目录
第1章 光电信息技术物理基础
1.1 光的基本性质及其度量
1.1.1 光的基本性质
1.1.2 光辐射的度量
1.2 半导体物理基础
1.2.1 半导体的能带
1.2.2 热平衡载流子
1.2.3 非平衡载流子
1.2.4 载流子的运动
1.2.5 半导体对光的吸收
1.2.6 半导体的pn结
1.2.7 半导体与金属的接触
1.3 光辐射电效应
1.3.1 光电效应
1.3.2 热电效应
习题与思考题
第2章 光辐射信息探测器件
2.1 光电发射型探测器件
2.1.1 光电发射材料
2.1.2 光电倍增管的结构及原理
2.1.3 光电倍增管的主要特性参数
2.1.4 光电倍增管的工作电路
2.1.5 光电倍增管的使用要点
2.2 半导体光电导型探测器件
2.2.1 光敏电阻的结构及原理
2.2.2 几种常用的光敏电阻
2.2.3 光敏电阻的特性参数
2.2.4 光敏电阻的特点、应用及使用要点
2.3 半导体光伏型探测器件
2.3.1 光电池
2.3.2 光敏二极管
2.3.3 pin光敏二极管
2.3.4 雪崩光敏二极管(apd)
2.3.5 光敏三极管
2.3.6 pv器件与pc器件的区别及使用要点
2.4 半导体组合型光电探测器件
2.4.1 象限探测器件
2.4.2 楔环探测器件
2.4.3 光电位置探测器件(psd)
2.4.4 半导体色敏探测器件
2.4.5 光电耦合器件
2.5 热电偶与热电堆
2.5.1 热电偶
2.5.2 热电堆
2.5.3 热电偶与热电堆的应用及使用要点
2.6 热敏电阻
2.6.1 热敏电阻的类型、结构及原理
2.6.2 热敏电阻的特性参数
2.6.3 热敏电阻的参数选择、应用及使用要点
2.6.4 几种新型热敏电阻
2.7 热释电探测器件
2.7.1 热释电探测器件的结构与原理
2.7.2 热释电探测器件的类型
2.7.3 热释电器件的特性参数
2.7.4 热释电探测器对前置放大器的要求
2.7.5 热释电探测器的应用及使用要点
习题与思考题
第3章 光电成像器件
3.1 光电成像器件的类型与电视制式
3.1.1 光电成像器件的类型
3.1.2 电视扫描方式及制式
3.2 电荷耦合器件(ccd)
3.2.1 ccd的结构及原理
3.2.2 ccd的输入/输出及外围驱动电路
3.2.3 ccd的类型
3.2.4 ccd的特性参数
3.2.5 ccd的应用
3.3 cmos图像传感器
3.3.1 cmos图像传感器的结构及原理
3.3.2 cmos图像传感器的特性参数
3.3.3 cmos图像传感器与ccd的比较
3.3.4 cmos摄像器件的应用
3.4 自扫描光电二极管阵列(sspa)
3.4.1 sspa的结构及原理
3.4.2 sspa类型、信号读出及放大电路
3.4.3 sspa与ccd的性能比较
3.5 接触式图像传感器cis
3.5.1 cis的结构及原理
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cyqdesign 2010-12-21 17:06