1. 背景知识
c^a D r 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
g [ dI% 2. 设备能力
<f+ 9wuZ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
PW)Gd +y V \4zK$] 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
Okt0b|=`1* 2） 排气性能
/Q*o6G ys0 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
gdKn!; ,w# 极限真空：低于5.0E-5Pa
r'5~4'o$ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
+#Q\;; FNP 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
^w1&A 3=6 3） 基板加熱特性
\u@*FTS 最大设定温度: 350℃
AIK99 加热40分钟以内，能到达300℃
jXu)%< 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
$-Wn|w+h<a 4） 电子枪/电源(JEOL制)
%h M8px4d 电子枪（BS-60050EBS）：
@ UgZZ (10kW，270°偏转)
dvLO #o{ 电压 -4～-10kV(连续可变)
h|Z%b_a 5） 坩埚
b IZuZF>* 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
-<MA\ iSP 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
>3\($<YDZM 6） 离子源
:\sz`p?EC 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
+^0Q~>=VD a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
TcjTF|q> 栅网尺寸：10cm
%40uw3 最大射频功率：600W（13.56MHz）
=m Wr8p-H 束電圧：100V～1500V
3L K]VuZE 最大束電流：500mA
P_{jZ}y( 离子流密度分布：±10%以内
g4"0:^ / 加速电压：100V～1000V
VGDds 标准导入气体量：氧气或氩气
[ h;&r" 1 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
hnf7Q l} 最大射频功率：150W（13.56MHz）
45+w)Vf! 最大中和電流：1500mA
w 4UaWT1J 标准导入气体量：氩气
L
UitY 7） 光学膜厚监控
fP :26pK^ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
Za4X
; 波長范围：350～1100nm
G,]%dZH e 波長精度：<±1nm
U0Q:sA U 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
Vy6A]U\% 波长再现性：±0.25 nm
7=e!k-G 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
|4lrVYG^K 8） 水晶膜厚监控
^qgOgu 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
PRo;NE 水晶开始频率：6.0MHz
ud}B#{6 频率变化测定分解能：±0.028Hz
XC NM 测定时间间隔：0.25秒
:p6.v>s8 N=h huKt] 3. 标准工艺
{y0 `p1 1) ITO
Kq. MmR!gl 2)太阳电池减反膜
XX]) B%* [
S_8;j 3)高反膜
p l.D
h n@"h^- 4)截止滤光片
@j vF[wi; N9s ,.. 5)UV-IRCUT
gr%!<2w "h >B`S ag~4m5n*~ 5．操作手册
fsr0E=nV 1) 目的
k%[pZ 5.! 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
R,'`
A.Kk 2) 使用范围
_#2AdhCu 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
fQ@k$W\ 3) 注意事项
D-GI rw{>5 1.开机前检查水电气是否正常
a1p}y2 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
&q? A)R 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
F N)vFQ#J 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
<+%#xi/_ 4) 准备工作
%%=PpKYtSD 1.基片清洗
k;AV 'r 2.补充源材料
^/k`URQ 3.清理真空室
==i:* 5) 操作步骤
l-GQ AI8 1、开机
HS % P 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
ls<7Qe"a 1.2 打开总电源
P<1ZpL 1.3 打开UPS电源
5NT?A,r" 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
X 9lh@`3 机，进行冷泵再生过程。
[`u3SN/P 2、放样
qxR7;/@j ) 2.1 清理真空室
p%_m!
2.2 补充源材料
g 'F{;Ur 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
W%)uKQha 2.4 放入样品
%^r}$mfy:0 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
G31??L:< 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
#t^y$9^ 3、熔源与蒸发镀膜
ATdK)gG 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
~gjREl,+D# 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
tB Z&h `
V 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
]I|3v]6qR 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
Ai 9UB=[R 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
m) ]A$*`< DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
[J6*Q9B<V& 3.6 打开气体流量控制仪
6axDuwQ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
)7H s 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
-@wnQ? 4、取样
;T6x $e 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
?2#v`Z=L; 行充气过程
x9c/;Q &m 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
0^27grU> 清理真空室，进入到下一个循环。
le*1L8n$' 5、关机
<}^W9 >u< 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
,s?7EHtC 5.2 关闭UPS，总电源
-]uN16\ F 5.3 关闭水、气
