w 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
PT>,:zY 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
_0 Wd m* 6） 离子源
>I!dJH/gj 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
7J0 PO}N a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
` LU&]NS3 栅网尺寸：10cm
)[%#HT 最大射频功率：600W（13.56MHz）
64>Zr 束電圧：100V～1500V
tJ'U<s 最大束電流：500mA
RZDZ3W(;h 离子流密度分布：±10%以内
3 Mk F 加速电压：100V～1000V
dR $@vDm 标准导入气体量：氧气或氩气
%H%>6z x b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Qv']*C[!z 最大射频功率：150W（13.56MHz）
MIi:\m5 最大中和電流：1500mA
s_E iA _ 标准导入气体量：氩气
&b{L|I'KYT 7） 光学膜厚监控
P#76ehR]K 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
6;5}%
B:#h 波長范围：350～1100nm
^Z\1z!{R 波長精度：<±1nm
kO/dZ%vj 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
J#'c+\B<2X 波长再现性：±0.25 nm
K <\TF+ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
mxDy!:@= 8） 水晶膜厚监控
Xj|j\2$ 0 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
LTFA2X&E= 水晶开始频率：6.0MHz
^\Jg
{9a 频率变化测定分解能：±0.028Hz
b\6w [52m 测定时间间隔：0.25秒
3osAWSCEL C2DNyMu 3. 标准工艺
MP NBA1s 1) ITO
se7_:0+w 2)太阳电池减反膜
\s+ <w3 %Z.>)R4 3)高反膜
<fN?= u+ fa"eyBO50 4)截止滤光片
!K6: W1 & eg]8kV 5)UV-IRCUT
)mp0k% |p3]9 H *|hICTWL 5．操作手册
uw;s](~E 1) 目的
l3(k 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
%~$4[,= 2) 使用范围
3 $WK%"%T 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
N[r@Y{ 3) 注意事项
>(d+E\! A 1.开机前检查水电气是否正常
.KK"KO5k 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
&W|'rA'r 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
S E%i@} 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
h`Y t4-Y 4) 准备工作
N b(se*Y# 1.基片清洗
aD0w82s]J 2.补充源材料
M.H4 ud 3.清理真空室
ilpg() 5) 操作步骤
&X +@,! 1、开机
574 b] 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
}]tSWVb* 1.2 打开总电源
x$6-7<p 1.3 打开UPS电源
@CWfhc-Ub 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
Auv/w}zrr 机，进行冷泵再生过程。
qdUlT*fw 2、放样
'VR5>r 2.1 清理真空室
?CM,k0 2.2 补充源材料
YHCXVu<.b 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
vjbot^W9 2.4 放入样品
qfN<w&P 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
9$S2:2(G 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
yTbBYx9Bi 3、熔源与蒸发镀膜
P),%S9jP; 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
ZYu^Q6 b3 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
%3"3 OOT7 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
9.PY4 9| 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
[xM07%: 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
p mHd1 Wub DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
d v@6wp: 3.6 打开气体流量控制仪
/"Rh
bE 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
2c9@n9Vx3a 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
v
mw7H 4、取样
c S{ l2}E 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
c|ZZ+2I Yd 行充气过程
f ~W.i] 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
h-!( O^M 清理真空室，进入到下一个循环。
K\n %&w 5、关机
$ #"}g#u 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
=oiY'}%(i 5.2 关闭UPS，总电源
j >0S3P, 5.3 关闭水、气
