1. 背景知识
;R]~9Aan 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
:[ &QoEZW 2. 设备能力
`>& K=C? OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
2j&0U!DX )lU9\"?o 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
no(or5UJ 2） 排气性能
@a i2A| 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
gKP=@v%- 极限真空：低于5.0E-5Pa
cHC4Y&&uZ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
SQJ +C% 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
9v/=o`J #
3） 基板加熱特性
X<Ag['r 最大设定温度: 350℃
e F)my 加热40分钟以内，能到达300℃
~;}uYJ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
,uPN\` .u8 4） 电子枪/电源(JEOL制)
?&=JGk^eJ 电子枪（BS-60050EBS）：
>en\:pJn)' (10kW，270°偏转)
biPj(D d 电压 -4～-10kV(连续可变)
W~FU!C?] 5） 坩埚
ft1V1 c 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
bwI"V &* 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
P4:Zy;$v! 6） 离子源
TZhYgV 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
O1 !YHo a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
2U3 e !V 栅网尺寸：10cm
WWTRB +1> 最大射频功率：600W（13.56MHz）
gs&F
. n 束電圧：100V～1500V
vxS4YR b 最大束電流：500mA
i>KgkRZ L# 离子流密度分布：±10%以内
OAaLCpRp 加速电压：100V～1000V
Sx1|Oq] 标准导入气体量：氧气或氩气
1DlXsup&?# b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
WmkCV+thA 最大射频功率：150W（13.56MHz）
??f,(om 最大中和電流：1500mA
kN6 jX 标准导入气体量：氩气
= |E8z
u% 7） 光学膜厚监控
PZVH=dagq 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
M+I9k;N6& 波長范围：350～1100nm
$ /
g<h 波長精度：<±1nm
xX fv({ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
mkq246<D~ 波长再现性：±0.25 nm
Vh a,rIi 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
4X!4S6JfB 8） 水晶膜厚监控
Wt.['`c< 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
u$FL(m4 水晶开始频率：6.0MHz
p
W@Yr 频率变化测定分解能：±0.028Hz
<zm:J4&>T 测定时间间隔：0.25秒
qHvU4v WD1>{TSn 3. 标准工艺
!<out4Mz" 1) ITO
4I9Yr 2)太阳电池减反膜
z4(`>z2a Q5A,9ovNZ 3)高反膜
-hq^' ;, nzZs2 4)截止滤光片
l[u17,]S tN.$4+ 5)UV-IRCUT
VK!HuO9l x .$cP SYh>FF" 5．操作手册
ss6{+@, 1) 目的
L9oLdWa(C 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
-q8l"i>h= 2) 使用范围
BLAF{vVaf 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
^j@+!A_.Q 3) 注意事项
$ @l=FV_; 1.开机前检查水电气是否正常
. IM]B4 m 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
B@S~v+Gr 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
eSHsE 3}h
4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
+d?|R5{3 4) 准备工作
ohs`[U=%~ 1.基片清洗
'h^Ya?g 2.补充源材料
y} is=h3 3.清理真空室
| UB)q5I 5) 操作步骤
&8yGV i 1、开机
p]<)6sZ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
6=qC/1,l 1.2 打开总电源
fP6 \Ur 1.3 打开UPS电源
a :O M I 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
`,]_r 4~ ~ 机，进行冷泵再生过程。
HAo=t 2、放样
f96`n+>x i 2.1 清理真空室
fwmXIpteK 2.2 补充源材料
?!<Q8= 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
V7`vLs- 2.4 放入样品
5;G0$M0 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
C#8A| 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
\B:k|Pw6~ 3、熔源与蒸发镀膜
&,3s2,1U( 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
]*g f$D 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
R4T@ ]l&W 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
<lNNT6[/r 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
C <(qk _ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
W /*?y & DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
';!-a] N 3.6 打开气体流量控制仪
rA^=;?7Q 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
t: oQHhO? 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
q#I'@Jbj 4、取样
G9V2(P 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
Zy.A9 Bh~ 行充气过程
N8k= c3| 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
hW9! 清理真空室，进入到下一个循环。
s diWQ v 5、关机
8 R7w$3pp\ 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
'9 zKaL 5.2 关闭UPS，总电源
@'5 *jXd 5.3 关闭水、气
